本發(fā)明涉及一種開關(guān)，特別是指一種復(fù)合開關(guān)。

背景技術(shù)：

復(fù)合開關(guān)具有無沖擊、低功耗、高壽命等顯著優(yōu)點，可替代接觸器或晶閘管開關(guān)，被廣泛應(yīng)用于低壓無功補償領(lǐng)域，現(xiàn)有的復(fù)合開關(guān)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，操作繁瑣，給使用帶來極大的不便。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提出一種復(fù)合開關(guān)，通過使用改進結(jié)構(gòu)，使得復(fù)合開關(guān)結(jié)構(gòu)更加簡單，質(zhì)量更好，使用時操作簡便，提高了復(fù)合開關(guān)的質(zhì)量及使用效率。

本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：

一種復(fù)合開關(guān)，包括：自上而下設(shè)置的微加熱電極、上包層、波導(dǎo)芯層、下包層及襯底，所述復(fù)合開關(guān)的橫向包括依次設(shè)置的波導(dǎo)輸入?yún)^(qū)、第一分支區(qū)、熱光調(diào)制區(qū)、第二分支區(qū)和波導(dǎo)輸出區(qū)；所述波導(dǎo)輸入?yún)^(qū)長度為3～5mm，所述第一分支區(qū)及第二分支區(qū)長度均為2～3mm，所述第一分支區(qū)及第二分支區(qū)的分支角度均為0.1°，所述熱光調(diào)制區(qū)的長度為10～12mm。

進一步，所述上包層與波導(dǎo)芯層之間設(shè)有掩膜層。

進一步，所述波導(dǎo)芯層為馬赫-曾德爾干涉儀型結(jié)構(gòu)，所述波導(dǎo)芯層包括光信號輸入?yún)^(qū)、3-dB Y分支分束器、波導(dǎo)互作用區(qū)、3-dB Y分支耦合器及光信號輸出區(qū)組成。

進一步，所述上包層與下包層的厚度均為8～10μm，所述掩膜層厚度為2μm，所述波導(dǎo)芯層的橫截面直徑為5～6μm。

更進一步，所述微加熱電極的長度為10～12mm、微加熱電極電阻為50～60Ω，微加熱電極厚度為400～500nm。

本發(fā)明通過使用改進結(jié)構(gòu)，使得復(fù)合開關(guān)結(jié)構(gòu)更加簡單，質(zhì)量更好，使用時操作簡便，提高了復(fù)合開關(guān)的質(zhì)量及使用效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明具體實施例中一種復(fù)合開關(guān)的縱向結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示的復(fù)合開關(guān)的橫向結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖1所示的波導(dǎo)芯層的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

在本發(fā)明的具體實施例中，見圖1～圖3，一種復(fù)合開關(guān)，包括自上而下設(shè)置的微加熱電極1、上包層2、波導(dǎo)芯層4、下包層5及襯底6，復(fù)合開關(guān)的橫向包括依次設(shè)置的波導(dǎo)輸入?yún)^(qū)7、第一分支區(qū)8、熱光調(diào)制區(qū)9、第二分支區(qū)10和波導(dǎo)輸出區(qū)11；波導(dǎo)輸入?yún)^(qū)7的長度為3～5mm，第一分支區(qū)8及第二分支區(qū)10長度均為2～3mm，第一分支區(qū)8及第二分支區(qū)10的分支角度均為0.1°，熱光調(diào)制區(qū)9的長度為10～12mm，波導(dǎo)輸出區(qū)11長度為8～10mm。

在本發(fā)明的具體實施例中，見圖1～圖3，上包層2與波導(dǎo)芯層4之間設(shè)有掩膜層3。

在本發(fā)明的具體實施例中，見圖1～圖3，波導(dǎo)芯層4為馬赫-曾德爾干涉儀型結(jié)構(gòu)，波導(dǎo)芯層4包括光信號輸入?yún)^(qū)41、3-dB Y分支分束器42、波導(dǎo)互作用區(qū)43、3-dB Y分支耦合器44及光信號輸出區(qū)45組成。

在本發(fā)明的具體實施例中，見圖1～圖3，上包層2與下包層5的厚度均為8～10μm，掩膜層3厚度為2μm，波導(dǎo)芯層4的橫截面直徑為5～6μm。

在本發(fā)明的具體實施例中，見圖1～圖3，微加熱電極1的長度為10～12mm、微加熱電極1的電阻為50～60Ω，微加熱電極1的厚度為400～500nm。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。