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低時鐘串?dāng)_的預(yù)放大器、動態(tài)比較器及電路的制作方法

文檔序號:7535770閱讀:635來源:國知局
專利名稱:低時鐘串?dāng)_的預(yù)放大器、動態(tài)比較器及電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及模擬電路設(shè)計領(lǐng)域,特別是涉及一種低時鐘串?dāng)_的預(yù)放大器、具有該預(yù)放大器的動態(tài)比較器及電路。
背景技術(shù)
動態(tài)比較器具有功耗小、面積小、速度快的特點,常常在逐次逼近寄存器型(SAR)的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)中使用。其典型的應(yīng)用形式如圖1所示。其中電容陣列包括若干大小存在比例關(guān)系的電容器以及MOS管開關(guān),實現(xiàn)對差分電壓輸入信號的采樣及電荷轉(zhuǎn)換。而電容陣列直接和動態(tài)比較器相連,比較器對電容陣列的兩個輸出電壓進(jìn)行比較,其差分輸出電壓信號再送給后級電路處理。基于鎖存器的動態(tài)比較器一般由第一級預(yù)放大器和第二級鎖存器構(gòu)成,即帶有MOS管開關(guān)的電容陣列的輸出直接和預(yù)放大器的輸入連接。包含這一連接關(guān)系的預(yù)放大器的電路原理圖如圖2所示,其中ΜΝ0、麗1、麗2、MP3和MP4管構(gòu)成預(yù)放大器NM0、MP3、MP4管的柵極由外部時鐘信號驅(qū)動,麗I和麗2管是預(yù)放大器的輸入端,和前級電容器、MOS管開關(guān)構(gòu)成的串聯(lián)電路相連。Vinp端連接的電容器為Cl,Cl串聯(lián)MOS管開關(guān)Kl,連接到參考電壓VREFl上;Vinn端連接的電容器為C2,C2串聯(lián)MOS管開關(guān)K2,連接到參考電壓VREF2上。理想情況下,電路是完全對稱的。當(dāng)預(yù)放大器在時鐘信號CLK的驅(qū)動下工作時,CLK信號會通過MOS管的本征電容或者寄生電容耦合到預(yù)放大器的輸入端。如圖3所示,MNO管柵極的CLK信號通過CgdO,Cgsl稱合到輸入端Vinp ;還通過CgdO, Cgs2稱合到輸入端Vinn。MP3管柵極的CLK信號通過Cgd3、Cgdl稱合到輸入端Vinp ;MP4管柵極的CLK信號通過Cgd4、Cgd2稱合到輸入端Vinn0 Vinp端連接的前級電容器和MOS管開關(guān)的等效阻抗用Zl表示,Vinn端連接的前級電容器和MOS管開關(guān)的等效阻抗用Z2表示。由于耦合作用,CLK信號將在Z1、Z2上產(chǎn)生干擾電壓,影響Vinp和Vinn信號的大小。當(dāng)電路完全對稱的時候,這種耦合是共模干擾,不會影響預(yù)放大器的最小可比較電壓。然而當(dāng)電路不對稱的時候,例如由于MOS管開關(guān)的失配,使得Zl不等于Z2,那么這種干擾就會在Vinp和Vinn上產(chǎn)生差模串?dāng)_信號,降低預(yù)放大器的比較精度。因此需要降低時鐘信號CLK對Vinp和Vinn端的串?dāng)_影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種預(yù)放大器,減小時鐘信號對輸入端的串?dāng)_。另一目的在于提出一種具有這種預(yù)放大器的動態(tài)比較器。又一目的在于提出一種具有這種動態(tài)比較器的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器。為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案
