專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
該非臨時(shí)的申請根據(jù)35U.S.C &119(a)要求在2004年3月31日在日本的專利申請No.2004-108022的優(yōu)先權(quán)，這里引入其整個(gè)內(nèi)容作為參考。
在形成半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體器件中，為了保護(hù)內(nèi)部電路從外部施加到半導(dǎo)體器件的電壓、或者流入/來自與半導(dǎo)體器件的連接的電路的電流的影響，保護(hù)電路被連接到內(nèi)部電路的輸出端子OUT。
例如，在MOS LSI中，輸出端子部分通常被連接到互補(bǔ)MOS晶體管的漏極。由于內(nèi)部電路的阻抗較高，當(dāng)它被安裝到電路板之前存儲MOS LSI時(shí)、或者當(dāng)它被裝配時(shí)，由于施加到輸出端子部分的沖擊電壓，包括在MOS LSI中的晶體管就會不合需要地被毀壞，并且會導(dǎo)致不能恢復(fù)的失效。為了提高晶體管的耐電壓，可以考慮延伸晶體管的柵極長度的方法。然而，當(dāng)使用這樣的方法時(shí)，不得不增加半導(dǎo)體器件的面積。因此，這種方法并不是很實(shí)際。
因此，將具有靜電放電(ESD)保護(hù)功能的保護(hù)電路連接到這樣的輸出端子部分(見日本平公開號Nos.4-354158和3-120751)。圖5示出了包括這樣的保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件500。
在半導(dǎo)體器件500中，輸出電路501和輸出端子部分OUT通過保護(hù)電阻R相互連接。在輸出端子部分OUT和電源VDD之間，提供有PN結(jié)二極管D51。在輸出端子部分OUT和地GND之間，提供有PN結(jié)二極管D52。這里，當(dāng)大于電源VDD電壓的正電壓(正電勢噪聲)施加到輸出端子部分OUT上時(shí)，二極管D51導(dǎo)通且正電勢噪聲被吸收到電源VDD中(即放電)。當(dāng)具有絕對值大于在地GND電壓的絕對值的負(fù)電壓(負(fù)電勢噪聲)施加到輸出端子部分OUT上時(shí)，二極管D52導(dǎo)電并且負(fù)電勢噪聲被地GND吸收。以這樣的一種方式，二極管D51和D52起到保護(hù)電路的作用。
圖6示出了半導(dǎo)體器件600作為包括保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件的示例。輸出電路601和輸出端子部分OUT通過保護(hù)電阻R相互連接。在輸出端子部分OUT和地GND之間，提供有穿通器件P61。在電源VDD和地GND之間，提供有穿通器件P62。穿通器件P61和P62起到保護(hù)電路的作用。
圖7示出了穿通器件P61和P62的等效電路圖。圖8示出了穿通器件P61和P62的截面圖。如圖8中所示，穿通器件P61和P62包括P襯底81，P+區(qū)82，和N+區(qū)83和84。柵極氧化物電容Csub添加在集電區(qū)C和基區(qū)B之間。P擴(kuò)散電阻Rsub添加在基區(qū)B和發(fā)射區(qū)E之間。
當(dāng)大于電源VDD電壓的正電壓(正電勢噪聲)施加到輸出端子部分OUT上時(shí)，正電勢噪聲就被施加到穿通器件P61的正極85，并且穿通現(xiàn)象就在集電區(qū)C和基區(qū)B之間產(chǎn)生。正電勢噪聲到達(dá)穿通器件P61的負(fù)極86(GND)，然后通過處于正向偏置狀態(tài)的穿通器件P62被吸收到電源VDD。當(dāng)具有絕對值大于地GND電壓的絕對值的負(fù)電壓(負(fù)電勢噪聲)施加到輸出端子部分OUT上時(shí)，負(fù)電勢噪聲就通過處于正向偏置狀態(tài)的穿通器件P61被吸收到地GND。
半導(dǎo)體器件也可以包括通過從外部施加等于或高于內(nèi)部晶體管耐壓的電源電壓而啟動(actuate)的輸出緩沖電路(見日本專利公開No.2000-278112)。
