本實(shí)用新型屬于電池技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種備用電池電路。

背景技術(shù)：

目前大部分產(chǎn)品其芯片的備用電池電路是采用過(guò)二極管對(duì)電池充電，而二極管具有0.3V左右的管壓降，當(dāng)3.3V充電時(shí)其實(shí)際充電電壓只有3.0V左右，從而使電池長(zhǎng)期處于未充滿狀態(tài)，嚴(yán)重影響了備用電池的利用率、使用時(shí)間和使用壽命。

現(xiàn)有的電路是通過(guò)二極管充電，具有管壓降，使得電池的充電電壓降低，電池長(zhǎng)期處于為充滿狀態(tài)，影響電池使用時(shí)間和壽命，從而芯片的工作時(shí)間減短，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的使用性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本實(shí)用新型提供了一種備用電池電路，其目的在于采用MOS管減小壓降，提高電池的使用率，來(lái)增加芯片的工作時(shí)間，提高產(chǎn)品的可靠性，由此解決現(xiàn)有技術(shù)中電池長(zhǎng)期處于充滿狀態(tài)，影響電池使用時(shí)間和壽命，從而芯片的工作時(shí)間減短，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的使用性能的技術(shù)問(wèn)題。

本實(shí)用新型提供了一種備用電池電路，包括MOS管Q1、第一電阻R1、第二電阻R2和備用電池；所述MOS管Q1的柵極用于接收外部MCU單元輸出的控制信號(hào)，所述MOS管Q1的漏極用于連接3.3V供電電源的輸出端，所述MOS管Q1的源極用于連接外部待供電設(shè)備的供電輸入端；所述第一電阻R1連接在所述MOS管Q1的柵極與源極之間，所述第二電阻R2的一端連接至所述MOS管Q1的源極，所述第二電阻R2的另一端連接至所述備用電池的正極，所述備用電池的負(fù)極接地。

其中，所述備用電池電路還包括與所述第二電阻R2并聯(lián)連接的單向?qū)ㄔ?/p>

更進(jìn)一步地，單向?qū)ㄔ梢詾槎O管D1，所述二極管D1的陽(yáng)極連接至所述備用電池的正極，所述二極管D1的陰極連接至所述MOS管Q1的源極。二極管D1的作用是用于防逆流，電池充電是經(jīng)過(guò)R2，放電時(shí)經(jīng)過(guò)D1。

更進(jìn)一步地，所述備用電池電路還包括第一電容C1，其一端連接至所述MOS管Q1的源極，另一端接地。第一電容C1的作用是用于濾波。

更進(jìn)一步地，所述備用電池電路還包括第二電容C2，與所述第一電容C1并聯(lián)連接。第二電容C2的作用是用于濾波。

本實(shí)用新型應(yīng)用于芯片的備用電池電路，旨在提高電池的利用率，增加電池的使用周期；通過(guò)芯片的I/O控制口來(lái)控制MOS管的關(guān)斷，從而控制備用電池的充電情況。采用MOS管減小壓降，提高電池的使用率，增加芯片的工作時(shí)間，提高產(chǎn)品的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型提供的備用電池電路的電路圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。此外，下面所描述的本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

本實(shí)用新型通過(guò)MOS管控制，當(dāng)MOS管導(dǎo)通狀態(tài)是壓降幾乎為零，可以使3.3電池處于充滿狀態(tài)，提高了電池的使用率，增加了芯片的工作時(shí)間。

如圖1，MCU_CTROL由芯片的I/O控制口引出，接MOS管Q1的G極，VCC為3.3V供電電源的輸出腳，接MOS管Q1的D極，MOS管S極接VDD輸入端，同時(shí)通過(guò)R2接備用電池正極端，VDD接其他芯片供電輸入端。

如圖1所示，當(dāng)VCC正常供電時(shí)，MCU_CTROL輸出低電平給MOS管Q1的G極，Q1導(dǎo)通，因VCC大于電池電壓VBAT，VCC經(jīng)過(guò)MOS管Q1給VDD供電，同時(shí)VCC經(jīng)過(guò)電阻R2給電池充電。當(dāng)VCC電源斷開(kāi)時(shí)，電池給VDD進(jìn)行供電，同時(shí)電池經(jīng)R1給MOS管Q1輸出高電平，Q1斷開(kāi)，此時(shí)電池不能給VCC輸出電壓，減少電池?fù)p耗，延長(zhǎng)工作時(shí)間。

VCC為輸入電源，VDD給其他芯片供電。當(dāng)VCC正常輸入時(shí)，主芯片MCU_CRROL輸入低電平，MOS管Q1截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)VCC經(jīng)過(guò)Q1的體二極管給VDD供電，同時(shí)經(jīng)過(guò)R2給電池充電。當(dāng)VCC斷開(kāi)輸入時(shí)，MCU停止工作，電池經(jīng)二極管D1給VDD供電，使VDD端芯片繼續(xù)工作。

本實(shí)用新型通過(guò)MOS管控制備用電池電路的充放電，減少壓降，提高備用電池的充電電壓，增加電池的使用時(shí)間和利用率。

目前，產(chǎn)品上所用的備用電路大都是直接通過(guò)二極管給電池充電，壓降大，從而導(dǎo)致備用電池充電電壓降低，電池長(zhǎng)期處于未充滿狀態(tài)，嚴(yán)重影響電池的利用率和芯片的工作時(shí)間。而本實(shí)用新型通過(guò)MOS關(guān)控制，幾乎沒(méi)有壓降，可以是電池處于充滿狀態(tài)，提高了電池的利用率和壽命，增加了芯片的工作時(shí)間，提高了產(chǎn)品的可靠性。

本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。