本發(fā)明涉及多層電路板，尤其涉及一種多層電路板及制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代的到來(lái)，對(duì)功率管理集成電路的市場(chǎng)需求越來(lái)越廣泛，高速運(yùn)算帶來(lái)產(chǎn)熱的問(wèn)題越來(lái)越備受關(guān)注，受制于空間布局越來(lái)越小的要求，散熱問(wèn)題更突出，載板設(shè)計(jì)上越來(lái)越趨向于設(shè)計(jì)更厚的銅、更多的層數(shù)來(lái)保證散熱。

2、然而，現(xiàn)有的電路板受空間限制無(wú)法預(yù)留更多散熱銅空間，散熱效果較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種多層電路板及制備方法，以解決現(xiàn)有的電路板散熱效果差的問(wèn)題。

2、根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了多層電路板，包括：銅板；所述銅板包括相對(duì)的兩個(gè)表面；在所述銅板的任意一個(gè)表面上，設(shè)置有銅層堆疊結(jié)構(gòu)，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)包括第二銅層和至少一層第一銅層，所述至少一層第一銅層位于所述銅板和所述第二銅層之間；所述第一銅層開(kāi)設(shè)有第一凹槽，所述第一凹槽貫穿所述第一銅層，所述第一凹槽內(nèi)填充有半固化材料，沿第一方向上所述第一凹槽的開(kāi)口逐漸增大，所述第一方向?yàn)樗龅诙~層指向所述銅板的方向。

3、可選地，所述第一凹槽包括靠近所述銅板的底部開(kāi)口和遠(yuǎn)離所述銅板的頂部開(kāi)口；

4、沿第二方向上，所述頂部開(kāi)口的尺寸與所述底部開(kāi)口的尺寸的差值大于50μm，所述第二方向平行于凹槽徑向方向。

5、可選地，所述第二銅層的背離所述銅板的一側(cè)開(kāi)設(shè)有若干個(gè)第二凹槽，至少一個(gè)所述第二凹槽與所述第一凹槽在所述第一方向上存在交疊。

6、可選地，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的n層所述第一銅層，n大于1，其中，第1層所述第一銅層靠近所述銅板，第n層所述第一銅層靠近所述第二銅層；

7、所述n層所述第一銅層滿足以下至少一種情況：

8、1)沿第二方向上，第i層所述第一銅層的第一凹槽的尺寸小于第n層所述第一銅層的第一凹槽的尺寸，所述第二方向平行于凹槽徑向方向，1≤i≤(n-1)；

9、2)至少兩層所述第一銅層的第一凹槽的中心軸重合；

10、3)至少兩層所述第一銅層的第一凹槽的尺寸相同。

11、可選地，銅層堆疊結(jié)構(gòu)表面平整度小于0.008mm。

12、可選地，所述銅板開(kāi)設(shè)有第三凹槽，所述第三凹槽內(nèi)填充有樹(shù)脂材料，沿所述第一方向上，至少一個(gè)所述第一凹槽的投影覆蓋所述第三凹槽的投影。

13、可選地，沿第三方向上，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)至少包括第一側(cè)表面，所述第一側(cè)表面呈鋸齒狀，所述第一側(cè)表面上設(shè)置有半固化層，所述第三方向平行于所述銅板所在平面。

14、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種多層電路板的制備方法，用于制備本發(fā)明任一實(shí)施例所述的多層電路板，所述制備方法包括：

