專利名稱：聲表面波器件的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及聲表面波器件的生產(chǎn)方法，確切地說，是諸如處理大約為幾GHz高頻的移動通訊的起分支濾波器等作用的聲表面波器件的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
使用只把其能量集中在結(jié)晶基片表面的聲表面波的聲表面波器件(SAW設(shè)備)包含比電磁波低大約10-5的傳播速度，而且該器件的尺寸可被減小。因此，它們最近在包括TV、VTR以及通訊設(shè)備的廣泛領(lǐng)域內(nèi)被應(yīng)用于濾波器、振蕩器、延遲元件等元件。其中，特別是在移動通訊領(lǐng)域，移動終端等經(jīng)常使用由尺寸減小后的聲表面波器件所組成的分支濾波器。
聲表面波器件具有一個壓電基片和兩組形成于壓電基片上并互相匹配的梳狀鋁(Al)電極。在壓電基片表面?zhèn)鞑サ穆暠砻娌ū讳X電極驅(qū)動或檢測。傳統(tǒng)上，聲表面波器件通過應(yīng)用磁控管濺射以恒定的膜形成速度在晶片狀壓電晶片上形成Al膜并通過應(yīng)用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)將Al膜制成為梳狀圖案來生產(chǎn)。用于諸如移動電話之類的移動終端的分支濾波器處理大約幾GHz的高頻，因此，梳狀A(yù)l電極必須具有高維度的精確度。特別地，梳狀A(yù)l電極的厚度與均勻性必須具有0.1nm數(shù)量級的準(zhǔn)確性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明用來解決上述背景技術(shù)的技術(shù)問題，而且本發(fā)明的一個目的是提供一種聲表面波器件的生產(chǎn)方法，該方法能夠精確控制金屬膜的厚度與晶片內(nèi)平面的均勻性。
為了達到該目的，本發(fā)明的特征是提供聲表面波器件的生產(chǎn)方法，包括在晶片狀壓電晶片上形成金屬膜以及選擇性地除去金屬膜以形成梳狀金屬電極。為了在壓電晶片上形成金屬膜，該方法以包括不同的晶片內(nèi)平面膜形成速度分布的兩種或多種膜形成模式來形成一部分的金屬膜并以固定的膜形成模式來形成金屬膜的其余部分。
附圖簡述

圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明實施例在聲表面波器件上電極圖案的平面圖；圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明實施例的聲表面波器件生產(chǎn)方法的流程圖；圖3是顯示在圖2所示的金屬膜形成過程中一個膜形成方法例子的圖；圖4是顯示根據(jù)圖3的膜形成方法形成于壓電基片(晶片)上的金屬膜的剖面圖；以及圖5到圖7顯示了在不同膜形成條件下形成的金屬膜的膜厚度分布。
實施本發(fā)明的最佳方式參考附圖，將對實現(xiàn)本發(fā)明的最佳方式(下文中，稱為“實施例”)作解釋。在附圖中，相同或相似的部分用相同或相似的標(biāo)記表示。附圖是典型的，而且必須指出的是，厚度和平面尺寸之間的關(guān)系、層之中的厚度比等是不等同于實際的。因此，必須考慮下述的解釋來判斷具體的厚度與尺寸。通常，在圖中的尺寸關(guān)系和比率是彼此不同的。
在一晶片上同時形成多個根據(jù)實施例的聲表面波器件。如圖1所示，聲表面波器件具有一壓電晶片4和在壓電晶片4上預(yù)先設(shè)置形狀的金屬膜。該金屬膜具有兩對互相匹配的梳狀金屬電極8、分別與各個金屬電極8連接的電極引腳9以及設(shè)置在金屬電極8兩端的反射體10。金屬電極8具有形成該匹配梳狀部分的電極叉指11。聲表面波單獨的輸入/輸出終端是可與電極引腳9相連接的。反射體10由多種金屬組成，每種都具有縱橫比大的矩形平面形狀。壓電晶片1是鉭酸鋰(LiTaO3)基片。金屬膜是由添加了0.5w/t％銅(Cu)的99.5w/t％的鋁(Al)制成。
