專利名稱：高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種高壓控制裝置，特別是涉及一種高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置。
背景技術(shù)：
串聯(lián)可控硅電壓過零觸發(fā)技術(shù)是可控硅硅作為電子柔性開關(guān)安全可靠的核心技術(shù)。自身的高電位運(yùn)行，以及導(dǎo)通后1V左右的殘壓，使得高壓串聯(lián)可控硅的檢零成為本領(lǐng)域懸而未決的技術(shù)難題。一直以來，都折中采用一種檢測首零點(diǎn)，間接推算后續(xù)過零點(diǎn)的方法。但該方法有著諸多的技術(shù)缺憾，諸如以犧牲響應(yīng)速度，來確保投入無涌流隨機(jī)干擾可能造成控制系統(tǒng)的連續(xù)誤判、誤動作等，使得該方法在實際應(yīng)用中尚未得到普遍的技術(shù)推廣應(yīng)用。
實用新型內(nèi)容本實用新型是為解決上述問題而開發(fā)的，其提供一種應(yīng)用在高壓線路中能準(zhǔn)確的識別出可控硅閥體電壓的過零信號并通過工業(yè)塑料光纖，將過零信號耦合傳遞到低壓控制端，解決低壓控制高壓的電氣絕緣問題的安全可靠的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置。
本實用新型高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，由下述部分構(gòu)成接線端子A、B，用于接到高壓串聯(lián)可控硅的上下兩極；接線端子A、B通過限流電阻R分別接入到自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL；自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL分別與紅外光發(fā)射電路功能模塊DG連接，將高壓檢零信號傳遞給紅外光發(fā)射電路功能模塊DG，經(jīng)由與之連接的工業(yè)塑料光纖GX將高壓過零信號耦合到低壓控制端。
本實用新型采用緊固方式與串聯(lián)可控硅并聯(lián)連接。
所述高壓串聯(lián)可控硅為單相可控硅時是反并聯(lián)后串聯(lián)，雙向可控硅時串聯(lián)。
所述單相可控硅為若干個與二極管并聯(lián)后串聯(lián)。
本實用新型的優(yōu)點(diǎn)及效果如下1、本實用新型采用獨(dú)特的電路設(shè)計，實現(xiàn)了從高壓系統(tǒng)自取直流工作電源的功能，整個電路采用與高壓系統(tǒng)同電位的設(shè)計原理，使得該裝置的工作長期安全可靠。
2、本實用新型并聯(lián)在串聯(lián)可控硅閥體的上下兩極，實時的對可控硅閥體上的電壓進(jìn)行采樣，能準(zhǔn)確的識別出可控硅閥體電壓的過零信號，并將其轉(zhuǎn)換成電平脈沖信號。
3、本實用新型將檢測到的過零脈沖信號轉(zhuǎn)換成紅外光脈沖，通過工業(yè)塑料光纖，將過零信號耦合傳遞到低壓控制端，解決了低壓控制高壓的電氣絕緣問題。
4、本實用新型適用于我國電網(wǎng)的所有電壓等級，從10KV到500KV，以及在未來將要采用的700KV，1000KV等電壓等級。
5、本實用新型提出的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，可以很好的解決高壓串聯(lián)可控硅的檢零技術(shù)瓶頸問題。


圖1是本實用新型電路連接示意圖。
具體實施方式
參照附圖對本實用新型具體實施例說明如下實施例1如圖1所示，本實用新型高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，由下述部分構(gòu)成通過接線端子A、B，接到串聯(lián)可控硅的上下兩極，通過限流電阻R分別引入到自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL，高壓檢零信號傳遞給紅外光發(fā)射電路功能模塊DG，經(jīng)由與之連接的工業(yè)塑料光纖GX將高壓過零信號耦合到低壓控制端。
所述單相可控硅為反并聯(lián)后串聯(lián)，雙向可控硅串聯(lián)。
所述單相可控硅為若干個與二極管并聯(lián)后串聯(lián)。
本實用新型整體外觀為直徑37mm，長度為600～700mm的絕緣管狀結(jié)構(gòu)，端部有兩根電極引入線和一根工業(yè)塑料光纖引出線。
固定方式采用與串聯(lián)可控硅并聯(lián)緊固方式。
權(quán)利要求1.一種高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，其特征在于由下述部分構(gòu)成接線端子A、B，用于接到高壓串聯(lián)可控硅的上下兩極；接線端子A、B通過限流電阻R分別接入到自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL；自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL分別與紅外光發(fā)射電路功能模塊DG連接，將高壓檢零信號傳遞給紅外光發(fā)射電路功能模塊DG，經(jīng)由與之連接的工業(yè)塑料光纖GX將高壓過零信號耦合到低壓控制端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，其特征在于它采用緊固方式與串聯(lián)可控硅并聯(lián)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，其特征在于所述高壓串聯(lián)可控硅為單相可控硅時是反并聯(lián)后串聯(lián)，雙向可控硅時串聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置，其特征在于所述單相可控硅為若干個與二極管并聯(lián)后串聯(lián)。
專利摘要本實用新型涉及一種高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置。它由下述部分構(gòu)成接線端子A、B，用于接到高壓串聯(lián)可控硅的上下兩極；接線端子A、B通過限流電阻R分別接入到自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL；自取能電路功能模塊QN和檢零電路功能模塊JL分別與紅外光發(fā)射電路功能模塊DG連接，將高壓檢零信號傳遞給紅外光發(fā)射電路功能模塊DG，經(jīng)由與之連接的工業(yè)塑料光纖GX將高壓過零信號耦合到低壓控制端。本實用新型提供一種應(yīng)用在高壓線路中能準(zhǔn)確的識別出可控硅閥體電壓的過零信號并通過工業(yè)塑料光纖，將過零信號耦合傳遞到低壓控制端，解決低壓控制高壓的電氣絕緣問題的安全可靠的高壓串聯(lián)可控硅自取能電壓檢零耦合裝置。
文檔編號H03K17/72GK2772120SQ20052008900
公開日2006年4月12日 申請日期2005年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月20日
發(fā)明者朱建新, 程祥 申請人:朱建新