專(zhuān)利名稱(chēng)：高頻開(kāi)關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高頻開(kāi)關(guān)。
背景技術(shù)：
最近，正在急速進(jìn)行便攜式電話機(jī)等無(wú)線通信設(shè)備的小型化。作為實(shí)現(xiàn)無(wú)線通信設(shè)備的小型化的方法，例如有降低無(wú)線通信設(shè)備的消耗功率，將裝載于無(wú)線通信設(shè)備的電池進(jìn)一步小型化的方法。無(wú)線通信設(shè)備內(nèi)部具有多個(gè)半導(dǎo)體集成電路，電池供給的功率的一部分由這些半導(dǎo)體集成電路消耗。在這些半導(dǎo)體集成電路中有在天線與發(fā)送/接收電路之間切換聞?lì)l/[目號(hào)傳輸路徑的聞?lì)l半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(下面稱(chēng)為聞?lì)l開(kāi)關(guān))。聞?lì)l開(kāi)關(guān)的消耗功率雖然不大，但是高頻開(kāi)關(guān)中的插入損耗直接影響發(fā)送電路的發(fā)送功率放大器中的消耗功率。作為聞?lì)l開(kāi)關(guān)，公開(kāi)有例如下面專(zhuān)利文獻(xiàn)I中的聞?lì)l開(kāi)關(guān)。在專(zhuān)利文獻(xiàn)I的聞?lì)l開(kāi)關(guān)中，由形成在絕緣襯底上的娃(SOI:Silicon On Insulator)基板上的金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管(MOSFET:Metal-0xide-Semiconductor Field-Effect Transistor)構(gòu)成聞?lì)l開(kāi)關(guān)，從而降低聞?lì)l開(kāi)關(guān)中的消耗功率。專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利公開(kāi)公報(bào)特開(kāi)2009-194891號(hào)但是，上述專(zhuān)利文獻(xiàn)I公開(kāi)的高頻開(kāi)關(guān)中沒(méi)有充分考慮混合有時(shí)分雙工通信系統(tǒng)和頻分復(fù)用通信系統(tǒng)的多模式系統(tǒng)中的插入損耗特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于改善多模式系統(tǒng)中形成在SOI基板上的高頻開(kāi)關(guān)的插入損耗特性。本發(fā)明的上述目的通過(guò)以下方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的高頻開(kāi)關(guān)包括至少一個(gè)第一端口、至少一個(gè)第二端口、共用端口、第一串聯(lián)開(kāi)關(guān)以及第二串聯(lián)開(kāi)關(guān)。第一端口連接于時(shí)分雙工通信系統(tǒng)，用于輸入或輸出高頻信號(hào)。第二端口連接于頻分雙工系統(tǒng)，用于輸入或輸出高頻信號(hào)。共用端口用于發(fā)送或接收通過(guò)第一端口或第二端口輸入或輸出的高頻信號(hào)。第一串聯(lián)開(kāi)關(guān)具有至少一個(gè)第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管，根據(jù)施加到連接于第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的第一柵極電阻的電壓，導(dǎo)通或截止第一端口與共用端口之間的連接。第二串聯(lián)開(kāi)關(guān)具有至少一個(gè)第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，根據(jù)施加到連接于第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極且電阻值大于第一柵極電阻的第二柵極電阻帶來(lái)的電壓，導(dǎo)通或截止第二端口與共用端口之間的連接。根據(jù)本發(fā)明的高頻開(kāi)關(guān)，能夠維持連接于時(shí)分雙工通信系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)的良好的切換速度特性，同時(shí)能夠改善連接于頻分復(fù)用通信系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)的插入損耗特性。結(jié)果，能夠降低多模式系統(tǒng)中的發(fā)送電路的發(fā)送功率放大器的消耗功率。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)電路圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)電路圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的高頻開(kāi)關(guān)的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的高頻開(kāi)關(guān)廣泛適用于通用移動(dòng)通信系統(tǒng)(UMTS !Universal Mobile Telecommunications System)、移動(dòng)通信全球系統(tǒng)(GSM:Global System for Mobile Communications)等無(wú)線通信系統(tǒng)的高
頻開(kāi)關(guān)。(第一實(shí)施方式)圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)電路圖。根據(jù)本實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)，將連接于頻分復(fù)用系統(tǒng)(下面稱(chēng)為FDD系統(tǒng))的開(kāi)關(guān)的柵極電阻的電阻值設(shè)定為大于連接于時(shí)分復(fù)用系統(tǒng)(下面稱(chēng)為T(mén)DD系統(tǒng))的開(kāi)關(guān)的柵極電阻的電阻值。如圖1所示，本實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)100包括TDD端口 10、TDD端口 11、FDD端口20、FDD端口 21、共用端口 30、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51。TDD端口 10、TDD端口 11為第一端口，是用于輸入來(lái)自TDD系統(tǒng)的高頻信號(hào)或者用于向TDD系統(tǒng)輸出來(lái)自天線的高頻信號(hào)的端口。TDD端口 10、TDD端口 11分別連接于TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41的一側(cè)信號(hào)端子上。FDD端口 20、FDD端口 21為第二端口，是用于輸入來(lái)自FDD系統(tǒng)的高頻信號(hào)或者向FDD系統(tǒng)輸出來(lái)自天線的高頻信號(hào)的端口。FDD端口 20、FDD端口 21分別連接于FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51的一側(cè)信號(hào)端子上。共用端口 30是用于發(fā)送或接收高頻信號(hào)的端口。共用端口 30連接于TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41的另一側(cè)信號(hào)端子和FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51的另一側(cè)信號(hào)端子上。共用端口 30用于發(fā)送通過(guò)TDD端口 10、TDD端口 11或FDD端口 20、FDD端口 21輸入的高頻信號(hào)，或者接收通過(guò)TDD端口 10、TDD端口 11或FDD端口 20、FDD端口 21輸出
