專利名稱：大功率開關(guān)電源mosfet音頻功率放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器
本實(shí)用新型涉及一種大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大放 大器° [背景技術(shù)]
音頻功率放大器是一個(gè)技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟的領(lǐng)域，其技術(shù)發(fā)展歷 史可以分為電子管、晶體管、集成電路、場(chǎng)效應(yīng)管四個(gè)階段。
晶體管放大器具有細(xì)膩動(dòng)人的音色、較低的失真、較寬的頻響及 動(dòng)態(tài)范圍等特點(diǎn)。但其音質(zhì)聽感總不如電子管放大器那么逼真，細(xì)膩， 尤其是在表現(xiàn)瞬態(tài)變化快而清脆的打擊樂，弦樂和渾厚回蕩的鋼琴曲 方面感覺最為明顯。
80年代中期歐洲首先推出了采用MOSFET音頻場(chǎng)效應(yīng)管組成音 頻功率放大器，該類產(chǎn)品具有電子管功放和晶體管功放的基本特點(diǎn)。 但該類產(chǎn)品的可靠性不高，沒有外保護(hù)電路，開關(guān)速度不高，最大輸 出功率僅僅為150W/8Q等。90年代初，MOSFET音頻場(chǎng)效應(yīng)管的制 造技術(shù)有了很大突破，出現(xiàn)了一種高速M(fèi)OSFET大功率開關(guān)場(chǎng)效應(yīng) 管，高速M(fèi)OSFET大功率開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管的中頻和高頻音質(zhì)接近電子 管功放，然而，低頻的柔和度比晶體管功放差一些，此外，高速 MOSFET大功率開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管很容易被輸出和輸入過載而損壞。 [實(shí)用新型內(nèi)容]
本實(shí)用新型克服了上述技術(shù)的不足，提供了一低頻柔和度好、輸出功率大、不容易過載的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了下列技術(shù)方案 大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器，其特征在于包括有 音頻輸入調(diào)節(jié)電路，輸入外界的音頻信號(hào)；
主MOSFET音頻功率放大電路，將音頻信號(hào)進(jìn)行放大后輸給揚(yáng) 聲器；
大功率開關(guān)電源電路，通過控制開關(guān)管迸行高速的導(dǎo)通與截止從 而控制變壓器將DC轉(zhuǎn)換為合適的AC經(jīng)整流濾波后輸出直流電壓為 所述主MOSFET音頻功率放大電路提供大功率電源；
保護(hù)電路，在大功率功放電路過流、超溫或有直流輸出時(shí)限制音 頻輸入調(diào)節(jié)電路向主MOSFET音頻功率放大電路輸入音頻信號(hào)。
如上所述的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器，其特征 在于所述音頻輸入調(diào)節(jié)電路包括有-
平衡輸入電路，平衡輸入外界音頻信號(hào)；
增益限制電路，當(dāng)主MOSFET音頻功率放大電路出現(xiàn)異常時(shí)控 制輸入音頻信號(hào)幅度達(dá)到保護(hù)目的；
輸入靈敏度轉(zhuǎn)換電路，轉(zhuǎn)換靈敏度；
低通/直通選擇電路可選擇輸出信號(hào)為全頻或者有低音補(bǔ)償。 如上所述的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器，其特征 在于所述主MOSFET音頻功率放大電路包括有
差動(dòng)輸入級(jí)電路，與音頻輸入調(diào)節(jié)電路的低通/直通選擇電路連
接；電壓放大級(jí)電路，對(duì)差動(dòng)輸入電路輸出的信號(hào)進(jìn)行放大； 驅(qū)動(dòng)級(jí)電路，接收電壓放大級(jí)電路輸出的信號(hào)并驅(qū)動(dòng)功率放大級(jí)
電路進(jìn)行工作；
