專利名稱：具有提高的穩(wěn)定性的分布式放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種改進(jìn)的分布式放大器。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的分布式放大器是工業(yè)中眾所周知的拓?fù)?，是已得到證明的構(gòu)造寬帶放大器的方式。GaAs襯底上的分布式放大器的典型帶寬可以處于千赫茲到毫米波頻率的數(shù)量級。共柵共源分布式放大器被廣泛地認(rèn)為是與非共柵共源分布式放大器相比提高增益和帶寬的方法。通過將晶體管的寄生效應(yīng)合并到器件之間的匹配網(wǎng)絡(luò)中，由此實現(xiàn)分布式放大器的優(yōu)點。器件的輸入和輸出電容可以分別與柵極和漏極線路電感相結(jié)合，從而使得傳輸線幾乎透明，排除了傳輸線損耗。通過這樣做，放大器的增益可以僅僅由器件的跨導(dǎo)所限制，而不被與器件相關(guān)聯(lián)的寄生效應(yīng)所限制。上述情況只有在柵極線行進(jìn)的信號與在漏極線行進(jìn)的信號同相，由此使得每一個晶體管的輸出電壓與先前的晶體管輸出同相疊加時才成立。傳送到輸出的信號將結(jié)構(gòu)性地發(fā)生干擾，由此使得所述信號沿著漏極線變強。由于這些信號不是同相的，因此任何相反的波都將破壞性地發(fā)生干擾。柵極線終端被包括以吸收沒有耦合到晶體管柵極的任何信號。漏極線終端被包括以吸收可能破壞性地干擾輸出信號的任何相反行波。放大器的穩(wěn)定性對保持電路的預(yù)定狀態(tài)是關(guān)鍵性的。如果放大器表現(xiàn)出振蕩或者具有振蕩的可能性，那么就會出現(xiàn)各種問題。由于振蕩導(dǎo)致的問題可以從偏置狀態(tài)的波動到電路自毀等等。參數(shù)振蕩是一種振蕩類型，其通常僅僅發(fā)生在特定RF功率水平被施加到放大器時，即，在放大器呈現(xiàn)穩(wěn)定的靜態(tài)或者小信號的狀態(tài)下?，F(xiàn)有的穩(wěn)定方法在防止參數(shù)振蕩方面不是有益的。例如，在共柵共源分布式放大器中，存在共用柵極(CG)器件的柵極上的電容，其用于消除Miller電容(純粹的共用源極(CS)放大器包含該Miller電容)。其通過理論上在CG器件的柵極節(jié)點處形成RF短路而消除Miller電容。在許多情況下，該電容被減小到較小的值( 0.5pF)以調(diào)節(jié)共柵共源電路用于提高功率性能。該電容可能需要電阻以使網(wǎng)絡(luò)De-Q化，以使得它不會振蕩。從額定值(例如5歐姆)增加該電阻的值是一種提高電路穩(wěn)定性的常見方法。然而，該方法可能損害性能(即，提供少得多的帶寬)，和其可能對參數(shù)振蕩穩(wěn)定性沒有幫助。使共柵共源分布式放大器的CG器件穩(wěn)定的另一現(xiàn)有方法是以連接在CG器件的漏極之間的旁路電阻-電容(R-C)的形式引入漏極可見的損耗。然而，該方法沒有提供參數(shù)振蕩的明顯降低。例如，CG柵電阻可能實際上變得負(fù)得更多，同時進(jìn)一步降低了放大器的增益。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目標(biāo)在于提供減小或者消除參數(shù)振蕩的分布式放大器。本發(fā)明的另一個目標(biāo)是提供增益沒有顯著降低的上述分布式放大器。本發(fā)明的另一個目標(biāo)是提供帶寬沒有顯著減小的上述分布式放大器。本發(fā)明源于實現(xiàn)可以減小或者消除分布式放大器中的參數(shù)振蕩，在一個實施例中，通過反饋網(wǎng)絡(luò)來實現(xiàn)參數(shù)振蕩的減小或者消除，所述反饋網(wǎng)絡(luò)包括串聯(lián)耦合在至少其中一個放大器的共用柵極配置的晶體管的柵極和漏極之間的非寄生電阻和電容。
