技術(shù)領(lǐng)域

下面的描述涉及一種聲波諧振器及其制造方法。

背景技術(shù)：

根據(jù)通信技術(shù)的最近發(fā)展，信號(hào)處理技術(shù)和射頻(RF)組件技術(shù)的相應(yīng)的發(fā)展已變得理想。

例如，響應(yīng)于使無(wú)線通信裝置小型化的最近需求，射頻組件小型化的技術(shù)已變得理想。研發(fā)為使射頻組件小型化的技術(shù)的示例包括使用半導(dǎo)體薄膜晶圓制造的呈體聲波(BAW)諧振器形式的濾波器。

體聲波(BAW)諧振器指的是具有通過(guò)在硅晶圓(作為半導(dǎo)體基板)上沉積壓電介電材料并利用壓電介電材料的壓電特性來(lái)產(chǎn)生諧振的薄膜的元件而被實(shí)現(xiàn)為濾波器的諧振器。

體聲波(BAW)諧振器的應(yīng)用包括小且輕量化的濾波器(例如，移動(dòng)通信裝置、化學(xué)和生物裝置等)、振蕩器、諧振元件、聲波諧振質(zhì)量傳感器等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

提供該發(fā)明內(nèi)容以簡(jiǎn)化形式來(lái)介紹選擇的構(gòu)思，以下在具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述該構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容無(wú)意限定所要求保護(hù)的主題的主要特征或必要特征，也無(wú)意用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。

在一個(gè)總的方面中，一種聲波諧振器包括：諧振部，設(shè)置在基板上；蓋子，容納諧振部并結(jié)合到基板；結(jié)合部，將蓋子和基板彼此結(jié)合，結(jié)合部包括設(shè)置在蓋子的結(jié)合表面與基板的結(jié)合表面之間的至少一個(gè)阻擋塊，以阻擋在結(jié)合操作的過(guò)程中形成結(jié)合部的結(jié)合材料的泄漏。

結(jié)合部可包括：第一金屬層，設(shè)置在蓋子的結(jié)合表面上；第二金屬層，設(shè)置在基板的結(jié)合表面上；第三金屬層，介于第一金屬層與第二金屬層之間。

第三金屬層可包含錫(Sn)。

第一金屬層和第二金屬層可包含銅(Cu)或金(Au)。

所述至少一個(gè)阻擋塊可與第一金屬層和第二金屬層分開(kāi)預(yù)定距離。

所述至少一個(gè)阻擋塊可設(shè)置在蓋子的結(jié)合表面和基板的結(jié)合表面中的至少一個(gè)上。

所述至少一個(gè)阻擋塊可包括設(shè)置在蓋子的結(jié)合表面上的第一阻擋塊和設(shè)置在基板的結(jié)合表面上的第二阻擋塊。

第一阻擋塊和第二阻擋塊可設(shè)置在彼此不面對(duì)的位置。

第一阻擋塊和第二阻擋塊可設(shè)置為彼此不接觸。

在另一總的方面中，一種制造聲波諧振器的方法包括：在基板上形成諧振部；將蓋子結(jié)合到基板，其中，蓋子的結(jié)合包括在蓋子的結(jié)合表面和基板的結(jié)合表面中的至少一個(gè)上設(shè)置阻擋塊。

蓋子的結(jié)合可包括：在蓋子的結(jié)合表面上形成第一金屬層，并且在基板的結(jié)合表面上形成第二金屬層；在第一金屬層和第二金屬層之間形成第三金屬層，以將蓋子和基板彼此結(jié)合。

所述阻擋塊可包含與第一金屬層或第二金屬層的材料相同的材料，并且可在同一工藝過(guò)程中與第一金屬層或第二金屬層一起形成。

所述阻擋塊可形成在與第一金屬層或第二金屬層分開(kāi)預(yù)定距離的位置。

第三金屬層的形成可包括使第三金屬層熔化并使其固化，所述阻擋塊可阻擋熔化的第三金屬層的泄漏。

所述阻擋塊可沿著蓋子的結(jié)合表面或基板的結(jié)合表面的邊緣形成。

形成第三金屬層的材料可具有比形成所述阻擋塊的材料的熔點(diǎn)低的熔點(diǎn)。

在另一總的方面中，一種聲波諧振器包括：蓋子，設(shè)置在諧振部之上并結(jié)合到基板；結(jié)合部，設(shè)置在蓋子的結(jié)合表面與基板之間。結(jié)合部包括沿著蓋子的結(jié)合表面的邊緣設(shè)置的阻擋塊以及設(shè)置在結(jié)合表面上并與所述阻擋塊的側(cè)壁相鄰的結(jié)合材料。

