專利名稱：電容電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種電容電路，且特別是一種具有線性電容值的高密度電 容電路。
背景技術(shù)：
許多無線通訊裝置，如移動(dòng)電話都需具備模擬及數(shù)字信號(hào)處理功能，所 以移動(dòng)電話的收發(fā)端均需具備模擬及數(shù)字混合信號(hào)的處理功能。而混合信號(hào) 設(shè)備使用模擬及數(shù)字電路以進(jìn)行模擬及數(shù)字處理時(shí)，電容是最重要的組件之 一，其中電容值的電壓系數(shù)更是決定電容運(yùn)作效能的關(guān)鍵參數(shù)。
利用現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)字互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(ComplementaryMetal-Oxi de-Semiconductor，CMOS)工藝制造電容的綜合方法，不僅增加復(fù)雜度還會(huì)產(chǎn)生 額外的成本，或者制造出來的電容在足夠大的偏壓范圍下，其電容值欠缺所 要的線性值。在一對(duì)金屬層之間夾著夾層電介質(zhì)(interleveldielectric)的金屬電 容已逐漸開發(fā)研究。此金屬電容的制造已完全整合到現(xiàn)存工藝的末端，利用 現(xiàn)存金屬及氧化沉淀工藝可用來產(chǎn)生金屬電容。然而，現(xiàn)存金屬構(gòu)造結(jié)合厚 實(shí)的夾層電介質(zhì)的工藝僅能制造大面積但不精確的電容。所以其它金屬電容 己經(jīng)改用鉭(Ta)或者氮鉭化合物金屬層(TaN)，但是鉭或氮鉭化合物的電容需 導(dǎo)入更多的沉積以及光罩程序而增加工藝的成本。因此，找出一種可經(jīng)由現(xiàn) 存標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，無需付出額外成本即可制造的可靠、線性的電容電路是 刻不容緩的。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述無法在不付出額外成本的情況下制造可達(dá)到所要的可靠度與 線性度電容值的電容電路的問題，本發(fā)明提出一種電容電路，既可在操作電 壓上提供線性動(dòng)態(tài)電容及穩(wěn)定電容值，又不需要額外的成本。
本發(fā)明提供的一種技術(shù)方案為提供一種電容電路，包含第一電容、第 二電容、第三電容、第四電容、第一壓差產(chǎn)生器以及第二壓差產(chǎn)生器。第一 電容包含耦接至第一節(jié)點(diǎn)的正壓端及耦接至第二節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端。第二電容包 含耦接至第一節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端及耦接至第二節(jié)點(diǎn)的正壓端。第三電容包含耦接 至第一節(jié)點(diǎn)的正壓端及耦接至第三節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端。第四電容包含耦接至第一 節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端及耦接至第三節(jié)點(diǎn)的正壓端。第一壓差產(chǎn)生器耦接第二節(jié)點(diǎn)及 第四節(jié)點(diǎn)，用來在第二節(jié)點(diǎn)及第四節(jié)點(diǎn)間提供第一壓差。第二壓差產(chǎn)生器耦 接第四節(jié)點(diǎn)及第三節(jié)點(diǎn)，用來在第四節(jié)點(diǎn)及第三節(jié)點(diǎn)間提供第二壓差。
