專(zhuān)利名稱(chēng)：低頻晶體振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子元器件，尤其涉及一種低頻晶體振蕩器。
背景技術(shù)：
低頻晶體振蕩器包括一個(gè)音叉型壓電振動(dòng)片(也可稱(chēng)為晶片)、一個(gè)一端開(kāi)口的外殼、以及用于將外殼的開(kāi)口密封的密封端子，密封端子上具有兩根電極引線，電極引線與音叉型壓電振動(dòng)片表面的安裝電極焊接固定，音叉型壓電振動(dòng)片放置于外殼中，密封端子安裝在外殼的開(kāi)口位置將音叉型壓電振動(dòng)片密封在外殼中。外殼一般采用鋅白銅合金材料制成表面鍍銅錫，電極引線一般采用鐵鈷鎳合金材料制成，密封端子用于密封外殼的結(jié)構(gòu)一般采用與電極引線的熱收縮率基本相同的玻璃材料(硅酸鹽)制成，密封端子的表面鍍有一層由鎳或銅或錫銅合金材料構(gòu)成的金屬鍍層，密封端子的這種材料和結(jié)構(gòu)使得晶體振蕩器只能承受220°C以下的溫度，如果晶體振蕩器采用手工插件焊接的方式裝配到電路板上時(shí)，由于焊接時(shí)溫度相對(duì)較低，這種結(jié)構(gòu)能夠滿足要求；但由于手工插件焊接生產(chǎn)效率較低且質(zhì)量不穩(wěn)定，現(xiàn)在漸漸開(kāi)始發(fā)展為采用自動(dòng)焊接將晶體振蕩器裝配到電路板上，由于自動(dòng)焊接的溫度在260°C以上，現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)無(wú)法滿足要求。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能耐高溫適合波峰焊接的低頻晶體振蕩器。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種低頻晶體振蕩器，包括一端開(kāi)口的外殼、置于外殼中的晶片和固定于外殼的開(kāi)口位置對(duì)外殼進(jìn)行密封的密封端子，所述晶片上設(shè)置有兩個(gè)安裝電極，所述密封端子上具有兩根電極引線，所述電極引線伸入外殼內(nèi)與晶片上的安裝電極一一對(duì)應(yīng)連接，所述密封端子包括密封端子本體和位于密封端子本體表面的金屬鍍層，所述金屬鍍層包括底層和表層，所述底層位于密封端子本體表面，所述表層位于底層外表面，所述底層的主要材料為銅或鎳，所述表層的主要材料為鉛錫合金或錫銀合金或金錫合金或純金。其中，所述金屬鍍層通過(guò)電鍍形成。其中，所述底層的厚度為0. 5μπι 5μπι。其中，所述表層的厚度為5μπι 15μπι。其中，所述金屬鍍層還包括中間層，所述中間層位于所述底層和所述表層之間，所述中間層的主要材料為金或錫銅合金。其中，所述外殼采用鋅白銅合金材料沖壓拉伸制成并在表面電鍍鎳或金，鍍層厚 ^ 1 μ m 5 μ m。其中，所述電極引線與所述安裝電極采用高溫錫膏或銀膠焊接固定，所述高溫錫膏的主要材質(zhì)為鉛錫合金或銀錫合金或金錫合金，所述銀膠的主要材質(zhì)為銀粉與固化劑。本實(shí)用新型的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的低頻晶體振蕩器能承受的溫度較低不適合自動(dòng)焊接，本實(shí)用新型的低頻晶體振蕩器采用在密封端子表面設(shè)置金屬鍍層的結(jié)構(gòu)，金屬鍍層包括由銅或鎳構(gòu)成的底層和由鉛錫合金或錫銀合金或金錫合金或純金制成的表層，可提高低頻晶體振蕩器的耐熱性能，經(jīng)實(shí)驗(yàn)及實(shí)際生產(chǎn)驗(yàn)證，其所能承受的溫度在 260°C以上，滿足了自動(dòng)焊接的溫度要求，適合采用自動(dòng)化生產(chǎn)，提高生產(chǎn)效率。

