本實(shí)用新型實(shí)施例涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，更具體的涉及一種功率單元中的相單元、功率單元以及變頻器。

背景技術(shù)：

隨著國家的節(jié)能減排政策越來越明朗，越來越深入，在耗電量較大的設(shè)備中的電機(jī)逐漸采用變頻器調(diào)速。變頻器作為一種高效節(jié)能手段，在電機(jī)調(diào)速領(lǐng)域已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用。隨著風(fēng)電及光伏等新能源技術(shù)的發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)大功率變頻器的需求越來越緊迫，目前市場(chǎng)上早已出現(xiàn)MW級(jí)的大功率變頻器。

變頻器包括功率單元，功率單元包括三個(gè)相單元，每個(gè)相單元都采用大電流IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)模塊或者中小電流IGBT模塊并聯(lián)的方式組成。大電流IGBT模塊體積大、成本高、散熱不易，而中小電流IGBT模塊并聯(lián)太多，導(dǎo)致連接復(fù)雜，相單元體積更大，從而使得功率單元體積大。

發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型創(chuàng)造的過程中發(fā)現(xiàn)，功率單元的體積大小很大程度上受限于IGBT模塊的電流密度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種功率單元中的相單元、功率單元以及變頻器，以克服現(xiàn)有技術(shù)中功率單元體積較大的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

一種功率單元中的相單元，包括：至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊以及至少一個(gè)電容，所述高電流密度IGBT模塊的電流密度大于等于14.3A/cm²。

其中，所述高電流密度IGBT模塊包括：上橋絕緣柵雙極型晶體管IGBT、第一續(xù)流二極管、下橋IGBT、第二續(xù)流二極管、溫度檢測(cè)電阻；

所述上橋IGBT的集電極與所述第一續(xù)流二極管的負(fù)極相連，相連的一端作為第一連接端，所述第一連接端用于連接正母線、短路保護(hù)電路；所述上橋IGBT的發(fā)射集分別與所述第一續(xù)流二極管的正極、所述下橋IGBT的集電極、所述第二續(xù)流二極管的負(fù)極相連，相連的一端作為第二連接端，所述第二連接端用于連接第一門極驅(qū)動(dòng)電路，且作為交流輸入或輸出的端子；所述上橋IGBT的門極用于連接所述第一門極驅(qū)動(dòng)電路；所述下橋IGBT的發(fā)射極與所述第二續(xù)流二極管的正極相連，相連的一端作為第三連接端，所述第三連接端用于連接負(fù)母線、第二門極驅(qū)動(dòng)電路以及所述溫度檢測(cè)電阻的一端，所述溫度檢測(cè)電阻的另一端用于連接溫度檢測(cè)電路；所述下橋IGBT的門極用于連接所述第二門極驅(qū)動(dòng)電路。

其中，所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊為三個(gè)，三個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第一連接端相連，三個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第三連接端相連，三個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第二連接端相連，所述至少一個(gè)電容為七個(gè)，七個(gè)所述電容的一端分別與三個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第一連接端相連，七個(gè)所述電容的另一端分別與三個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第三連接端相連；或所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊為兩個(gè)，兩個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第一連接端相連，兩個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第三連接端相連，兩個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第二連接端相連，所述至少一個(gè)電容為五個(gè)，五個(gè)所述電容的一端分別與兩個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第一連接端相連，五個(gè)所述電容的另一端分別與兩個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第三連接端相連。

其中，所述至少一個(gè)電容的一端所在的平面與所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊的與負(fù)母線連接的端子(3)和與正母線連接的端子(1)所在的平面為同一平面，所述至少一個(gè)電容通過疊層銅排與所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊相連。

其中，所述至少一個(gè)電容的一端所在的平面位于所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊所在的平面的上方，所述至少一個(gè)電容通過疊層銅排與所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊相連。

其中，所述至少一個(gè)電容的一端所在的平面與所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊所在的平面垂直，所述至少一個(gè)電容通過所述疊層銅排與所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊相連。

一種功率單元，包括三個(gè)相單元，每一所述相單元包括上述任一所述功率單元中的相單元。

其中，

所述三個(gè)相單元中的所有電容的一端組成的平面與所述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊的與負(fù)母線連接的端子和與正母線連接的端子所在的平面為同一平面，所述三個(gè)相單元中的所有電容通過疊層銅排與所述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊相連；

或所述三個(gè)相單元中的所有電容的一端組成的平面位于所述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊所在的平面的上方，所述三個(gè)相單元中的所有電容通過疊層銅排與所述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊相連；

或所述三個(gè)相單元中的所有電容的一端所在的平面與所述述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊所在的平面垂直，所述三個(gè)相單元中的所有電容通過疊層銅排與所述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊相連。