功率放大級(jí)電路，在驅(qū)動(dòng)級(jí)電路驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行功率放大驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲
器；
H類電源供電電路，根據(jù)主MOSFET音頻功率放大電路輸出自 動(dòng)調(diào)整合適的電源為功率管供電。
如上所述的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器，其特征 在于所述大功率開關(guān)電源電路包括有
EMC抑制電路；
AC-DC轉(zhuǎn)換電路，將交流電壓轉(zhuǎn)換成直流電壓； 電源開關(guān)振蕩電路，在PWM調(diào)制電路控制下振蕩，將直流電壓
在主變壓器初級(jí)形成高頻的交流電壓；
PWM調(diào)制電路，控制電源開關(guān)振蕩電路的開關(guān)管不斷地導(dǎo)通與
截至；
主變壓器，起振后輸出高頻交流電壓；
整流濾波電路，對(duì)主變壓器輸出的交流電壓進(jìn)行整流濾波后給主 MOSFET音頻功率放大電路的H類電源供電電路供電。
如上所述的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器，其特征 在于所述保護(hù)電路包括有
過流保護(hù)電路，功率放大級(jí)電路過載時(shí)動(dòng)作；
失真限制電路，控制功率放大級(jí)電路在失真限制的范圍內(nèi)；超溫保護(hù)電路，當(dāng)功率放大級(jí)電路溫升過高超過設(shè)定值時(shí)，減小 或關(guān)閉信號(hào)源；
直流保護(hù)電路，當(dāng)功率放大級(jí)電路有直流輸出時(shí)， 一方面斷開 喇叭輸出，另一方面減小或關(guān)閉信號(hào)源；
壓限保護(hù)電路，接收過流保護(hù)電路、失真限制電路、超溫保護(hù)電 路、直流保護(hù)電路的輸出信號(hào)，在功率放大級(jí)電路異常時(shí)驅(qū)動(dòng)音頻輸 入調(diào)節(jié)電路的增益限制電路減小或關(guān)閉信號(hào)源。
如上所述的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器，其特征 在于所述PWM調(diào)制電路設(shè)有一當(dāng)市電過高、過低，或開關(guān)電源輸出 過載、開關(guān)管溫度過高時(shí)，使PWM調(diào)制電路停振并切斷電源的電源 保護(hù)電路，該電源保護(hù)電路包括有過壓保護(hù)電路、欠壓保護(hù)電路、過 流保護(hù)電路、超溫保護(hù)電路。
本實(shí)用新型的有益效果是
1、 本實(shí)用新型采用新穎的Class H類MOSFET功放電路
1) ClassH類功放功放級(jí)的供電可隨輸出幅度的變化而變化， 有效地提高了整機(jī)效率，進(jìn)而將發(fā)熱降到最低，從而提高了整機(jī)的可 靠性；
2) MOSFET功放信號(hào)轉(zhuǎn)換速率較傳統(tǒng)的三極管功放有較大的 提高，且音色清脆，中、高音有金石之聲，接近電子管功放效果，還 有低音澎湃有力、瞬態(tài)極強(qiáng)、低頻柔和度好的特點(diǎn)。
2、 本實(shí)用新型采用大功率開關(guān)電源供電，具有功率密度大、體 積小、重量輕、高效率、高可靠性和低噪聲，低污染的優(yōu)良品質(zhì)，極大地節(jié)約了電能、降低了材耗與成本，明顯地減少了電磁干擾。
3、本實(shí)用新型具有多種保護(hù)電路，在大功率功放電路過流或超 溫時(shí)限制音頻輸入信號(hào)幅度；當(dāng)市電過高或過低、開關(guān)電源輸出過載 或開關(guān)管溫度過高時(shí)，電源停振，切斷電源；從而達(dá)到保護(hù)的目的。 [
]
圖l是本實(shí)用新型的方框圖； 圖2是本實(shí)用新型的音頻輸入調(diào)節(jié)電路的原理圖； 圖3是本實(shí)用新型的主MOSFET音頻功率放大電路的原理圖； 圖4是本實(shí)用新型的大功率開關(guān)電源電路的原理圖； 圖5是本實(shí)用新型的保護(hù)電路的原理圖。 [具體實(shí)施方式
]