本發(fā)明提供的另一種技術(shù)方案為提供一種電容電路，包含第一電容組、 第二電容組、第三電容組、第四電容組。第一電容組耦接于第一節(jié)點(diǎn)及第二
節(jié)點(diǎn)，第二電容組耦接于第一節(jié)點(diǎn)及第三節(jié)點(diǎn)，第三電容組耦接第一節(jié)點(diǎn)及 第四節(jié)點(diǎn)，第四電容組耦接第一節(jié)點(diǎn)及第五節(jié)點(diǎn)，其中每一電容組皆包含第 一電容、第二電容、第一端及第二端，而第一電容包含耦接至第一端的正壓 端及耦接至第二端的負(fù)壓端，第二電容包含耦接至第一端的負(fù)壓端及耦接至 第二端的正壓端，每一電容組分別經(jīng)由第一端及第二端與對(duì)應(yīng)的節(jié)點(diǎn)相耦接。 電容電路更包含第一壓差產(chǎn)生器、第二壓差產(chǎn)生器、第三壓差產(chǎn)生器、第四 壓差產(chǎn)生器。第一壓差產(chǎn)生器耦接于第三節(jié)點(diǎn)及第六節(jié)點(diǎn)，第二壓差產(chǎn)生器 耦接于第二節(jié)點(diǎn)及第六節(jié)點(diǎn)，第三壓差產(chǎn)生器耦接于第六節(jié)點(diǎn)及第四節(jié)點(diǎn)， 第四壓差產(chǎn)生器耦接于第六節(jié)點(diǎn)及第五節(jié)點(diǎn)，其中每一壓差產(chǎn)生器皆包含第 一端及第二端，每一壓差產(chǎn)生器皆在第一端及第二端間提供對(duì)應(yīng)壓差，且皆 經(jīng)由第一端以及第二端與對(duì)應(yīng)的節(jié)點(diǎn)相耦接。本發(fā)明提供的又一種技術(shù)方案為提供一種電容電路，包含多個(gè)電容組 以及多個(gè)壓差產(chǎn)生器。每一電容組皆包含第一電容、第二電容、第一端及第 二端，第一電容包含耦接至第一端的正壓端及耦接至第二端的負(fù)壓端，第二 電容包含耦接至第一端的負(fù)壓端及耦接至第二端的正壓端，每一電容組分別 經(jīng)由電容組的第一端耦接至第一節(jié)點(diǎn)。每一壓差產(chǎn)生器皆耦接于第二節(jié)點(diǎn)以 及多個(gè)電容組中的一電容組的第二端，且在第二節(jié)點(diǎn)以及多個(gè)電容組中的一 電容組之間提供對(duì)應(yīng)壓差。
本發(fā)明提供的電容電路通過一個(gè)以上的電容組及壓差產(chǎn)生器提供電壓轉(zhuǎn) 換，以保持在操作電壓范圍內(nèi)平滑的電容值波動(dòng)?？商峁┚€性動(dòng)態(tài)電容及穩(wěn) 定電容值，從而有效地提高電容的運(yùn)作效能，并且其制造不需要額外的成本。


圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電容電路示意圖。 圖2是單一電容的電容值與操作電壓的關(guān)系圖。
圖3A-3C分別是單一電容在未耦接電壓差、耦接+AV壓差以及-AV壓 差時(shí)的示意圖。
圖4是本發(fā)明第二實(shí)施方式的電容電路示意圖。 圖5是電容值與操作電壓的關(guān)系圖。
圖6A-6C分別是單一電容組在未耦接電壓差、耦接+AV壓差以及-AV 壓差時(shí)的示意圖。
圖7是本發(fā)明第三實(shí)施方式的電容電路示意圖。
圖8是流經(jīng)壓差產(chǎn)生器的電流不同時(shí)電壓與電容關(guān)系圖。
圖9是本發(fā)明第四實(shí)施方式的電容電路示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖l，圖l是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電容電路400的示意圖。電容電路400包含多個(gè)電容C1、 C2及多個(gè)壓差產(chǎn)生器406、 408。電容Cl包含 第一端401及第二端402;電容C2包含第三端403及第四端404。電容Cl 經(jīng)由第一端401耦接于第一節(jié)點(diǎn)Nl;電容C2經(jīng)由第三端403耦接于第一節(jié) 點(diǎn)Nl 。壓差產(chǎn)生器406與第二節(jié)點(diǎn)N2及電容Cl的第二端402相耦接，壓差 產(chǎn)生器408則與第二節(jié)點(diǎn)N2及電容C2的第四端404相耦接。