一種低時鐘串?dāng)_的預(yù)放大器 ,包括一個偏置電流源MOS管、一對輸入MOS管和一對負(fù)載MOS管,還包括第五MOS管、第六MOS管和第七M(jìn)OS管,所述第五MOS管和所述第六MOS管的柵極接地,所述第五MOS管的源極接其中一個負(fù)載MOS管的漏極,所述第五MOS管的漏極接其中一個輸入MOS管的漏極,所述第六MOS管的源極接另一個負(fù)載MOS管的漏極,所述第六MOS管的漏極接另一個輸入MOS管的漏極,所述第七M(jìn)OS管的源極接所述偏置電流源MOS管的漏極,所述第七M(jìn)OS管的漏極接所述一對輸入MOS管的源極,所述第七M(jìn)OS管的柵極接電源。可進(jìn)一步采用以下一些技術(shù)方案
所述偏置電流源MOS管、所述一對輸入MOS管和所述第七M(jìn)OS管為NMOS管,所述一對負(fù)載MOS管、所述第五MOS管和所述第六MOS管為PMOS管。一種動態(tài)比較器,包括鎖存器和所述低時鐘串?dāng)_的預(yù)放大器。一種電路,包括所述的動態(tài)比較器。所述電路為模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器包括電容陣列和所述動態(tài)比較器。本發(fā)明的有益技術(shù)效果
該預(yù)放大器在接收時鐘信號的各MOS管上增加MOS管,能夠屏蔽時鐘信號通過所加的MOS管的本征/寄生電容向預(yù)放大器輸入端的耦合作用,從而減小了時鐘信號對輸入端的串?dāng)_。


圖1是SAR ADC中電容陣列和比較器連接的示意 圖2是預(yù)放大器和前級電容器-MOS管開關(guān)連接的電路原理 圖3是對CLK信號通過MOS管電容串?dāng)_到預(yù)放大器輸入端的分析;
圖4是本發(fā)明實施例的降低CLK串?dāng)_的預(yù)放大器電路原理 圖5是圖4電路中CLK串?dāng)_情況的原理分析圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖,對低時鐘串?dāng)_的預(yù)放大器的實施例作詳細(xì)說明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是,下述說明僅僅是示例性的,而不是為了限制本發(fā)明的范圍及其應(yīng)用。為使描述簡潔,下文中將偏置電流源MOS管MNO稱為MNO管,將第七M(jìn)OS管麗7稱為麗7管,將一對輸入MOS管麗1、麗2分別稱為麗I管和麗2管,將一對負(fù)載MOS管MP3、MP4分別稱為MP3管和MP4管,將第五MOS管MP5和第六MOS管MP6分別稱為MP5管和MP6管。一個實施例的預(yù)放大器的電路原理圖如圖4所示。偏置電流源MNO管的柵極外接時鐘信號CLK。在NMO管的漏極上加入麗7管,麗7管是MNO管的cascode管(構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)),麗7管的柵極接電源VDD。輸入MOS管即麗I管和麗2管的柵極分別接待比較的輸入電壓Vinp和Vinn。負(fù)載MOS管即MP3管和MP4管的柵極外接時鐘信號CLK。在MP3管、MP4管漏極上分別加入管MP5管和MP6管,MP5管是MP3管的cascode管,MP6管是MP4管的cascode管,MP5管和MP6管的柵極接地GND。一個實施例里,麗O管、麗I管、麗2管和麗7管為WOS管,MP3管、MP4管、MP5管和MP6管為PMOS管。考慮MOS管電容后的預(yù)放大器的原理圖如圖5所示。由于麗7管的柵極接直流電平VDD,MNO管柵極所加CLK信號通過CgdO,Cgs7到達(dá)VDD,不會耦合到輸入端;類似的,由于MP5管、MP6管柵極接GND,MP3管、MP4管柵極所加CLK信號也無法通過Cgd3_Cgs5,Cgd4-Cgs6耦合到輸入端。因此cascode MOS管屏蔽了時鐘信號通過其所加MOS管的電容向預(yù)放大器輸入端的耦合作用。另一方面,MNO柵極的CLK信號會在MNO管的漏極產(chǎn)生電壓VdO,該電壓通過麗7管的作用在其漏極產(chǎn)生電壓Vd7’ Vd7再通過麗I管的Cgsl耦合到Vinp,通過麗2管的Cgs2耦合到Vinn。但由于MN7管的柵極接VDD,MN7管在預(yù)放大器動態(tài)工作時主要處于線性區(qū),Vd7的變化小于VdO的變化,因此CLK的這一饋通作用也被麗7管減小了。