其中，所述相單元為上述任一所述功率單元中的相單元，所述功率單元包括三個(gè)所述相單元。

一種變頻器，包括上述任一所述的功率單元。

經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的功率單元中的相單元中采用的高電流密度IGBT模塊的電流密度大于等于14.3A/cm²，在需要同等功率的情況下，與現(xiàn)有技術(shù)相比，實(shí)用新型實(shí)施例提供的相單元的高電流密度IGBT模塊的體積小，所以相單元體積小，因此由該相單元組成的功率單元體積也隨之減小，由功率單元組成的變頻器的體積也隨之減小。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元中的相單元中的高電流密度IGBT模塊的內(nèi)部電路示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元中相單元中的高電流密度IGBT模塊的一種封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元中相單元的一種實(shí)現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元的另一實(shí)現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元中的相單元的電容和高電流密度IGBT模塊連接關(guān)系示意圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元中電容與高電流密度IGBT模塊的連接關(guān)系示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

實(shí)施例一

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種功率單元中的相單元，該相單元包括：至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊以及至少一個(gè)電容，所述高電流密度IGBT模塊的電流密度大于等于14.3A/cm²。

所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊可以為三個(gè)，所述至少一個(gè)電容可以為七個(gè)。當(dāng)然所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊可以為兩個(gè)，所述至少一個(gè)電容可以為五個(gè)。當(dāng)然，至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊可以為4個(gè)，至少一個(gè)電容可以為9個(gè)等等，本實(shí)用新型實(shí)施例并不對(duì)至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊和至少一個(gè)電容的具體值作限定。

組成相單元的各個(gè)高電流密度IGBT模塊和電容并聯(lián)，假設(shè)所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊可以為三個(gè)，所述至少一個(gè)電容可以為七個(gè)，那么三個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第一連接端相連，三個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第三連接端相連，三個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第二連接端相連。七個(gè)所述電容與三個(gè)所述高電流密度IGBT模塊并聯(lián)，即七個(gè)所述電容的一端分別與三個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第一連接端相連，七個(gè)所述電容的另一端分別與三個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第三連接端相連。

假設(shè)所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊可以為兩個(gè)，所述至少一個(gè)電容可以為五個(gè)，則兩個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第一連接端相連，兩個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第三連接端相連，兩個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第二連接端相連，五個(gè)所述電容的一端分別與兩個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第一連接端相連，五個(gè)所述電容的另一端分別與兩個(gè)所述高電流密度IGBT模塊的第三連接端相連。

電容可以為膜電容。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的功率單元中的相單元中采用的高電流密度IGBT模塊的電流密度大于等于14.3A/cm²，在需要同等功率的情況下，與現(xiàn)有技術(shù)相比，實(shí)用新型實(shí)施例提供的相單元的高電流密度IGBT模塊的體積小，所以相單元體積小，因此由該相單元組成的功率單元體積也隨之減小，由功率單元組成的變頻器的體積也隨之減小。

實(shí)施例二

請(qǐng)參閱圖1，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元中的相單元中的高電流密度IGBT模塊的內(nèi)部電路示意圖。所述高電流密度IGBT模塊包括：上橋絕緣柵雙極型晶體管IGBT 11、第一續(xù)流二極管12、下橋IGBT 13、第二續(xù)流二極管14以及溫度檢測(cè)電阻15。

所述上橋IGBT 11的集電極C1與所述第一續(xù)流二極管12的負(fù)極相連，相連的一端作為第一連接端，所述第一連接端用于連接正母線、短路保護(hù)電路。

圖1中第一連接端引出了兩個(gè)端子，端子1用于連接正母線，端子4用于連接短路保護(hù)電路。

所述上橋IGBT 11的發(fā)射集E1分別與所述第一續(xù)流二極管12的正極、所述下橋IGBT 13的集電極C2、所述第二續(xù)流二極管14的負(fù)極相連，相連的一端作為第二連接端，所述第二連接端用于連接第一門極驅(qū)動(dòng)電路，且作為交流輸入或輸出的端子。

圖1中第二連接端引出了兩個(gè)端子，端子2作為交流輸入或輸出的端子，端子6用于連接第一門極驅(qū)動(dòng)電路。

所述上橋IGBT的門極用于連接所述第一門極驅(qū)動(dòng)電路。

圖1中上橋IGBT的門極5用于連接所述第一門極驅(qū)動(dòng)電路。

所述下橋IGBT 13的發(fā)射極E2與所述第二續(xù)流二極管14的正極相連，相連的一端作為第三連接端，所述第三連接端用于連接負(fù)母線、第二門極驅(qū)動(dòng)電路以及溫度檢測(cè)電阻15的一端，所述溫度檢測(cè)電阻15的另一端用于連接溫度檢測(cè)電路。

圖1中第三連接端引出了3個(gè)端子，端子3用于連接負(fù)母線，端子8用于連接第二門極驅(qū)動(dòng)電路，端子9用于連接溫度檢測(cè)電路。

所述下橋IGBT的門極用于連接所述第二門極驅(qū)動(dòng)電路。

圖1中端子7為下橋IGBT的門極。

實(shí)施例三

請(qǐng)參閱圖2，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元中相單元中的高電流密度IGBT模塊的一種封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2中的各個(gè)端子與圖1中的各個(gè)端子相對(duì)應(yīng)，在此不再贅述，詳細(xì)參見對(duì)圖1中各個(gè)端子的描述。高電流密度IGBT模塊可以為100*140mm2的LINPAK封裝。