以下結(jié)合附圖與本實(shí)用新型的實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的描述
圖1是本實(shí)用新型的方框圖，本實(shí)用新型為大功率開關(guān)電源 MOSFET音頻功率放大器，其包括有音頻輸入調(diào)節(jié)電路1、主 MOSFET音頻功率放大電路2、大功率開關(guān)電源電路3、保護(hù)電路4。
音頻輸入調(diào)節(jié)電路1輸入外界的音頻信號(hào)；主MOSFET音頻功 率放大電路2將音頻信號(hào)進(jìn)行放大后輸給揚(yáng)聲器；大功率開關(guān)電源電 路3通過控制開關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止控制開關(guān)變壓器從而輸 出電壓為主MOSFET音頻功率放大電路2提供大功率電源；保護(hù)電 路4在大功率功放電路過流或超溫或者直流時(shí)限制音頻輸入信號(hào)幅 度從而達(dá)到保護(hù)的目的。
圖2是音頻輸入調(diào)節(jié)電路的原理圖，音頻輸入調(diào)節(jié)電路1包括有平衡輸入電路ll、增益限制電路12、輸入靈敏度轉(zhuǎn)換電路13、低通 /直通選擇電路14。所述平衡輸入電路11平衡輸入外界音頻信號(hào)；所 述增益限制電路12控制音頻輸入信號(hào)幅度；輸入靈敏度轉(zhuǎn)換電路13 轉(zhuǎn)換靈敏度；低通/直通選擇電路14可選擇輸出信號(hào)為全頻或者有低 音補(bǔ)償。
平衡輸入電路ll包括左、右通道輸入電路。平衡輸入電路ll、 輸入靈敏度轉(zhuǎn)換電路13、低通/直通選擇電路14的具體電路結(jié)構(gòu)在此 不具體描述?，F(xiàn)在主要描述增益限制電路12，增益限制電路12包括 有兩個(gè)具有同樣的電路結(jié)構(gòu)的支路，第一個(gè)支路與平衡輸入電路11 的左通道輸入電路連接，第二個(gè)支路與平衡輸入電路11的右通道輸 入電路連接。第一個(gè)支路包括有光電耦合器L1、運(yùn)算放大器IC1C， 光電耦合器L1的發(fā)光二極管的正極START-A與保護(hù)電路4連接，受 保護(hù)電路控制，光電耦合器L1的光敏電阻的兩端分別通過電阻Rll、 R25與運(yùn)算放大器IC1C的正向輸入端、負(fù)向輸入端連接，運(yùn)算放大 器IC1C的輸出端與輸入靈敏度轉(zhuǎn)換電路13的一個(gè)輸入端連接。第 二個(gè)支路包括有光電耦合器L2、運(yùn)算放大器IC2B，光電耦合器L2 的發(fā)光二極管的正極START-B與保護(hù)電路4連接，受保護(hù)電路控制， 光電耦合器L2的光敏電阻兩端分別通過電阻R19、 R27與運(yùn)算放大 器IC2B的正向輸入端、負(fù)向輸入端連接，運(yùn)算放大器IC2B的輸出 端與輸入靈敏度轉(zhuǎn)換電路13的另一個(gè)輸入端連接。當(dāng)主MOSFET音 頻功率放大電路2過流或超溫時(shí)，保護(hù)電路4向光電耦合器L1、 L2 發(fā)射控制信號(hào)，光電耦合器L1、 L2的發(fā)光二極管的正極START-A、START-B可以接收信號(hào)，光電耦合器Ll、 L2可以改變運(yùn)算放大器 IC1C和IC2B的放大倍數(shù)，而使音頻輸入的幅度得到控制，起到很好 的保護(hù)作用。
圖3是主MOSFET音頻功率放大電路的原理圖，主MOSFET音 頻功率放大電路包括有差動(dòng)輸入級(jí)電路21、電壓放大級(jí)電路22、驅(qū) 動(dòng)級(jí)電路23、功率放大級(jí)電路24、 H類電源供電電路25。所述差動(dòng) 輸入級(jí)電路21與音頻輸入調(diào)節(jié)電路1的低通/直通選擇14連接；電 壓放大級(jí)電路22對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大；驅(qū)動(dòng)級(jí)電路23接收電壓放大級(jí)電 路22輸出的電壓并驅(qū)動(dòng)功率放大級(jí)電路24進(jìn)行工作；功率放大級(jí)電 路24在驅(qū)動(dòng)級(jí)電路23驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行功率放大推動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)聲；H類電 源供電電路25，受功放輸出幅度的控制，從而控制末級(jí)功率管的供 電電壓，有效地提高功放效率和整機(jī)的可靠性。