圖1是本實(shí)用新型低頻晶體振蕩器的立體圖；圖2是本實(shí)用新型中密封端子的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中10、晶片；11、安裝電極；20、外殼；30、密封端子；301、電極引線；31、密封端子本體；311、電極引線本體；312、基座；312a、玻璃體；312b、鐵圈；32、金屬鍍層；321、底層；322、表層。
具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1和圖2，本實(shí)用新型涉及一種低頻晶體振蕩器，包括一端開(kāi)口的外殼 20、置于外殼20中的晶片10和固定于外殼20的開(kāi)口位置對(duì)外殼20進(jìn)行密封的密封端子 30，在本實(shí)施例中，外殼20采用鋅白銅合金材料沖壓拉伸制成并在表面電鍍鎳或金，且鍍層厚度為1 μ m 5 μ m，所述晶片10上設(shè)置有兩個(gè)安裝電極11，所述密封端子30上具有兩根電極引線301，所述電極引線301伸入外殼20內(nèi)與晶片10上的安裝電極11 一一對(duì)應(yīng)連接，所述密封端子30包括密封端子本體31和位于密封端子本體31表面的金屬鍍層32，所述金屬鍍層32包括底層321和表層322，所述底層321位于密封端子本體31表面，所述表層322位于底層321外表面，所述底層321的材料為銅或鎳，所述表層322的材料為鉛錫合金或錫銀合金或金錫合金或純金。所述密封端子本體31包括基座312和電極引線本體311，電極引線本體311穿過(guò)基座312，一般地電極引線本體311的材料為鐵鈷鎳合金，基座312由熱收縮率與電極引線本體311基本相同的玻璃體31 及外層的鐵圈312b組成主體結(jié)構(gòu)，鐵圈312b本體的材料為鐵鎳合金制成，玻璃體31 由玻璃粉通過(guò)高溫?zé)Y(jié)而成。本實(shí)用新型的晶體振蕩器在制作時(shí)，密封端子主體制成后，在其上鍍上金屬鍍層，即形成了密封端子，密封端子上的電極引線與晶片的安裝電極固定連接，然后將晶片放入外殼中，密封端子套在外殼的開(kāi)口端，在真空狀態(tài)下將密封端子與外殼壓緊密封。本實(shí)用新型中，金屬鍍層32的底層321可選為銅或鎳，表層322可在鉛錫合金、錫銀合金、金錫合金、純金中任選一種。區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的低頻晶體振蕩器能承受的溫度較低不適合自動(dòng)焊接，本實(shí)用新型的低頻晶體振蕩器采用在密封端子表面設(shè)置金屬鍍層的結(jié)構(gòu)，金屬鍍層包括由銅或鎳構(gòu)成的底層和由鉛錫合金或錫銀合金或金錫合金制成的表層，可提高低頻晶體振蕩器的耐熱性能，經(jīng)實(shí)驗(yàn)及實(shí)際生產(chǎn)驗(yàn)證，其所能承受的溫度在260°C以上，滿足了自動(dòng)焊接的溫度要求，適合采用自動(dòng)化生產(chǎn)，提高生產(chǎn)效率。較佳地，金屬鍍層32通過(guò)電鍍形成，加工時(shí)先在密封端子本體31上電鍍底層321，而后再電鍍表層322，通過(guò)電鍍可使金屬鍍層能很好地依附于密封端子本體31上。 在具體應(yīng)用中，金屬鍍層32的底層321厚度控制在0. 5 μ m 5 μ m，表層322的厚度控制在5 μ m 15 μ m，底層表層總的鍍層厚度在8 μ m 18 μ m，以獲得耐熱性能、機(jī)械性能、電氣性能以及材料成本的平衡。例如可選底層321的厚度為2 μ m，表層322的厚度應(yīng)大于為6 μ m ；金屬鍍層32的厚度在實(shí)際加工中根據(jù)情況具體選擇。在具體實(shí)施時(shí)，金屬鍍層還可以包括中間層，中間層設(shè)置在底層321和表層322之間，中間層322的材料可選為金或錫銅合金。中間層作為底層和表層之間的過(guò)渡，與底層和表層均具有很好的結(jié)合力，防止表層脫落。