專利名稱：集成的雙頻噪聲衰減器和瞬態(tài)抑制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有變阻器屬性的分流裝置或衰減裝置，更具體來講，本發(fā)明涉及一種小型化的陶瓷裝置，用于衰減多個(gè)(至少為兩個(gè))離散頻率上的噪聲，并能瞬態(tài)抑制電壓尖脈沖和電流尖脈沖。該裝置的一個(gè)特定應(yīng)用是作為所謂雙模蜂窩電話中的噪聲衰減器和變阻器，但不局限于此，其中，所謂的雙模蜂窩電話既具有數(shù)字輸出，也具有模擬量輸出。在這種類型的裝置中，信號發(fā)射是在兩個(gè)離散的頻率上同時(shí)進(jìn)行的，因而就希望能將兩頻率中的每一個(gè)產(chǎn)生的“噪聲”衰減到最小，同時(shí)，能保護(hù)電路免受電壓尖脈沖和電流尖脈沖的沖擊，尖脈沖是由靜電放電等外部信號源或電池峰躍等內(nèi)部信號源引發(fā)的。
背景技術(shù)：
對于近來出現(xiàn)的雙模蜂窩電話，通常的設(shè)計(jì)是設(shè)置分開的LC(電感—電容)網(wǎng)絡(luò)，特制這些電路網(wǎng)絡(luò)來分別衰減(旁路接地)數(shù)字發(fā)射電路和模擬發(fā)射電路所產(chǎn)生的噪聲。目前的趨勢是小型化，對利用連接到主板上的多個(gè)散布器件的需求并不受歡迎，原因在于，多個(gè)器件將占據(jù)珍貴的“地理空間”。
可能更為重要的是，對于蜂窩電話技術(shù)中所采用的超高頻率(例如，模擬發(fā)射頻率為900MHz，數(shù)字發(fā)射頻率為1.9GHz)，由于連接到各個(gè)獨(dú)立器件的引線電路自身起電感器的作用，所以包含引線電路會造成電感有很大的變化。
在現(xiàn)有技術(shù)中公知各種形式的電路，下面列出美國專利文獻(xiàn)中的一些舉例。
美國專利US 5430601中公開了一種多層電容器(MLC)，該電容器包括連接電阻。
美國專利US 5170317中公開了一種MLC，除了包括主電極之外，還包括比主電極狹窄的“修正”電極，從而使電容器具有精確的電容量。
美國專利US 4758922公開了一種U形帶狀線，起諧振元件(電容器)的作用，并具有接地層以及插布的介電層。
美國專利US 4479100涉及一種阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)包括多個(gè)具有不同橫截面積的電極。這些電極可與主電極并聯(lián)，從而提供選定的所需電容量。
美國專利US 4074340公開了一種MLC，包括向整體側(cè)面延伸的調(diào)節(jié)電極。通過使外部的調(diào)節(jié)電極與主電極連接或斷開來進(jìn)行電容量的調(diào)節(jié)。
美國專利US 4048593和US 2758256中公開了在單一基片上設(shè)置多個(gè)離散的電容器的原理。
與本申請有共同申請人的美國專利US 5898562公開了利用U形的電極，通過設(shè)置兩個(gè)不同的重疊區(qū)而在一個(gè)裝置中制出兩個(gè)離散的、具有不同電容值的電容器的原理。
上述這些美國專利所公開的全部內(nèi)容都在此引入，作為參考。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種集成的陶瓷雙頻噪聲衰減裝置，該裝置能提供瞬態(tài)能量保護(hù)。更具體來講，本發(fā)明涉及一種衰減裝置，該裝置適于在多個(gè)離散的頻率提供低阻抗接地電路，另外還適于提供免受可能傳到裝置上的電壓尖脈沖和電流尖脈沖沖擊的保護(hù)。
更具體來講，本發(fā)明涉及一種具有變阻器特性的雙頻分流裝置，其特征在于，這種裝置的制造非常簡單，并提供了精密的、并準(zhǔn)確地受控的雙LC電路。
更具體來講，本發(fā)明涉及一種單層或多層的、具有變阻器特性的分流裝置，該裝置尤其適于用來過濾噪聲和提供瞬態(tài)能量保護(hù)，這種裝置的實(shí)施例包括成對位于陶瓷半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的U形電極。每個(gè)電極包括一基部和從該基部延伸出的一對分支部分。在陶瓷結(jié)構(gòu)中，每個(gè)基部設(shè)置在各自層的邊緣處，每個(gè)U形電極的分支指向相對的U形電極的基部，電極被布置在陶瓷半導(dǎo)體中各層的上表面上。
