1.一種升降壓電路，其特征在于，包括第一單元（1）、第二單元（2）及主電感L1，所述第一單元（1）和第二單元（2）的電路結(jié)構(gòu)相同，均采用雙向斬波器電路；所述第一單元（1）的一端連接于A端口，所述第一單元（1）的另一端通過(guò)主電感L1與第二單元（2）的一端連接，所述第二單元（2）的另一端連接于B端口；所述雙向斬波器電路為由電容、開(kāi)關(guān)管組及與開(kāi)關(guān)管組配合的二極管組成的驅(qū)動(dòng)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升降壓電路，其特征在于，所述第一單元（1）的驅(qū)動(dòng)電路包括第一電容C1、第一開(kāi)關(guān)管Q1、第三開(kāi)關(guān)管Q3、第一二極管D1、第三二極管D3，每個(gè)開(kāi)關(guān)管均與一個(gè)二極管配合；所述第二單元（2）的驅(qū)動(dòng)電路包括第二電容C2、第二開(kāi)關(guān)管Q2、第四開(kāi)關(guān)管Q4、第二二極管D2、第四二極管D4，每個(gè)開(kāi)關(guān)管均與一個(gè)二極管配合；所述主電感L1的一端連接至第一開(kāi)關(guān)管Q1與第三開(kāi)關(guān)管Q3之間的F點(diǎn)，主電感L1的另一端連接至第二開(kāi)關(guān)管Q2與第四開(kāi)關(guān)管Q4之間的I點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的升降壓電路，其特征在于，所述第一單元（1）和/或第二單元（2）中開(kāi)關(guān)管為IGBT或MOSFET半導(dǎo)體功率器件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的升降壓電路，其特征在于，所述第一單元（1）和/或第二單元（2）中二極管為在開(kāi)關(guān)管內(nèi)封裝反并的二極管。