通常，在圖5和6中所示出的保護(hù)電路中，在二極管D51和D52的反向耐壓BVceo和穿通器件P61和P62之間的關(guān)系，電源VDD的電壓必須滿足下面的表達(dá)式(1)電源電壓≤BVceo…………(1)然而，在通過從外部施加等于或高于內(nèi)部晶體管的耐壓(等于BVceo的電壓)的電源電壓而啟動(actuate)的輸出緩沖電路中，輸出端子部分OUT就會根據(jù)外部電源電壓而擺動。因此，當(dāng)在這樣的輸出緩沖電路中提供保護(hù)電路時(shí)，保護(hù)電路的耐壓必須等于或者高于外部電源電壓。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括包括晶體管的第一電路；用于連接第一電路和施加有預(yù)定電壓的第二電路的端子部分；在端子部分和正電源之間串聯(lián)的多個(gè)第一保護(hù)部件；和多個(gè)在端子部分和負(fù)電源之間串聯(lián)的第二保護(hù)部分。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)定電壓是這樣的電壓，當(dāng)它施加到晶體管時(shí)，在晶體管的一末端處的電勢和在另一末端處的電勢之間的電勢差變得大于晶體管的耐壓。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)第一保護(hù)部件和多個(gè)第二保護(hù)部件的耐壓等于或者高于晶體管的耐壓。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)第一保護(hù)部件和多個(gè)第二保護(hù)部件分別是二極管。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一電路是輸出緩沖電路。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括包括晶體管的第一電路；用于連接第一電路和施加了預(yù)定電壓的第二電路的端子部分；在正電源和負(fù)電源之一和施加有第一電壓的電壓應(yīng)用部件之間串聯(lián)的多個(gè)第一保護(hù)部件；和在電壓應(yīng)用部件和端子部分之間串聯(lián)的多個(gè)第二保護(hù)部件。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，電壓應(yīng)用部件是正電源和負(fù)電源中的另一個(gè)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，預(yù)定電壓是這樣的電壓，當(dāng)它施加到晶體管上時(shí)，在晶體管的一個(gè)末端處的電勢和另一個(gè)末端處的電勢的電勢差變得比晶體管的耐壓更大。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)第一保護(hù)部件和多個(gè)第二保護(hù)部件的耐壓等于或高于晶體管的耐壓。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)第一保護(hù)部件和多個(gè)第二保護(hù)部件分別是穿通器件。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一電路是輸出緩沖電路。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括多個(gè)在端子部分和正電源之間串聯(lián)的第一保護(hù)部件；和在端子部分和負(fù)電源之間串聯(lián)的多個(gè)第二保護(hù)部件。即使當(dāng)從外部施加等于或者高于晶體管的耐壓的電壓時(shí)，此特性使得在電路中的晶體管受到保護(hù)。由于串聯(lián)連接多個(gè)第一保護(hù)部件，并且也串聯(lián)連接多個(gè)第二保護(hù)部件，即使當(dāng)?shù)扔诨蚋哂谝粋€(gè)保護(hù)部件的耐壓的電壓施加到端子部分時(shí)，保護(hù)部件仍具有足夠的保護(hù)功能。
并且，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括在正電源和負(fù)電源之一和施加有第一電壓的電壓應(yīng)用部件之間串聯(lián)的多個(gè)第一保護(hù)部件；和在電壓應(yīng)用部件和端子部分之間串聯(lián)的多個(gè)第二保護(hù)部件。即使當(dāng)?shù)扔诨蛘叽笥诰w管的耐壓的電壓從外部施加時(shí)，此特性使得在電路中的晶體管仍會受到保護(hù)。由于串聯(lián)連接多個(gè)第一保護(hù)部件，也串聯(lián)連接多個(gè)第二保護(hù)部件，即使當(dāng)?shù)扔诨蛘吒哂谝粋€(gè)保護(hù)部件的耐壓的電壓施加到端子部分時(shí)，保護(hù)部件仍然具有足夠的保護(hù)功能。
