使用雙極晶體管陣列的puf方法和含雙極晶體管陣列的電路的制作方法
【專利摘要】公開了一種通過對挑戰(zhàn)的響應(yīng)來標(biāo)識組件的方法，該組件包括可并聯(lián)連接以便具有公共集電極接觸部、公共發(fā)射極接觸部和公共基極接觸部的雙極晶體管的陣列，挑戰(zhàn)包括表示總集電極電流值的值，該方法包括：接收挑戰(zhàn)；向公共集電極接觸部供應(yīng)總集電極電流；檢測一組晶體管中的每一個中的不穩(wěn)定性；以及根據(jù)該組確定響應(yīng)。還公開了用來運(yùn)行這種方法的電路。
【專利說明】使用雙極晶體管陣列的PUF方法和含雙極晶體管陣列的電 路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及物理防克隆功能、物理防克隆功能電路以及標(biāo)識組件的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 物理防克隆功能（PUF)是無序物理系統(tǒng)，它能夠被外部激勵挑戰(zhàn)（challenge)，并 向外部激勵作出反應(yīng)以產(chǎn)生響應(yīng)，導(dǎo)致挑戰(zhàn)-響應(yīng)對。挑戰(zhàn)-響應(yīng)對的概念是安全領(lǐng)域所 熟知的，PUF是基于硬件的安全性概念，其中依賴于物理系統(tǒng)的無序性（通常在納米尺度） 來產(chǎn)生對挑戰(zhàn)的響應(yīng)，從而響應(yīng)取決于系統(tǒng)的具體實(shí)例。也就是說，對于給定的挑戰(zhàn)，裝置 的響應(yīng)對于該裝置來講是唯一的，因?yàn)樵撗b置的克隆將以不同的響應(yīng)來進(jìn)行回應(yīng)。
[0003] 早期的PUF系統(tǒng)通常是光學(xué)系統(tǒng)。早已熟知的是，由于大多數(shù)表面的微米或納米 級無序性或粗糙度，激光從表面反射的光斑圖案是不可預(yù)測的，并且基于光學(xué)的PUF利用 這一無序性來提供對于具體的單獨(dú)表面唯一的"指紋"光斑圖案。由于對裝置的拷貝或克 隆不會具有相同的表面，所以光斑圖案將有所不同，從而可以唯一地標(biāo)識該裝置。
[0004] 還已知的是，基于薄膜磁層中微粒的納米級無序性來制造磁PUF，以及制造一般利 用隨機(jī)分布介電材料從而導(dǎo)致不可預(yù)測電容場的基于涂層的PUF。
[0005] 由于半導(dǎo)體技術(shù)中的大量經(jīng)驗(yàn)，所以基于硅（或其它半導(dǎo)體）的PUF是令人期待 的。基于硅裝置的PUF的一個示例是SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）PUF。這些基于存儲器 陣列中單獨(dú)存儲單元之間可重復(fù)但不可預(yù)測的差別，這些差別由例如摻雜級別的變化所導(dǎo) 致。這種SRAMPUF的一個不例由J.Guajardo，S等在"FPGAintrinsicPUFsandtheir useforIPprotection，'（CryptographicHardwareandEmbeddedSystems_CHES2007, 63-80頁）中進(jìn)行了描述。然而，通常認(rèn)為SRAMPUF在加密方面較"弱"。希望提供替換類 型的物理防克隆功能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 根據(jù)第一方面，提供了通過對挑戰(zhàn)的響應(yīng)來標(biāo)識組件的方法，該組件包括雙極晶 體管的陣列，其中每個雙極晶體管具有基極接觸部和主接觸部，主接觸部是集電極接觸部 和發(fā)射極接觸部，并且雙極晶體管可并聯(lián)連接或已并聯(lián)連接，以便具有公共集電極接觸部、 公共發(fā)射極接觸部和公共基極接觸部，該方法包括：接收挑戰(zhàn)；響應(yīng)于挑戰(zhàn)，通過將供應(yīng)給 公共主接觸部之一的電流從第一級別增加到第二級別來向相應(yīng)公共主接觸部供應(yīng)總主接 觸部電流；檢測一組晶體管中的每一個晶體管中的不穩(wěn)定性；以及根據(jù)該組確定響應(yīng)。
