本實(shí)用新型涉及硅鉬或硅碳棒加熱元件技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種硅碳棒連接橋結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

硅碳棒是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料，按一定料比加工制坯，經(jīng)2200℃高溫硅化再結(jié)晶燒結(jié)而制成棒狀、管狀的非金屬高溫電熱元件。硅碳棒氧化性氣氛中正常使用溫度可達(dá)1450℃，連續(xù)使用可達(dá)2000小時(shí)。硅碳棒根據(jù)不同的配比形成一定的電阻，通電后發(fā)熱，其表面溫度較高，硅碳棒有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，抗酸能力強(qiáng)。

目前，硅碳棒加熱元件一般都由連接端將若干根硅碳棒并聯(lián)為一組加熱元件，硅碳棒在通電后發(fā)熱，高溫條件下堿性物質(zhì)對(duì)其有侵蝕作用，硅碳棒元件在1000℃以上長(zhǎng)期使用能與氧氣和水蒸氣發(fā)生如下作用：

⑴ SiC+2O₂→Si O₂+CO₂ ⑵ SiC+4H₂O=Si O₂+4H₂+CO₂

致使加熱元件中的SiO₂含量逐漸增多，電阻隨之緩慢增加，為之老化。如水蒸氣過多，會(huì)促進(jìn)SiC氧化，由⑵式反應(yīng)產(chǎn)生的H₂與空氣中的O₂結(jié)合H₂O再反應(yīng)產(chǎn)生惡性循環(huán)，降低元件壽命。氫氣(H₂)能使加熱元件機(jī)械強(qiáng)度降低。氮?dú)?N₂)在1200℃以下能防止SiC氧化，氮?dú)庠?350℃以上與SiC發(fā)生反應(yīng)，使SiC分解出氯氣(Cl₂)能使SiC完全分解。

現(xiàn)有技術(shù)的硅碳棒加熱元件在使用過程中會(huì)產(chǎn)生被氧化或氮化的物質(zhì)脫落，脫落的雜質(zhì)直接掉落在下部加熱的原材料中，造成雜質(zhì)污染，嚴(yán)重影響產(chǎn)品質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足而設(shè)計(jì)的一種硅碳棒連接橋結(jié)構(gòu)，采用設(shè)置雜質(zhì)收集結(jié)構(gòu)的硅碳棒連接橋，硅碳棒脫落的雜質(zhì)可直接滴落在收集器內(nèi)，有效防止滴落的氧化物雜質(zhì)對(duì)周圍及下部原料的污染，乃至造成被加熱物質(zhì)的損壞，使得硅碳棒在正常使用狀態(tài)下能安全有效、清潔地運(yùn)行，不會(huì)造成被加熱材料的雜質(zhì)污染而影響產(chǎn)品質(zhì)量。

本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種硅碳棒連接橋結(jié)構(gòu)，包括連接橋和硅碳棒，其特點(diǎn)是連接橋?yàn)樵O(shè)有儲(chǔ)灰倉(cāng)和若干連接孔的硅碳棒連接結(jié)構(gòu)，硅碳棒設(shè)置在連接孔內(nèi)且與連接橋燒結(jié)成一體,組成非金屬高溫加熱元件，所述連接橋?yàn)榈怪玫奶菪谓Y(jié)構(gòu)，其上設(shè)有船形托盤的儲(chǔ)灰倉(cāng)。

所述儲(chǔ)灰倉(cāng)的底面與連接橋梯形結(jié)構(gòu)的底面尺寸一致。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，有效防止硅碳棒的氧化雜質(zhì)掉落在下部加熱的原材料中，脫落的硅碳棒雜質(zhì)滴落在儲(chǔ)灰倉(cāng)內(nèi)收集，避免硅碳棒在使用過程中產(chǎn)生被氧化或氮化的物質(zhì)脫落而造成產(chǎn)品的雜質(zhì)污染，徹底解決了長(zhǎng)期以來(lái)硅碳棒氧化雜質(zhì)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量影響的問題，使得硅碳棒在正常使用狀態(tài)下能安全有效、清潔地運(yùn)行，提高產(chǎn)品質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為連接橋結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖2側(cè)視圖；

圖4為圖2俯視圖；

圖5為本實(shí)用新型工作示意圖。

具體實(shí)施方式

參閱附圖1～附圖3，本實(shí)用新型由連接橋1與三根硅碳棒4組成的非金屬高溫加熱元件，所述連接橋1為設(shè)有收集氧化脫落物的儲(chǔ)灰倉(cāng)2和三個(gè)連接孔3的硅碳棒連接結(jié)構(gòu)，硅碳棒4設(shè)置在連接孔3內(nèi)且與連接橋1燒結(jié)成一體，組成非金屬高溫加熱元件。

參閱附圖2～附圖4，所述連接橋1為倒置的梯形結(jié)構(gòu)，其上設(shè)有船形托盤的儲(chǔ)灰倉(cāng)2，其儲(chǔ)灰倉(cāng)2的底面與連接橋1梯形結(jié)構(gòu)的底面大小一致。

參閱附圖5，將本實(shí)用新型設(shè)置在玻璃爐窯內(nèi)，硅碳棒4在通電后發(fā)熱，加熱其下部的玻璃原料，由于在高溫條件下，硅碳棒4在使用過程中與氧氣和水蒸氣發(fā)生作用，會(huì)產(chǎn)生被氧化或氮化的雜質(zhì)5脫落，脫落的雜質(zhì)5會(huì)直接滴落在硅碳棒4底部的儲(chǔ)灰倉(cāng)2內(nèi)，很好的防止了硅碳棒4的氧化物滴落在加熱原材料中，造成污染而影響產(chǎn)品質(zhì)量。本實(shí)用新型對(duì)非金屬高溫加熱元件的結(jié)構(gòu)沒有改變，只是通過儲(chǔ)灰倉(cāng)2對(duì)硅碳棒4在使用過程中有可能滴落的部位進(jìn)行雜質(zhì)收集。儲(chǔ)灰倉(cāng)2采用一種耐高溫的材料，如陶瓷、莫來(lái)石、石英、碳化硅、鉬化硅、耐火材料、氧化鎂、氮化硼等耐高溫絕緣材料，經(jīng)特定模具形狀的塑形后與連接橋1以及三根硅碳棒4燒結(jié)成型且為一體，組成非金屬高溫加熱元件。

本實(shí)用新型通過對(duì)各種硅碳棒、硅鉬棒等加熱元件在其合適部位設(shè)置雜質(zhì)的收集結(jié)構(gòu)，使得這類加熱體在使用過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)等進(jìn)行有效的收集，以免影響到周圍環(huán)境和被加熱物體的質(zhì)量。以上只是對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明，并非用以限制本專利，凡為本實(shí)用新型等效實(shí)施，均應(yīng)包含于本專利的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。