因此，即使當(dāng)從外部施加等于或者高于晶體管的耐壓的電壓時(shí)，在此描述的本發(fā)明具有就能夠提供包含可保護(hù)晶體管的保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件的優(yōu)點(diǎn)。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在閱讀和理解下面的參考附圖的詳細(xì)描述后，將會更加清楚本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件。
圖2示出了本發(fā)明的實(shí)施例1中的輸出緩沖電路。
圖3A示出了將輸入到輸入端子部分IN的信號的電壓。
圖3B示出了從輸出端子部分OUT輸出的信號的電壓。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件。
圖5示出了包括保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。
圖6示出了包括保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件的另一例子。
圖7示出了穿通器件的等效電路圖。
圖8示出了穿通器件的截面圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施例1)圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件100。
半導(dǎo)體器件100包括輸出緩沖電路200，輸入端子部分IN，輸出端子部分OUT，和多個(gè)二極管D1-D4。
輸出緩沖電路200通過保護(hù)電阻R和輸出端子部分OUT被連接到外部電路250。二極管D1和D2串聯(lián)，并正向(forward direction)連接在輸出端子部分OUT和正電源VGH之間。二極管D3和ID4串聯(lián)并正向連接在負(fù)電源VGL和輸出端子部分OUT之間。
例如二極管D1-D4是PN結(jié)二極管，并起到用于保護(hù)晶體管不受正電勢噪聲和負(fù)電勢噪聲的影響。在這個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)保護(hù)部件集體稱作保護(hù)電路。
外部電路250通過施加預(yù)定電壓被激活。在這個(gè)例子中，預(yù)定電壓是這樣的電壓，當(dāng)預(yù)定電壓施加到在輸出緩沖電路200中包含的晶體管(例如，晶體管NM1或PM2)上時(shí)，在晶體管一個(gè)末端(例如源電極)的電勢和在另一末端(例如漏電極)的電勢之間的電勢差變得比晶體管的耐壓更高。如本節(jié)中所述，等于或者高于晶體管的耐壓的電壓指這樣一種電壓，當(dāng)電壓施加到晶體管上時(shí)，在晶體管的一端和另一端的電勢差變得比晶體管的耐壓更高。
二極管D1的陽極連接到輸出端子部分OUT。二極管D1的陰極連接到二極管D2的陽極。二極管D2的陰極連接到正電源VGH。二極管D3的陽極連接到負(fù)電源VGL。二極管D3的陰極連接到二極管D4的陽極。二極管D4的陰極連接到輸出端子部分OUT。
圖2示出了輸出緩沖電路200。輸出緩沖電路200通過從外部施加等于或高于內(nèi)部晶體管的耐壓的電源電壓激活。輸出緩沖電路200包括反相器201和202，電平移相器203和204，N型晶體管NM1至NM3，和P型晶體管PM1至PM3。在這個(gè)例子中，邏輯電源VDD的電壓是3V，正電源VGH的電壓是+15V，負(fù)電源VGL的電壓是15V，且GND電壓是0V。
圖3A示出了將輸入到輸入端子部分IN的信號的電壓。圖3B示出了從輸出端子部分OUT輸出的信號的電壓。對于輸入端子部分IN，將具有如圖3A中所示的放大的3V的信號從前級邏輯電路(未示出)輸入。
當(dāng)在輸入端子部分IN處的電壓是GND電壓(OV)時(shí)，在節(jié)點(diǎn)2和4處的電壓變?yōu)?V，在節(jié)點(diǎn)3處的電壓變?yōu)?15V，和在節(jié)點(diǎn)5處的電壓變?yōu)?V。在這樣的狀態(tài)下，晶體管PM1，PM2和PM3都不導(dǎo)通。晶體管NM1，NM2和NM3導(dǎo)通。從外部端子部分OUT輸出如圖3B所示指示-15V的信號。
當(dāng)在輸入端子部分IN處的電壓為3V時(shí)，在節(jié)點(diǎn)2、3和4處的電壓變成GND電壓(0V)，在節(jié)點(diǎn)5處的電壓變成-15V。在這樣的狀態(tài)下，晶體管NM1，NM2和NM3不導(dǎo)通。晶體管PM1，PM2和PM3導(dǎo)通。從外部端子部分OUT輸出如圖3B中所示指示+15V的信號。