在壓電基片4表面?zhèn)鞑サ穆暠砻娌ū唤饘匐姌O8的電極叉指11所激勵或檢測。因此，平面尺寸，即電極叉指11的縱向和橫向的尺寸以及相鄰電極叉指11之間間距的尺寸通過已知的圖案形成技術(shù)精確地控制。
參考圖2，將對圖1的聲表面波器件的生產(chǎn)方法作出解釋。
(A)在步驟S1，在金屬膜形成設(shè)備中設(shè)置晶片狀壓電基片4，從而為在壓電基片4上形成金屬膜作好準(zhǔn)備。根據(jù)實施例，金屬膜形成設(shè)備是能獲得高速濺射技術(shù)的磁控管型濺射設(shè)備，從而產(chǎn)生與目標(biāo)平面平行的磁場，通過利用捕捉到的二次電子來提高離子化，并提高沉積速度。
磁控管型濺射設(shè)備是適合于在具有熱電性的壓電基片上形成金屬膜的設(shè)備。磁控管型濺射設(shè)備采用由添加了0.5w/t％Cu的99.5w/t％Al制成的目標(biāo)。在設(shè)備中所產(chǎn)生平行于目標(biāo)表面的磁場，在目標(biāo)表面上形成了圓形的侵蝕槽。該侵蝕槽是當(dāng)目標(biāo)濺射金屬時形成的槽。改變侵蝕槽的直徑(下文中稱為“侵蝕直徑”)將改變金屬膜形成速度和晶片內(nèi)平面膜形成速度的分布。侵蝕直徑可根據(jù)平行于目標(biāo)表面的電磁場的強度而變化。通常，如果侵蝕直徑被減小了(磁場強度被增加了)，則在晶片中央部分的膜形成速度變得比晶片邊緣部分的快。如果侵蝕直徑被增加了(磁場強度被減弱了)，則在晶片中央部分的膜形成速度變得比晶片邊緣部分的慢。隨著侵蝕直徑的變小，在晶片上的膜形成速度增加了。
(B)在步驟S2，金屬膜的形成開始了。更精確地說，DC電源對設(shè)置在磁控濺射設(shè)備中的陰極和陽極之間施加一電壓，從而在產(chǎn)生等離子體、濺射目標(biāo)金屬，并開始在壓電晶片1上沉積濺射出來的金屬。
(C)在步驟S3(速度可變的膜形成過程)，以包括不同晶片內(nèi)平面的膜形成速度分布的兩種或更多種膜形成模式來形成一部分金屬膜?！靶纬梢徊糠纸饘倌ぁ笔侵福捎盟俣瓤勺兊哪ば纬蛇^程來形成一部分最終金屬膜。用于此處的包括不同晶片內(nèi)平面的膜形成速度分布的兩種或多種膜形成模式如下<1>一種膜形成模式(A-模式)，其中，在晶片2中央部分的膜形成速度VC比在晶片2邊緣部分的膜形成速度VP要快；<2>一種膜形成模式(F-模式)，其中，膜形成速度VC比膜形成速度VP慢；以及<3>第三種膜形成模式(E-模式)，其中，通過從膜形成速度VC減去膜形成速度VP得到的膜形成速度差v，比A-模式的速度要小，但比F-模式的速度要大。
每種膜形成模式都包括不同的侵蝕直徑。當(dāng)根據(jù)A-模式的侵蝕直徑對侵蝕直徑進行標(biāo)準(zhǔn)化時，F(xiàn)-模式具有4.6的標(biāo)準(zhǔn)化侵蝕直徑RE，E-模式具有3.6的RE。在速度可變的膜形成過程中，循環(huán)地重復(fù)這三種膜形成模式以形成一部分金屬膜。
更精確地，步驟S3由步驟S31到S35組成。在步驟S31中，以E-模式形成金屬膜。在步驟S32中，以F-模式形成金屬膜。在步驟S33中，以E-模式形成金屬膜。在步驟S34中，以A-模式形成金屬膜。在步驟S35中，判定循環(huán)步驟S31到S34是否已重復(fù)了N次。如果還沒有重復(fù)N次(在步驟S35中為否)，則該流程返回到步驟S31從而重復(fù)步驟S31到S34。這里，N是等于或大于1的自然數(shù)。根據(jù)實施例以及在以下的解釋中，N＝7。如果循環(huán)步驟S31到S34已重復(fù)了7次(在步驟S35中為是)，則該流程轉(zhuǎn)到步驟S4。