的高頻信號(hào)。并且，在本實(shí)施方式中，共用端口 30直接連接于天線上。但是，共用端口 30可以通過(guò)其他結(jié)構(gòu)連接于天線。TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41為第一串聯(lián)開(kāi)關(guān)，用于導(dǎo)通或截止TDD端口 10、TDD端口 11與共用端口 30之間的連接。TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40連接在TDD端口 10與共用端口 30之間，TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41連接在TDD端口 11與共用端口 30之間。TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41分別具有至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(下面稱(chēng)為FET)，根據(jù)施加到連接于上述FET的柵極的第一柵極電阻的電壓，導(dǎo)通或截止TDD端口
10、TDD端口 11與共用端口 30之間的連接。圖1所示的本實(shí)施方式中，TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41分別具有多個(gè)FET，這些多個(gè)FET的源極/漏極串聯(lián)連接。在本實(shí)施方式中，TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41的FET例如是接觸型 (body contact)FET0因此，TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41變?yōu)?N，則通過(guò)TDD端口 10、TDD端口 11輸入或輸出的高頻信號(hào)通過(guò)TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41的串聯(lián)連接的多個(gè)FET傳輸。在這里，根據(jù)FET的電氣內(nèi)壓特性來(lái)決定TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41所包括的FET的數(shù)量。并且,上述多個(gè)FET的柵極分別通過(guò)第一柵極電阻(Rgate_tddl, Rgate_tdd2)連接于對(duì)TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41進(jìn)行0N/0FF控制的控制端子(GATE_TDD1，GATE_TDD2)。在這里，優(yōu)選第一柵極電阻(Rgate_tddl，Rgate_tdd2)具有大致相同的電阻值(例如數(shù)十kQ左右)?？刂贫俗?GATE_TDD1，GATE_TDD2)上可施加土數(shù)伏左右的電壓。并且，上述多個(gè)FET的基極(body)通過(guò)電阻分別連接于B0DY_TDD1、B0DY_TDD2。B0DY_TDD1、B0DY_TDD2上可施加土數(shù)伏左右的電壓。FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51為第二串聯(lián)開(kāi)關(guān)，用于導(dǎo)通或截止FDD端口 20、FDD端口 21與共用端口 30之間的連接。FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50連接在FDD端口 20與共用端口 30之間，F(xiàn)DD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51連接在FDD端口 21與共用端口 30之間。FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51分別具有至少一個(gè)FET，并根據(jù)施加到連接于上述FET的柵極且電阻值大于上述第一柵極電阻的第二柵極電阻的電壓，導(dǎo)通或截止FDD端口 20、FDD端口 21與共用端口 30之間的連接。在圖1所示的實(shí)施方式中，F(xiàn)DD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51分別具有多個(gè)FET，這些多個(gè)FET的源極/漏極串聯(lián)連接。在本實(shí)施方式中，F(xiàn)DD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51的FET例如是接觸(body contact)型FET。因此FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51變?yōu)?N，則通過(guò)FDD端口 20、FDD端口 21輸入或輸出的高頻信號(hào)通過(guò)FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51的串聯(lián)連接的多個(gè)FET傳輸。在這里，根據(jù)FET的電氣內(nèi)壓特性來(lái)決定FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51所包括的FET的數(shù)量。并且,上述多個(gè)FET的柵極分別通過(guò)第二柵極電阻(Rgate_fddl、Rgate_fdd2)連接于對(duì)FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51進(jìn)行0N/0FF控制的控制端子(GATE_FDD1、GATE_FDD2)。在這里，優(yōu)選第二柵極電阻(Rgate_fddl、Rgate_fdd2)具有大致相同的電阻值(例如數(shù)十kQ左右)?？刂贫俗?GATE_FDD1、GATE_FDD2)上可施加土數(shù)伏左右的電壓。并且，上述多個(gè)FET的基極通過(guò)電阻分別連接于B0DY_FDD1、B0DY_FDD2。B0DY_FDD1、B0DY_FDD2上可施加土數(shù)伏左右的電壓。在具有上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)100中，F(xiàn)DD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51的第二柵極電阻的電阻值大于TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41的第一柵極電阻的電阻值。