[0007] 從而根據(jù)該第一方面的實(shí)施方式，提供了一種通過對挑戰(zhàn)的響應(yīng)來標(biāo)識組件的方 法，該組件包括可并聯(lián)連接或可能已經(jīng)并聯(lián)連接以便具有公共集電極接觸部、公共發(fā)射極 接觸部和公共基極接觸部的雙極晶體管的陣列，挑戰(zhàn)包括表示總集電極電流的值，該方法 包括：接收挑戰(zhàn)；響應(yīng)于挑戰(zhàn)，通過將供應(yīng)給公共集電極接觸部的電流從第一級別增加到 第二級別來向公共集電極接觸部供應(yīng)總集電極電流；檢測一組晶體管中的每一個晶體管中 的不穩(wěn)定性；以及根據(jù)該組確定響應(yīng)。此外，根據(jù)該第一方面的其它實(shí)施方式，挑戰(zhàn)包括表 示總發(fā)射極電流的值，并且該方法包括：接收挑戰(zhàn)；響應(yīng)于挑戰(zhàn)，通過將供應(yīng)給公共發(fā)射極 接觸部的電流從第一級別增加到第二級別來向公共發(fā)射極接觸部供應(yīng)總發(fā)射極電流；檢測 一組晶體管中的每一個晶體管中的不穩(wěn)定性；以及根據(jù)該組確定響應(yīng)。
[0008] 可并聯(lián)連接的接觸部，即各個基極接觸部、各個集電極接觸部和各個發(fā)射極接觸 部，可在組件的操作期間連接；可替換地，每個器件的接觸部（即基極、發(fā)射極和集電極）中 的一個或多個可在其它時間連接，例如在制造組件期間，這種情況中，連接可以是永久的或 硬布線的。后一種情況尤其是其中陣列是組件中所有多個晶體管的實(shí)施方式下的情況。
[0009] 由此，可以唯一地標(biāo)識該組件，尤其可以將該組件與它的克隆相區(qū)分。因此，該方 法可以按照PUF的原理進(jìn)行操作。根據(jù)挑戰(zhàn)，可在其中檢測不穩(wěn)定性的晶體管組可以是整 個陣列或可以是陣列的子集。在實(shí)施方式中，雙極晶體管可以是雙極結(jié)型晶體管。構(gòu)造這 種晶體管的陣列是方便的。在其它實(shí)施方式中，雙極晶體管可以是異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。在 其它實(shí)施方式中，雙極晶體管可以是與M0S器件相關(guān)聯(lián)地形成的寄生晶體管。
[0010] 在實(shí)施方式中，不穩(wěn)定性是電熱不穩(wěn)定性的發(fā)生（onset)。
[0011] 在實(shí)施方式中，組件可以包括多個雙極晶體管，其中該陣列是該多個雙極晶體管 的子集，挑戰(zhàn)還包括使得能夠選擇該陣列的信息，并且該方法還包括從該多個雙極晶體管 中選擇該陣列。換言之，組件可具有多個雙極晶體管，它們可以是許多雙極結(jié)型晶體管，且 可以只選擇子集來構(gòu)成陣列。在這種實(shí)施方式中，能夠單獨(dú)地連接晶體管或分組連接晶體 管可能是必要的，以便能夠不連接或可替換地能夠斷開包括在該組件中但不形成該陣列一 部分的那些晶體管。例如，在可包括512個晶體管的組件中，陣列可包括這些晶體管中的 128個：本例中，挑戰(zhàn)可包括陣列中要包括的晶體管的數(shù)量，或可替換地，可包括對組件中 512個晶體管中的哪些晶體管被選來形成陣列一部分的選擇。例如，在上述示例中，可選擇 128個鄰近晶體管，或每隔四個晶體管選擇一個，或選擇其它集合。在實(shí)施方式中，可斷開或 不連接剩余384個未選晶體管。
[0012] 在實(shí)施方式中，供應(yīng)總主接觸部（集電極或發(fā)射極）電流包括以受控速率將所供 應(yīng)的電流從第一級別增加到第二級別。從而，集電極電流從第一級別到第二級別的改變速 率可受控制，這可使得電流的改變速率是一致且可重復(fù)的。這可提供可重復(fù)且一致的熱耗 散，以便提高不穩(wěn)定性的發(fā)生在晶體管之間的排序的可靠性?？商鎿Q地，改變的速率可不受 控制。然而，由于寄生電容和電感，供應(yīng)總集電極電流一般不是瞬時的。此外，第一級別典 型地可以是0,從而由于挑戰(zhàn)包括表示總集電極電流的值，所以集電極電流從0增加到可根 據(jù)挑戰(zhàn)確定的總集電極電流。