結(jié)合部可包括設(shè)置在蓋子的結(jié)合表面上的第一金屬層，第一金屬層與所述阻擋塊分開(kāi)；結(jié)合材料可從第一金屬層與基板之間的第一區(qū)域延伸到第一 金屬層與所述阻擋塊的側(cè)壁之間的第二區(qū)域。

所述阻擋塊和第一金屬層可由相同的材料形成，結(jié)合材料可包括具有比形成所述阻擋塊和第一金屬層的材料的熔點(diǎn)低的熔點(diǎn)的材料。

其它特征和方面將從下面的具體實(shí)施方式、附圖和權(quán)利要求而明顯。

附圖說(shuō)明

圖1是示意性地示出聲波諧振器的示例的截面圖。

圖2是圖1中示出的聲波諧振器的A部分的放大截面圖。

圖3至圖8是示出制造聲波諧振器的方法的示例的示圖。

圖9是示意性地示出阻擋塊的另一示例的截面圖。

圖10是示意性地示出聲波諧振器的示例的平面圖。

在整個(gè)附圖和具體實(shí)施方式中，相同的標(biāo)號(hào)指示相同的元件。附圖不一定按照比例繪制，為了清楚、說(shuō)明和便利起見(jiàn)，可能會(huì)夸大附圖中元件的相對(duì)尺寸、比例和描繪。

具體實(shí)施方式

提供以下的具體實(shí)施方式，以幫助讀者獲得對(duì)在此描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的全面理解。然而，在此描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的各種改變、修改以及等同物對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是明顯的。在此描述的操作的順序僅僅是示例，而且其并不局限于在此闡述的，而是除了必須以特定順序進(jìn)行的操作之外，可做出對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將是明顯的改變。此外，為了更加清楚和簡(jiǎn)潔，可省略本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員公知的功能和結(jié)構(gòu)的描述。

在此描述的特征可按照不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)該被解釋為局限于在此描述的示例。更確切地說(shuō)，提供在此描述的示例，以使本公開(kāi)將是徹底的和完整的，并將本公開(kāi)的全部范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。

在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，將理解的是，當(dāng)諸如層、區(qū)域或晶圓(基板)的元件被稱為“位于”另一元件“上”、“連接到”另一元件或“結(jié)合到”另一元件時(shí)，所述元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“連接到”另一元件或直接“結(jié)合到”另一元件，或者可存在介于它們之間的其它元件。相比之下，當(dāng)元件被稱為“直接位于”另一元件“上”、“直接連接到”另一元件或“直 接結(jié)合到”另一元件時(shí)，可不存在介于它們之間的元件或?qū)?。相同的?biāo)號(hào)始終指示相同的元件。如在此使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的任何以及全部組合。

將明顯的是，雖然可在此使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等來(lái)描述各種構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分與另一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開(kāi)。因此，在不脫離示例性實(shí)施例的教導(dǎo)的情況下，下面論述的第一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分可稱作第二構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分。

為了描述的方便，可在此使用與空間相關(guān)的術(shù)語(yǔ)(例如，“在…之上”、“上方”、“在…之下”和“下方”等)，以描述如圖中示出的一個(gè)元件與另一元件的關(guān)系。將理解的是，除了圖中示出的方位之外，與空間相關(guān)的術(shù)語(yǔ)意于包括裝置在使用或操作時(shí)的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其它元件或特征“之上”或“上方”的元件將被定位為“在”所述其它元件或特征“之下”或“下方”。因此，術(shù)語(yǔ)“在…之上”可根據(jù)附圖的特定方向而包含“在…之上”和“在…之下”的兩種方位。裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，并可對(duì)在此使用的空間相對(duì)描述符做出相應(yīng)解釋。

在此使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述各種實(shí)施例，并且無(wú)意限制本說(shuō)明書(shū)。除非上下文中另外清楚地指明，否則如在此使用的單數(shù)形式也意于包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，在本說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”時(shí)，列舉存在所述的特征、整體、步驟、操作、構(gòu)件、元件和/或它們的組合，而不排除存在或增加一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、構(gòu)件、元件和/或它們的組合。