然而，在其他實施例中，本發(fā)明不必實現(xiàn)所有的目標(biāo)，而權(quán)利要求也不應(yīng)被限制于能夠?qū)崿F(xiàn)這些目的的結(jié)構(gòu)或者方法。在一個實施例中，具有提高的穩(wěn)定性的分布式放大器包括輸入傳輸電路；輸出傳輸電路；至少一個共柵共源放大器，稱合在所述輸入傳輸電路和輸出傳輸電路之間，每一個共柵共源放大器包括耦合到所述輸出傳輸電路的共用柵極配置的晶體管和耦合在所述輸入傳輸電路和所述共用柵極配置的晶體管之間的共用源極配置的晶體管；以及反饋網(wǎng)絡(luò)，包括串聯(lián)耦合在至少一個共用柵極配置的晶體管的柵極和漏極之間的非寄生電阻和電容，用于增加放大器的穩(wěn)定性。在優(yōu)選實施例中，每一個共用柵極晶體管的漏極耦合在一起，以及每一個共用源極配置的晶體管的柵極耦合在一起。每一個共柵共源放大器可以進(jìn)一步包括一個或更多個附加的共用柵極晶體管，其直流耦合在每一個共用柵極配置的晶體管和共用源極配置的晶體管之間。每一個反饋網(wǎng)絡(luò)的電阻和電容可以包括串聯(lián)耦合跨接一個或更多個附加的共用柵極配置的晶體管中的至少一個的柵極和漏極端子的電阻和電容。每一個共用柵極配置的晶體管可以包括耦合在其對應(yīng)的漏極和柵極之間的非寄生電阻和電容。在所述輸入傳輸電路和輸出傳輸電路之間可以僅僅I禹合有一個共柵共源放大器。每一個電阻可以具有大約800歐姆的值以及每一個電容可以具有大約IpF的值。每一個電阻可以具有范圍在20歐姆到IOk歐姆之間的值。每一個電容可以具有范圍在.IpF到IOpF之間的值。在其他實施例中，具有提高的穩(wěn)定性的分布式放大器可以包括輸入傳輸電路；輸出傳輸電路；至少兩個共柵共源放大器，I禹合在所述輸入傳輸電路和輸出傳輸電路之間，每一個共柵共源放大器包括耦合到所述輸出傳輸電路的共用柵極晶體管和耦合在所述輸入傳輸電路和所述共用柵極晶體管之間的共用源極晶體管；以及反饋網(wǎng)絡(luò)，包括耦合在至少一個共用柵極晶體管的柵極和漏極之間的電阻和電容，用于增加至少一個共用柵極晶體管的穩(wěn)定性。在優(yōu)選實施例中，每一個共柵共源放大器可以進(jìn)一步包括第二共用柵極晶體管，耦合在共用柵極晶體管和共用源極晶體管之間。每一個共用柵極晶體管可以包括耦合在其對應(yīng)的漏極和柵極之間的電阻和電容。在所述輸入傳輸電路和輸出傳輸電路之間可以I禹合有四至十個共柵共源放大器，包括四個和十個。每一個電阻可以具有大約800歐姆的值以及每一個電容可以具有大約IpF的值。每一個電阻可以具有范圍在20歐姆到IOk歐姆之間的值。每一個電容可以具有范圍在.IpF到IOpF之間的值。


從以下優(yōu)選實施例和附圖的說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解其他的目標(biāo)、特征和優(yōu)點，其中圖I示出了現(xiàn)有技術(shù)分布式放大器的電路圖；圖2示出了另一現(xiàn)有技術(shù)分布式放大器的電路圖；圖3A-C示出了圖I的分布式放大器的共用柵極晶體管的電路圖和分別示出了輸入和輸出反射系數(shù)的史密斯圓圖；