本發(fā)明其它的目的和優(yōu)點(diǎn)在下文的詳細(xì)說明中闡述，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可從該詳細(xì)說明中明白這些目的和優(yōu)點(diǎn)。此外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員還可以領(lǐng)會，利用本文中所列出的參考資料，在不悖離本發(fā)明思想和保護(hù)范圍的前提下，可在本發(fā)明的多種實(shí)施例和應(yīng)用中對本文中具體表示、參照、討論的特征和步驟進(jìn)行改動(dòng)和變型。這樣的變型可包括表示、參照或討論的等效裝置和特征、材料或步驟的替換；對各個(gè)部件、特征、步驟等進(jìn)行功能上、操作上或位置上的變換，但并不局限于此。
更進(jìn)一步，可以理解，本發(fā)明的不同實(shí)施例、以及現(xiàn)在優(yōu)選的本發(fā)明的不同實(shí)施例包括了目前公開的特征、步驟、元件的各種組合或構(gòu)造，或其等效物(包括在附圖中未明確表示、或在詳細(xì)說明中未提到的特征或步驟的組合，或其結(jié)構(gòu))。
反映這種示例性裝置的特點(diǎn)的特征在于，由一對分支限定的重疊區(qū)不同于由第二對分支限定的重疊區(qū)，從而形成兩個(gè)離散的電容值?？赏ㄟ^將一對分支的長度設(shè)計(jì)成大于另一對分支的長度、或者是通過將一對相重疊分支的寬度設(shè)計(jì)成大于另一對分支的寬度、或者是將這兩方面結(jié)合起來而獲得不同的重疊區(qū)。
反映本發(fā)明示例性實(shí)施例特點(diǎn)的另外一個(gè)特征在于，U形電極的支干與U形電極的基部連接起來形成的組合物，起到電感器的作用，由此，通過設(shè)置上述的U形電極組合件，自然形成了這樣一種電路兩個(gè)具有不同電容值的電容器并聯(lián)在一起，并與一對電感器串聯(lián)，其中的電感器是由電極限定成的，電極還與U形結(jié)構(gòu)的基部一起形成了電容。有差異的電容量是通過使U形電極一側(cè)的重疊分支要長于相對一側(cè)的重疊分支實(shí)現(xiàn)的，在此情況下，由于較長的分支具有較長的導(dǎo)電通路，所以自然與此成比例地具有較大的電感。
本發(fā)明的另一個(gè)特征在于，由于電極為U形結(jié)構(gòu)，為了通過延長U形電極的基部來增大電感，因而，在無需相當(dāng)大地增大電容量的同時(shí)，有效地單獨(dú)增大了電感。
反映本發(fā)明裝置示例性實(shí)施例特點(diǎn)的另一特征在于，用半導(dǎo)體材料替代電介質(zhì)，而在此前用電介質(zhì)來構(gòu)造電容器，具有介電特性的半導(dǎo)體材料使得裝置在低于半導(dǎo)體材料擊穿電壓的電壓電平下具有電容器的作用，且半導(dǎo)體材料在達(dá)到或高于其擊穿電壓的電壓電平下具有導(dǎo)電的屬性，從而使該裝置用作變阻器。
本發(fā)明的裝置提供了一種緊湊而又易于制造的器件，在單一芯片中就能實(shí)行理想的分流和噪聲衰減，并具有變阻器的特性，該芯片僅有兩條引線(面安裝或線安裝)與主板相連。通過將外部導(dǎo)電通路減到最少，就能在很大程度實(shí)行對該分流裝置特性的控制。這與采用離散電容器和電感器的分流技術(shù)相反，在采用離散器件的情況下，必然需要在PC主板上設(shè)置加長的導(dǎo)電通路，因而，就或多或少地需要設(shè)置可控電感。
根據(jù)本發(fā)明，目的是提供一種易于制造的集成芯片裝置，該裝置尤其適于作為多個(gè)離散頻率上的分流裝置或噪聲衰減裝置，同時(shí)還能作為變阻器來保護(hù)電路免受電壓尖脈沖和電流尖脈沖的沖擊。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種上述種類的裝置，其中，該裝置的電容值和電感值能精確地確定，且該裝置符合高效利用所連接主板的地理空間的要求。
本發(fā)明的另一方面致力于將雙頻噪聲衰減裝置與變阻器的瞬態(tài)能量特性集成在一起。變阻器的保護(hù)特性是通過用氧化鋅(ZnO)等半導(dǎo)體材料取代電介質(zhì)獲得的，否則要用電介質(zhì)來構(gòu)造電容器。
本發(fā)明的其它實(shí)施例沒有必要在此總結(jié)部分中進(jìn)行介紹，這些實(shí)施例可包括和引入在上文總結(jié)的發(fā)明目的中提到的多方面特征、和/或在該申請中討論的另外一些特征的各種混合和結(jié)合。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀了本說明的下文部分后，可對這些實(shí)施例以及其它一些實(shí)施例的特征和各個(gè)方面有更好的理解，其中的實(shí)施例也包括制造方法。