在下文中，將參照示意圖描述本說(shuō)明書(shū)中的實(shí)施例。在附圖中，例如，由于制造技術(shù)和/或公差，可估計(jì)所示出的形狀的修改。因此，實(shí)施例不應(yīng)被理解為受限于在此示出的區(qū)域的形狀，而是應(yīng)被理解為包括例如由于制造導(dǎo)致的特定形狀的改變。以下的實(shí)施例也可由一個(gè)或它們的組合而構(gòu)成。

圖1示出了聲波諧振器的示例的截面圖，圖2示出了圖1中示出的聲波諧振器的A部分的放大截面圖。

首先，參照?qǐng)D1，根據(jù)示出的示例的聲波諧振器100包括基板110、諧振部120和蓋子140。

在該示例中，氣隙130形成在基板110與諧振部120之間，諧振部120形成在膜層150上，以通過(guò)氣隙130與基板110分開(kāi)。

基板110可形成為硅基板或絕緣體上硅(SOI，silicon-on-insulator)型基板。然而，基板110不限于此。

諧振部120包括第一電極121、壓電層123和第二電極125。諧振部120可通過(guò)自下而上順序地堆疊第一電極121、壓電層123和第二電極125而形成。在該示例中，壓電層123設(shè)置在第一電極121與第二電極125之間。

由于諧振部120形成在膜層150上，因此膜層150、第一電極121、壓電層123和第二電極125可順序地形成在基板110上，從而獲得圖1中示出的結(jié)構(gòu)。

諧振部120可響應(yīng)于施加到第一電極121和第二電極125的信號(hào)使壓電層123發(fā)生諧振，以產(chǎn)生諧振頻率和反諧振頻率。

第一電極121和第二電極125可由諸如金、鉬、釕、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉻、鎳等金屬形成。

諧振部120可利用壓電層123的聲波來(lái)產(chǎn)生諧振。例如，響應(yīng)于施加到第一電極121和第二電極125的信號(hào)，壓電層123的厚度方向上可產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，從而產(chǎn)生聲波。

壓電層123可包含氧化鋅(ZnO)、氮化鋁(AlN)、石英等。

壓電層123的諧振現(xiàn)象可響應(yīng)于施加的信號(hào)的波長(zhǎng)的一半與壓電層123的厚度一致而發(fā)生。由于當(dāng)發(fā)生諧振現(xiàn)象時(shí)電阻抗急劇地改變，因此根據(jù)示例的聲波諧振器可用作能夠選擇頻率的濾波器。

諧振頻率可通過(guò)壓電層123的厚度、圍住壓電層123的第一電極121、第二電極125以及壓電層123的固有的聲波速度來(lái)確定。

例如，隨著壓電層123的厚度減小，諧振頻率可增大。

參照?qǐng)D1，諧振部120還包括保護(hù)層127。在該示例中，保護(hù)層127形成在第二電極125上，以防止第二電極125暴露于外部環(huán)境。

第一電極121和第二電極125形成在壓電層123的外表面上，并且分別連接到第一連接電極180和第二連接電極190。

第一連接電極180和第二連接電極190可被設(shè)置為確認(rèn)諧振器和濾波器的特性，并且執(zhí)行需要的頻率微調(diào)。然而，第一連接電極180和第二連接電極190不限于此。

在該示例中，諧振部120與基板110通過(guò)氣隙130分開(kāi)，以提高品質(zhì)因數(shù)。

例如，通過(guò)在諧振部120與基板110之間形成氣隙130，從壓電層123產(chǎn)生的聲波不會(huì)受基板110影響。

此外，從諧振部120產(chǎn)生的聲波的反射特性可通過(guò)氣隙130來(lái)提高。由于氣隙130(作為空的空間)具有近似于無(wú)窮大的阻抗，因此通過(guò)使用氣隙130聲波不會(huì)損耗，并且可保留在諧振部120中。

因此，通過(guò)使用氣隙130減小聲波在縱向方向上的損耗，可提高諧振部120的品質(zhì)因數(shù)值。

在該示例中，貫穿基板110的多個(gè)通孔112形成在基板110的下表面中。此外，連接導(dǎo)體115a和115b可分別形成在通孔112中。

連接導(dǎo)體115a和115b形成在通孔112的內(nèi)表面(即，通孔112的整個(gè)內(nèi)壁)上，但不限于此。

此外，連接導(dǎo)體115a和115b的一端連接到形成在基板110的下表面上的外電極117，連接導(dǎo)體115a和115b的另一端分別連接到第一電極121和第二電極125。

