專利名稱：前置預放大器電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種放大器電路，尤其是一種前置預放大器電路。(二)
背景技術：
目前，在高速信號傳送系統(tǒng)中，前置預放大器電路的負載類型通常有兩種: (l)如圖1所示電路，直接使用電阻作為電路的負載，這種電路的動作速度快， 增益倍數高，但隨著半導體工藝和溫度的變化，電阻值的變化非常大，即很難保證電阻的絕對精度，因此，如圖2所示，電路特性的變動范圍也非常大，直 接影響到電路的合格率；(2)如圖3所示電路，使用晶體管PMOS的二極管結構 作為電路的負載，盡管這種電路的增益比較高，但是在高頻條件下能正常工作 的電壓輸入范圍比較窄，如圖4所示，所以在對共模輸入電壓范圍廣的信號放 大電路中，這種結構就很難滿足實際要求。(三)

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種使用晶體管麗os的二極管結構作為負載的前置預放大器電路，這種電路的負載特性受半導體工藝和溫度變化的影響很小， 工作的輸入共模電壓范圍寬，信號傳送速度快，增益倍數也相對穩(wěn)定。本發(fā)明的技術方案 一種前置預放大器電路，包括晶體管^!0S3、晶體管 麗0S4和晶體管麗0S5，其特征在于前置預放大器電路的負載為晶體管醒0S1 和晶體管麗0S2;其中，晶體管麗0S3和晶體管麗0S5作為放大器電路的差分 輸入端子；所說的晶體管麗0S5的柵極連接偏置電壓，通過偏置電壓產生電路 動作的直流電流，晶體管麗OS5的源極則接地；所說的晶體管麗0S1的柵極和 漏極及晶體管麗0S2的柵極和漏極分別與電源相連；所說的晶體管隨0S1的漏 極和晶體管麗0S3的源極分別與放大器電路的反相輸出端子相連；所說的晶體 管NM0S2的漏極和晶體管NM0S4的源極與放大器電路的正相輸出端子相連；所 說的晶體管麗0S3的柵極與放大器電路的正相輸入端子相連；所說的晶體管 NM0S4的柵極與放大器電路的反相輸入端子相連；所說的晶體管麗0S3的源極 與晶體管麗0S4的源極及晶體管NM0S5的漏極相連；所說的晶體管麗0S1的襯 底、晶體管麗0S2的襯底、晶體管NM0S3的襯底、晶體管麗0S4的襯底及晶體 管NM0S5的襯底分別與地相連。一種前置預放大器電路的應用，其特征在于它適用于復雜電路的每個部位 的信號傳送和放大。上述所說的一種前置預放大器電路的應用適用于復雜電路的每個部位的信 號傳送和放大包括適用于高速信號傳送、穩(wěn)定增益倍數、輸入共模電壓范圍廣 的信號傳送系統(tǒng)。本發(fā)明的工作原理當輸入信號滿足電路的要求，從差分輸入端的正相和 反相輸入端子輸入后，信號將被放大一定的倍數，并從正相和反相輸出端子高 速傳送到后續(xù)電路，從而起到對輸入信號進行放大和傳送的功能。本發(fā)明的優(yōu)越性在于1、這種電路的負載特性受半導體工藝和溫度變化的 影響很小，可以工作的輸入共模電壓范圍寬，信號傳送速度快，增益倍數也相 對穩(wěn)定；2、電路結構簡單，易于實現，可靠性高；3、適用于復雜電路的每個 部位的信號傳送和放大。(四)


圖1為現有技術中使用電阻作為電路負載的前置預放大器電路的電路圖。圖2為圖1中電路受工藝和溫度變化時的幅頻特性變化圖。 圖3為現有技術中使用晶體管PM0S的二極管結構作為電路負載的前置預放 大器電路的電路圖。圖4為圖3中電路受輸入共模電壓變化時的幅頻特性變化圖。 圖5為本發(fā)明所涉一種前置預放大器電路的電路圖。圖6為本發(fā)明所涉一種前置預放大器電路受工藝和溫度變化時的幅頻特性 變化圖。圖7為本發(fā)明所涉一種前置預放大器電路受輸入共模電壓變化時的幅頻特 性變化圖。(五)