圖4示出了分布式放大器的典型參數(shù)振蕩的曲線圖；圖5A-B分別示出了在具有不具有與DC-6GHZ分布式放大器的CG晶體管上的柵極串聯(lián)的附加穩(wěn)定電阻的情況下的仿真S參數(shù)和CG節(jié)點柵電阻的曲線圖；圖6A-B分別示出了在具有和不具DC-6GHZ分布式放大器的CG器件的漏極之間的旁路R-C的情況下的仿真S參數(shù)和CG節(jié)點柵電阻的曲線圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的分布式放大器的電路圖；圖8A示出了圖7的分布式放大器的電路圖，其中分布式放大器包括三個級；圖SB示出了圖7的分布式放大器的另一實施例的電路圖，其中分布式放大器被是三重堆疊的；圖9A-C示出了圖7的分布式放大器的共用柵極晶體管的電路圖和分別示出了在具有和不具有反饋網(wǎng)絡(luò)的情況下的輸入和輸出反射系數(shù)的史密斯圓圖；圖10A-C分別示出了圖7的分布式放大器的共柵共源放大器的電路圖和示出了輸入和輸出反射系數(shù)的史密斯圓圖；圖11示出了在具有和不具有用于DC-6GHZ分布式放大器的反饋網(wǎng)絡(luò)的情況下S參數(shù)和仿真的CG節(jié)點柵極阻抗的曲線圖；圖12A-B示出了在具有和不具有DC-6GHZ分布式放大器的CG晶體管上的反饋網(wǎng)絡(luò)的情況下的仿真的S參數(shù)的曲線圖；和圖13示出了在具有和不具有DC-6GHZ分布式放大器的CG晶體管上的反饋網(wǎng)絡(luò)的情況下的仿真功率的曲線圖。
具體實施例方式除了以下公開的實施例或者優(yōu)選實施例以外，本發(fā)明能夠具有其他實施例以及能夠以多種方式實現(xiàn)或?qū)嵤?。由此，將要理解，本發(fā)明在應(yīng)用時不在如下說明書或者附圖中示出的部件的布置和結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)方面受到限制。如果此處僅僅描述一個實施例，那么其權(quán)利要求不局限于該實施例。此外，除非存在明確的和令人信服的證據(jù)聲明了特定的除外、限制或者放棄，否則其權(quán)利要求不被限制性地解讀。圖I和2示出了傳統(tǒng)的分布式放大器。在圖2中，典型的分布式放大器10包括輸入傳輸電路12和輸出傳輸電路14。一個或更多個共柵共源放大器16a-16n稱合在輸入傳輸電路12和輸出傳輸電路14之間。每一個共柵共源放大器16a-16n通常包括共用源極(CS)晶體管18，其耦合到共用柵極(CG)晶體管20，以通過減小CS放大器的Miller電容(跨接在具有相反電壓增益的兩個節(jié)點兩端的電容)來提高增益和帶寬。
如上所述，放大器的穩(wěn)定性對保持電路的預(yù)定狀態(tài)是關(guān)鍵性的。如果放大器表現(xiàn)出振蕩或者具有振蕩的可能性，那么就會出現(xiàn)各種問題。由于振蕩導(dǎo)致的問題從偏置狀態(tài)的波動到電路自毀等等。如圖3A-C所示，由于在正常情況下共用柵極的輸出阻抗為負(fù)，因此共柵共源分布式放大器表現(xiàn)為易于發(fā)生振蕩。即，當(dāng)以共用柵極配置(柵極節(jié)點耦合到地)連接時的典型的GaAs晶體管可以在某些頻率處表現(xiàn)出正的反射系數(shù)，如圖3C的史密斯圓圖所示。正反射是潛在的問題，這是因為其能夠幫助增大和維持振蕩。參數(shù)振蕩通常是僅僅發(fā)生在RF功率被施加到放大器時(即，在DC狀態(tài)下，放大器表現(xiàn)穩(wěn)定)的振蕩。參數(shù)振蕩通常發(fā)生在操作基頻的一半處。振蕩還可以表現(xiàn)為分成兩個振蕩，該兩個振蕩發(fā)生在從基頻的一半處具有相同的頻率相對變化的兩個不同頻率處，例如，如果fo=16GHz，則fo/2 = 8GHz (振蕩可以發(fā)生在7和9GHz處)。圖4示出了參數(shù)振蕩的測量實例。振蕩僅僅發(fā)生在由于晶體管器件參數(shù)在施加的RF功率下改變的驅(qū)動下。例如電容值(例如柵到源電容值Cgs)將很可能隨著驅(qū)動電平向著功率壓縮方向增加而增加。該情況還 可以通過晶體管漏極電流在驅(qū)動下增加而觀察到。