在該示例中，第一連接導(dǎo)體115a將第一電極121和外電極117彼此電連接，第二連接導(dǎo)體115b將第二電極125和外電極117彼此電連接。

因此，第一連接導(dǎo)體115a可穿過(guò)基板110和膜層150，并且可電連接到第一電極121，第二連接導(dǎo)體115b可穿過(guò)基板110、膜層150和壓電層123，并且可電連接到第二電極125。

同時(shí)，雖然圖1示出并表描述了僅兩個(gè)通孔112以及兩個(gè)連接導(dǎo)體115a和115b，但是通孔和連接導(dǎo)體的數(shù)量不限于此。根據(jù)需要，可設(shè)置多個(gè)通孔112以及連接導(dǎo)體115a和115b。

蓋子140被設(shè)置為保護(hù)諧振部120免于受到外部環(huán)境影響。

蓋子140形成為具有內(nèi)部空間的蓋子形式，其中，諧振部120容納在所述內(nèi)部空間中。蓋子140可密閉地密封諧振部120。因此，蓋子140結(jié)合(bond)到基板，以使蓋子140的側(cè)壁141圍住容納部120。

此外，側(cè)壁141的下表面可用作與基板110結(jié)合的結(jié)合表面141a。

在該示例中，蓋子140通過(guò)固液互擴(kuò)散(SLID，solid liquid inter-diffusion)鍵合而結(jié)合到基板110，合成的結(jié)合部175形成在蓋子的結(jié)合表面141a與基板的結(jié)合表面110a之間。

可使用Cu-Sn鍵合作為SLID鍵合。然而，還可使用Au-Sn鍵合。

參照?qǐng)D2，結(jié)合部175包括形成在蓋子140上的第一金屬層171、形成在基板110上的第二金屬層172以及介于第一金屬層171與第二金屬層172之間的第三金屬層173。

第一金屬層171和第二金屬層172可由Cu材料形成，第三金屬層173可由Sn材料形成。

此外，第三金屬層173延伸到第一金屬層171和第二金屬層172的外側(cè)。

延伸部分可以是由在SLID鍵合工藝過(guò)程中熔化并在固化之前泄露到第一金屬層171與第二金屬層172之間的空間的外部的Sn結(jié)合材料形成的部分。

由于第三金屬層173通過(guò)使熔化的Sn結(jié)合材料擴(kuò)散到第一金屬層171和第二金屬層172之間而形成，因此突出到第一金屬層171和第二金屬層172的外側(cè)的第三金屬層173會(huì)與第三金屬層173分開(kāi)，并且被引入到諧振部120中。此外，在過(guò)量的熔化的Sn流到第一金屬層171和第二金屬層172的外側(cè)的情況下，第一金屬層171與第二金屬層172之間的區(qū)域中的將第一金屬層171和第二金屬層172彼此結(jié)合的Sn的量會(huì)減小，從而使結(jié)合可靠性劣化。

因此，聲波諧振器包括位于第一金屬層171或第二金屬層172的外側(cè)的至少一個(gè)阻擋塊177。

參照?qǐng)D2，阻擋塊177設(shè)置在與第一金屬層171或第二金屬層172分開(kāi)預(yù)定距離的位置，并且設(shè)置在與蓋子140的結(jié)合表面141a對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)。

阻擋塊177沿著蓋子140的結(jié)合表面141a的邊緣呈細(xì)長(zhǎng)形狀。在平面圖中阻擋塊177沿著結(jié)合表面141a可呈連續(xù)的環(huán)形形狀，或沿著結(jié)合表面141a呈其它幾何形狀。然而，阻擋塊177不限于此，并且還可在結(jié)合表面141a之下形成為例如虛線形狀(參照?qǐng)D10)。

在該示例中，阻擋塊177形成為具有與第一金屬層171或第二金屬層172的厚度大體相似的厚度。然而，阻擋塊177的厚度不限于此。例如，阻擋塊177可形成為具有各種厚度，只要阻擋塊177可阻擋熔化的Sn的流動(dòng)即可。

圖2示出了阻擋塊177形成在蓋子140和基板110這二者上的示例。然而，本說(shuō)明書(shū)中的構(gòu)造不限于此，阻擋塊177還可形成在蓋子140和基板110中的僅任何一個(gè)上。