現(xiàn)在，串聯(lián)的晶體管NM1和NM2被認(rèn)為是一個(gè)組。當(dāng)在輸出端子部分OUT的電壓是+15V時(shí)，30V的最大電壓(即，電源電壓VGH-電源VGL電壓)可以施加到串連晶體管的兩個(gè)末端。這樣，如果晶體管PM1和PM2具有相同的晶體管尺寸，晶體管NM2和NM2具有相同的晶體管尺寸，那么一個(gè)晶體管所需要的耐受電壓就變?yōu)?VGH-VGL)/2＝15V。
例如，假定正電源VGH電壓為+15V，負(fù)電源VGL的電壓為-15V，并且在如圖1所示的半導(dǎo)體器件100中，所有的二極管D1至D4的耐壓都為20V。當(dāng)輸出端子部分OUT的電壓為+15V時(shí)，就將最大值30V的電壓施加到串連連接的二極管D3和D4上。然而，橫跨一個(gè)二極管的電壓為15V。這滿足了上述的表達(dá)式(1)。當(dāng)輸出端子部分OUT的電壓為-15V時(shí)，將最大值30V的電壓施加到串聯(lián)連接的二極管D1和D2。在這種情況下，橫跨一個(gè)二極管的電壓也是15V。這樣也滿足表達(dá)式(1)，因此就不會存在問題。當(dāng)正電壓(正電勢噪聲)的涌動電勢施加到外部端子部分OUT時(shí)，二極管D1和D2就導(dǎo)通，且正電勢噪聲被吸收到電源VGH。當(dāng)負(fù)電壓(負(fù)電勢噪聲)的涌動電勢施加到輸出端子部分OUT時(shí)，二極管D3和D4導(dǎo)通，且負(fù)電勢噪聲被吸收到電源VGL。二極管D1至D4可以分別具有等于或者高于在輸出緩沖電路200中的晶體管耐壓的耐壓，所以它們能耐受更強(qiáng)的噪聲。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件100包括在輸出端子部分OUT和正電源VGH之間串聯(lián)的多個(gè)二極管D1和D2；和在輸出端子部分OUT和負(fù)電源VGL之間串聯(lián)的多個(gè)二極管D3和D4。即使當(dāng)?shù)扔诨蛘吒哂谠谳敵鼍彌_電路200中的晶體管的耐壓的電壓從外部施加到輸出端子部分OUT時(shí)，這個(gè)特征使得在輸出緩沖電路200中的晶體管受到保護(hù)而不受電壓的影響。由于二極管D1和D2串聯(lián)連接，并且D3和D4也串聯(lián)連接，，因此即使當(dāng)?shù)扔诨蛘吒哂谝粋€(gè)二極管的耐壓的電壓從外部施加到輸出端子部分OUT時(shí)，二極管能充分地起到保護(hù)部分的作用。
實(shí)施例2圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件400。
半導(dǎo)體器件400包括輸出緩沖電路200，輸入端子部分IN，輸出端子部分OUT，和穿通器件P1至P4。與在圖1中所示的半導(dǎo)體器件100中包含的部件相同的在半導(dǎo)體器件400中包含的部件用相同的參考數(shù)字表示，并省略它的描述。
在本發(fā)明的實(shí)施例2中，輸出緩沖電路200也通過保護(hù)電阻R和輸出端子部分OUT連接到外部電路250(圖1)。
在正電源VGH和負(fù)電源VGL之間的穿通器件P1和P2串聯(lián)連接。在負(fù)電源VGL和輸出端子部分OUT之間的穿通器件P3和P4串聯(lián)連接。負(fù)電源VGL用作其上施加有負(fù)電壓的電壓應(yīng)用部件(voltage application section)。穿通器件P1至p4的結(jié)構(gòu)與圖8中所示的穿通器件P61和P62的結(jié)構(gòu)類似。
穿通器件P1至P4用作用于保護(hù)晶體管不受正電勢噪聲和負(fù)電勢噪聲影響的保護(hù)部件。在這個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)保護(hù)部件集中稱作保護(hù)電路。
要施加到外部電路250的預(yù)定電壓是這樣的電壓，當(dāng)預(yù)定電壓施加到包括在外部緩沖電路200中的晶體管(例如，晶體管NM1或PM2)上時(shí)，在晶體管的一個(gè)末端(例如源電極)處的電勢和在另一末端(例如漏電極)處的電勢之間的電勢差變得比晶體管的耐壓更大。
穿通器件P1的正極連接到正電源VGH，穿通器件P1的負(fù)極連接到地GND(第一中點(diǎn)電勢)。穿通器件P2的正極連接到地GND，穿通器件P2的負(fù)極連接到負(fù)電源VGL。穿通器件P3的正極連接到輸出端子部分OUT，穿通器件P3的負(fù)極連接到穿通器件P4的正極和節(jié)點(diǎn)1(第二中點(diǎn)電勢)。穿通器件P4的負(fù)極連接到負(fù)電源VGL。
