本發(fā)明涉及電磁干擾屏蔽技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電磁干擾屏蔽膜和顯示裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的顯示裝置中，柔性電路板(FPC)通常是直接綁定(B/D)到顯示面板(Panel)上，具體的，是將FPC的單層銅箔區(qū)彎折貼合到顯示面板上。柔性電路板大部分區(qū)域?yàn)殡p層銅箔區(qū)，小部分為單層銅箔區(qū)，單層銅箔區(qū)主要用于綁定時的彎折貼合。單層銅箔區(qū)上通常設(shè)置有一些信號走線，用于傳輸顯示裝置的顯示面板和主板芯片之間的數(shù)據(jù)。位于單層銅箔區(qū)上的信號走線容易產(chǎn)生電磁干擾(EMI)問題，尤其是用于傳輸高頻信號的信號走線?，F(xiàn)有技術(shù)中有在信號走線上方增加EMI膜材易屏蔽電磁干擾的方案，但是，現(xiàn)有的EMI膜材具有硬度大，反彈力大，難以彎折的缺點(diǎn)，不適用于FPC的單層銅箔區(qū)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種電磁干擾屏蔽膜和顯示裝置，用于解決現(xiàn)有的顯示裝置中的用于屏蔽電磁干擾的EMI膜材難以彎折的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種電磁干擾屏蔽膜，包括柔性基底，設(shè)置于所述柔性基底上的導(dǎo)電層，設(shè)置于所述導(dǎo)電層上的導(dǎo)電膠層。

優(yōu)選地，所述柔性基底采用布料制成。

優(yōu)選地，所述布料為具有經(jīng)緯交叉方向的有紡布。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層包括銅層。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層還包括鎳層，所述鎳層位于所述柔性基底和所述銅層之間。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電膠層包括膠層和摻雜于所述膠層中的導(dǎo)電粒子。

優(yōu)選地，所述電磁干擾屏蔽膜上開設(shè)有鏤空圖形。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括數(shù)據(jù)走線，覆蓋所述數(shù)據(jù)走線上方的絕緣層，以及設(shè)置于所述絕緣層上方的電磁干擾屏蔽膜，所述電磁干擾屏蔽膜為上述電磁干擾屏蔽膜，所述電磁干擾屏蔽膜的導(dǎo)電膠層分別與所述絕緣層以及所述顯示裝置的接地部件粘接。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電膠層通過熱壓方式與所述接地部件粘接。

優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)走線為所述顯示裝置的FPC的單層銅箔區(qū)上的MIPI走線。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

本發(fā)明中電磁干擾屏蔽膜采用柔性基底，因而易彎折，適用于需要進(jìn)行彎折的部件的電磁干擾屏蔽。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的電磁干擾屏蔽膜的剖視圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的電磁干擾屏蔽膜的俯視圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請說明書以及權(quán)利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個”或者“一”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也相應(yīng)地改變。

請參考圖1，圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的電磁干擾屏蔽膜的剖視圖，該電磁干擾屏蔽膜10包括柔性基底11，設(shè)置于所述柔性基底11上的導(dǎo)電層12，設(shè)置于所述導(dǎo)電層12上的導(dǎo)電膠層13。

其中，導(dǎo)電層12的作用是用于將電磁干擾信號導(dǎo)出，導(dǎo)電膠層13的作用是用于將電磁干擾屏蔽膜10粘帖在待屏蔽電磁干擾的部件和接地部件上，并將導(dǎo)電層12傳輸?shù)碾姶鸥蓴_信號傳輸至接地部件。

本發(fā)明實(shí)施例中的電磁干擾屏蔽膜10采用柔性基底11，因而易彎折，適用于需要進(jìn)行彎折的部件的電磁干擾屏蔽。

優(yōu)選地，所述柔性基底11采用布料制成，由布料形成的柔性基底具有易彎折，不易斷裂且成本低等優(yōu)點(diǎn)。

進(jìn)一步優(yōu)選地，所述布料為具有經(jīng)緯交叉方向的有紡布，有紡布是指纖維或者紡紗等經(jīng)過織布工藝，形成的具有經(jīng)緯方向交叉方向的織物。有紡布在經(jīng)度和緯度方向上均具有耐折抗拉性，不易斷裂。

當(dāng)然，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，柔性基底11也可以采用其他柔性材料制成。

優(yōu)選地，所述柔性基底11的厚度為1-3um，厚度較小，以保證電磁干擾屏蔽膜的厚度整體不會太大。

本發(fā)明實(shí)施例中的導(dǎo)電層12可以是金屬層、復(fù)合金屬層等多種類型的導(dǎo)電層。

請參考圖1，優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層12包括銅層121，銅具有導(dǎo)電性能高的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的EMI特性，且成本較低。

通常情況下，銅層121是由濺射工藝形成，然而，單純在柔性基底上濺射形成銅層，工藝比較困難，優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例中，導(dǎo)電層12還可以包括鎳層122，所述鎳層122位于所述柔性基底11和所述銅層121之間，也就是說，在濺射銅之前，首先濺射一層鎳，可以使得濺射的銅層更平滑。