此外，在阻擋塊177形成在蓋子140和基板110這二者上的示例中，形成在蓋子140上的阻擋塊177a(在下文中稱作第一阻擋塊)和形成在基板110上的阻擋塊177b(在下文中稱作第二阻擋塊)可被設(shè)置為彼此不面對(duì)或重疊。

例如，第一阻擋塊177a設(shè)置在第二阻擋塊177b的內(nèi)側(cè)。然而，第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b可進(jìn)行各種修改。另一方面，例如，第二阻擋塊177b可設(shè)置在第一阻擋塊177a的內(nèi)側(cè)等。

這是一種在形成結(jié)合部175時(shí)能夠?qū)⒔Y(jié)合部175內(nèi)的空氣平穩(wěn)地排放到外部的構(gòu)造。在形成結(jié)合部175的過(guò)程中第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b彼此接觸并彼此結(jié)合的示例中，阻擋塊177的內(nèi)部空間可通過(guò)第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b被密封。因此，阻擋塊177中的空氣無(wú)法被排放到外部，在阻擋塊177中的空氣由于熱而膨脹的示例中，空氣壓力會(huì)導(dǎo)致結(jié)合缺陷。

然而，在如圖2所示的實(shí)施例那樣第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b被設(shè)置為彼此不重疊的示例中，由于提供了阻擋塊177中的空氣可通過(guò)其排放的通道，因此可防止發(fā)生上述的結(jié)合缺陷。

圖2中示出的阻擋塊177可由與第一金屬層171或第二金屬層172的材料相同的材料(例如，銅(Cu)、金(Au))形成。原因在于阻擋塊177可在同一工藝中與第一金屬層171或第二金屬層172一起形成，但本公開(kāi)的構(gòu)造不限于此。此外，結(jié)合材料可包括具有比形成阻擋塊177和第一金屬層171的材料的熔點(diǎn)低熔點(diǎn)的材料。

同時(shí)，雖然圖2示出了整個(gè)第一阻擋塊177a和整個(gè)第二阻擋塊177b彼此不接觸的示例，但是阻擋塊177不限于上述構(gòu)造，并且可進(jìn)行各種修改。

圖9示出了與圖2相似的阻擋塊的另一示例的截面圖。

參照?qǐng)D9，設(shè)置在結(jié)合部175的外側(cè)的阻擋塊177包括第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b，與第二阻擋塊177b相比，第一阻擋塊177a被設(shè)置為與結(jié)合部175更靠近。此外，設(shè)置在結(jié)合部175的內(nèi)側(cè)的另一阻擋塊177包括與第一阻擋塊177a相比被設(shè)置為與結(jié)合部175更靠近的第二阻擋塊177b。

在該示例中，第一阻擋塊177a和第二阻擋塊177b具有它們的至少一部分彼此重疊的部分。然而，由于整個(gè)第一阻擋塊177a和整個(gè)第二阻擋塊177b彼此不完全重疊，因此仍提供了結(jié)合部175中的空氣可通過(guò)其排放的通道。

圖10示出了根據(jù)圖1的聲波諧振器的示例的平面圖。參照?qǐng)D10，聲波諧振器包括具有形成矩形形狀的側(cè)壁141的蓋子140。阻擋塊177沿著側(cè)壁141的內(nèi)邊緣和外邊緣設(shè)置，以形成封閉的形狀(例如，與側(cè)壁141的形狀相似的矩形形狀或環(huán)形)。雖然圖10中示出了具有矩形形狀的阻擋塊177和蓋子140的聲波諧振器，但是在另一示例中，可應(yīng)用例如環(huán)形形狀的其它幾何形狀。在另一示例中，阻擋塊177可不形成封閉的形狀。例如，阻擋塊177可僅設(shè)置在側(cè)壁141的一部分(例如，蓋子140的至少兩個(gè)相對(duì)側(cè))之下或虛線中，以防止結(jié)合材料的泄漏。諧振部120容納在基板110與蓋子140之間。圖10中省略了聲波諧振器的多種特征。對(duì)于這些特征，參照?qǐng)D1的聲波諧振器的描述適用于圖10中的聲波諧振器。