在下面的具體描述中，針對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，參照附圖對本發(fā)明作了完整而有效的公開，此公開內(nèi)容包括本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，在附圖中圖1是一分解透視圖，示出了本發(fā)明的示例性裝置；圖2和圖3為俯視圖，分別示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性裝置中的上電極和下電極；圖4是圖1所示的本發(fā)明示例性裝置的電路原理圖；圖5和圖6為俯視圖，分別示出了下文將要詳細(xì)討論的本發(fā)明示例性裝置的上電極和下電極；圖7和圖8為俯視圖，分別示出了設(shè)置在示例性裝置中的上電極和下電極，圖中表示出了兩電極各具體位置上的特定尺寸，其中，根據(jù)本發(fā)明的該示例性裝置是結(jié)合圖5和圖6進(jìn)行討論的；圖9是一個(gè)示意性的分解透視圖，示出了結(jié)合圖5到圖8所討論的本發(fā)明示例性裝置；圖10是結(jié)合圖5到圖9所討論的本發(fā)明示例性裝置的電路原理圖；圖11的圖線表示了結(jié)合圖5到圖10所說明的本發(fā)明示例性裝置的衰減與頻率的關(guān)系曲線。
下文中將重復(fù)使用附圖標(biāo)記指代本發(fā)明中相同或類似的特征或元件。附圖的繪圖比例并不嚴(yán)格，且在某些情況下，為了能使本發(fā)明更為清楚的呈現(xiàn)和更易于理解，放大表示了相關(guān)的部件，以便于展示細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
下面參見附圖，圖1是根據(jù)本發(fā)明的裝置的分解透視圖，各個(gè)元件的尺寸和厚度被顯著地放大，以便于對結(jié)構(gòu)清楚地呈現(xiàn)和理解。
分流變阻器裝置10一般是由至少兩個(gè)半導(dǎo)體層11、31構(gòu)成，這兩個(gè)半導(dǎo)體層的上表面在其上制有U形的上電極12和下電極13。電極12包括基部14，基部14具有從相對端部突伸出的分支15和16。電極13包括基部14a，從基部14a的相對端部突伸出分支部分15a和16a。
從圖1可清楚看出，電極12和13分別布置在半導(dǎo)體層11和31的上方，這種布置方式使得基部14和14a分別暴露在半導(dǎo)體層的相對邊緣處。從圖1可看到，其中用實(shí)線表示的是單個(gè)的單元，該單元包括上電極、下電極以及介置的半導(dǎo)體層，可在多層裝置中設(shè)置任意層數(shù)，以獲得所需的電容值和電感值。
在半導(dǎo)體層的端部邊沿上制有接線端17、18，接線端17與電極13的基部14a電連接，接線端18與電極12的基部或其它部分電連接。
從圖1到圖3可清楚地看出，由于分支15和15a的寬度和長度L2較小，所以由分支15和15a限定的對準(zhǔn)或重疊區(qū)19將小于由較長、較寬的分支16、16a限定的重疊區(qū)20，其中分支16、16a的長度用符號L1代表。
由于電容值與重疊面積直接成比例，所以在重疊區(qū)19中限定的電容值將小于在重疊區(qū)20中限定的電容值。因而，可以理解，通過改變各自的重疊分支部件的寬度，或通過改變重疊部件的長度，或者通過這兩種方法，可以獲得由重疊區(qū)19所限定的電容器C1與由重疊區(qū)20所限定的較大電容器C2之間所需的電容差值。
由于設(shè)置的電感是導(dǎo)電通路總長度的函數(shù)，從而可利用不同長度的分支自然地提供分支長度較長的較大的電感，由此電感自動(dòng)變得較大，以與較大的電容值相互作用，所以優(yōu)選根據(jù)重疊分支的長度來調(diào)節(jié)電容值。
當(dāng)集成到上述的雙頻噪聲衰減器時(shí)，在上電極12和下電極13之間插入的半導(dǎo)體11具有用于制造電容器的電介質(zhì)所必需的所有電絕緣特性。但是，用半導(dǎo)體取代通常所用的電介質(zhì)，還為集成裝置帶來另外一些有用性質(zhì)。
用半導(dǎo)體取代電介質(zhì)使得裝置還有變阻器的功能。如所理解的那樣，半導(dǎo)體材料會在特定的擊穿電壓下變?yōu)閷?dǎo)體。如果將達(dá)到或超過半導(dǎo)體的擊穿電壓的電壓電平引入該雙頻諧振電容裝置，則半導(dǎo)體就會導(dǎo)電，從而能有效地將不良信號旁路接地。這樣，該裝置就能保護(hù)電路免受電壓尖脈沖和電流尖脈沖的沖擊，尖脈沖的出現(xiàn)通常是由于靜電放電(ESD)或電池峰躍等情況而發(fā)生。在電子行業(yè)，由于發(fā)展趨勢是不斷地小型化，所以非常希望將上述這些功能集成到一個(gè)裝置中。