(D)在步驟S4中(速度固定的膜形成過程)，以固定的膜形成模式形成金屬膜的其余部分?！靶纬山饘倌さ钠溆嗖糠帧笔侵福运俣裙潭ǖ哪ば纬晒に噥碇瞥勺罱K金屬膜的其余部分，不包括在速度可變的膜形成過程中已形成的部分。形成其余部分金屬膜的固定的膜形成模式是E-模式。如上所述，在E-模式中，通過從膜形成速度VC減去膜形成速度VP得到的膜形成速度差v，比A-模式的速度小，比F-模式的速度大。也就是說，E-模式是一種在晶片中央和邊緣部分的速度之間的膜形成速度差的絕對值(|v|)小于A-模式和F-模式形成速度的膜形成模式。
(E)在完成步驟S4后的步驟S5中，關(guān)閉磁控管型濺射設(shè)備以完成金屬膜的形成。上述的步驟S1到S5在晶片2上形成了由于膜形成模式而具有多層結(jié)構(gòu)的金屬膜。
(F)最后，形成于壓電晶片1上的多層金屬膜在金屬膜濺射過程中通過預(yù)定的光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)形成圖案，從而形成具有如圖1B所示的所需要平面形狀的金屬電極8。通過上述的S1到S6，生產(chǎn)了圖1A和圖1B中所示的聲表面波器件1。
接下來，參考圖3，對速度可變的膜形成過程(S3)和速度固定的膜形成工藝(S4)的侵蝕直徑方面作詳細的討論。在圖3所示的圖表中，縱坐標(biāo)表示侵蝕直徑(具有標(biāo)準(zhǔn)值)，橫坐標(biāo)表示已消耗的時間。侵蝕直徑的值用為1的A-模式侵蝕直徑來進行標(biāo)準(zhǔn)化。如上所述，侵蝕直徑可根據(jù)平行于目標(biāo)表面的磁場強度來調(diào)節(jié)。
在開始了金屬膜的形成(S2)之后，侵蝕直徑(RE)在E-模式下被設(shè)為3.6(S31)。緊接其后，侵蝕直徑(RE)在F-模式下被設(shè)為4.6(S32)。在E-模式下(S33)，侵蝕直徑(RE)被設(shè)為3.6。在A-模式下(S34)，侵蝕直徑(RE)被設(shè)為1.0。這些臨時的侵蝕直徑變化形成了一個循環(huán)并被重復(fù)7次。在完成了7個循環(huán)之后，侵蝕直徑在E-模式下被設(shè)為3.6(S4)。通過這種方式，侵蝕直徑(RE)被循環(huán)地改變，以完成圖3所示的速度可變的膜形成過程(S3)和速度固定的膜形成過程(S4)。
接著，參考圖4，將解釋通過速度可變的膜形成過程(S3)和速度固定的膜形成過程(S4)來形成的金屬膜的剖面結(jié)構(gòu)。圖4示出了在執(zhí)行步驟S6的濺射過程前金屬膜3的結(jié)構(gòu)。為了清楚地示出晶片上中央部分和邊緣部分之間的金屬膜厚度差，圖4所示的晶片2和金屬膜3的縱橫比與實際的顯著不同。如圖4所示，金屬膜3由通過速度可變的膜形成過程(S3)形成的膜和通過速度固定的膜形成過程(S4)形成的膜組成。在晶片2上，通過速度可變的膜形成過程(S3)來形成該膜，并在其上，通過速度固定的膜形成過程(S4)形成膜。通過速度可變的膜形成過程(S3)得到的膜由多層分別形成于第一到第七循環(huán)的膜構(gòu)成。每個循環(huán)的膜還包括多層分別形成于步驟S31到S34的膜。
在步驟S31以E-模式形成的膜(下文中稱為“S31(E-模式)膜”)包括在晶片2的中央和邊緣部分之間基本無膜厚差。在S32(F-模式)膜中，在晶片2中央部分的膜厚比其邊緣部分的膜厚要薄。S33(E-模式)膜就像S31(E-模式)膜。在S34膜(A-模式)中，晶片2中央部分的膜厚比其邊緣部分的膜厚要厚。通過這種方式，以各種膜形成模式所制成的膜具有不同的晶片內(nèi)平面的膜厚分布。