具體實施例方式實施例 一種前置預放大器電路(見圖5)，包括晶體管醒0S3、晶體管麗0S4 和晶體管應0S5，其特征在于前置預放大器電路的負載為晶體管NM0S1和晶體 管麗0S2;其中，晶體管NMOS3和晶體管NMOS5作為放大器電路的差分輸入端 子；所說的晶體管NM0S5的柵極連接偏置電壓，通過偏置電壓產生電路動作的 直流電流，晶體管麗0S5的源極則接地；所說的晶體管麗0S1的柵極和漏極及 晶體管麗0S2的柵極和漏極分別與電源相連；所說的晶體管麗0S1的漏極和晶 體管麗0S3的源極分別與放大器電路的反相輸出端子相連;所說的晶體管麗0S2的漏極和晶體管麗0S4的源極與放大器電路的正相輸出端子相連；所說的晶體管麗0S3的柵極與放大器電路的正相輸入端子相連；所說的晶體管麗0S4的柵 極與放大器電路的反相輸入端子相連；所說的晶體管畫0S3的源極與晶體管 麗0S4的源極及晶體管麗0S5的漏極相連；所說的晶體管麗0S1的襯底、晶體 管麗0S2的襯底、晶體管麗0S3的襯底、晶體管麗0S4的襯底及晶體管麗0S5 的襯底分別與地相連。一種前置預放大器電路的應用，其特征在于它適用于復雜電路的每個部位 的信號傳送和放大。上述所說的一種前置預放大器電路的應用適用于復雜電路的每個部位的信 號傳送和放大包括適用于高速信號傳送、穩(wěn)定增益倍數、輸入共模電壓范圍廣 的信號傳送系統(tǒng)。本發(fā)明與現有技術對比圖6顯示半導體工藝和溫度的變化對本發(fā)明前置預放大器電路的幅頻特性 的影響，與圖2的特性曲線相比，可見本發(fā)明電路的特性要比對通常使用電阻作為負載的前置預放大器電路的影響小得多。圖7顯示輸入共模電壓變化對本發(fā)明前置預放大器電路的幅頻特性的影 響，與圖4的特性曲線相比，可見本發(fā)明電路的輸入共模電壓范圍要比通常使 用晶體管PMOS的二極管結構作為負載的前置預放大器電路的輸入共模電壓范 圍廣。
權利要求
1、一種前置預放大器電路，包括晶體管NMOS3、晶體管NMOS4和晶體管NMOS5，其特征在于前置預放大器電路的負載為晶體管NMOS1和晶體管NMOS2；其中，晶體管NMOS3和晶體管NMOS5作為放大器電路的差分輸入端子；所說的晶體管NMOS5的柵極連接偏置電壓，通過偏置電壓產生電路動作的直流電流，晶體管NMOS5的源極則接地；所說的晶體管NMOS1的柵極和漏極及晶體管NMOS2的柵極和漏極分別與電源相連；所說的晶體管NMOS1的漏極和晶體管NMOS3的源極分別與放大器電路的反相輸出端子相連；所說的晶體管NMOS2的漏極和晶體管NMOS4的源極與放大器電路的正相輸出端子相連；所說的晶體管NMOS3的柵極與放大器電路的正相輸入端子相連；所說的晶體管NMOS4的柵極與放大器電路的反相輸入端子相連；所說的晶體管NMOS3的源極與晶體管NMOS4的源極及晶體管NMOS5的漏極相連；所說的晶體管NMOS1的襯底、晶體管NMOS2的襯底、晶體管NMOS3的襯底、晶體管NMOS4的襯底及晶體管NMOS5的襯底分別與地相連。
2、 一種前置預放大器電路的應用，其特征在于它適用于復雜電路的每個部 位的信號傳送和放大。
3、 根據權利要求2所說的一種前置預放大器電路的應用，其特征在于所說 的一種前置預放大器電路的應用適用于復雜電路的每個部位的信號傳送和放大 包括適用于高速信號傳送、穩(wěn)定增益倍數、輸入共模電壓范圍廣的信號傳送系 統(tǒng)。
全文摘要
一種前置預放大器電路，包括晶體管NMOS3、晶體管NMOS4和晶體管NMOS5，其特征在于前置預放大器電路的負載為晶體管NMOS1和晶體管NMOS2；本發(fā)明的優(yōu)越性在于1.這種電路的負載特性受半導體工藝和溫度變化的影響很小，可以工作的輸入共模電壓范圍寬，信號傳送速度快，增益倍數也相對穩(wěn)定；2.電路結構簡單，易于實現，可靠性高；3.適用于復雜電路的每個部位的信號傳送和放大。
文檔編號H03F3/45GK101667813SQ200810154719
公開日2010年3月10日 申請日期2008年12月30日 優(yōu)先權日2008年12月30日
發(fā)明者呂英杰, 孫俊岳, 張小興, 戴宇杰 申請人:天津南大強芯半導體芯片設計有限公司