所述差動(dòng)輸入級(jí)電路21、電壓放大級(jí)電路22比較常見，在此不 多介紹。驅(qū)動(dòng)級(jí)電路23包括有兩個(gè)三極管Q48、 Q50;三極管Q48、 Q50的基極與電壓放大級(jí)電路22的輸出端連接，三極管Q48、 Q50 的集電極接+A電源，三極管Q50的發(fā)射極驅(qū)動(dòng)正半周功率管Q53、 Q55、 Q56、 Q57、 Q58、 Q59、 Q60，三極管Q48的發(fā)射極驅(qū)動(dòng)負(fù)半 周功率管Q95、 Q96、 Q97、 Q98、 Q99、 QIOO、 QlOl。
功率放大級(jí)電路24包括7對(duì)功率管，該功率管為MOSFET管， 7對(duì)功率管包括正半周的功率管Q53、 Q55、 Q56、 Q57、 Q58、 Q59、 Q60，負(fù)半周的功率管Q95、 Q96、 Q97、 Q98、 Q99、 Q100、 Q101。 正半周的7只N溝通MOSFET管并聯(lián)工作，負(fù)半周7只P溝通MOSFET管并聯(lián)工作，正半周功率管與負(fù)半周功率管交替道通與截 止，構(gòu)成推挽功率放大，驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器。
H類電源供電電路25包括控制芯片U3、 U4，以及四只MOSFET 管Q109、 Q110和Q111、 Q112。當(dāng)功率放大級(jí)電路24靜態(tài)或輸出小 于20V時(shí)，第一級(jí)電源P6、 P7 (+/-40V)為功率管供電；當(dāng)功率放 大級(jí)電路24輸出大于20V而小于40V時(shí)，控制芯片U3的輸出端 OUT1和控制芯片U4的輸出端OUT2輸出控制電壓，MOSFET管 QllO、 Qlll導(dǎo)通，第二級(jí)電源P4、 P8 (+/-80V)為功率管供電；當(dāng) 功率放大級(jí)電路24輸出大于40V時(shí)，控制芯片U3的輸出端OUT2 和控制芯片U4的輸出端OUT1輸出控制電壓，MOSFET管Q109、 Q112導(dǎo)通，第三級(jí)電源P3、 PIO (+/-120V)為功率管供電。從而有 效地提高功放效率和整機(jī)的可靠性。
圖4是本實(shí)用新型的大功率開關(guān)電源電路的原理圖，大功率開關(guān) 電源電路3包括有EMC抑制電路31、 AC-DC轉(zhuǎn)換電路32、電源開 關(guān)振蕩電路33、 PWM調(diào)制電路34、主變壓器35、整流濾波電路36。 AC-DC轉(zhuǎn)換電路32將EMC抑制電路31輸出的交流電壓轉(zhuǎn)換成直流 電壓；電源開關(guān)電路振蕩33在PWM調(diào)制電路34控制下振蕩，將直 流電壓在主變壓器35初級(jí)形成高頻的交流電壓，同時(shí)主變壓器35次 級(jí)就輸出高頻交流電壓；整流濾波電路36對(duì)主變壓器35輸出的交流 電壓進(jìn)行整流濾波后給主MOSFET音頻功率放大電路2的H類電源 供電電路25供電。
EMC抑制電路31、 AC-DC轉(zhuǎn)換電路32比較常見，在此不多介紹。電源開關(guān)振蕩電路33包括有兩個(gè)MOSFET開關(guān)管Tl和T2， MOSFET開關(guān)管Tl、 T2的振蕩通過藕合變壓器直接受PWM調(diào)制電 路34控制。MOSFET開關(guān)管Tl的漏極接+VIN， MOSFET開關(guān)管 Tl源極經(jīng)諧振電感L3B、開關(guān)變壓器初級(jí)線圈TR3A、諧振電容C35 到地GND2形成第一回路；電源+VIN經(jīng)電容C13、開關(guān)變壓器初級(jí) 線圈TR3A、諧振電感L3B、 MOSFET開關(guān)管T2到地GND2第二回 路，兩個(gè)MOSFET開關(guān)管T1和T2輪流導(dǎo)通和截止，在開關(guān)變壓器 初級(jí)線圈TR3A上形成高頻交流電壓，開關(guān)變壓器次級(jí)線圈TR3B就 輸出交流電壓經(jīng)整流濾波電路36的整流濾波后給主MOSFET音頻功 率放大電路2的H類電源供電電路25供電。