由于電流正在改變，因此相信設(shè)備特性也正在發(fā)生改變是合理的。如上所述，現(xiàn)有的穩(wěn)定方法在防止參數(shù)振蕩方面不是有益的。例如，在共柵共源分布式放大器中，存在共用柵極(CG)器件的柵極上的電容，其用于消除Miller電容(純粹的共用源極(CS)放大器包含該電容)。其通過理論上在CG器件的柵極節(jié)點處形成RF短路而消除Miller電容。在許多情況下，該電容被減小到較小的值( 0.5pF)以調(diào)節(jié)共柵共源電路用于提高功率性能。該電容可能需要電阻以使網(wǎng)絡(luò)De-Q化，以使得它不會振蕩。從額定值(例如5歐姆)增加該電阻的值是一種提高電路穩(wěn)定性的常見方法。然而，該方法可能損害性能(即，提供少得多的帶寬)，并且如從圖5A-B可以看出的，其對參數(shù)振蕩穩(wěn)定性沒有幫助。使共柵共源分布式放大器的CG器件穩(wěn)定的另一現(xiàn)有方法是以連接在CG器件的漏極之間的旁路電阻-電容(R-C)的形式引入漏極可見的損耗。然而，該方法沒有提供參數(shù)振蕩的明顯降低。可以從圖6A-B看出，CG柵電阻實際上負(fù)得更多，同時進(jìn)一步降低了放大器的增益。在窄帶放大器中，可以看出，可以通過選擇性地在低于操作頻帶的頻率處引入損耗，從而減小或者消除參數(shù)振蕩而不會顯著地降低放大器性能。由于參數(shù)振蕩通常發(fā)生在操作基頻的一半處，因此這可以奏效。可以選擇性地通過以低于所關(guān)心的頻帶的截止頻率包括與放大器串聯(lián)的高通濾波器來引入損耗，以使得在所關(guān)心的頻帶中損耗是最小的。用于窄帶電路的另一方法是引入次諧波陷阱，即，電感器-電容諧振電路，其被設(shè)計為僅僅在次諧波頻率處引入損耗。然而，例如分布式放大器的寬帶電路更加難以穩(wěn)定，這是因為引入損耗將可能在增益和功率方面使得整個頻率響應(yīng)惡化。優(yōu)選的是找一種方法，在放大器中引入損耗以減少參數(shù)振蕩而不顯著地降低放大器性能。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，在圖7中，分布式放大器100包括輸入傳輸電路112和輸出傳輸電路114。至少一個共柵共源放大器116a-116n f禹合在輸入傳輸電路和輸出傳輸電路112和114之間。例如，共柵共源放大器116a包括耦合到輸出傳輸電路114的共用柵極(CG)配置的晶體管118a，以及耦合在輸入傳輸電路112和CG配置的晶體管118a之間的共用源極(CS)配置的晶體管120a。反饋網(wǎng)絡(luò)122a可以包括選擇性地挑選的非寄生電阻和電容，例如電阻124a和電容126a，反饋網(wǎng)絡(luò)122a耦合跨接至少一個CG配置的晶體管的漏極128a和柵極130a，用于增加該至少一個晶體管的穩(wěn)定性。僅僅一部分晶體管118a_118n可以包括類似的反饋網(wǎng)絡(luò)122a-n，或者所有晶體管118a_118n可以都包括類似的反饋網(wǎng)絡(luò)122a-n，如圖7、8A和8B所示。每一個電阻124a_124n可以具有20歐姆到IOk歐姆之間范圍內(nèi)的值。每一個電容126a-126n可以具有.IpF到IOpF范圍之間的值。更優(yōu)選地，每一個電阻124a_124n可以具有大約800歐姆的值，每一個電容126a-126n可以具有大約IpF的值。每一個CG配置的晶體管118a包括共用柵極晶體管，每一個CS配置的晶體管120a包括共用源極晶體管。在圖8A中，分布式放大器IOOa可以包括共柵共源放大器的三個級116a’-116c’或者分段，其中CG配置的晶體管118a’、118b’和/或118c’中的一個或更多個包括耦合跨接每一個對應(yīng)的CG晶體管的對應(yīng)的漏極和柵極的反饋網(wǎng)絡(luò)122a’、122b’和/或 122c’。