第一循環(huán)(S31到S34)膜在晶片2的中央和邊緣部分之間基本無膜厚差并顯示了平均的晶片內(nèi)平面的膜厚分布。第二到第七循環(huán)膜就像第一循環(huán)膜。也就是說，結(jié)合兩個或更多包括不平均晶片內(nèi)平面的膜厚分布的膜形成模式(A-模式和F-模式)以及一種包括平均晶片內(nèi)平面的膜厚分布的膜形成模式(E-模式)，等效于以一個循環(huán)形成的金屬膜的晶片內(nèi)平面的膜厚分布。膜形成模式(A-模式和F模式)具有相對的膜厚分布。也就是說，如上所述，A-模式在晶片2中央部分具有的膜形成速度VC快于在晶片2邊緣部分的膜形成速度VP，而F-模式示出了比膜形成速度VP慢的膜形成速度VC。
這里所述的例子從三個膜形成模式，即A-模式、F-模式和E-模式形成了一個循環(huán)?？梢詮脑撗h(huán)中排除顯示均勻晶片內(nèi)平面厚膜分布的膜形成模式(E-模式)并形成具有兩個或更多顯示非均勻晶片內(nèi)平面厚膜分布的膜形成模式(A-模式和F-模式)的循環(huán)。在這種情況下，調(diào)節(jié)每個模式的膜形成時間將等效于在每次循環(huán)中形成的金屬膜的晶片內(nèi)平面的膜厚分布。
例如，所形成金屬膜3的厚度是185nm，且每次循環(huán)均形成25nm厚的膜。在這種情況下，重復(fù)上述循環(huán)7次。結(jié)果，形成具有均勻膜厚分布的膜25×7＝175nm的厚度。隨后，在速度固定的膜形成過程(S4)中形成10nm厚的剩余膜，以提供具有總膜厚為25×7+10＝185nm的金屬電極。通過這種方式，能夠形成具有均勻晶片內(nèi)平面膜厚分布的金屬膜的速度可變的膜形成過程(S3)被應(yīng)用以形成金屬膜3從而達到接近的所需膜厚，并應(yīng)用了速度固定的膜形成過程(S4)以對金屬膜3進行最終精細的膜厚調(diào)節(jié)。
為了等效于在每次循環(huán)的晶片上形成的金屬膜的晶片內(nèi)平面膜厚分布，必須調(diào)節(jié)構(gòu)成循環(huán)的每種膜形成模式(A-模式和E-模式)的膜形成時間。也就是說，必須提前掌握每種膜形成模式的晶片內(nèi)平面的膜形成速度分布是怎樣的。另外，用于速度固定的膜形成過程(S4)以對金屬膜3進行厚度的最終精細調(diào)節(jié)的膜形成模式較佳要求具有足夠低的膜形成速度。因此，本發(fā)明人測量了每種膜形成模式的晶片內(nèi)平面的膜形成速度分布。
該測量是在具有多個侵蝕直徑的膜形成模式下進行的。在每種膜形成模式下，在給定時間內(nèi)在標(biāo)準(zhǔn)樣本上形成金屬膜(Al膜)，并測量其厚度。侵蝕直徑是采用施加于用于濺射的電磁鐵的電流值來控制。一種使用的測量設(shè)備是輪廓曲線儀(制造商KLA Tencor，型號P-10)。該輪廓曲線儀采用探針掃描晶片以測量晶片表面的不規(guī)則性。該探針根據(jù)表面的不規(guī)則性上下移動，從而改變連接于探針底部的電容值。該電容值的變化作為電信號被讀取，以測量表面的不規(guī)則性。晶片上的同一位置被測量10次并計算其平均值。
如圖5所示，膜厚測量位置有5個，包括直徑為50mm的晶片2的中央部分P3、偏離中央部分40mm的邊緣部分(P1和P5)以及偏離中央部分20mm的中間部分(P2和P4)。如圖6所示，以六種膜形成模式A到F來測量膜厚分布。在圖6中示出了膜形成模式的侵蝕直徑(標(biāo)準(zhǔn)化的值)。每個侵蝕直徑值是A-模式下為1值的標(biāo)準(zhǔn)化值。
如圖7所示，具有最小侵蝕直徑的A模式下的膜厚分布顯示出，在晶片中央部分的膜厚要厚于邊緣部分的，而且具有與其它膜形成模式相比最大的膜厚差值。A-模式下在晶片上方的膜形成速度是所有模式中最快的。隨著侵蝕直徑的增加，晶片中央和邊緣部分之間的膜厚差值變小了，而且晶片上方的膜形成速度變慢了。具有最大侵蝕直徑的F-模式的膜厚分布顯示出，在晶片中央部分的膜厚比邊緣部分的薄，而在晶片上方的膜形成速度是所有模式中最慢的。根據(jù)在F-模式下形成的位置P3坐標(biāo)處的膜厚值對膜厚值進行標(biāo)準(zhǔn)化。