制造方法制造具有變阻器屬性的分流裝置的方法與制造陶瓷電容器的傳統(tǒng)方法大部分相同。由于這種方法對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是公知的，所以下文只簡要地對此進(jìn)行描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員也明白所述方法只是用于制造陶瓷電容器的許多公知方法中的一種。
半導(dǎo)體器件的形成是通過鑄造精細(xì)?；难趸\等半導(dǎo)體形成材料漿的薄層而形成，該半導(dǎo)體形成材料懸浮在含有粘結(jié)劑的液態(tài)基料中。用電極形成印墨對“生”瓷進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，而形成所需的U形圖案。典型地，所述印墨中包含金屬，如鉑。將形成圖案后的生陶瓷進(jìn)行疊置，以提供所需的層數(shù)，將相鄰層的圖案對正而實(shí)現(xiàn)所需的重疊狀態(tài)。對疊置后的半導(dǎo)體層進(jìn)行分切而得到多個(gè)單獨(dú)的單元，其分切方式使得基部14、14a暴露在預(yù)燒芯片的相對端部。之后，在第一溫度上對分切出的單元作粘結(jié)劑燒去處理，之后再在更高的溫度上進(jìn)行燒結(jié)而形成所述的結(jié)構(gòu)。
接線端17、18分別附設(shè)在一端的裸露基部14和另一端的基部14a上?？梢杂帽姸喙椒ǖ娜我庖环N制出接線端，這些方法包括氣相沉積方法，從而在半導(dǎo)體層的相對端部，為裸露電極基部提供了電接合和機(jī)械接合，隨后在濺射層上涂敷一層或多層金屬，以便于其可被焊接到主板上。在需要采用面安裝時(shí)，接線端可延伸到端部邊沿之外。作為備選的端接法，可先敷設(shè)一層碳，然后再敷設(shè)一銀外層，在碳層和銀層之間可介置或不介置金屬層。
實(shí)施例符合美國專利法中對“最佳實(shí)施例”的要求，下面參照圖5至10給出了根據(jù)本發(fā)明組件的具體例子，但不局限于此。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，在本發(fā)明其它的示例性實(shí)施例中，可具有不同的器件數(shù)值和尺寸。
多層裝置是由8層氧化鋅陶瓷活性層制成的，每層的厚度約為0.002268英寸。在該實(shí)施例中，采用了八個(gè)有源電極。在所給出的該實(shí)施例中，分支115和116的寬度分別為Z1和Z3，這兩個(gè)寬度是相同的，都為0.004860英寸。分支115a和116a的寬度分別為Z5和Z7，這兩個(gè)寬度是相同的，且均為0.007290英寸?；?14的長度Z2為0.01620英寸。基部114a的長度Z4為0.019440英寸。分支115的長度Y1為0.029970英寸。分支116的長度Y2為0.01701英寸。分支115a和116a的長度Y3和Y4是相等的，都為0.050220英寸。支干114、114a的寬度X1和X2是相等的，均為0.006480英寸。分支115和116之間的距離R1為0.006480英寸。分支115a和116a之間的距離R2為0.004860英寸。每層的總長S1為0.059940英寸。每層的總寬T1為0.03240英寸。分支115a和116a端部與層外邊緣之間的距離Q1為0.009720英寸。從圖9可清楚地看出，電極被疊垛，使分支115與115a的重疊或?qū)?zhǔn)區(qū)119約為分支116與分支116a的重疊區(qū)200的3倍大小。
經(jīng)測量，由重疊區(qū)200所限定的電容C11的電容量約為16皮法，由區(qū)119所限定的電容C21的電容量約為46皮法。可計(jì)算出電感La1和Lb1的數(shù)值約為0.6毫微亨利。
很顯然，通過特制重疊區(qū)，可得到多種不同的電容值。類似地，通過改變電極分支和基部的長度和寬度，就可適合特定的場合制出所需的電感。與這些裝置有關(guān)的代表性的電阻值R11和R21是額定值，自然要取決于裝置的物理結(jié)構(gòu)，電阻的具體例子對于這里的示例性實(shí)施例的討論不重要。已發(fā)現(xiàn)所說明的示例的數(shù)值作為在模擬頻率和數(shù)字頻率分別為900MHz和1.9GHz下工作的雙模蜂窩電話的分流裝置極有效。特別有利的是，電感的屬性是可預(yù)測的，而與此相反，由于采用分離電容器，伴隨著電容器之間的引線電路長度的變化，電感將有很大的變化。