接下來(lái)，將描述制造聲波諧振器的方法的示例。

圖3至圖7是示出制造聲波諧振器的方法的示圖。

首先，參照?qǐng)D3，在基板110上形成諧振部120。在該示例中，通過(guò)在基板110上形成犧牲層(未示出)并且在犧牲層上和基板110上順序地層壓膜層150、第一電極121、壓電層123、第二電極125和保護(hù)層127來(lái)獲得諧振部120。此外，在犧牲層150上形成膜層150之后，然后通過(guò)去除犧牲層來(lái)形成氣隙130。

通過(guò)形成導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上沉積光刻膠，使用光刻工藝執(zhí)行圖案化，然后使用圖案化的光刻膠作為掩膜去除不必要的部分來(lái)使第一電極121和第二電極125形成為需要的圖案。

根據(jù)示出的實(shí)施例，第一電極121可由鉬(Mo)材料形成，第二電 極125可由釕(Ru)形成。然而，第一電極121和第二電極125的材料不限于此，根據(jù)需要，第一電極121和第二電極125可由諸如金、釕、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉻、鎳等形成。

此外，壓電層可由氮化鋁(AlN)形成。然而，壓電層123的材料不限于此，壓電層123可由各種壓電材料(例如，氧化鋅(ZnO)、石英等)形成。

保護(hù)層170可由絕緣材料形成。絕緣材料可包括氧化硅基材料、氮化硅基材料和氮化鋁基材料。

接下來(lái)，在第一電極121上和第二電極125上形成用于頻率微調(diào)的連接電極180和190。連接電極180和190可分別形成在第一電極121和第二電極125上，并且可穿過(guò)保護(hù)層127或壓電層123，以連接到第一電極和第二電極。

可通過(guò)蝕刻來(lái)部分地去除保護(hù)層127和壓電層123以將第一電極121暴露于外部，然后在第一電極121上沉積金(Au)、銅(Cu)等來(lái)形成第一連接電極180。

類(lèi)似地，可通過(guò)蝕刻來(lái)部分地去除保護(hù)層127以將第二電極125暴露于外部，然后在第二電極125上沉積金(Au)、銅(Cu)等來(lái)形成第二連接電極190。

然后，在確認(rèn)諧振部120或?yàn)V波器的特性并使用連接電極180和190執(zhí)行需要的頻率微調(diào)之后，可形成氣隙130。

如上所述，通過(guò)去除犧牲層來(lái)形成氣隙130。結(jié)果，完成了根據(jù)圖3的諧振部120。

接下來(lái)，參照?qǐng)D4，形成蓋子140，以保護(hù)諧振部120免于受到外部環(huán)境影響?？稍诰A級(jí)通過(guò)晶圓結(jié)合來(lái)形成蓋子140。也就是說(shuō)，其上設(shè)置有多個(gè)單元基板110的基板晶圓以及其上設(shè)置有多個(gè)蓋子140的蓋子晶圓可彼此結(jié)合以一體地形成。

在這種情況下，然后可通過(guò)切割工藝對(duì)彼此結(jié)合的基板晶圓和蓋子晶圓進(jìn)行切割，以分成多個(gè)單獨(dú)的聲波諧振器。

在將蓋子140結(jié)合到基板的操作中，如圖5所示，可執(zhí)行如下操作：首先在蓋子140的結(jié)合表面141a上形成第一金屬層171；在基板110的結(jié)合表面110a上形成第二金屬層172。在該示例中，阻擋塊177與第一金屬 層171和第二金屬層172一起形成。也就是說(shuō)，阻擋塊177以及第一金屬層171和第二金屬層172在同一工藝中大體上同時(shí)形成。

在蓋子140或基板110上通過(guò)沉積法等形成第一金屬層171和第二金屬層172以及阻擋塊177，但不限于此。此外，第一金屬層171和第二金屬層172以及阻擋塊177可由相同的材料(例如，銅(Cu)、金(Au))形成。因此，由于在形成第一金屬層171和第二金屬層172的過(guò)程中，阻擋塊177可與第一金屬層171和第二金屬層172一起形成，因此可不需要制造阻擋塊177的單獨(dú)的工藝。

接下來(lái)，參照?qǐng)D6，分別在第一金屬層171的表面和第二金屬層172的表面上形成結(jié)合層173a。在該示例中，結(jié)合層173a最終形成為第三金屬層173。結(jié)合層173a可由Sn形成，并且可通過(guò)沉積法等形成在第一金屬層171的表面和第二金屬層172的表面上。此外，形成第三金屬層173的材料可具有比形成阻擋塊177的材料的熔點(diǎn)低的熔點(diǎn)。