[0013] 在實(shí)施方式中，檢測電熱不穩(wěn)定性的發(fā)生包括檢測來自相應(yīng)晶體管的光發(fā)射。在 其它實(shí)施方式中，檢測電熱不穩(wěn)定性的發(fā)生包括檢測相應(yīng)晶體管的主接觸部（集電極或發(fā) 射極）電流超過電流閾值。電學(xué)檢測可能尤其方便，這是由于對電流和/或電壓的小改變 的測量一般可能較直接，且可以避免與電學(xué)方法相關(guān)聯(lián)的復(fù)雜性（比如對光學(xué)檢測器的校 準(zhǔn)）。當(dāng)然，應(yīng)該理解，在其他實(shí)施方式中，可使用光學(xué)和電學(xué)檢測的組合。
[0014] 在實(shí)施方式中，響應(yīng)包括與組中的晶體管發(fā)生電熱不穩(wěn)定性的順序相對應(yīng)的序 列。本領(lǐng)域技術(shù)人員將"序列"理解為有序集合，從而在這些實(shí)施方式中，組中的晶體管發(fā) 生電熱不穩(wěn)定性的順序可能是響應(yīng)的重要方面。在組不是整個陣列的實(shí)施方式中，該組的 成員也可以是響應(yīng)的重要方面。對于在適當(dāng)?shù)臈l件下適當(dāng)選擇的陣列來講，該有序集合或 序列可以是可重復(fù)的，且對于該具體組件可以是唯一的。
[0015] 在實(shí)施方式中，響應(yīng)包括該組。在該組不對應(yīng)于陣列的整體而只是其中一個子集 的實(shí)施方式中，或在該組或陣列不形成裝置中多個雙極晶體管的整體的實(shí)施方式中，這一 點(diǎn)可能尤其重要。
[0016] 在實(shí)施方式中，響應(yīng)包括熱不穩(wěn)定性的各次發(fā)生時的公共或總主接觸部（集電極 或發(fā)射極）電流的集合或序列。公共集電極電流可定義為單獨(dú)晶體管或器件的集電極電流 之和，從而對應(yīng)于總集電極電流。在這種實(shí)施方式中，可能不必分別監(jiān)控或控制單獨(dú)晶體管 各自的集電極電流，這是由于可以確定晶體管組中的晶體管發(fā)生熱不穩(wěn)定性時的公共集電 極電流（即每一個公共集電極電流值）的集合。發(fā)生不穩(wěn)定性時的總集電極電流值的序列 一般地對應(yīng)于單調(diào)增加序列。這一實(shí)施方式可能要求對公共集電極電流進(jìn)行非常精確地測 量，但可能要求比必須檢測單獨(dú)集電極電流的實(shí)施方式簡單的電路。
[0017] 根據(jù)第二方面，提供了一種物理防克隆功能電路，該電路包括雙極晶體管的陣列、 用于根據(jù)挑戰(zhàn)向陣列提供激勵的激勵器、用于檢測雙極結(jié)型晶體管中一組晶體管的每一個 晶體管響應(yīng)于挑戰(zhàn)的不穩(wěn)定性的發(fā)生的檢測器以及用于根據(jù)該組生成響應(yīng)的響應(yīng)生成器， 其中每個雙極晶體管具有基極接觸部和主接觸部，主接觸部是集電極接觸部和發(fā)射極接觸 部，并且雙極晶體管可并聯(lián)連接或已并聯(lián)連接，以便具有公共集電極接觸部、公共發(fā)射極接 觸部和公共基極接觸部，以及其中激勵包括總主接觸部（集電極或發(fā)射極）電流。
[0018] 在實(shí)施方式中，雙極晶體管可以是雙極結(jié)型晶體管。構(gòu)造這種晶體管的陣列是方 便的。在其它實(shí)施方式中，雙極晶體管可以是異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。在其它實(shí)施方式中，雙極 晶體管可以是與M0S器件相關(guān)聯(lián)地形成的寄生晶體管。激勵器可以是電流源。
[0019] 在實(shí)施方式中，該電路可以包括多個雙極晶體管，其中該陣列是該多個雙極晶體 管的子集，挑戰(zhàn)還包括使得能夠從該多個雙極晶體管中選擇該陣列的信息。選擇用來構(gòu)成 該陣列的該多個晶體管的子集表示附加的自由度，從而當(dāng)該P(yáng)UF電路被用于標(biāo)識時，可提 供增強(qiáng)的安全性。在極限情況中，該陣列可包括單個晶體管，但通常它包括不止一個晶體 管。
[0020] 在實(shí)施方式中，激勵器包括電流控制器，該電流控制器被配置為通過以受控速率 將所供應(yīng)的電流從第一級別增加到第二級別來供應(yīng)總主接觸部（集電極或發(fā)射極）電流。 第一級別典型地可以是零或相對低的靜止（quiescent)級別，且第二級別可以是可預(yù)期在 該晶體管組中發(fā)生不穩(wěn)定性的級別。即使總主接觸部電流沒有以受控速率增加，由于電路 中的寄生現(xiàn)象，其一般也不從第一級別瞬時改變到第二級別，而且這種寄生現(xiàn)象所導(dǎo)致的 改變速率一般可以提供充足的時間使得檢測器能夠檢測晶體管發(fā)生熱電熱不穩(wěn)定性的序 列；然而，為了更準(zhǔn)確地或更可靠地檢測該序列，可以優(yōu)選地對總集電極電流增加的速率進(jìn) 行控制。