在一實(shí)施例中，作為耐高溫鍍層的補(bǔ)充，電極引線301與安裝電極11采用高溫錫膏或銀膠焊接固定，高溫錫膏可選用金錫合金或銀錫合金或鉛錫合金等，銀膠的主要材質(zhì)為銀粉與固化劑。這樣在自動(dòng)波峰焊接時(shí)，電極引線301與安裝電極11之間的錫膏或銀膠不會(huì)因融化而使兩者脫離，保證產(chǎn)品質(zhì)量。以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專(zhuān)利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種低頻晶體振蕩器，包括一端開(kāi)口的外殼、置于外殼中的晶片和固定于外殼的開(kāi)口位置對(duì)外殼進(jìn)行密封的密封端子，所述晶片上設(shè)置有兩個(gè)安裝電極，所述密封端子上具有兩根電極引線，所述電極引線伸入外殼內(nèi)與晶片上的安裝電極一一對(duì)應(yīng)連接，其特征在于所述密封端子包括密封端子本體和位于密封端子本體表面的金屬鍍層，所述金屬鍍層包括底層和表層，所述底層位于密封端子本體表面，所述表層位于底層外表面，所述底層的主要材料為銅或鎳，所述表層的主要材料為鉛錫合金或錫銀合金或金錫合金或純金。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低頻晶體振蕩器，其特征在于所述金屬鍍層通過(guò)電鍍形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低頻晶體振蕩器，其特征在于所述底層的厚度為0.5 μ m 5 μ m0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低頻晶體振蕩器，其特征在于所述表層的厚度為5μπι 15 μ m0
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低頻晶體振蕩器，其特征在于所述金屬鍍層還包括中間層， 所述中間層位于所述底層和所述表層之間，所述中間層的主要材料為金或錫銅合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低頻晶體振蕩器，其特征在于所述外殼采用鋅白銅合金材料沖壓拉伸制成并在表面電鍍鎳或金，鍍層厚度為1 μ m 5 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的低頻晶體振蕩器，其特征在于所述電極引線與所述安裝電極采用高溫錫膏或銀膠焊接固定，所述高溫錫膏的主要材質(zhì)為鉛錫合金或銀錫合金或金錫合金，所述銀膠的主要材質(zhì)為銀粉與固化劑。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種低頻晶體振蕩器，包括一端開(kāi)口的外殼、置于外殼中的晶片和固定于外殼的開(kāi)口位置對(duì)外殼進(jìn)行密封的密封端子，所述晶片上設(shè)置有兩個(gè)安裝電極，所述密封端子上具有兩根電極引線，所述電極引線伸入外殼內(nèi)與晶片上的安裝電極一一對(duì)應(yīng)連接，所述密封端子包括密封端子本體和位于密封端子本體表面的金屬鍍層，所述金屬鍍層包括底層和表層，所述底層位于密封端子本體表面，所述表層位于底層外表面，所述底層的主要材料為銅或鎳，所述表層的主要材料為鉛錫合金或錫銀合金或金錫合金或純金。本實(shí)用新型的低頻晶體振蕩器耐熱性能良好，所能承受的溫度在260℃以上，滿足自動(dòng)焊接的溫度要求，適合采用自動(dòng)化生產(chǎn)，提高生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)H03B5/04GK202210777SQ20112029517
公開(kāi)日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月15日
發(fā)明者喻信東, 許玉清 申請(qǐng)人:湖北泰晶電子科技有限公司