本實(shí)用新型涉及一種高可靠的帶功能性保護(hù)接地?cái)嗦菲麟娐贰?/p>
背景技術(shù)：
現(xiàn)有市場上的電子式漏電斷路器一般都不帶保護(hù)地，在使用過程中，如果斷了零線，漏電斷路器不會(huì)脫扣，但產(chǎn)品已失去漏電保護(hù)功能，在有人接觸火線時(shí)，仍然會(huì)被觸電。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型的目的是提供一種高可靠的帶功能性保護(hù)接地?cái)嗦菲麟娐罚撾娐吩诼╇姅嗦菲髟谑チ憔€時(shí)，產(chǎn)品還會(huì)起到漏電保護(hù)功能。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：
一種高可靠的帶功能性保護(hù)接地?cái)嗦菲麟娐?，其特征在于?/p>
火線L和零線N之間連接壓敏電阻RV1，在零線N和地線FE之間連接壓敏電阻RV2；
火線L通過線圈KA分別與二極管D1的正極和二極管D4的負(fù)極連接，零線N分別與二極管D2的正極和二極管D5的負(fù)極連接，地線FE分別與二極管D3的正極和二極管D6的負(fù)極連接；
二極管D1、二極管D2、二極管D3的負(fù)極分別與降壓電路連接；
二極管D4、二極管D5、二極管D6的陽極分別與可控硅VT的陰極連接；
可控硅VT的陽極與降壓電路連接，可控硅VT的柵極與剩余電流檢測模塊連接，可控硅VT的陽極與陰極之間連接壓敏電阻RV3；
降壓電路與剩余電流檢測模塊連接；
剩余電流檢測模塊接剩余電流互感器。
本實(shí)用新型還進(jìn)一步設(shè)置為，二極管D4的陽極、二極管D5的陽極、二極管D6的陽極、可控硅VT的陰極分別接地。
本實(shí)用新型還進(jìn)一步設(shè)置為，剩余電流檢測模塊接地。
本實(shí)用新型還進(jìn)一步設(shè)置為，所述壓敏電阻RV3也可替換用瞬態(tài)抑制二極管。
本實(shí)用新型的有益效果：在漏電斷路器中引入地線FE，并與火線L和零線N一起組成全橋整流，經(jīng)降壓電路降壓后給剩余電流檢測模塊供電，在線路出現(xiàn)斷了零線N時(shí)，火線L和地線FE還是組成全橋整流電路，還能可靠的給剩余電流檢測模塊供電，使漏電斷路器還可以起到漏電保護(hù)功能。
在火線L和零線N之間并壓敏電阻RV1，在零線N和地線PE之間并壓敏電阻RV2，在可控硅陽極和陰極之間并壓敏電阻RV3，這樣在有浪涌電壓出現(xiàn)時(shí)，先由壓敏電阻RV1和RV2對(duì)浪涌電壓進(jìn)行吸收，在可控硅VT兩端再經(jīng)過壓敏電阻RV3進(jìn)行吸收，可以確?？煽毓璨粫?huì)因?yàn)槔擞侩妷哼^高而擊穿，保證了產(chǎn)品有較高的抗浪涌能力。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。
以下參考圖1對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說明。
一種高可靠的帶功能性保護(hù)接地?cái)嗦菲麟娐?，火線L和零線N之間連接壓敏電阻RV1，在零線N和地線FE之間連接壓敏電阻RV2；火線L通過線圈KA分別與二極管D1的正極和二極管D4的負(fù)極連接，零線N分別與二極管D2的正極和二極管D5的負(fù)極連接，地線FE分別與二極管D3的正極和二極管D6的負(fù)極連接；二極管D1、二極管D2、二極管D3的負(fù)極分別與降壓電路連接；二極管D4、二極管D5、二極管D6的陽極分別與可控硅VT的陰極連接；可控硅VT的陽極與降壓電路連接，可控硅VT的柵極與剩余電流檢測模塊連接，可控硅VT的陽極與陰極之間連接壓敏電阻RV3；降壓電路與剩余電流檢測模塊連接；剩余電流檢測模塊接剩余電流互感器。二極管D4的陽極、二極管D5的陽極、二極管D6的陽極、可控硅VT的陰極分別接地。剩余電流檢測模塊接地。
壓敏電阻RV3也可替換用瞬態(tài)抑制二極管。
本實(shí)用新型的有益效果：在漏電斷路器中引入地線FE，并與火線L和零線N一起組成全橋整流，經(jīng)降壓電路降壓后給剩余電流檢測模塊供電，在線路出現(xiàn)斷了零線N時(shí)，火線L和地線FE還是組成全橋整流電路，還能可靠的給剩余電流檢測模塊供電，使漏電斷路器還可以起到漏電保護(hù)功能。
在火線L和零線N之間并壓敏電阻RV1，在零線N和地線PE之間并壓敏電阻RV2，在可控硅陽極和陰極之間并壓敏電阻RV3，這樣在有浪涌電壓出現(xiàn)時(shí)，先由壓敏電阻RV1和RV2對(duì)浪涌電壓進(jìn)行吸收，在可控硅VT兩端再經(jīng)過壓敏電阻RV3進(jìn)行吸收，可以確?？煽毓璨粫?huì)因?yàn)槔擞侩妷哼^高而擊穿，保證了產(chǎn)品有較高的抗浪涌能力。
以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，上述假設(shè)的這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。