很顯然，本領(lǐng)域技術(shù)人員在熟悉了本發(fā)明的公開內(nèi)容之后，在不悖離本發(fā)明思想的前提下，很容易對結(jié)構(gòu)中的細(xì)節(jié)做出多種改動(dòng)。因而，可寬泛地解釋本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，該裝置具有第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括多個(gè)三層LC電路疊層，這些電路疊層與相同數(shù)目的多個(gè)次級半導(dǎo)體層交叉布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述三層LC電路疊層進(jìn)一步包括第一U形陶瓷電極板，該電極板具有第一基部以及長度和寬度可變的第一分支部分，所述第一基部沿所述裝置的第一側(cè)布置；初級半導(dǎo)體層；第二U形陶瓷電極板，該電極板具有第二基部以及長度和寬度可變的第二分支部分，所述第二基部沿所述裝置的第二側(cè)布置；其中，所述第一側(cè)和第二側(cè)相互對置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述裝置還包括第一接線端，該接線端與所述第一U形陶瓷電極板的所述第一基部電連接；第二接線端，該接線端與所述第二U形陶瓷電極板的所述第二基部電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，每個(gè)三層LC電路疊層中的所述第一分支部分與所述第二分支部分沿長度方向有預(yù)定量的重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，每個(gè)三層LC電路疊層中的所述第一、第二分支部分的重疊區(qū)是預(yù)先設(shè)定的，以精確限定所得到的配對電容值。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述初級和次級半導(dǎo)體層包含氧化鋅材料。
7.一種具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，該裝置具有第一側(cè)和一第二側(cè)，所述裝置包括多個(gè)四層LC電路疊層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述四層LC電路疊層進(jìn)一步包括第一U形陶瓷電極板，該電極板具有第一基部以及長度和寬度可變的第一分支部分，所述第一基部沿所述裝置的第一側(cè)布置；第一半導(dǎo)體層；第二U形陶瓷電極板，該電極板具有第二基部以及長度和寬度可變的第二分支部分，所述第二基部沿所述裝置的第二側(cè)布置；第二半導(dǎo)體層；其中，所述第一側(cè)和第二側(cè)相互對置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述裝置包括第一接線端，該接線端與所述第一U形陶瓷電極板的所述第一基部電連接；第二接線端，該接線端與所述第二U形陶瓷電極板的所述第二基部電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，每個(gè)三層LC電路疊層中的所述第一分支部分與所述第二分支部分沿長度方向有預(yù)定量的重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，每個(gè)三層LC電路疊層中的所述第一、第二分支部分的重疊區(qū)是預(yù)先設(shè)定的，以精確限定所得到的配對電容值。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述第一和第二半導(dǎo)體層包含氧化鋅材料。
13.一種具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，該裝置具有第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括第一U形電極板；第二U形陶瓷電極板；以及多個(gè)半導(dǎo)體層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體層與所述第一、第二U形電極板交叉布置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述第一U形電極板進(jìn)一步包括第一基部，沿所述裝置的第一側(cè)布置；第一分支部分；第二分支部分；其中，所述第一、第二分支部分相互之間具有預(yù)先設(shè)定的、可變的長度和寬度特性。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述第二U形電極板進(jìn)一步包括第二基部，沿所述裝置的第二側(cè)布置；第三分支部分；第四分支部分；其中，所述第三和第四分支部分相互之間具有預(yù)先設(shè)定的、可變的長度和寬度特性。