下面對(duì)具有上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)100的作用進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)100在TDD端口 10、TDD端口 11以及FDD端口 20、FDD端口 21中的一個(gè)與共用端口 30之間確保高頻信號(hào)的傳輸路徑。例如，在從天線發(fā)送從TDD系統(tǒng)輸入到TDD端口 10的高頻信號(hào)時(shí)，向TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40的控制端子GATE_TDD1施加正電壓，將TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40變?yōu)?N。另外，向TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41的控制端子GATE_TDD2以及FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51的控制端子GATE_FDD1、GATE_FDD2施加負(fù)電壓，將TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41以及FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51變?yōu)镺FF。其結(jié)果，TDD端口 10與共用端口 30之間被導(dǎo)通，相反地，TDD端口 11與共用端口30以及FDD端口 20、FDD端口 21與共用端口 30之間被截止。從而，在TDD端口 10與共用端口 30之間確保高頻信號(hào)的傳輸路徑，從TDD系統(tǒng)輸入到TDD端口 10的發(fā)送信號(hào)通過(guò)共用端口 30傳輸?shù)教炀€。如上所述，對(duì)在TDD端口 10與共用端口 30之間確保高頻信號(hào)的傳輸路徑的情況進(jìn)行了說(shuō)明。對(duì)于TDD端口 11與FDD端口 20、FDD端口 21，也可以通過(guò)對(duì)TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40,TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41以及FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51進(jìn)行0N/0FF控制，在與共用端口 30之間形成高頻信號(hào)的傳輸路徑。從而能夠在連接于TDD端口 10、TDD端口 11以及FDD端口 20、FDD端口 21中的一個(gè)上的TDD系統(tǒng)或FDD系統(tǒng)與連接于共用端口 30上的天線之間發(fā)送或接收高頻信號(hào)。下面，對(duì)TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41以及FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51的動(dòng)作特性進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。一般情況下，在TDD系統(tǒng)中，時(shí)間上細(xì)分通信信道，并且在每個(gè)時(shí)間分區(qū)進(jìn)行發(fā)送或接收。從而，在TDD系統(tǒng)需要高速切換發(fā)送和接收，因此TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41所具有的FET需要具有良好的切換速度特性?；谶B接于FET的柵極電阻的電阻值決定切換速度特性。具體地，切換速度特性是由柵極電阻的電阻值和柵極的容量值決定的時(shí)間常數(shù)越小速度越高。從而，如果柵極的容量值為固定值，則柵極電阻的電阻值越小，切換速度越高。在本實(shí)施方式中，TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41的第一柵極電阻的電阻值例如設(shè)定為能夠滿(mǎn)足有關(guān)TDD系統(tǒng)的接收與發(fā)送的切換速度的規(guī)格。另外，在FDD系統(tǒng)中，無(wú)需如TDD系統(tǒng)那樣高速切換發(fā)送與接收，因此能夠使FDD系統(tǒng)中的切換速度低于TDD系統(tǒng)中的切換速度。因此FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51的第二柵極電阻的電阻值可以大于TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)40、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)41的第一柵極電阻的電阻值。將第二柵極電阻的電阻值設(shè)為較大值，從而FET的柵極電流變小，能夠改善FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)50、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)51中的插入損耗特性。結(jié)果，降低發(fā)送電路的發(fā)送功率放大器的消耗功率。在本實(shí)施方式中，通過(guò)在FDD系統(tǒng)中的切換速度限制范圍內(nèi)將第二柵極電阻的電阻值設(shè)定為較大，從而改善插入損耗特性。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式能夠?qū)崿F(xiàn)如下效果。(a)根據(jù)本實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)，能夠維持TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)的良好的切換速度特性，同時(shí)能夠改善FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)的插入損耗特性。其結(jié)果，能夠降低多模式系統(tǒng)中的發(fā)送電路的發(fā)送功率放大器的消耗功率。(第二實(shí)施方式)在第一實(shí)施方式中，F(xiàn)DD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)的第二柵極電阻的電阻值大于TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)的第一柵極電阻的電阻值。在第二實(shí)施方式中，在第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，還包括TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)以及FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)，并且FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)的第四柵極電阻的電阻值設(shè)定為大于TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)的第三柵極電阻的電阻值。