請(qǐng)一并參閱圖l、圖2與圖3A-3C。圖2是單一電容的電容值與操作電壓 的關(guān)系圖。電容值-電壓曲線(以下簡稱C-V曲線)10表示圖3A所示的單一電 容的電容值在操作電壓下的變化情況。C-V曲線20表示在圖3B所示的電容 在耦接壓差+AV下，其電容值與操作電壓的變化關(guān)系。C-V曲線30表示在圖 3C所示的電容在耦接壓差-AV下，其電容值與操作電壓的變化關(guān)系。C-V曲 線40表示在圖l所示的電容電路400中，其電容值與操作電壓的變化關(guān)系。 如圖1的電容電路400所示，當(dāng)帶有壓差+AV的電容Cl與帶有壓差-AV的電 容C2并聯(lián)時(shí)，電容電路400的電容值即為電容C1、 C2兩電容值的總和。此 外，圖2的C-V曲線40較第3A圖的單一電容的C-V曲線10更接近線性。 就此而言，電容電路400在操作電壓下提供更接近線性動(dòng)態(tài)電容值，讓設(shè)計(jì) 者在設(shè)計(jì)期間能更方便地設(shè)定所需的電容值。
優(yōu)選地，壓差產(chǎn)生器406、 408可提供對(duì)應(yīng)的壓差+/-/^,且任一壓差產(chǎn) 生器406、 408可以是電阻器、二極管、或是由基極耦接于集電極或發(fā)射極的 雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT)、或是柵極耦接于漏極或者 源極的半導(dǎo)體金屬氧化物(Metal-Oxide-Semiconductor， MOS)晶體管來實(shí)現(xiàn)。
請(qǐng)參閱圖4，圖4是本發(fā)明第二實(shí)施方式的電容電路300的示意圖。電容 電路300包含多個(gè)電容組Pl、 P2及多個(gè)壓差產(chǎn)生器306、 308。每個(gè)電容組 Pl、 P2皆包含第一電容C1、第二電容C2、第一端302及第二端304。第一 電容Cl包含耦接于第一端302的正壓端及耦接于第二端304的負(fù)壓端；第二 電容C2則包含耦接于第一端302的負(fù)壓端及耦接于第二端304的正壓端。每 個(gè)電容組Pl、 P2都經(jīng)由第一端302耦接于第一節(jié)點(diǎn)Nl。壓差產(chǎn)生器306、 308都耦接于第二節(jié)點(diǎn)N2及第二端304之間。
請(qǐng)參閱圖4、圖5及圖6A-6C。圖5是電容值與操作電壓的關(guān)系圖。C-V 曲線60表示圖6A所示的單一電容組的電容值在操作電壓下的變化情況。C-V 曲線70表示圖6B所示的電容組在耦接壓差+AV下，其電容值與操作電壓的 變化關(guān)系。C-V曲線80表示在圖6C所示的電容在耦接壓差-AV下，其電容 值與操作電壓的變化關(guān)系。C-V曲線90表示圖4所示的電容電路400中，其 電容值與操作電壓的變化關(guān)系。如圖4的電容電路300所示，當(dāng)帶有壓差+AV 的電容組Pl與帶有壓差-AV的電容組P2并聯(lián)時(shí)，電容電路300的電容值即 為電容組P1、 P2電容值的總和。此外，圖5電容電路300的C-V曲線90較 C-V曲線60的單一電容組的電容值更接近穩(wěn)定值。就此而言，電容電路300 在操作電壓范圍下，尤其在零偏壓電壓下，提供更趨近穩(wěn)定的電容值，讓設(shè) 計(jì)者在設(shè)計(jì)期間能更加方便地設(shè)定所需的電容值。