優(yōu)選地，所述銅層的厚度為1-3um，例如可以為2um，優(yōu)選地，所述鎳層的厚度為1-3um，這使得導(dǎo)電層12的厚度較小，以保證電磁干擾屏蔽膜的整體厚度不會太大。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電膠層13包括膠層131和摻雜于所述膠層131中的導(dǎo)電粒子132。該導(dǎo)電膠層13可以通過熱壓工藝與接地部件粘結(jié)，熱壓時，摻雜于所述膠層131中的導(dǎo)電粒子132被壓爆，從而使得導(dǎo)電層與接地部件充分接觸，既可以保證導(dǎo)電層與接地部件之間電阻極小，也可以減低電磁干擾屏蔽膜的整體厚度。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電膠層13的厚度為1-3um，例如可以為2um，導(dǎo)電膠層13經(jīng)熱壓后，可以減少約1um的厚度，導(dǎo)電膠層13的厚度較小，以保證電磁干擾屏蔽膜的整體厚度不會太大。

請參考圖2，圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的電磁干擾屏蔽膜的俯視圖，本發(fā)明實(shí)施例的電磁干擾屏蔽膜10上開設(shè)有鏤空圖形20，從而使得電磁干擾屏蔽膜10的彎折性更好。鏤空圖形20可以為多種形狀。

本發(fā)明實(shí)施例中的電磁干擾屏蔽膜采用的布料等材料，外形易沖切，可以沖切為任何需要的形狀。

請參考圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，該顯示裝置包括數(shù)據(jù)走線31，覆蓋所述數(shù)據(jù)走線31上方的絕緣層32，以及設(shè)置于所述絕緣層32上方的電磁干擾屏蔽膜10，所述電磁干擾屏蔽膜10為上述任一實(shí)施例中的電磁干擾屏蔽膜，所述電磁干擾屏蔽膜10的導(dǎo)電膠層13分別與所述絕緣層32以及所述顯示裝置的接地部件33粘接。

具體工作原理是：電磁干擾屏蔽膜10上的導(dǎo)電層12將數(shù)據(jù)走線上方產(chǎn)生的電磁干擾信號通過導(dǎo)電膠層13傳輸至接地部件。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電膠層13包括膠層和導(dǎo)電粒子。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電膠層13通過熱壓方式與所述接地部件33粘接。

導(dǎo)電粒子通過熱壓方式可以是導(dǎo)電層與接地部件充分接觸，既可以保證導(dǎo)電層與接地部件之間電阻極小，也可以減低電磁干擾屏蔽膜的整體厚度，同時由于本發(fā)明實(shí)施例中的導(dǎo)電膠層，外表面沒有導(dǎo)電層，不會導(dǎo)電，只有通過熱壓方式，在Z方向，熱壓開導(dǎo)電粒子后，才能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，因而即使遺留在顯示裝置的部件上，所以也不會造成短路。

本發(fā)明實(shí)施例中的顯示裝置可以為多種類型的顯示裝置。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，顯示裝置可以為移動通信終端(例如手機(jī))，移動通信終端的FPC的單層銅箔區(qū)上具有MIPI(移動產(chǎn)業(yè)處理器接口)走線，用于傳輸顯示裝置的顯示面板和主板芯片之間的據(jù)。由于MIPI走線傳輸數(shù)據(jù)的頻率非常高，能夠達(dá)到500MHZ-1GHZ，因而在單層銅箔區(qū)上容易出現(xiàn)電磁干擾問題。另外，由于單層銅箔區(qū)是用于將FPC彎折貼合到顯示面板的彎折區(qū)域，因而需要發(fā)生彎折。

本發(fā)明實(shí)施例中，在單層銅箔區(qū)設(shè)置電磁干擾屏蔽膜，能夠隔絕MIPI走線高速信號對移動通信終端天線信號的干擾，解決移動通信終端的EMI問題。且由于電磁干擾屏蔽膜采用柔性基底，因而，具有易彎折、反彈力小等特性，因而能夠完全適用于單層銅箔區(qū)上的電磁干擾屏蔽。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種電磁干擾屏蔽膜的制作方法，用于形成上述電磁干擾屏蔽膜，所述方法包括：

步驟一：提供一柔性基底；

步驟二：在所述柔性基底上形成導(dǎo)電層；

步驟三：在所述導(dǎo)電層上形成導(dǎo)電膠層。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層包括鎳層和銅層，具體形成時，現(xiàn)在通過濺射工藝在柔性基底上形成一層鎳層，然后通過濺射工藝在鎳層上形成一層銅層。通過濺射工藝形成的銅層，具有表面光滑和厚度小的優(yōu)點(diǎn)，具有非常好的EMI特性。優(yōu)選地，所述導(dǎo)電膠層包括膠層和摻雜于所述膠層中的導(dǎo)電粒子。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。