0。接地接觸器50包括接地接觸器線圈498和觸頭500。微處理器25被編程為在電氣線路140、142上生成高邏輯電壓，以對接地接觸器線圈498通電從而使得觸頭500移動到閉合操作位置。當觸頭500具有閉合操作位置時，電容器488的第二端被電耦接到電池組20的接地端子176。如將在下面進一步詳細討論的，當接地接觸器50具有閉合操作位置時，預(yù)充電電路30對電容器488充電。電容器488被充電之后，微處理器被編程為停止在電氣線路140、142上生成高邏輯電壓，以對接地接觸器線圈488斷電從而使得觸頭500有打開操作位置。
[0039]微處理器25經(jīng)由電氣線路130、132電耦接到主接觸器40。主接觸器40包括主接觸器線圈492和觸頭494。微處理器25被編程為在電氣線路130、132上生成高邏輯電壓，以對主接觸器線圈492通電從而使得觸頭494移動到閉合操作位置。當觸頭494具有閉合操作位置時，電容器488的第一端被電耦接到電池組20的高電壓端子174。當觸頭494、500都具有閉合操作位置時，電壓逆變器60被電耦接在電池組20的高電壓端子174和接地端子176之間，以提供操作電壓給電動機70。
[0040]參照圖1至3，現(xiàn)在將進一步詳細討論預(yù)充電系統(tǒng)30。預(yù)充電系統(tǒng)30被配置成對電壓逆變器60中的電容器488充電，同時限制通過預(yù)充電電阻器428流動到電容器488的瞬時電流的量。預(yù)充電系統(tǒng)30包括微處理器25和預(yù)充電電路200。
[0041 ] 預(yù)充電電路200被提供以對電壓逆變器60的電容器488充電。預(yù)充電電路200包括電壓監(jiān)測電路210、計數(shù)器電路216、電壓脈沖生成電路222、驅(qū)動電路228和電流監(jiān)測電路234。
[0042]電壓監(jiān)測電路
[0043]參照圖3至4(c)，電壓監(jiān)測電路210被配置成當微處理器25生成具有高邏輯值(在圖4(b)中示出)的第一控制信號Cl時，將操作電壓Vz(在圖4(a)中示出)輸出到計數(shù)器電路216、電壓脈沖生成電路222、驅(qū)動電路228和電流監(jiān)測電路234。電壓監(jiān)測電路210還被配置成當操作電壓Vz大于或等于閾值操作電壓時，輸出在時刻T2從高邏輯值轉(zhuǎn)換到低邏輯值(在圖4(c)中示出)的RESET信號。電壓監(jiān)測電路210包括光學隔離器250、電阻器254、256、齊納二極管260、電容器264、266以及欠壓檢測器270和NAND門274。
[0044]參照圖1和3，光學隔離器250被提供以檢測來自微處理器25的控制電壓Cl(在圖4(a)中不出)。光學隔尚器250在其中包括發(fā)光二極管290和晶體管292。發(fā)光二極管290被電耦接到電氣線路150、152，電氣線路150、152還被電耦接到微處理器25。晶體管292被電耦接在電氣線路104 (其還被電耦接到電池組20的高電壓端子174)和電阻器254之間。
[0045]電阻器254被電耦接在晶體管292的發(fā)射極和節(jié)點278之間。齊納二極管260被電耦接在節(jié)點278和電接地之間。在操作期間，齊納二極管260將操作電壓Vz的電壓電平限制到預(yù)定的電壓電平。此外，電容器264被電耦接在節(jié)點278和電接地之間。
[0046]參照圖3、4(b)和4(c)，欠壓檢測器270被配置成當操作電壓Vz大于預(yù)定的操作電壓電平時生成具有高邏輯值的輸出信號，并且當操作電壓Vz低于預(yù)定的操作電壓電平時將輸出信號轉(zhuǎn)換成低邏輯值。欠壓檢測器270被電耦接在節(jié)點278和節(jié)點280之間。電阻器256被電耦接在節(jié)點278和節(jié)點280之間。此外，電容器266被電耦接在節(jié)點280和電接地之間。
[0047]NAND門274具有第一和第二輸入端子和輸出端子。第一和第二輸入端子被電耦接到接收來自欠壓檢測器270的輸出信號的節(jié)點280。輸出端子被電耦接到計數(shù)器微芯片320的重置引腳RST。當欠壓檢測器270輸出指示操作電壓Vz具有期望的電壓電平的高邏輯電壓時，NAND門274在時刻T2(在圖4(c)中示出)輸出低邏輯電壓，該低邏輯電壓被計數(shù)器微芯片320的重置引腳RST接收以重置計數(shù)器微芯片320，使得微芯片320開始或繼續(xù)輸出被表示為PULSl的第一多個脈沖(在圖4(d)中示出)。