圖2是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)的電路圖。如圖2所示，本實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)200包括TDD端口 110、FDD端口 120、共用端口 130、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)140、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)150、TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)160以及FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)170。TDD端口 110、FDD端口 120、共用端口 130、TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)140、FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)
150的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式相同，因此省略說(shuō)明。
TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)160為第一分路開(kāi)關(guān)，用于導(dǎo)通或截止TDD端口 110與地面之間的連接。TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)160連接在第一端口 110與地面之間。TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)160具有至少一個(gè)FET，根據(jù)施加到連接于上述FET的柵極的第三柵極電阻的電壓，導(dǎo)通或截止TDD端口 110與地面之間的連接。在圖2所示的本實(shí)施方式中，TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)160具有多個(gè)FET，這些多個(gè)FET的源極/漏極串聯(lián)連接。在本實(shí)施方式中，TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)160的FET例如是接觸型FET。因此TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)160變?yōu)?N，則通過(guò)TDD端口 110輸入或輸出的高頻信號(hào)通過(guò)TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)160的串聯(lián)連接的多個(gè)FET傳輸?shù)降孛?。結(jié)果，地面吸收沒(méi)有必要的泄漏功率，能夠改善TDD側(cè)的隔離特性。在這里，根據(jù)FET的電氣內(nèi)壓特性來(lái)決定TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)160所包括的FET的數(shù)量。并且，上述多個(gè)FET的柵極通過(guò)第三柵極電阻Rgate_tdd_sh連接于對(duì)TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)160進(jìn)行0N/0FF控制的控制端子GATE_TDD_SH。在這里，優(yōu)選第三柵極電阻具有與第一柵極電阻大致相同的電阻值?？刂贫俗覩ATE_TDD_SH上能夠施加土數(shù)伏左右的電壓。并且，上述多個(gè)FET的基極通過(guò)電阻連接于B0DY_TDD_SH。B0DY_TDD_SH上能夠施加土數(shù)伏左右的電壓。FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)170為第二分路開(kāi)關(guān)，用于導(dǎo)通或截止FDD端口 120與地面之間的連接。FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)170連接在FDD端口 120與地面之間。FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)170具有至少一個(gè)FET，根據(jù)施加到連接于上述FET的柵極的第四柵極電阻的電壓，導(dǎo)通或截止FDD端口 120與地面之間的連接。在圖2所示的實(shí)施方式中，F(xiàn)DD側(cè)分路開(kāi)關(guān)170具有多個(gè)FET，這些多個(gè)FET的源極/漏極串聯(lián)連接。在本實(shí)施方式中，F(xiàn)DD側(cè)分路開(kāi)關(guān)170的FET例如是接觸型FET。因此FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)170變?yōu)?N，則通過(guò)FDD端口 120輸入或輸出的高頻信號(hào)通過(guò)FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)170的串聯(lián)連接的多個(gè)FET傳輸?shù)降孛?。結(jié)果，由地面吸收沒(méi)有必要的泄漏功率，能夠改善FDD側(cè)的隔離特性。在這里，根據(jù)FET的電氣內(nèi)壓特性來(lái)決定FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)170所包括的FET的數(shù)量。并且，上述多個(gè)FET的柵極通過(guò)第四柵極電阻Rgate_fdd_sh連接于對(duì)FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)170進(jìn)行0N/0FF控制的控制端子GATE_FDD_SH。在這里，優(yōu)選第四柵極電阻具有與第二柵極電阻大致相同的電阻值。控制端子GATE_FDD_SH上可施加土數(shù)伏左右的電壓。并且，上述多個(gè)FET的基極通過(guò)電阻連接于B0DY_FDD_SH?？蓪?duì)B0DY_FDD_SH施加土數(shù)伏左右的電壓。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)200，F(xiàn)DD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)150的第二柵極電阻的電阻值設(shè)為大于TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)140的第一柵極電阻的電阻值，F(xiàn)DD側(cè)分路開(kāi)關(guān)170的第四柵極電阻的電阻值設(shè)為大于TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)160的第三柵極電阻的電阻值。如上所述，在第一實(shí)施方式能夠?qū)崿F(xiàn)的效果的基礎(chǔ)上，根據(jù)本實(shí)施方式還能實(shí)現(xiàn)如下效果。