壓差產(chǎn)生器306、 308在第二節(jié)點(diǎn)N2及第二端304間提供第一壓差+AV 及第二壓差-AV，且任一壓差產(chǎn)生器306、 308可以是電阻器、二極管、或是 由基極耦接于集電極或發(fā)射極的BJT晶體管、或是柵極耦接于漏極或者源極 的MOS晶體管來實(shí)現(xiàn)。
請(qǐng)參閱圖7，圖7是本發(fā)明第三實(shí)施方式的電容電路100的示意圖。電容 電路100除了多增加第三電容組P3之外，與圖4幾乎一致。電容組P3包含 兩電容C5及C6。 C5的正壓端耦接于C6的負(fù)壓端，C5的負(fù)壓端則耦接于 C6的正壓端。
在此實(shí)施方式中，第一電流源II用來控制第一壓差產(chǎn)生器102的第一壓 差。第二電流源12則用來控制第二壓差產(chǎn)生器104的第二壓差。在其它實(shí)施 方式中，電壓源可用以替換電流源。
電容電路100的電壓與電容關(guān)系與圖5所示的關(guān)系相似。電容電路100 在操作電壓下，可提供比電容電路300更加穩(wěn)定的電容值。此外，請(qǐng)參閱圖8， 圖8是流經(jīng)壓差產(chǎn)生器102、 104的電流不同時(shí)，電壓與電容關(guān)系圖。愈是有大量的電流流經(jīng)壓差產(chǎn)生器102、 104，則愈能產(chǎn)生接近穩(wěn)定的電容值。換句 話說，因?yàn)殡娙蓦娐?00的C-V曲線變化受第一壓差+AV及第二壓差-AV影 響，所以流經(jīng)第一壓差產(chǎn)生器102及第二壓差產(chǎn)生器104的第一電流及第二 電流的適當(dāng)調(diào)整會(huì)造成第一電壓+AV及第二電壓-AV的改變，連帶地使得電 容電路300得以產(chǎn)生更平坦的C-V曲線。
壓差產(chǎn)生器102、 104在第二節(jié)點(diǎn)N2及第四節(jié)點(diǎn)N4間、第三節(jié)點(diǎn)N3及 第四節(jié)點(diǎn)>^4間提供對(duì)應(yīng)壓差+/^丫，且任一壓差產(chǎn)生器102、 104可以是電阻 器、二極管、或是由基極耦接于集電極或發(fā)射極的BJT晶體管、或是柵極耦 接于漏極或者源極的MOS晶體管來實(shí)現(xiàn)。
請(qǐng)參閱圖9，圖9是本發(fā)明第四實(shí)施方式的電容電路200的示意圖。電容 組Pl耦接于壓差產(chǎn)生器208。壓差產(chǎn)生器208在本實(shí)施方式中提供壓差A(yù)V2。 電流源極I2用來控制壓差A(yù)V2。電容組P2、 P3及P4皆由類似的方式組成。 電容組P5位于電容電路200的中央，并耦接于節(jié)點(diǎn)Nl及N6。所有電流源II、 12、 13及I4依各自的途徑來控制對(duì)應(yīng)的壓差。在另一個(gè)實(shí)施方式中，用來產(chǎn) 生穩(wěn)定電壓的電壓產(chǎn)生器可取代電流源Il、 12、 13及14。以上實(shí)施方式中(圖 1、圖4、圖7及圖9)的電容皆為n+離子摻雜于n型井的MOS電容。
與圖5所示的關(guān)系類似，電容電路200可提供相較于電容電路300更趨 近穩(wěn)定的電容值。愈是有大量的電流流經(jīng)壓差產(chǎn)生器206、 208、 210、 212， 則愈能在電容電路200中產(chǎn)生平穩(wěn)線性的電容值。換句話說，因?yàn)殡娙蓦娐?200的C-V曲線變化受壓差+AAVl、 +/-AV2影響，所以流經(jīng)壓差產(chǎn)生器206、 208、 210、 212電流的適當(dāng)調(diào)整會(huì)造成電壓+AAVl、 +/-AV2的改變，如同電 容電路200的平坦C-V曲線一般。