稱合在輸入傳輸電路和輸出傳輸電路112和114之間的共柵共源放大器116a-116n的數(shù)目通常在四和十之間并且包括四和十，不過可以使用更多或更少的共柵共源放大器。例如，取決于應(yīng)用，可以在輸入傳輸電路和輸出傳輸電路112和114之間f禹合^ 或者十二個共柵共源放大器。在圖8B中，例如，分布式放大器IOOb還可以包括三重堆疊分布式放大器,其中每一個共柵共源放大器116a”-116n”都包括兩個共用柵極晶體管和一個共用源極晶體管。也可以使用具有更多串聯(lián)耦合的共用柵極晶體管的更高等級的堆疊。為了提高穩(wěn)定性，與上述反饋網(wǎng)絡(luò)類似的反饋網(wǎng)絡(luò)122a”-122n”和122a”’ _122n”’可以被連接在一個或更多個共用柵極晶體管的漏電極和柵電極之間。在圖9A中，已經(jīng)為了反饋網(wǎng)絡(luò)122d及在共柵共源分布式放大器的常見結(jié)構(gòu)中CG晶體管將具有的其他組件(用于在共柵共源結(jié)構(gòu)中隔離Miller電容以及調(diào)節(jié)RF功率，輸出回波損耗等等)而包括了某些額定值。例如，反饋網(wǎng)絡(luò)122d包括800歐姆的電阻124d和
I.OpF的電容126d。當(dāng)關(guān)注添加有R-C反饋網(wǎng)絡(luò)(虛線)的CG晶體管時，在圖9B-C中可以看到，與實線示出的不穩(wěn)定的晶體管相比，已經(jīng)顯著地提高了柵極反射系數(shù)(更穩(wěn)定)。在圖IOA中示出了將圖9A的CG器件合并到共柵共源分布式放大器中典型的共柵共源結(jié)構(gòu)中。再一次，為了柵極上的反饋網(wǎng)絡(luò)122e使用了額定值800歐姆的電阻124e和額定值IpF的電容126e。在圖IOC的史密斯圓圖中可以看出(該史密斯圓圖是從CG器件的柵極看進(jìn)去的阻抗)，在沒有R-C穩(wěn)定性的情況下電阻是負(fù)的(實線)并且在利用包括800歐姆的穩(wěn)定電阻的反饋網(wǎng)絡(luò)時(虛線)變得負(fù)得更少。為了進(jìn)一步提高電路的穩(wěn)定性，反饋電阻的大小可以被減小到500或600歐姆。為了能夠在不降低總體性能的情況下消除放大器中的參數(shù)振蕩，優(yōu)選地在電路的每個節(jié)點處在小信號情況下以及在施加的RF功率下看到阻抗。通常，節(jié)點的電阻將在小信號情況和施加的RF功率下之間變化。對于被認(rèn)為穩(wěn)定的放大器來說，除了大信號穩(wěn)定性之外，優(yōu)選滿足小信號穩(wěn)定性。振蕩的條件是負(fù)電阻和0或者360度的環(huán)路相移，其中負(fù)電阻隨后將形成正的反射系數(shù)。正反射系數(shù)能夠形成環(huán)路增益為1，并且正反射系數(shù)與該環(huán)路附近的0或者360度的相移相結(jié)合將很可能形成振蕩。
在圖11中，示出了具有(虛線)和不具有(實線)在CG晶體管上從漏極到柵極的反饋網(wǎng)絡(luò)的DC-6GHZ分布式放大器中的CG晶體管的柵極節(jié)點電阻的仿真。具體地，該曲線圖示出了作為看向該節(jié)點處的探針的左側(cè)和右側(cè)的阻抗的和的復(fù)數(shù)阻抗的實部。圖11的曲線圖的X軸實際上是基頻，而跡線是基頻的一半處或者次諧波頻率處的電阻。這里，反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值為800歐姆，電容值為lpF。在該實例中，電容的目的主要在于阻斷從漏極到柵極的DC電流。