(b)根據(jù)本實(shí)施方式的高頻開(kāi)關(guān)，能夠維持TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)的良好的切換速度特性，同時(shí)能夠改善FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)的插入損耗特性。其結(jié)果，能夠降低多模式系統(tǒng)中的發(fā)送電路的發(fā)送功率放大器的消耗功率。如上所述，通過(guò)實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的高頻開(kāi)關(guān)進(jìn)行了說(shuō)明。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)Ρ景l(fā)明進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶砑?、變形以及省略。例如，在第一?shí)施方式中，對(duì)高頻開(kāi)關(guān)具有兩個(gè)TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)以及兩個(gè)FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)的情況進(jìn)行了說(shuō)明。并且在第二實(shí)施方式中對(duì)高頻開(kāi)關(guān)具有一個(gè)TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)、一個(gè)FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)、一個(gè)TDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)以及一個(gè)FDD側(cè)分路開(kāi)關(guān)的情況進(jìn)行了說(shuō)明。但是，高頻開(kāi)關(guān)所具有的上述開(kāi)關(guān)的數(shù)量并不限定于上述情況。并且，在第一實(shí)施方式以及第二實(shí)施方式對(duì)作為FET采用接觸型FET的情況進(jìn)行了說(shuō)明。但是，本發(fā)明并不限定于接觸型FET，可以適用于浮體型FET。符號(hào)說(shuō)明10 TDD 端口(第一端 口 )11 TDD 端口(第一端 口 )20 FDD 端 口(第二端 口 )21 FDD 端口(第二端 口 )30 共用端口40 TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)(第一串聯(lián)開(kāi)關(guān))41 TDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)(第一串聯(lián)開(kāi)關(guān))50 FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)(第二串聯(lián)開(kāi)關(guān))51 FDD側(cè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)(第二串聯(lián)開(kāi)關(guān)) 100 聞?lì)l開(kāi)關(guān)。
權(quán)利要求
1.一種高頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，包括: 至少一個(gè)第一端口，連接于時(shí)分復(fù)用系統(tǒng)，用于輸入或輸出高頻信號(hào)； 至少一個(gè)第二端口，連接于頻分復(fù)用系統(tǒng)，用于輸入或輸出高頻信號(hào)； 共用端口，用于發(fā)送或接收通過(guò)所述第一端口或所述第二端口輸入或輸出的高頻信號(hào); 第一串聯(lián)開(kāi)關(guān)，具有至少一個(gè)第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管，根據(jù)施加到連接于所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的第一柵極電阻的電壓，導(dǎo)通或截止所述第一端口與所述共用端口之間的連接；以及 第二串聯(lián)開(kāi)關(guān)，具有至少一個(gè)第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，根據(jù)施加到連接于所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極且電阻值大于所述第一柵極電阻的電阻值的第二柵極電阻的電壓，導(dǎo)通或截止所述第二端口與所述共用端口之間的連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，還包括:第一分路開(kāi)關(guān)，具有至少一個(gè)第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管，根據(jù)施加到連接于所述第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的第三柵極電阻的電壓，導(dǎo)通或截止所述第一端口與地面之間的連接；以及第二分路開(kāi)關(guān)，具有至少一個(gè)第四場(chǎng)效應(yīng)晶體管，根據(jù)施加到連接于所述第四場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極且電阻值大于所述第三柵極電阻的電阻值的第四柵極電阻的電壓，導(dǎo)通或截止所述第二端口與地面之間的連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高 頻開(kāi)關(guān)，其特征在于， 所述共用端口與天線連接。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于改善多模式系統(tǒng)中形成在SOI基板上的高頻開(kāi)關(guān)的插入損耗特性。根據(jù)本發(fā)明的高頻開(kāi)關(guān)包括至少一個(gè)第一端口(10)、至少一個(gè)第二端口(20)、共用端口(30)、第一串聯(lián)開(kāi)關(guān)(40)以及第二串聯(lián)開(kāi)關(guān)(50)。第一端口連接于時(shí)分復(fù)用系統(tǒng)，第二端口連接于頻分復(fù)用系統(tǒng)，分別用于輸入或輸出高頻信號(hào)。共用端口用于發(fā)送或接收通過(guò)第一端口或第二端口輸入或輸出的高頻信號(hào)。第一串聯(lián)開(kāi)關(guān)至少具有一個(gè)第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管。第二串聯(lián)開(kāi)關(guān)至少具有一個(gè)第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
文檔編號(hào)H03K17/56GK103219975SQ20121001831
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2012年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月19日
發(fā)明者杉浦毅 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社