例如，假定正電源VGH為+15V，負(fù)電源VGL的電壓為-15V，地GND的電壓為0V，以及所有穿通器件P1至P4的耐壓為20V。在這個(gè)實(shí)施例中，橫跨穿通器件P1至P4的電醫(yī)恒定并且為15V。當(dāng)輸出端子部分OUT的電壓為+15V時(shí)，最大值30V的電壓就被施加到串聯(lián)連接的穿通器件P3和P4，但是橫跨在一個(gè)穿通器件上的電壓為15V。這樣就滿足上述表達(dá)式(1)。當(dāng)高于正電源VGH的電壓的正電壓(正電勢噪聲)施加到外部輸出部分OUT時(shí)，正電勢噪聲穿過發(fā)生穿通現(xiàn)象的穿通器件P3和P4并到達(dá)負(fù)電源VGL。然后，正電勢噪聲穿過在正向偏壓狀態(tài)的穿通器件P2和P1，并且被吸收到電源VGH。可選擇地，正電勢噪聲從發(fā)生穿通現(xiàn)象的穿通器件P3，穿過晶體管NM1，PM2和PM1，并被吸收到正電源VGH。
當(dāng)具有大于負(fù)電源VGL的電壓絕對值的絕對值的負(fù)電壓(負(fù)電勢噪聲)施加到輸出端子部分OUT時(shí)，負(fù)電勢噪聲就穿過在正偏狀態(tài)下的穿通器件P4和P3，并被吸收到電源VGL。穿通器件P1至P4可以分別具有等于或者高于在輸出緩沖電路200中的晶體管的耐壓的耐壓，以使得它們能承受更強(qiáng)的噪聲。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件400包括在正電源VGH和電源應(yīng)用部件(在這個(gè)實(shí)施例中，施加有負(fù)電壓的負(fù)電源VGL)之間串聯(lián)的多個(gè)穿通器件P1和P2；和在電壓應(yīng)用部件和輸出端子部分OUT之間串聯(lián)的多個(gè)穿通器件P3和P4。這個(gè)特征使得即使當(dāng)?shù)扔诨蚋哂谠谳敵鼍彌_電路200中的晶體管的耐壓的電壓從外部施加到輸出端子部件OUT時(shí)，在輸出緩沖電路200中的晶體管被保護(hù)而不受電壓的影響。由于穿通器件P1和P2串聯(lián)連接，且穿通器件P3和P4也是串聯(lián)連接，因此即使當(dāng)?shù)扔诤透哂谝粋€(gè)穿通器件的耐壓的電壓從外部施加到輸出端子部件OUT時(shí)，穿通器件能充分的作為保護(hù)部件工作。
在本發(fā)明的實(shí)施例2中，將正電源VGH和負(fù)電源VGL連接到穿通器件P1和P2，并且P4可以被替換。在這樣的情況下，穿通器件的性能(例如，在穿通器件中包含的區(qū)的類型(P型，N型)，電極的極性，等等)可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)整以符合電源中的變化。
在本發(fā)明中，保護(hù)部件的電路并不局限于輸出緩沖電路，也可以是另一種電路。
并且，在本發(fā)明中，附加保護(hù)部件可以按需要連接到輸入端子部分。
此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件可以被移植到一個(gè)半導(dǎo)體芯片上，或者可以在多個(gè)半導(dǎo)體芯片上進(jìn)行分離并進(jìn)行移植。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括在端子部分和正電源之間串聯(lián)的多個(gè)第一保護(hù)部件；和在端子部分和負(fù)電源之間串聯(lián)的多個(gè)第二保護(hù)部件。即使當(dāng)?shù)扔诨蛘吒哂诰w管的耐壓的電壓從外部施加時(shí)，這個(gè)性能也會使在電路中的晶體管受到保護(hù)。由于多個(gè)第一保護(hù)部件串聯(lián)連接，且多個(gè)第二保護(hù)部件也串聯(lián)連接，因此即使當(dāng)?shù)扔诨蛘吒哂谝粋€(gè)保護(hù)部件的耐壓的電壓施加到端子部分時(shí)，保護(hù)部件具有足夠的保護(hù)功能。