從圖11可以看出，在3GHz處，在沒有反饋網(wǎng)絡(luò)的情況下，柵電阻大約為0歐姆(實線)，其危險地接近于負(fù)值，并且在一部分頻率處變?yōu)樨?fù)值。然而，在具有添加的反饋網(wǎng)絡(luò)的情況下(虛線)，電阻大于200歐姆，在S21中具有極小的劣化或者回波損耗，如圖12A-B所示。在頻帶的上邊沿處，即使具有反饋網(wǎng)絡(luò)，柵電阻也向著20歐姆發(fā)展?？梢酝ㄟ^減小反饋電阻或者或許與其它穩(wěn)定方法(例如柵極自身上的小的串聯(lián)電阻)結(jié)合地利用反饋網(wǎng)絡(luò)來進(jìn)一步對其進(jìn)行改進(jìn)。然而，在6GHz的頻帶邊緣處，在沒有其他的穩(wěn)定方法的情況下，電阻的實部大于20歐姆，這是相當(dāng)安全的操作裕度。很清楚的，在不嚴(yán)重降低增 益或者回波損耗(如圖12A和12B所示)的情況下已經(jīng)取得了電路穩(wěn)定性方面的巨大的優(yōu)點。此外，如圖13所示，由于該穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)，在功率方面有很小的降低。本發(fā)明可以使共柵共源分布式放大器在參數(shù)振蕩方面穩(wěn)定，而不會顯著地降級放大器性能。此外，這將有助于小信號穩(wěn)定性。該技術(shù)可以應(yīng)用于在分布式放大器拓?fù)渲惺褂玫娜魏喂灿脰艠O晶體管。即，如圖8B所示，可以有三重堆疊分布式放大器或者兩個CG晶體管的級聯(lián)。此外，與分布式放大器中共柵共源放大器串相反，該穩(wěn)定性可以應(yīng)用于單個共柵共源放大器。由此，將要理解，本發(fā)明不在其前文或者附圖中示出的結(jié)構(gòu)和部件布置的細(xì)節(jié)方面受限制。如果此處僅僅描述了一個實施例，本發(fā)明并不被限制于那一個實施例。例如，雙極(BJT)晶體管可以被用于代替具有基極、集電極和發(fā)射極電極分配的FET。此外，除非存在明確的和令人信服的證據(jù)聲明了特定的除外、限制或者放棄，否則本發(fā)明的保護(hù)范圍不被限制性地解讀。盡管在一部分附圖示出了本發(fā)明的特定特征而沒有示出其他特征，但是這僅僅為了方便起見，因為根據(jù)本發(fā)明，每一個特征可以與其他特征的任意一個或全部相結(jié)合。此處使用的術(shù)語“包括”、"包含"、"具有"、"耦合"和"帶有"將被廣泛且全面性地解讀，并且不局限于任何物理的關(guān)聯(lián)。此外，本申請中所公開的任何實施例都不被視為唯一可能的實施例。此外,在被專利的專利申請的審查期間呈交的任何修改并不意味著放棄提交的申請中給出的任何權(quán)利要求要素；本領(lǐng)域技術(shù)人員不能合理地預(yù)計撰寫一個將字面地包含所有可能等價物的權(quán)利要求，許多等價物在修改時是不可預(yù)見的并且超出了將被放棄的內(nèi)容(如果有的話)的合理解釋，修改的原則可以承載不多于，和/或存在著許多其他的原因，發(fā)明人無法預(yù)期描述用于任何修改的權(quán)利要求要素的特定的非實質(zhì)性替換。其他實施例對于本領(lǐng)域技術(shù)人員也是可行的，并且落入如下權(quán)利要求書的范疇之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種具有提高的穩(wěn)定性的分布式放大器，包括 輸入傳輸電路； 輸出傳輸電路； 至少ー個共柵共源放大器，稱合在所述輸入傳輸電路和輸出傳輸電路之間，姆ー個共柵共源放大器包括耦合到所述輸出傳輸電路的共用柵極配置的晶體管和耦合在所述輸入傳輸電路和所述共用柵極配置的晶體管之間的共用源極配置的晶體管；以及 反饋網(wǎng)絡(luò)，包括串聯(lián)耦合在至少ー個共用柵極配置的晶體管的柵極和漏極之間的非寄生電阻和電容，用于增加放大器的穩(wěn)定性。