[0021] 在實(shí)施方式中，檢測器包括以下中的至少一個：光學(xué)檢測器，被配置為檢測來自該 晶體管組中每一個的光發(fā)射；以及電流檢測器，被配置為針對該晶體管組中的每一個檢測 相應(yīng)主接觸部（集電極或發(fā)射極）電流超過電流閾值。雖然一般來講電學(xué)檢測是優(yōu)選的， 但在【具體實(shí)施方式】中，使用光學(xué)檢測或兩者的組合可能是優(yōu)選的。雖然電學(xué)檢測可提供總 體上更簡單的實(shí)施，但在其中裝置或組件不能被"黑（hack) "很重要的情況中，光學(xué)檢測可 導(dǎo)致較少的泄密標(biāo)記（比如泄露到可在其中嵌入該裝置或組件的芯片封裝之外的字段）， 從而更難以破譯。
[0022] 在實(shí)施方式中，響應(yīng)包括由以下各項構(gòu)成的組中之一：與該組中的晶體管發(fā)生電 熱不穩(wěn)定性的順序相對應(yīng)的序列，及該組。也就是說，在一些實(shí)施方式中，該組中的晶體管 經(jīng)歷不穩(wěn)定性的順序可構(gòu)成響應(yīng)的基礎(chǔ)；相反，在其它實(shí)施方式中，特別是該組是晶體管 陣列或裝置中所有多個晶體管的子集的情況中，對該組中成員的標(biāo)識（即該組所形成的集 合）可構(gòu)成響應(yīng)的基礎(chǔ)，而無論晶體管單獨(dú)經(jīng)受電熱不穩(wěn)定性的順序。在這些情況中，響應(yīng) 可不涉及序列而是涉及無序集合。
[0023] 在實(shí)施方式中，響應(yīng)包括熱不穩(wěn)定性的各次發(fā)生時的公共集電極電流的有序序 列。
[0024] 該裝置或組件可包括在相當(dāng)多種電子組件和系統(tǒng)中，在這些電子組件和系統(tǒng)中， 期望能唯一地標(biāo)識芯片，比如但不限于標(biāo)識卡、電子護(hù)照等、電子錢包或其它電子支付系 統(tǒng)、RFID和近場通信裝置、安全進(jìn)入和遠(yuǎn)程進(jìn)入鑰匙、貨物追蹤標(biāo)簽和其它防盜裝置等等。
[0025] 根據(jù)下文中描述的實(shí)施方式，本發(fā)明的這些和其它方面將變得清楚，并且將參考 這些實(shí)施方式對本發(fā)明的各個方面進(jìn)行闡明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026] 參照附圖，僅以示例的方式對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行描述，其中：
[0027] 圖1提供了包括穩(wěn)定性線的典型雙極晶體管的安全工作區(qū)域的示意性表示；
[0028] 圖2不出了具有光學(xué)窗口的4X4雙極晶體管陣列，其中光學(xué)窗口為光發(fā)射顯微研 究提供通路；
[0029] 圖3示出了晶體管陣列（諸如圖2所示）的Gu_el圖示；
[0030] 圖4示出了對設(shè)置用于光發(fā)射顯微研究的晶體管陣列進(jìn)行電偏置的示意性配置；
[0031] 圖5示出了隨著集電極電流增加在恒定偏置電壓下的IV特性；
[0032] 圖6示意性地示出了圖5中示出的陣列的光發(fā)射譜結(jié)果；
[0033] 圖7針對兩種不同的偏置電壓示出了在恒定偏置電壓條件下的IV曲線；
[0034] 圖8示意性地示出了圖2的雙極晶體管陣列的順序光發(fā)射顯微結(jié)果；
[0035] 圖9示出了三個器件的晶體管陣列的電流切換效應(yīng)并說明了相互自加熱的效應(yīng)；
[0036]圖10在（a)、（b)和（c)示出了通過對挑戰(zhàn)的響應(yīng)標(biāo)識組件的方法的流程圖，組件 包括雙極結(jié)型晶體管的陣列；以及
[0037] 圖11示出了實(shí)施方式的概念性示意圖。