15、提供銅板；

16、在所述銅板上形成多個(gè)半固化材料塊，沿第一方向上，所述半固化材料塊呈正梯形；

17、在所述多個(gè)半固化材料塊上形成第一銅層，所述第一銅層與所述半固化材料塊平齊；

18、在所述第一銅層上形成第二銅層。

19、可選地，在所述銅板上形成多個(gè)半固化材料塊包括：

20、在所述銅板上依序形成半固化膜層和薄銅層，并進(jìn)行圖案化，所述半固化材料塊上具有薄銅材料塊。

21、可選地，在所述多個(gè)半固化材料塊上形成第一銅層包括：

22、電鍍形成第一銅膜層，所述第一銅膜層的厚度大于或等于所述半固化材料塊的厚度；

23、對(duì)所述第一銅膜層進(jìn)行減薄處理，直至去除所述薄銅材料塊。

24、本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，通過(guò)在銅板的表面上設(shè)置銅層堆疊結(jié)構(gòu)，使第一銅層和至少一層第二銅層堆疊設(shè)置，在第一銅層開(kāi)設(shè)第一凹槽從而使得第一銅層呈現(xiàn)倒梯形結(jié)構(gòu)，倒梯形結(jié)構(gòu)的第一銅層堆疊設(shè)置可規(guī)避層間對(duì)準(zhǔn)度的問(wèn)題，從而增大銅層堆疊結(jié)構(gòu)的截面積，并且該銅層堆疊結(jié)構(gòu)在不影響第二銅層布線結(jié)構(gòu)的情況下，能夠?qū)⒌谝汇~層截面積最大化，進(jìn)而增大銅層堆疊結(jié)構(gòu)的截面積提高了散熱效率。另外，銅板相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)表面上的銅層堆疊結(jié)構(gòu)沿銅板呈對(duì)稱分布增加了多層電路板的對(duì)稱性進(jìn)一步提升散熱效果。

25、應(yīng)當(dāng)理解，本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標(biāo)識(shí)本發(fā)明的實(shí)施例的關(guān)鍵或重要特征，也不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的其它特征將通過(guò)以下的說(shuō)明書而變得容易理解。

技術(shù)特征：

1.一種多層電路板，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，所述第一凹槽包括靠近所述銅板的底部開(kāi)口和遠(yuǎn)離所述銅板的頂部開(kāi)口；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，所述第二銅層的背離所述銅板的一側(cè)開(kāi)設(shè)有若干個(gè)第二凹槽，至少一個(gè)所述第二凹槽與所述第一凹槽在所述第一方向上存在交疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的n層所述第一銅層，n大于1，其中，第1層所述第一銅層靠近所述銅板，第n層所述第一銅層靠近所述第二銅層；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，銅層堆疊結(jié)構(gòu)表面平整度小于0.008mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，所述銅板開(kāi)設(shè)有第三凹槽，所述第三凹槽內(nèi)填充有樹(shù)脂材料，沿所述第一方向上，至少一個(gè)所述第一凹槽的投影覆蓋所述第三凹槽的投影。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，沿第三方向上，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)至少包括第一側(cè)表面，所述第一側(cè)表面呈鋸齒狀，所述第一側(cè)表面上設(shè)置有半固化層，所述第三方向平行于所述銅板所在平面。

8.一種多層電路板的制備方法，用于制備權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的多層電路板，其特征在于，所述制備方法包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述銅板上形成多個(gè)半固化材料塊包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，在所述多個(gè)半固化材料塊上形成第一銅層包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種多層電路板及制備方法，所述多層電路板包括：銅板；所述銅板包括相對(duì)的兩個(gè)表面；在所述銅板的任意一個(gè)表面上，設(shè)置有銅層堆疊結(jié)構(gòu)，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)包括第二銅層和至少一層第一銅層，所述至少一層第一銅層位于所述銅板和所述第二銅層之間；所述第一銅層開(kāi)設(shè)有第一凹槽，所述第一凹槽貫穿所述第一銅層，所述第一凹槽內(nèi)填充有半固化材料，沿第一方向上所述第一凹槽的開(kāi)口逐漸增大，所述第一方向?yàn)樗龅诙~層指向所述銅板的方向。采用上述技術(shù)方案在不影響第二銅層布線結(jié)構(gòu)的情況下，能夠使第一銅層的截面積最大化以提升散熱效率。

技術(shù)研發(fā)人員：汪中平,從光軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：昆山滬利微電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9