雖然圖9所示的電容電路200的實(shí)施方式僅包含五個(gè)電容組及四個(gè)壓差 產(chǎn)生器，但仍可額外增加電容組及壓差產(chǎn)生器以控制電容電路200的線性特 性。在一實(shí)施方式中，壓差產(chǎn)生器206、 208、 210、 212可能包含一個(gè)以上的 電阻器或二極管以產(chǎn)生2xAVl、 2xAV2以上的壓差。上述實(shí)施結(jié)果可使電容電路呈現(xiàn)較平坦的C-V曲線。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明并未使用特殊MOS工藝以制造特殊電容，反而 使用現(xiàn)有MOS工藝來制造本發(fā)明的電容電路。本發(fā)明的電容電路有一個(gè)以上 的電容組及壓差產(chǎn)生器以提供電壓轉(zhuǎn)換，以保持在操作電壓范圍內(nèi)平滑的電 容值波動(dòng)。電容電路的線性狀態(tài)可透過壓差產(chǎn)生器的壓差升降達(dá)到最佳狀態(tài)。 就此而言，本發(fā)明提供最佳化大操作電壓范圍電壓的電容電路的線性的能力。 此外，所有電容電路的電容值即為每個(gè)電容電路電容值的和。因此，可獲得 高密度線性電容。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭示如上，但是對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，依據(jù) 本發(fā)明實(shí)施方式的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜 上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種電容電路，其特征在于，該電容電路包含第一電容，包含耦接至第一節(jié)點(diǎn)的正壓端及耦接至第二節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端；第二電容，包含耦接至所述的第一節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端及耦接至所述的第二節(jié)點(diǎn)的正壓端；第三電容，包含耦接至所述的第一節(jié)點(diǎn)的正壓端及耦接至第三節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端；第四電容，包含耦接至所述的第一節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端及耦接至所述的第三節(jié)點(diǎn)的正壓端；第一壓差產(chǎn)生器，耦接所述的第二節(jié)點(diǎn)及第四節(jié)點(diǎn)，用來在該第二節(jié)點(diǎn)及該第四節(jié)點(diǎn)間提供第一壓差；以及第二壓差產(chǎn)生器，耦接所述的第四節(jié)點(diǎn)及所述的第三節(jié)點(diǎn)，用來在該第四節(jié)點(diǎn)及該第三節(jié)點(diǎn)間提供第二壓差。
2. 如權(quán)利要求1所述的電容電路，其特征在于，該電容電路另包含 第五電容，包含耦接所述的第一節(jié)點(diǎn)的正壓端及耦接所述的第四節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端；以及第六電容，包含耦接所述的第一節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端及耦接所述的第四節(jié)點(diǎn)的 正壓端。
3. 如權(quán)利要求1所述的電容電路，其特征在于，至少一所述的第一壓差 產(chǎn)生器及所述的第二壓差產(chǎn)生器是二極管或電阻。
4. 如權(quán)利要求1所述的電容電路，其特征在于，至少一所述的第一壓差 產(chǎn)生器及所述的第二壓差產(chǎn)生器包含雙極結(jié)型晶體管，且該雙極結(jié)型晶體管 的基極與其集電極或發(fā)射極相耦接。
5. 如權(quán)利要求1所述的電容電路，其特征在于，所述的第一電容、所述的 第二電容、所述的第三電容以及所述的第四電容是n+摻雜于n型井的半導(dǎo)體金屬氧化物電容。