[0038] 應(yīng)該注意，附圖是示意性的，且沒有按比例繪制。為了附圖的簡明和方便，對這些 附圖中部件的相對尺寸和比例進(jìn)行了放大或縮小。相同的附圖標(biāo)記一般用來表示改型和不 同實(shí)施方式中的相應(yīng)或相似特征。

【具體實(shí)施方式】
[0039] 發(fā)明人認(rèn)識到雙極晶體管陣列中的效應(yīng)可用來形成PUF的基礎(chǔ)。晶體管可以是 結(jié)型晶體管，具體地可以是雙極結(jié)型晶體管（BJT)。然而，相同的效應(yīng)已在其它雙極晶體管 (尤其是異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT))中觀測到，而且可預(yù)期在寄生雙極器件中發(fā)生，比如可 發(fā)生于MOS器件中。該效應(yīng)是不穩(wěn)定性效應(yīng)，且可認(rèn)為是由于熱效應(yīng)和電效應(yīng)之間的相互 作用而導(dǎo)致的，因此可稱為電熱不穩(wěn)定性。在下文的討論中，該效應(yīng)稱為電熱不穩(wěn)定性。雖 然本發(fā)明不應(yīng)被理解為受任何特定理論（其可能只是被部分理解或不完全理解）所束縛或 限制，但為了更好地理解實(shí)施方式，現(xiàn)在將描述電熱不穩(wěn)定性的概念。
[0040] 已熟知的是，雙極結(jié)型晶體管可在稱為安全工作區(qū)域（S0A)的一系列條件下安全 且可靠地工作。這在圖1中示意性地示出，其中集電極發(fā)射極電壓（VCE)畫于x軸或橫坐標(biāo)， 而集電極電流（Ic)則在縱坐標(biāo)或y軸。安全工作區(qū)域110-般在由最大電壓（VMX) 120、最 大電流（IMX) 130和最大結(jié)溫度（TMX) 140所劃定的區(qū)域內(nèi)。在該區(qū)域外，晶體管可能擊穿。 一般而言，對于雙極晶體管，Vmx等于VB_，而Imx由電子遷移極限和其他已知的工藝參數(shù)確 定。根據(jù)技術(shù)，"開路發(fā)射極擊穿電壓" 能夠達(dá)到若干伏直到20V之間的值或更大。
[0041] 除了圖1中示出的最大電壓、最大電流和最大溫度線，還存在最近發(fā)現(xiàn)的所謂"穩(wěn) 定性"線150,其可能不同于傳統(tǒng)的IMX、VMX和TMX曲線。穩(wěn)定性線150將IV曲線分為穩(wěn) 定區(qū)域（即在穩(wěn)定性線之下）和不穩(wěn)定區(qū)域（即在穩(wěn)定性線之上或右側(cè)）。簡言之，晶體 管穩(wěn)定性線可定義為發(fā)射極電流密度在發(fā)射極區(qū)域（通常較大）上不再能均等地分割時的 電流-電壓組合。換言之，在穩(wěn)定性線150之外（即在上方或右側(cè)），發(fā)射極電流將縮向發(fā) 射極區(qū)域的中心，導(dǎo)致極高的局部電流密度，也就是熱點(diǎn)。在晶體管陣列的情況中，一個晶 體管可以接管超出穩(wěn)定性線的全部電流。發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識到可利用穩(wěn)定性線來提供PUF概 念--包括裝置和方法兩者。
[0042] 單個晶體管的穩(wěn)定性線可由以下簡單等式描述：
[0043]

【權(quán)利要求】
1. 一種通過對挑戰(zhàn)的響應(yīng)來標(biāo)識組件的方法，所述組件包括雙極晶體管的陣列，其中 每個雙極晶體管具有基極接觸部，W及每個雙極晶體管具有主接觸部，所述主接觸部是集 電極接觸部和發(fā)射極接觸部，并且所述雙極晶體管可并聯(lián)連接或已并聯(lián)連接，W便具有公 共集電極接觸部、公共發(fā)射極接觸部和公共基極接觸部， 所述方法包括： 接收所述挑戰(zhàn)； 響應(yīng)于所述挑戰(zhàn)，通過將供應(yīng)給公共主接觸部之一的電流從第一級別增加到第二級別 來向相應(yīng)的公共主接觸部供應(yīng)總主接觸部電流； 檢測所述晶體管中一組晶體管的每一個晶體管中的不穩(wěn)定性；W及 根據(jù)所述組確定所述響應(yīng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述挑戰(zhàn)包括表示所述總集電極電流的值。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述不穩(wěn)定性是電熱不穩(wěn)定性的發(fā)生。