一種線性工作功率mosfet管并聯(lián)方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種線性工作功率MOSFET管并聯(lián)方法，該方法包括步驟：(1)根據(jù)MOSFET管開啟電壓最大值VGS(th)max和輸入信號(hào)的電壓Vc選取電阻R1、R2、R4、R5；(2)搭建MOSFET管V1的測試電路；(3)測試MOSFET管V1的柵極電壓值V1G1和V1G2；(4)連接MOSFET管V2的測試電路；(5)測試MOSFET管V2的柵極電壓值V2G1和V2G2；(6)計(jì)算MOSFET管V1和MOSFET管V2的等效參數(shù)V1th、V2th；(7)選取電流反饋回路的電阻參數(shù)R1'、R2'、R3'、R4'、R5'、R6'；(8)搭建并聯(lián)電路；該方法可以將均流電路的開環(huán)放大倍數(shù)由幾十倍降低到幾倍，實(shí)現(xiàn)了較高精度的MOSFET管的均流，可以應(yīng)用到電機(jī)控制等干擾較大的場合。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種線性工作功率MOSFET管并聯(lián)方法，屬于MOSFET管應(yīng)用【技術(shù)領(lǐng)域】。 -種線性工作功率MOSFET管并聯(lián)方法

【背景技術(shù)】
[0002] 功率MOSFET管具有驅(qū)動(dòng)電路簡單、無二次擊穿等優(yōu)點(diǎn)，常用于線性放大電路中。 在線性工作狀態(tài)，通常功率MOSFET管的漏-源極電壓較大，受其功率損耗的限制，其漏極 工作電流較小。為了提高功率MOSFET電路的輸出能力，需要采用功率MOSFET管并聯(lián)的方 法，增大電路的工作電流。通常功率MOSFET管的參數(shù)離散性較大，以柵極開啟電壓為例，其 最大誤差可達(dá)2V。功率MOSFET管直接并聯(lián)，其參數(shù)的差異會(huì)造成漏極電流相差較大，功率 MOSFET管的功耗相差較大，對應(yīng)的結(jié)溫相差較大，降低了 MOSFET管電路的可靠性，嚴(yán)重時(shí) 會(huì)造成功率MOSFET管燒毀。理想情況，各支并聯(lián)的功率MOSFET管漏極電流相同，即實(shí)現(xiàn)功 率MOSFET管均流。
[0003] 實(shí)現(xiàn)功率MOSFET管均流的一種思路是從元器件入手，保證功率MOSFET管具有相 同的漏極電流?柵極-源極電壓曲線。這種方法費(fèi)時(shí)費(fèi)力，代價(jià)較高，較難實(shí)現(xiàn)。
[0004] 實(shí)現(xiàn)功率MOSFET管均流的另一種思路是采用負(fù)反饋的方法。一種負(fù)反饋的方法 是在功率MOSFET管的源極串入電阻。功率MOSFET管的漏極電流越大，在源極電阻上的電 壓越大，從而降低了柵極-源極電壓，使漏極電流減小。源極電阻越大，均流效果越好，但輸 出功率減小。該方法均流精度低，降低了輸出功率，用于均流要求不高的場合。
[0005] 另一種負(fù)反饋的方法是在功率MOSFET管的源極串入小電阻，用以檢測源極電流， 源極電流檢測信號(hào)與輸入指令進(jìn)行比較，比較誤差放大后控制柵極-源極電壓，使漏極電 流與輸入指令成相應(yīng)的比例關(guān)系。漏極電流與輸入指令的誤差取決于反饋回路的開環(huán)增 益，開環(huán)增益越高，其誤差越小。由于源極電阻較小，不會(huì)影響輸出功率的大小。這種方法 可以獲得較高的均流精度，但不適于干擾較大的場合，例如電機(jī)控制。為了獲得較高的均流 精度，需要電流反饋電路有較高的回路增益，但用于電機(jī)控制時(shí)，電機(jī)電流會(huì)存在較大的波 動(dòng)，較高的回路增益，使得電機(jī)電流波動(dòng)放大較多，電機(jī)控制電路無法正常工作。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種線性工作功率MOSFET管 并聯(lián)方法，該方法可以將均流電路的開環(huán)放大倍數(shù)由幾十倍降低到幾倍，實(shí)現(xiàn)了較高精度 的MOSFET管的均流，可以應(yīng)用到電機(jī)控制等干擾較大的場合。
[0007] 本發(fā)明的上述目的主要是通過如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的：
[0008] -種線性工作功率MOSFET管并聯(lián)方法，包括如下步驟：
[0009] 步驟（一）、根據(jù)MOSFET管開啟電壓最大值VGS(th)max和輸入信號(hào)的電壓Vc按如 下公式選取電阻R1、電阻R2、電阻R4和電阻R5 :

【權(quán)利要求】
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種線性工作功率M0SFET管并聯(lián)方法，其特征在于：所述步 驟（八）中形成并聯(lián)電路的具體連接方法如下： 電阻R1'的一端連接信號(hào)源Vc，另一端連接運(yùn)算放大器A1的負(fù)輸入端，電阻R2'的 一端連接運(yùn)算放大器A1的負(fù)輸入端，另一端連接運(yùn)算放大器A1的輸出端，電阻R3' -端連 接運(yùn)算放大器A1的負(fù)輸入端，另一端連接M0SFET管VI的源端，運(yùn)算放大器A1的輸出端連 接M0SFET管VI的柵極，運(yùn)算放大器A1的正輸入端接地，M0SFET管VI的源端通過電流檢 測電阻Rsl接地，電阻R4'的一端連接信號(hào)源Vc，另一端連接運(yùn)算放大器A2的負(fù)輸入端， 電阻R5'的一端連接運(yùn)算放大器A2的負(fù)輸入端，另一端連接運(yùn)算放大器A2的輸出端，電 阻R6' -端連接運(yùn)算放大器A2的負(fù)輸入端，另一端連接M0SFET管V2的源端，運(yùn)算放大器 A2的輸出端連接M0SFET管V2的柵極，運(yùn)算放大器A2的正輸入端接地，M0SFET管V2的源 端通過電流檢測電阻Rs2接地，電源E通過負(fù)載RL連接M0SFET管VI的漏極和M0SFET管 V2的漏極。
【文檔編號(hào)】H03K19/0944GK104065373SQ201410287083
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月24日
【發(fā)明者】孫仲華, 王天悅, 何實(shí), 郭興 申請人:北京控制工程研究所