并且，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括在正電源和負(fù)電源之一和施加有第一電壓的電壓應(yīng)用部件之間串聯(lián)的多個(gè)第一保護(hù)部件；和在電壓應(yīng)用部件和端子部分之間串聯(lián)的多個(gè)第二保護(hù)部件。即使當(dāng)?shù)扔诨蛘吒哂诰w管的耐壓的電壓從外部施加時(shí)，這個(gè)性能能夠使在電路中的晶體管受到保護(hù)。由于多個(gè)第一保護(hù)部件串聯(lián)連接且多個(gè)第二保護(hù)部件也串聯(lián)連接，因此即使當(dāng)?shù)扔诨蛘吒哂谝粋€(gè)保護(hù)部件的耐壓的電壓施加到端子部分時(shí)，保護(hù)部件也會具有足夠的保護(hù)功能。
如上所述，本發(fā)明在包括保護(hù)部件的半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中尤其有用。
在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，多種其它修改對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的。因此，并不表示附加的權(quán)利要求的范圍局限于在此提出的描述，而應(yīng)當(dāng)寬泛地解釋權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括包括晶體管的第一電路；用于連接第一電路和施加有預(yù)定電壓的第二電路的端子部分；在端子部分和正電源之間串聯(lián)的多個(gè)第一保護(hù)部件；在端子部分和負(fù)電源之間串聯(lián)的多個(gè)第二保護(hù)部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中預(yù)定電壓是這樣的電壓，當(dāng)它施加到晶體管上時(shí)，在晶體管的一個(gè)末端處的電勢和另一末端處的電勢之間的電勢差變得比晶體管的耐壓更大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中多個(gè)第一保護(hù)部件和多個(gè)第二保護(hù)部件的耐壓等于或者高于晶體管的耐壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中多個(gè)第一保護(hù)部件和多個(gè)第二保護(hù)部件分別是二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中第一電路是輸出緩沖電路。
6.一種半導(dǎo)體器件，包括包括晶體管的第一電路；用于連接第一電路和施加有預(yù)定電壓的第二電路的端子部分；在正電源和負(fù)電源之一和施加有第一電壓的電壓應(yīng)用部件之間串聯(lián)的多個(gè)第一保護(hù)部件；和在電壓應(yīng)用部件和端子部分之間串聯(lián)的多個(gè)第二保護(hù)部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中電壓應(yīng)用部件是正電源和負(fù)電源中的另一個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中預(yù)定電壓是這樣的電壓，當(dāng)它施加到晶體管時(shí)，在晶體管的一個(gè)末端處的電勢和另一個(gè)末端的電勢之間的電勢差比晶體管的耐壓更大。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中多個(gè)第一保護(hù)部件和多個(gè)第二保護(hù)部件的耐壓等于或者高于晶體管的耐壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中多個(gè)第一保護(hù)部件和多個(gè)第二保護(hù)部件分別是穿通器件。
11.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中第一電路是輸出緩沖電路。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件，包括包括晶體管的第一電路；用于連接第一電路和施加有預(yù)定電壓的第二電路的端子部分；在端子部分和正電源之間串聯(lián)的多個(gè)第一保護(hù)部件；和在端子部分和負(fù)電源之間串聯(lián)的多個(gè)第二保護(hù)部件。
文檔編號H03K19/0185GK1677672SQ20051007170
公開日2005年10月5日 申請日期2005年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月31日
發(fā)明者茂業(yè)敏彥 申請人:夏普株式會社