PWM調(diào)制電路34包括有產(chǎn)生PWM調(diào)制信號(hào)的芯片U2，其一 個(gè)輸出端OUTB通過電阻R128與振蕩藕合變壓器的初級(jí)繞組T6A 的一端連接，其另一個(gè)輸出端OUTA通過電阻R135與振蕩藕合變壓 器的初級(jí)繞組T6A的另一端連接，通過振蕩藕合變壓器，直接控制 兩個(gè)MOSFET開關(guān)管Tl和T2的導(dǎo)通和截止。PWM調(diào)制電路34 設(shè)有電源保護(hù)電路，電源保護(hù)電路包括有過壓保護(hù)電路、欠壓保護(hù)電 路、過流保護(hù)電路、超溫保護(hù)電路，當(dāng)市電過高或過低，或許開關(guān)電 源輸出過載，或者開關(guān)管溫度過高時(shí)，使PWM調(diào)制電路34停振， 切斷電源，從而達(dá)到保護(hù)目的。
整流濾波電路36,將開關(guān)變壓器TR3輸出交流電壓經(jīng)整流濾波 后得到功放所需要的電壓給功放供電。
圖5是本實(shí)用新型的保護(hù)電路的原理圖，保護(hù)電路4包括有過流保護(hù)電路41、壓限保護(hù)電路42、失真限制電路43、超溫保護(hù)電路44、 直流保護(hù)電路45。當(dāng)功率放大級(jí)電路24輸出幅度過大開始削峰，失 真限制電路43動(dòng)作輸出控制電壓給壓限保護(hù)電路42 ;或者當(dāng)功率 放大級(jí)電路24過載，過流保護(hù)電路41動(dòng)作輸出控制電壓給壓限保護(hù) 電路42 ;或者溫度過高超過設(shè)定值，超溫保護(hù)電路44動(dòng)作，控制 壓限保護(hù)電路42;或者功放零漂或損壞，有直流輸出，直流保護(hù)電 路45動(dòng)作， 一方面斷開喇叭輸出，另一方面控制壓限保護(hù)電路42 ， 從而讓壓限保護(hù)電路42控制增益限制電路12，減小或關(guān)閉輸入音頻 信號(hào)源達(dá)到保護(hù)目的。
1權(quán)利要求1、大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器，其特征在于包括有音頻輸入調(diào)節(jié)電路(1)，輸入外界的音頻信號(hào)；主MOSFET音頻功率放大電路(2)，將音頻信號(hào)進(jìn)行放大后輸給揚(yáng)聲器；大功率開關(guān)電源電路(3)，通過控制開關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止從而控制變壓器將DC轉(zhuǎn)換為合適的AC經(jīng)整流濾波后輸出直流電壓為所述主MOSFET音頻功率放大電路(2)提供大功率電源；保護(hù)電路(4)，在大功率功放電路(2)過流、超溫或有直流輸出時(shí)限制音頻輸入調(diào)節(jié)電路(1)向主MOSFET音頻功率放大電路(2)輸入音頻信號(hào)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放 大器，其特征在于所述音頻輸入調(diào)節(jié)電路(1)包括有平衡輸入電路(11)，平衡輸入外界音頻信號(hào)； 增益限制電路(12)，當(dāng)主MOSFET音頻功率放大電路(2)出 現(xiàn)異常時(shí)控制輸入音頻信號(hào)幅度達(dá)到保護(hù)目的； 輸入靈敏度轉(zhuǎn)換電路(13)，轉(zhuǎn)換靈敏度；低通/直通選擇電路(14)可選擇輸出信號(hào)為全頻或者有低音補(bǔ)償。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放 大器，其特征在于所述主MOSFET音頻功率放大電路(2)包括有差動(dòng)輸入級(jí)電路(21)，與音頻輸入調(diào)節(jié)電路(1)的低通/直通選擇電路(14)連接；電壓放大級(jí)電路(22)，對(duì)差動(dòng)輸入電路(21)輸出的信號(hào)進(jìn)行 放大；驅(qū)動(dòng)級(jí)電路(23)，接收電壓放大級(jí)電路(22)輸出的信號(hào)并驅(qū) 動(dòng)功率放大級(jí)電路(24)進(jìn)行工作；功率放大級(jí)電路(24)，在驅(qū)動(dòng)級(jí)電路(23)驅(qū)動(dòng)下進(jìn)行功率放 大驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器；H類電源供電電路(25 )，根據(jù)主MOSFET音頻功率放大電路(2 ) 輸出自動(dòng)調(diào)整合適的電源為功率管供電。