為了對金屬膜3膜厚進行最終的精細調(diào)節(jié)，用于速度固定的膜形成過程(S4)的膜形成模式的膜形成速度必須等于或低于150nm每分鐘，且較佳地，等于或低于100nm每分鐘。該膜形成速度是晶片中央部分(P3)和邊緣部分(P1和P5)的膜形成速度的平均值。在速度固定的膜形成過程(S4)中的晶片內(nèi)平面的膜厚分布(|W|)較佳地等于或低于12％，更佳地，等于或低于11％。該晶片內(nèi)平面的厚度分布W被定義為W＝(Tc.Tp)/(Tc+Tp)，其中，Tc是晶片中央部分P3的膜厚，Tp是晶片邊緣部分(P1或P5)的厚膜。滿足上述在速度固定的膜形成過程中的膜形成條件的膜形成模式是D-模式、E-模式和F-模式。在它們當(dāng)中，實施例選擇了E-模式。同樣，可在速度固定的膜形成過程中應(yīng)用D-模式或F-模式來代替E-模式。
在速度可變的膜形成過程中構(gòu)成循環(huán)的膜形成模式(A、E和F)的膜形成時間比可根據(jù)圖7所示的測量結(jié)果來設(shè)定。更精確地，為了使具有F-模式的膜厚分布WF能抵消掉A-模式的膜厚分布WA，即為了滿足WA+WF＝0，設(shè)定A-模式的膜形成時間長于F-模式的膜形成時間，從而使每個循環(huán)中的膜厚分布等效。
如上所述，以具有不同晶片內(nèi)平面膜厚分布(速度可變的膜形成過程)的兩種或更多膜形成模式(A-模式、E-模式和F模式)形成一部分金屬膜3，能夠精確地控制部分金屬膜3的晶片內(nèi)平面的膜厚分布。在固定的膜形成條件(E-模式)下形成其余部分的金屬膜3能夠精確地控制金屬膜3的最終厚度。
(其它實施例)以上已結(jié)合一個實施例描述了本發(fā)明。構(gòu)成該內(nèi)容部分的描述和附圖不能被理解成，它們限制了本發(fā)明。根據(jù)該內(nèi)容，技術(shù)熟練人士可對多種形式、實施例和應(yīng)用技術(shù)進行分類。
諸如在實施例中提到的壓電基片1之類部分的材料和特性只是例子，可對它們進行替換以提供本發(fā)明的相同效果。例如，根據(jù)實施例，壓電基片4的材料是鉭酸鋰(LiTaO3)。但是，該基片可以是鈮酸鋰(LiNbO3)基片、四硼酸鋰(LiB4O7)基片、或由諸如藍寶石和晶體之類的其它材料制成的壓電基片。已結(jié)合由99.5w/t％Al和0.5w/t％Cu的合金制成的金屬膜對實施例進行了解釋。同樣可以的是由無添加劑或有其它金屬添加劑或具有不同于上述值的合成物比的Al制成的電極膜。
根據(jù)實施例，直接在壓電基片1上形成金屬膜。也可能在壓電基片1和金屬膜之間形成由，比如鈦(Ti)或鉭(Ta)制成的阻擋金屬膜。
此外，根據(jù)本實施例，速度可變的膜形成過程可循環(huán)執(zhí)行，且隨后進行速度固定的膜形成過程?？商鎿Q地，速度固定的膜形成過程可以首先進行，隨后可以進行速度可變的膜形成過程。在速度可變的膜形成過程中，以E-模式、F模式和A模式的順序改變膜形成的速度。該順序并非僅限于此而且可以改變。代替A、E和F模式，可以應(yīng)用其它圖6中所示的膜形成模式。
同樣，根據(jù)實施例，通過調(diào)節(jié)濺射設(shè)備中磁場的強度來決定侵蝕直徑?？梢源嬲{(diào)節(jié)磁場強度，通過調(diào)節(jié)磁控管型濺射設(shè)備的濺射電源來決定侵蝕直徑。
通過這種方式，必須理解的是，本發(fā)明覆蓋了這里未提到的多個實施例。因此，本發(fā)明只受本發(fā)明限定細節(jié)的限制，該細節(jié)與該內(nèi)容有關(guān)并在權(quán)利要求中作了限定。
權(quán)利要求
1.一種聲表面波器件的生產(chǎn)方法，包括在壓電基片上形成金屬膜并選擇性地除去金屬膜以形成梳狀金屬電極，其中在壓電基片上形成金屬膜的過程包含第一過程，通過循環(huán)重復(fù)兩種或更多包含不同晶片內(nèi)平面膜形成速度分布的膜形成模式來制成膜；以及第二過程，以固定的膜形成模式制成膜。
