技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及電容交叉耦合與諧波抑制，其中的功率放大器包括第一級聯(lián)結(jié)構(gòu)，第一級聯(lián)結(jié)構(gòu)包括MOSFET和JFET以及電連接在JFET的源極與漏極之間的第一電容器。并聯(lián)的兩個這樣的功率放大器形成差分功率放大器。在差分放大器中，第二電容器可以電連接在第二JFET的源極與漏極之間。另一個差分功率放大器包括：電連接在第一MOSFET的柵極與第二MOSFET的源極之間的第一電容器，以及電連接在第二MOSFET的柵極與第一MOSFET的源極之間的第二電容器。這些差分功率放大器中的一些還包括：電連接在JFET的源極與漏極之間的電容器。

技術(shù)研發(fā)人員：C·布亞瓦勒;D·瑪斯利亞;F·于安
受保護的技術(shù)使用者：艾殼
文檔號碼：201611093259
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.28
技術(shù)公布日：2017.05.10