2.如權(quán)利要求I的分布式放大器，其中每ー個共用柵極晶體管配置的漏極耦合在一起，以及每ー個共用源極配置的晶體管的柵極耦合在一起。
3.如權(quán)利要求I的分布式放大器，其中每ー個共柵共源放大器進(jìn)ー步包括一個或更多個附加的共用柵極晶體管，其直流耦合在每ー個共用柵極配置的晶體管和共用源極配置的晶體管之間。
4.如權(quán)利要求3的分布式放大器，其中每ー個反饋網(wǎng)絡(luò)的電阻和電容包括串聯(lián)耦合跨接一個或更多個附加的共用柵極配置的晶體管中的至少ー個的柵極和漏極端子的電阻和電容。
5.如權(quán)利要求4的分布式放大器,其中姆ー個電阻具有大約800歐姆的值以及姆ー個電容具有大約IpF的值。
6.如權(quán)利要求4的分布式放大器，其中每ー個電阻具有范圍在20歐姆到IOk歐姆之間的值。
7.如權(quán)利要求4的分布式放大器，其中每ー個電容具有范圍在.IpF到IOpF之間的值。
8.如權(quán)利要求I的分布式放大器，其中每ー個共用柵極配置的晶體管包括耦合在其對應(yīng)的漏極和柵極之間的非寄生電阻和電容。
9.如權(quán)利要求I的分布式放大器，其中在所述輸入傳輸電路和輸出傳輸電路之間僅僅率禹合有一個共柵共源放大器。
10.ー種具有提高的穩(wěn)定性的分布式放大器，包括 輸入傳輸電路； 輸出傳輸電路； 至少兩個共柵共源放大器，稱合在所述輸入傳輸電路和輸出傳輸電路之間，姆ー個共柵共源放大器包括耦合到所述輸出傳輸電路的共用柵極晶體管和耦合在所述輸入傳輸電路和所述共用柵極晶體管之間的共用源極晶體管；以及 反饋網(wǎng)絡(luò)，包括耦合在至少ー個共用柵極晶體管的柵極和漏極之間的電阻和電容，用于增加至少ー個共用柵極晶體管的穩(wěn)定性。
11.如權(quán)利要求10的分布式放大器，其中每ー個共柵共源放大器進(jìn)ー步包括第二共用柵極晶體管，耦合在共用柵極晶體管和共用源極晶體管之間。
12.如權(quán)利要求10的分布式放大器，其中每ー個共用柵極晶體管包括耦合在其對應(yīng)的漏極和柵極之間的電阻和電容。
13.如權(quán)利要求10的分布式放大器,其中在所述輸入傳輸電路和輸出傳輸電路之間率禹合有四至十個共柵共源放大器，包括四個和十個。
14.如權(quán)利要求10的分布式放大器，其中每ー個電阻具有大約800歐姆的值以及每ー個電容具有大約IpF的值。
15.如權(quán)利要求10的分布式放大器，其中每ー個電阻具有范圍在20歐姆到IOk歐姆之間的值。
16.如權(quán)利要求10的分布式放大器,其中姆ー個電容具有范圍在.IpF到IOpF之間的值。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有提高的穩(wěn)定性的分布式放大器，包括輸入傳輸電路，輸出傳輸電路，耦合在所述輸入傳輸電路和輸出傳輸電路之間的至少一個共柵共源放大器。每一個共柵共源放大器包括耦合到所述輸出傳輸電路的共用柵極配置的晶體管和耦合在所述輸入傳輸電路和所述共用柵極配置的晶體管之間的共用源極配置的晶體管。所述分布式放大器還包括串聯(lián)耦合在至少一個共用柵極配置的晶體管的柵極和漏極之間的非寄生電阻和電容，用于增加放大器穩(wěn)定性。
文檔編號H03F1/08GK102684610SQ20121006071
公開日2012年9月19日 申請日期2012年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月9日
發(fā)明者K·貝松 申請人:赫梯特微波公司