類似的,MP3管柵極的CLK信號會在MP3管的漏極產(chǎn)生Vintn電壓,進(jìn)而在MP5管的漏極產(chǎn)生Voutn電壓;MP4管柵極的CLK信號會在MP4管的漏極產(chǎn)生Vintp電壓,進(jìn)而在MP6管的漏極產(chǎn)生Voutp電壓。但這種饋通作用都被柵極接到GND的MP5管和MP6管所抑制。在一些實施例里,一種動態(tài)比較器包括鎖存器和所述低時鐘串?dāng)_的預(yù)放大器。在一些實施例里,一種電路包括所述的動態(tài)比較器。所述電路可以為模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器包括電容陣列和所述動態(tài)比較器。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明,不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡單推演或替換,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種低時鐘串?dāng)_的預(yù)放大器,包括一個偏置電流源MOS管、一對輸入MOS管和一對負(fù)載MOS管,其特征在于,還包括第五MOS管、第六MOS管和第七M(jìn)OS管,所述第五MOS管和所述第六MOS管的柵極接地,所述第五MOS管的源極接其中一個負(fù)載MOS管的漏極,所述第五MOS管的漏極接其中一個輸入MOS管的漏極,所述第六MOS管的源極接另一個負(fù)載MOS管的漏極,所述第六MOS管的漏極接另一個輸入MOS管的漏極,所述第七M(jìn)OS管的源極接所述偏置電流源MOS管的漏極,所述第七M(jìn)OS管的漏極接所述一對輸入MOS管的源極,所述第七M(jìn)OS管的柵極接電源。
2.如權(quán)利要求1所述的預(yù)放大器,其特征在于,所述偏置電流源MOS管、所述一對輸入MOS管和所述第七M(jìn)OS管為NMOS管,所述一對負(fù)載MOS管、所述第五MOS管和所述第六MOS管為PMOS管。
3.一種動態(tài)比較器,包括預(yù)放大器和鎖存器,其特征在于,所述預(yù)放大器為如權(quán)利要求1-3任一項所述的預(yù)放大器。
4.一種電路,其特征在于,包括如權(quán)利要求3所述的動態(tài)比較器。
5.如權(quán)利要求4所述的電路,其特征在于,所述電路為模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器包括電容陣列和所述動態(tài)比較器。
全文摘要
一種低時鐘串?dāng)_的預(yù)放大器,包括一個偏置電流源MOS管、一對輸入MOS管和一對負(fù)載MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七M(jìn)OS管,所述第五MOS管和所述第六MOS管的柵極接地,所述第五MOS管的源極接其中一個負(fù)載MOS管的漏極,所述第五MOS管的漏極接其中一個輸入MOS管的漏極,所述第六MOS管的源極接另一個負(fù)載MOS管的漏極,所述第六MOS管的漏極接另一個輸入MOS管的漏極,所述第七M(jìn)OS管的源極接所述偏置電流源MOS管的漏極,所述第七M(jìn)OS管的漏極接所述一對輸入MOS管的源極,所述第七M(jìn)OS管的柵極接電源。在此還公開了具有該預(yù)放大器的動態(tài)比較器及電路。本發(fā)明能夠屏蔽時鐘信號向預(yù)放大器輸入端的耦合作用,減小時鐘信號對輸入端的串?dāng)_。
文檔編號H03K5/22GK103051289SQ20121055499
公開日2013年4月17日 申請日期2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月20日
發(fā)明者王自強(qiáng), 姜琿, 張春, 麥宋平, 陳虹, 王志華 申請人:清華大學(xué)深圳研究生院
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