[0048]計數(shù)器電路
[0049]參照圖3和4(d)，計數(shù)器電路216被配置成生成第一多個電壓脈沖(在圖4(d)中稱為PULS1)。計數(shù)器電路216包括計數(shù)器微芯片320、NAND門324、326、振蕩器330、電阻器334、336、晶體管340和光學隔離器344。
[0050]微芯片320具有輸出引腳0UT、重置引腳RST、停止引腳STP和時鐘引腳CLK。重置引腳RST被電耦接到電壓監(jiān)測電路210的NAND門274的輸出引腳。OUT引腳被電耦接到電壓脈沖生成電路222的電阻器370<^ΤΡ引腳被電耦接到節(jié)點357。另外，CLK引腳被電耦接到NAND門326的輸出引腳。
[0051 ] NAND門324具有第一和第二輸入端子和輸出端子。NAND門324的第一和第二輸入端子被電耦接至節(jié)點357 AAND門324的輸出端子被電耦接到NAND門326的輸入端子。
[0052]NAND門326具有第一和第二輸入端子和輸出端子。NAND門326的第一輸入端子被電耦接到NAND門324的輸出端子。NAND門326的第二輸入端子被電耦接到電壓振蕩器330。
[0053]電壓振蕩器330被配置成輸出用于確定第一多個電壓脈沖(圖4(d)中被表示為PULSI)的每個電壓脈沖的脈沖寬度的第一時鐘信號。當NAND門324輸出高邏輯電壓時，NAND門326響應(yīng)于第一時鐘信號將第二時鐘信號輸出到CLK引腳。當計數(shù)器微芯片320確定第一多個電壓脈沖(在圖4(d)中被表示為PULS1)的電壓脈沖的數(shù)目大于或等于電壓脈沖的閾值數(shù)目時，計數(shù)器微芯片320從STP引腳輸出信號STOP。作為響應(yīng)，NAND門324輸出低邏輯電平電壓。此外，NAND門326輸出高邏輯電平電壓并維持使得計數(shù)器微芯片320停止輸出第一多個電壓脈沖的高邏輯電壓，以間接停止對電容器288充電。之后，如果STP引腳輸出低邏輯電壓，則NAND門326輸出低邏輯電平電壓。
[0054]晶體管340包括基極B1、發(fā)射極El和集電極Cl?；鶚OBI被電耦接到節(jié)點358。發(fā)射極El被電耦接到電接地。電阻器334被電耦接在節(jié)點357、358之間。此外，電阻器336被電耦接在節(jié)點358和電接地之間。
[0055]光學隔離器344包括發(fā)光二極管350和光控制晶體管352。二極管350被電耦接在晶體管340的集電極Cl和節(jié)點278之間，使得二極管350接收操作電壓Vz。光控制晶體管352被電耦接在電氣線路154、156之間，電氣線路154、156被電耦接到微處理器25。當計數(shù)器微芯片320在STP引腳上輸出高邏輯電壓，指示第一多個電壓脈沖的電壓脈沖的數(shù)目超過電壓脈沖的閾值數(shù)目，其還指示電容器488未被成功充電時，晶體管340傳導電流，使得發(fā)光二極管350發(fā)射光。響應(yīng)于該光，光控制晶體管352傳導電流通過其中，使得FAULT信號被微處理器25接收。
[0056]電壓脈沖生成電路
[0057]電壓脈沖生成電路222被配置成生成被表示為PULS2的第二多個電壓脈沖(在圖4(g)中示出)。電壓脈沖生成電路222包括電阻器370、372、電容器374、晶體管378以及NAND門382、386、390。
[0058]晶體管378包括基極B2、發(fā)射極E2和集電極C2?；鶚OB2被電耦接到節(jié)點375。發(fā)射極E2被電耦接到電接地。集電極C2被電耦接到電壓監(jiān)測電路210的節(jié)點278，使得集電極C2接收操作電壓Vz。電阻器372被電耦接在節(jié)點375和電接地之間。電容器374被電耦接在節(jié)點375和節(jié)點377之間。電阻器370被電耦接在計數(shù)器電路216的OUT引腳和節(jié)點377之間。當?shù)诙鄠€電壓脈沖(HJLS2)具有高邏輯值時，晶體管378施加低邏輯電壓到NAND門382的輸入端子SI和S2。可替換地，當?shù)诙鄠€電壓脈沖(PULS2)具有低邏輯值時，晶體管378施加高邏輯電壓到NAND門382的輸入端子SI和S2。
[0059]NAND門382具有輸入端子S1、S