接下來(lái)，參照?qǐng)D7，將蓋子140放置在基板110上。此外，通過(guò)執(zhí)行加熱和壓制來(lái)使形成在蓋子140上的結(jié)合層173a和形成在基板110上的結(jié)合層173a彼此結(jié)合。在這個(gè)過(guò)程中，可使結(jié)合層173a熔化，然后使其固化以彼此結(jié)合，并且結(jié)合層173a可形成為第三金屬層173。結(jié)果，可獲得圖2中示出的結(jié)合部175。

在該示例中，通過(guò)阻擋塊177進(jìn)一步防止熔化的結(jié)合層173a的流動(dòng)到第一金屬層171和第二金屬層172的外部的部分泄漏。結(jié)果，熔化的結(jié)合層173a可僅設(shè)置在阻擋塊177的內(nèi)部空間中，并且不會(huì)流動(dòng)到阻擋塊177的外部。

接下來(lái)，參照?qǐng)D8，在基板110中形成通孔112之后，在通孔112中形成連接導(dǎo)體115a和115b。

可通過(guò)在通孔112的內(nèi)表面上形成導(dǎo)電層來(lái)制造連接導(dǎo)體115a和115b。例如，可通過(guò)沉積、涂覆或沿著通孔112的內(nèi)壁設(shè)置導(dǎo)電金屬(例如，金、銅等)來(lái)形成連接導(dǎo)體115a和115b。

接下來(lái)，通過(guò)在基板110的下表面上形成外電極117來(lái)形成圖1中示出的聲波諧振器100。

在延伸至基板110的下表面的連接導(dǎo)體115a和115b上形成外電極117?？墒褂糜蒘n材料形成的焊料球作為外電極117，但外電極117不限 于此。

在制造根據(jù)具有如上所述的構(gòu)造的示例的聲波諧振器的方法中，由于阻擋塊可在形成第一金屬層和第二金屬層的操作一起形成，因此可不需要形成阻擋塊的單獨(dú)的工藝。

此外，可通過(guò)阻擋塊來(lái)防止在形成結(jié)合部的過(guò)程中熔化的結(jié)合層過(guò)多地流動(dòng)到第一金屬層和第二金屬層的外部的情況。

同時(shí)，聲波諧振器及其制造方法不限于上述實(shí)施例，并且可進(jìn)行不同的修改。

例如，上述實(shí)施例示出了蓋子附著到基板然后形成連接導(dǎo)體的示例。然而，本公開(kāi)不限于此，并且可進(jìn)行不同的修改。例如，在首先形成連接導(dǎo)體之后，蓋子可附著到基板等。

此外，上述實(shí)施例示出了阻擋塊的截面形成為四邊形形狀的示例。然而，本公開(kāi)不限于此，并且可進(jìn)行不同的修改。例如，阻擋塊的截面可形成為三角形形狀或梯形形狀等。

如上所述，根據(jù)上面描述的示例，聲波諧振器可包括阻擋當(dāng)蓋子和基板結(jié)合時(shí)由于熱而熔化的結(jié)合層的流動(dòng)的阻擋塊。結(jié)果，阻擋塊可防止熔化的結(jié)合層流動(dòng)到結(jié)合部的外部。

此外，在上面描述的制造聲波諧振器的方法的示例中，由于阻擋塊可在形成第一金屬層和第二金屬層的操作中一起形成，因此可不需要形成阻擋塊的單獨(dú)工藝。結(jié)果，可容易地制造聲波諧振器。

雖然本公開(kāi)包括具體示例，但是對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將明顯的是，在不脫離權(quán)利要求以及其等同物的精神和范圍的情況下，可在形式和細(xì)節(jié)方面對(duì)這些示例做出各種改變。在此描述的示例僅被視為描述意義，而非出于限制的目的。在每個(gè)示例中的特征或方面的描述被視為適用于其它示例中的類(lèi)似的特征或方面。如果按照不同的順序執(zhí)行描述的技術(shù)、和/或如果按照不同的方式來(lái)組合所描述的系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)、裝置或電路、和/或由其它組件或其等同物來(lái)替換或增添所描述的系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)、裝置或電路，則可實(shí)現(xiàn)合理的結(jié)果。因此，本公開(kāi)的范圍不由具體實(shí)施方式限定，而是由權(quán)利要求及其等同物限定，并且權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的各種改變將被理解為包括在本公開(kāi)中。