6. 如權(quán)利要求1所述的電容電路，其特征在于，至少一所述的第一壓差 產(chǎn)生器及所述的第二壓差產(chǎn)生器包含半導(dǎo)體金屬氧化物晶體管，且該半導(dǎo)體 金屬氧化物晶體管的柵極與其源極或漏極相耦接。
7. 如權(quán)利要求1所述的電容電路，其特征在于，其另包含 第一電流源，耦接第一電壓源及所述的第二節(jié)點(diǎn)，用來產(chǎn)生第一電流以控制所述的第一壓差；以及第二電流源，耦接所述的第三節(jié)點(diǎn)及第二電壓源，用來產(chǎn)生第二電流以 控制所述的第二壓差。
8. 如權(quán)利要求1所述的電容電路，其特征在于，所述的第二節(jié)點(diǎn)耦接于第一電壓源，且所述的第三節(jié)點(diǎn)耦接于第二電壓源。
9. 一種電容電路，其特征在于，該電容電路包含第一電容組、第二電容組、第三電容組、第四電容組，所述的第一電容 組耦接于第一節(jié)點(diǎn)及第二節(jié)點(diǎn)，所述的第二電容組耦接于所述的第一節(jié)點(diǎn)及 第三節(jié)點(diǎn)，所述的第三電容組耦接于所述的第一節(jié)點(diǎn)及第四節(jié)點(diǎn)，所述的第 四電容組耦接于所述的第一節(jié)點(diǎn)及第五節(jié)點(diǎn)，其中每一電容組分別包含第一 電容、第二電容、第一端及第二端，而所述的第一電容包含耦接至所述的第 一端的正壓端及耦接至所述的第二端的負(fù)壓端，所述的第二電容包含耦接至 所述的第一端的負(fù)壓端及耦接至所述的第二端的正壓端，每一電容組皆經(jīng)由 所述的第一端及所述的第二端與對(duì)應(yīng)的節(jié)點(diǎn)相耦接；以及第一壓差產(chǎn)生器、第二壓差產(chǎn)生器、第三壓差產(chǎn)生器、第四壓差產(chǎn)生器， 所述的第一壓差產(chǎn)生器耦接于所述的第三節(jié)點(diǎn)及第六節(jié)點(diǎn)，所述的第二壓差 產(chǎn)生器耦接于所述的第二節(jié)點(diǎn)及所述的第六節(jié)點(diǎn)，所述的第三壓差產(chǎn)生器耦 接于所述的第六節(jié)點(diǎn)及所述的第四節(jié)點(diǎn)，所述的第四壓差產(chǎn)生器耦接于所述 的第六節(jié)點(diǎn)及所述的第五節(jié)點(diǎn)，其中每一壓差產(chǎn)生器皆包含第一端及第二端， 每一壓差產(chǎn)生器皆在所述的第一端及所述的第二端間提供對(duì)應(yīng)壓差，且皆經(jīng)由所述的第一端以及所述的第二端與對(duì)應(yīng)的節(jié)點(diǎn)相耦接。
10. 如權(quán)利要求9所述的電容電路，其特征在于，其另包含 第五電容組，耦接所述的第一節(jié)點(diǎn)及所述的第六節(jié)點(diǎn)，其中所述的第五電容組包含第一電容、第二電容、第一端及第二端，所述的第一電容包含耦 接至所述的第一端的正壓端以及耦接至所述的第二端的負(fù)壓端，所述的第二 電容包含耦接至所述的第一端的負(fù)壓端以及耦接至所述的第二端的正壓端， 所述的第五電容組經(jīng)由所述的第一端耦接至所述的第一節(jié)點(diǎn)，且經(jīng)由所述的 第二端耦接至所述的第六節(jié)點(diǎn)。
11. 如權(quán)利要求9所述的電容電路，其特征在于，至少一所述的第一、第 二、第三、第四壓差產(chǎn)生器是二極管、電阻或雙極結(jié)型晶體管，且該雙極結(jié) 型晶體管的基極與其集電極或發(fā)射極相耦接。
12. 如權(quán)利要求9所述的電容電路，其特征在于，所述的第一電容組、所 述的第二電容組、所述的第三電容組以及所述的第四電容組所包含的電容皆是n+摻雜于n型井的半導(dǎo)體金屬氧化物電容。
13. 如權(quán)利要求9所述的電容電路，其特征在于，至少一所述的第一、第 二、第三、第四壓差產(chǎn)生器包含半導(dǎo)體金屬氧化物晶體管，且所述的半導(dǎo)體 金屬氧化物晶體管的柵極與其源極或漏極相耦接。