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述組件包括多個雙極晶體管，其中所述陣列是 所述多個雙極晶體管的子集，所述挑戰(zhàn)還包括使得能夠選擇所述陣列的信息，并且所述方 法還包括從所述多個雙極晶體管中選擇所述陣列。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其中供應(yīng)所述總主接觸部電流包括W受控速率將 所供應(yīng)的電流從第一級別增加到第二級別。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3-5中的任一項所述的方法，其中檢測所述電熱不穩(wěn)定性的發(fā)生包括 檢測來自相應(yīng)晶體管的光發(fā)射。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3-5中的任一項所述的方法，其中檢測所述電熱不穩(wěn)定性的發(fā)生包括 檢測相應(yīng)晶體管的所述主接觸部電流超過電流闊值。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的方法，其中所述響應(yīng)包括與所述組中的晶體管 發(fā)生電熱不穩(wěn)定性的順序相對應(yīng)的序列。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1-7中的任一項所述的方法，其中所述響應(yīng)包括所述組。
10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的方法，其中所述響應(yīng)包括熱不穩(wěn)定性的各次 發(fā)生時的公共主接觸部電流的序列或集合。
11. 一種物理防克隆功能電路，包括： 雙極晶體管的陣列，其中每個雙極晶體管具有基極接觸部，W及每個雙極晶體管具有 主接觸部，所述主接觸部是集電極接觸部和發(fā)射極接觸部，并且所述雙極晶體管可并聯(lián)連 接或已并聯(lián)連接，W便具有公共集電極接觸部、公共發(fā)射極接觸部和公共基極接觸部； 激勵器，用于根據(jù)挑戰(zhàn)向所述陣列提供激勵； 檢測器，用于檢測所述雙極結(jié)型晶體管中一組晶體管的每一個晶體管響應(yīng)于所述挑戰(zhàn) 的不穩(wěn)定性的發(fā)生；W及 響應(yīng)生成器，用于根據(jù)所述組生成所述響應(yīng)， 其中所述激勵包括總主接觸部電流。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路，所述電路包括多個雙極晶體管，其中所述陣列是所 述多個雙極晶體管的子集，且所述挑戰(zhàn)包括使得能夠從所述多個雙極晶體管中選擇所述陣 列的信息。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的電路，其中所述激勵器包括電流控制器，該電流控制 器被配置為通過w受控速率將所供應(yīng)的電流從第一級別增加到第二級別來供應(yīng)所述總主 接觸部電流。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11-13中的任一項所述的電路，其中所述檢測器包括W下中的至少 一個：光學(xué)檢測器，被配置為檢測來自所述晶體管的組中每一個晶體管的光發(fā)射；W及電 流檢測器，被配置為針對所述晶體管的組中的每一個晶體管檢測相應(yīng)主接觸部電流超過電 流闊值。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11-14中的任一項所述的電路，其中所述響應(yīng)包括由W下各項構(gòu)成 的組中之一；(a)與所述組中的晶體管發(fā)生電熱不穩(wěn)定性的順序相對應(yīng)的序列；化）所述 組；W及（C)熱不穩(wěn)定性的各次發(fā)生時的公共主接觸部電流的有序序列。
【文檔編號】H03K19/082GK104348478SQ201410360445
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】托尼·范胡克, 菲特·霍恩·恩古耶恩 申請人:恩智浦有限公司