2.如權(quán)利要求1所述的聲表面波器件的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括不同晶片內(nèi)平面膜形成速度分布的兩種或更多膜形成模式包括第一膜形成模式，其中，在晶片中央部分的膜形成速度比晶片邊緣部分的膜形成速度快；以及第二膜形成模式，其中，在晶片中央部分的膜形成速度比晶片邊緣部分的膜形成速度慢。
3.如權(quán)利要求2所述的聲表面波器件的生產(chǎn)方法，其特征在于，第二過程中的固定的膜形成模式是一種這樣的膜形成模式，其中，通過從晶片中央部分的膜形成速度減去晶片邊緣部分的膜形成速度所得的膜形成速度差v，小于第一膜形成模式的膜形成速度，大于第二膜形成模式的膜形成速度。
4.一種聲表面波器件的生產(chǎn)方法，包括在壓電晶片上形成金屬膜并選擇性地除去金屬膜以形成梳狀金屬電極，其中在壓電晶片上形成金屬膜的過程包含第一過程，形成兩種或更多包括不同晶片內(nèi)平面膜形成速度分布的膜形成模式；以及第二過程，以在150nm/分鐘或更慢的平均膜形成速度下的膜形成模式制成膜。
5.如權(quán)利要求4所述的聲表面波器件的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括不同晶片內(nèi)平面膜形成速度分布的兩種或更多膜形成模式包括第一膜形成模式，其中，在晶片中央部分的膜形成速度比晶片邊緣部分的膜形成速度快；以及第二膜形成模式，其中，在晶片中央部分的膜形成速度比晶片邊緣部分的膜形成速度慢。
6.如權(quán)利要求5所述的聲表面波器件的生產(chǎn)方法，其特征在于，第二過程中的膜形成模式是一種這樣的膜形成模式，其中，通過從晶片中央部分的膜形成速度減去晶片邊緣部分的膜形成速度所得的膜形成速度差v，小于第一膜形成模式的膜形成速度，大于第二膜形成模式的膜形成速度。
7.一種聲表面波器件的生產(chǎn)方法，包括采用磁控管濺射技術(shù)在壓電晶片上形成金屬膜并選擇性地除去金屬膜以形成梳狀金屬電極，其中在壓電晶片上形成金屬膜的過程包含第一過程，通過循環(huán)改變目標(biāo)上的侵蝕直徑來形成膜；以及第二過程，以固定的侵蝕直徑形成膜。
8.如權(quán)利要求7所述的聲表面波器件的生產(chǎn)方法，其特征在于，在第一過程中循環(huán)改變的侵蝕直徑包括第一侵蝕直徑，它所具有的在晶片中央部分的膜形成速度比晶片邊緣部分的膜形成速度快；以及第二侵蝕直徑，它所具有的在晶片中央部分的膜形成速度比晶片邊緣部分的膜形成速度慢。
9.如權(quán)利要求8所述的聲表面波器件的生產(chǎn)方法，其特征在于，第二過程中的固定侵蝕直徑是這樣的侵蝕直徑，其中，通過從其晶片中央部分的膜形成速度減去其晶片邊緣部分的膜形成速度所得的膜形成速度差v，小于第一膜形成模式的膜形成速度，大于第二膜形成模式的膜形成速度。
全文摘要
一種用于移動通訊領(lǐng)域內(nèi)處理幾GHz高頻波的分支濾波器的聲表面波器件，可采用在晶片狀壓電基片上形成金屬膜并選擇性地除去金屬膜以形成梳狀金屬電極的方法來制造。在該金屬膜的形成中，它的一部分以在晶片平面內(nèi)具有不同膜形成速度分布的兩種或更多膜形成模式來制成，而其余的部分以預(yù)定的膜形成模式制成。晶片平面內(nèi)金屬膜的膜厚分布可高度精確地進行控制。通過制成金屬膜的其余部分，金屬膜的最終厚度可高度精確地進行控制。
文檔編號H03H3/00GK1439191SQ01811768
公開日2003年8月27日 申請日期2001年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月26日
發(fā)明者高木利幸 申請人:株式會社東芝