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放 大器，其特征在于所述大功率開關(guān)電源電路(3)包括有EMC抑制電路(31);AC-DC轉(zhuǎn)換電路(32)，將交流電壓轉(zhuǎn)換成直流電壓；電源開關(guān)振蕩電路(33)，在PWM調(diào)制電路(34)控制下振蕩， 將直流電壓在主變壓器(35)初級(jí)形成高頻的交流電壓；PWM調(diào)制電路(34)，控制電源開關(guān)振蕩電路(33)的開關(guān)管不 斷地導(dǎo)通與截至；主變壓器(35)，起振后輸出高頻交流電壓；整流濾波電路(36)，對(duì)主變壓器(35)輸出的交流電壓進(jìn)行整 流濾波后給主MOSFET音頻功率放大電路(2)的H類電源供電電 路(25)供電。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器，其特征在于所述保護(hù)電路(4)包括有過流保護(hù)電路(41)，功率放大級(jí)電路(24)過載時(shí)動(dòng)作； 失真限制電路(43)，控制功率放大級(jí)電路(24)在失真限制的范圍內(nèi)；超溫保護(hù)電路(44)，當(dāng)功率放大級(jí)電路(24)溫升過高超過設(shè) 定值時(shí)，減小或關(guān)閉信號(hào)源；直流保護(hù)電路(45)，當(dāng)功率放大級(jí)電路(24)有直流輸出時(shí)， 一方面斷開喇叭輸出，另一方面減小或關(guān)閉信號(hào)源；壓限保護(hù)電路(42)，接收過流保護(hù)電路(41)、失真限制電路(43)、 超溫保護(hù)電路(44)、直流保護(hù)電路(45)的輸出信號(hào)，在功率放大 級(jí)電路(24)異常時(shí)驅(qū)動(dòng)音頻輸入調(diào)節(jié)電路(1)的增益限制電路(12) 減小或關(guān)閉信號(hào)源。
6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放 大器，其特征在于所述PWM調(diào)制電路(34)設(shè)有一當(dāng)市電過高、過 低，或開關(guān)電源輸出過載、開關(guān)管溫度過高時(shí)，使PWM調(diào)制電路(34) 停振并切斷電源的電源保護(hù)電路，該電源保護(hù)電路包括有過壓保護(hù)電 路、欠壓保護(hù)電路、過流保護(hù)電路、超溫保護(hù)電路。
專利摘要本實(shí)用新型公開了大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器，其包括有音頻輸入調(diào)節(jié)電路、主MOSFET音頻功率放大電路、大功率開關(guān)電源電路、保護(hù)電路。音頻輸入調(diào)節(jié)電路輸入外界的音頻信號(hào)；主MOSFET音頻功率放大電路將音頻信號(hào)進(jìn)行放大后輸給揚(yáng)聲器；大功率開關(guān)電源電路通過控制開關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止控制開關(guān)變壓器從而輸出電壓為主MOSFET音頻功率放大電路提供大功率電源；保護(hù)電路在大功率功放電路過流或超溫或者直流時(shí)限制音頻輸入信號(hào)幅度從而達(dá)到保護(hù)的目的。本實(shí)用新型的目的在于提供一低頻柔和度好、輸出功率大、不容易過載的大功率開關(guān)電源MOSFET音頻功率放大器。
文檔編號(hào)H03F3/45GK201383865SQ200920051380
公開日2010年1月13日 申請(qǐng)日期2009年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月14日
發(fā)明者真 葉, 趙樂文 申請(qǐng)人:中山市捷豐達(dá)電子電器有限公司