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述第一和第三分支部分限定出第一重疊區(qū)，所述第二和第四分支部分限定出第二重疊區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求19所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述第一和第二重疊區(qū)具有不同的特性值。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述裝置還包括第一接線端，該接線端與所述第一U形陶瓷電極板的所述第一基部電連接；第二接線端，該接線端與所述第二U形陶瓷電極板的所述第二基部電連接；其中，所述第一側(cè)和第二側(cè)相互對置。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體層包含氧化鋅材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置，其中，所述第一和第二U形電極板是陶瓷的。
22.一種用于制造具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置的方法，所述方法包括的步驟有(a)設(shè)置多個(gè)初級半導(dǎo)體層；(b)設(shè)置多個(gè)次級半導(dǎo)體層；(c)在所述的多個(gè)初級半導(dǎo)體層中的每一個(gè)上進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，制出第一U形陶瓷電極板；(d)在所述的多個(gè)次級半導(dǎo)體層中的每一個(gè)上進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，制出第二U形陶瓷電極板；(e)將其上帶有所述第一和第二U形電極板的所述初級和次級半導(dǎo)體層進(jìn)行交叉布置；以及(f)在所述裝置上設(shè)置相反極性的接線端，從而形成第一接線端和第二接線端，第一接線端與所述第一U形陶瓷電極板電連接，與此相對的第二接線端與所述第二U形陶瓷電極板電連接。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的用于制造具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置的方法，其中，所述裝置具有相互對置的第一側(cè)和第二側(cè)，且其中所述第一U形電極板具有一基部，該基部沿與所述第一接線端相連通的所述第一側(cè)布置，所述第二U形電極板具有一第二基部，該基部沿與所述第二接線端相連通的所述第二側(cè)布置。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的用于制造具有變阻器特性的多頻噪聲衰減裝置的方法，其中，所述第一U形電極板具有兩個(gè)分支部分，所述第二U形電極板具有兩個(gè)分支部分，且其中所述第一電極板的兩個(gè)分支部分與所述第二電極板的兩個(gè)分支部分重疊，從而形成LC電路中的電容器元件。
全文摘要
一種集成的雙頻分流裝置和瞬態(tài)抑制裝置。該裝置具有至少兩個(gè)陶瓷半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層的上表面上制有一般為U形結(jié)構(gòu)的電極。電極的基部裸露在半導(dǎo)體層的相對表面上，U形電極的分支部分向相反極性的電極的基部延伸。一對分支的重疊或?qū)?zhǔn)區(qū)不同于另一對分支的重疊區(qū)，從而形成了兩個(gè)具有不同電容值的電容器，電容器是并聯(lián)的，因而就在兩個(gè)離散頻率上限定出低阻抗通路。導(dǎo)電通路是電極和/或U形結(jié)構(gòu)基部長度的函數(shù)，通過改變導(dǎo)電路徑，就可獲得所需的內(nèi)部阻抗。通過用半導(dǎo)體材料取代電介質(zhì)，能將引入到裝置中的、并且電平達(dá)到或高于半導(dǎo)體擊穿電壓的任何信號旁路接地，從而提供了瞬態(tài)的能量抑制。
文檔編號H03H7/01GK1436354SQ01811267
公開日2003年8月13日 申請日期2001年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月1日
發(fā)明者海沃思·威爾森, 杰弗里·凱恩, 約翰·巴里斯 申請人:阿維科斯公司