14. 如權(quán)利要求9所述的電容電路，其特征在于，其另包含 第一電流源，耦接第一電壓源及所述的第三節(jié)點(diǎn)，用來產(chǎn)生第一電流以控制所述的第一電壓源及所述的第三節(jié)點(diǎn)間的壓差；第二電流源，耦接第二電壓源及所述的第二節(jié)點(diǎn)，用來產(chǎn)生第二電流以 控制所述的第二電壓源及所述的第二節(jié)點(diǎn)間的壓差；第三電流源，耦接第三電壓源及所述的第四節(jié)點(diǎn)，用來產(chǎn)生第三電流以 控制所述的第三電壓源及所述的第四節(jié)點(diǎn)間的壓差；以及第四電流源，耦接第四電壓源及所述的第五節(jié)點(diǎn)，用來產(chǎn)生第四電流以 控制所述的第四電壓源及所述的第五節(jié)點(diǎn)間的壓差。
15. 如權(quán)利要求9所述的電容電路，其特征在于，所述的第三節(jié)點(diǎn)與第一 電壓源相耦接，所述的第二節(jié)點(diǎn)與第二電壓源相耦接，所述的第四節(jié)點(diǎn)與第 三電壓源相耦接，以及所述的第五節(jié)點(diǎn)與第四電壓源相耦接。
16. —種電容電路，其包含多個(gè)電容組，其中每一電容組分別包含第一電容、第二電容、第一端及 第二端，所述的第一電容包含耦接至所述的第一端的正壓端及耦接至所述的 第二端的負(fù)壓端，所述的第二電容包含耦接至所述的第一端的負(fù)壓端及耦接至所述的第二端的正壓端，每一電容組皆經(jīng)由其第一端耦接至第一節(jié)點(diǎn)；以 及多個(gè)壓差產(chǎn)生器，其中每一壓差產(chǎn)生器皆耦接于第二節(jié)點(diǎn)以及所述的多 個(gè)電容組中的一個(gè)電容組的第二端，且在所述的第二節(jié)點(diǎn)以及所述的多個(gè)電 容組中的一個(gè)電容組之間提供對(duì)應(yīng)壓差。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電容電路，其包含第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第一壓差產(chǎn)生器及第二壓差產(chǎn)生器。第一電容包含耦接至第一節(jié)點(diǎn)的正壓端及耦接至第二節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端。第二電容包含耦接至第一節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端及耦接至第二節(jié)點(diǎn)的正壓端。第三電容包含耦接至第一節(jié)點(diǎn)的正壓端及耦接至第三節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端。第四電容包含耦接至第一節(jié)點(diǎn)的負(fù)壓端及耦接至第三節(jié)點(diǎn)的正壓端。第一壓差產(chǎn)生器耦接第二節(jié)點(diǎn)及第四節(jié)點(diǎn)，用來在第二節(jié)點(diǎn)及第四節(jié)點(diǎn)間提供第一壓差。第二壓差產(chǎn)生器耦接第四節(jié)點(diǎn)及第三節(jié)點(diǎn)，用來在第四節(jié)點(diǎn)及第三節(jié)點(diǎn)間提供第二壓差。上述電容電路在操作電壓上，可提供線性動(dòng)態(tài)電容及穩(wěn)定電容值，從而有效地提高電容的運(yùn)作效能。
文檔編號(hào)H03H11/48GK101309073SQ200710166778
公開日2008年11月19日 申請(qǐng)日期2007年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月15日
發(fā)明者王守琮, 詹歸娣 申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司