實(shí)施例四

為了使上述任一相單元實(shí)施例中的相單元體積更小，可以對(duì)電容和高電流密度IGBT模塊的位置進(jìn)行設(shè)置，本實(shí)用新型實(shí)施例提供但不限于以下三種方式：

第一種，所述至少一個(gè)電容的一端所在的平面與所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊的與負(fù)母線連接的端子3和與正母線連接的端子1所在的平面為同一平面，所述至少一個(gè)電容通過疊層銅排與所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊相連。

第二種，所述至少一個(gè)電容的一端所在的平面位于所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊所在的平面的上方，所述至少一個(gè)電容通過疊層銅排與所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊相連

第三種，所述至少一個(gè)電容的一端所在的平面與所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊所在的平面垂直，所述至少一個(gè)電容通過所述疊層銅排與所述至少一個(gè)高電流密度IGBT模塊相連

為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更加，理解上述對(duì)電容和高電流密度IGBT模塊的位置關(guān)系，請(qǐng)參閱圖3，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元中相單元的一種實(shí)現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

從圖3中可以看出該相單元包括3個(gè)高電流密度IGBT模塊以及7個(gè)電容。負(fù)母線DC-和正母線DC+的位置關(guān)系如圖3所示設(shè)置。本實(shí)用新型實(shí)施例中的3個(gè)高電流密度IGBT模塊以及7個(gè)電容只是舉例，并不對(duì)高電流密度IGBT模塊和電容的個(gè)數(shù)進(jìn)行限制。

7個(gè)電容與3個(gè)高電流密度IGBT模塊擺放成90度，這樣可以進(jìn)一步減小由三個(gè)相單元組成的功率單元的體積，同樣此相單元可以組成整流單元或者逆變單元。具體的，三個(gè)相單元在構(gòu)成一個(gè)功率單元時(shí)，可將三個(gè)相單元并聯(lián)連接。

實(shí)施例五

可以理解的是，功率單元包括三個(gè)相單元，每一相單元的結(jié)構(gòu)都可以如上述任一功率單元中的相單元實(shí)施例所描述的結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供但不限于以下幾種結(jié)構(gòu)：功率單元可以是一體式的，即一個(gè)整體，也可以是由三個(gè)相同結(jié)構(gòu)的相單元組成的。

第一種，所述三個(gè)相單元中的所有電容的一端組成的平面與所述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊的與負(fù)母線連接的端子3和與正母線連接的端子1所在的平面為同一平面，所述三個(gè)相單元中的所有電容通過疊層銅排與所述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊相連。

第二種，所述三個(gè)相單元中的所有電容的一端組成的平面位于所述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊所在的平面的上方，所述三個(gè)相單元中的所有電容通過疊層銅排與所述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊相連。

第三種，所述三個(gè)相單元中的所有電容的一端所在的平面與所述述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊所在的平面垂直，所述三個(gè)相單元中的所有電容通過疊層銅排與所述三個(gè)相單元中的所有高電流密度IGBT模塊相連。

為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更加理解本實(shí)用新型實(shí)施例提供的功率單元的結(jié)構(gòu)，下面舉例進(jìn)行說明。

請(qǐng)參閱圖4，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元的結(jié)構(gòu)示意圖。

可以看出該功率單元中每個(gè)相單元由2個(gè)高電流密度IGBT模塊以及5個(gè)電容組成，所以功率單元包括6個(gè)高電流密度IGBT模塊以及15個(gè)電容。每一個(gè)相單元中各個(gè)的高電流密度IGBT模塊的交流輸入或輸出的端子2相連，連接端作為功率單元的三相輸入輸出端其中的一端，即R端(U端)或S端(V端)或T端(W端)，其中功率單元的三相作為輸入端時(shí)稱為R端、S端、T端，作為輸出端時(shí)稱為U端、V端、W端。15個(gè)電容可以由3*5結(jié)構(gòu)擺放入圖4所示，疊層銅排出來正母線DC+與負(fù)母線DC-，這樣可以使得相單元的高度較低、疊層銅排簡單、寄生電感小。本實(shí)用新型實(shí)施例中的6個(gè)高電流密度IGBT模塊以及15個(gè)電容只是舉例，并不對(duì)高電流密度IGBT模塊和電容的個(gè)數(shù)進(jìn)行限制。

圖4中的功率單元可以是一體式的，即不是由三個(gè)相同結(jié)構(gòu)的相單元組裝而成，而是一個(gè)統(tǒng)一的整體，這樣當(dāng)需要的電流較小時(shí)，例如1000A，可以使用一體式的功率單元。

可以理解的是當(dāng)需要的電流較大時(shí)，例如1500A，為了便于維護(hù)可以將相單元按照實(shí)施例四中第一種電容和高電流密度IGBT模塊的位置設(shè)置方式進(jìn)行設(shè)置，然后在將三個(gè)相單元進(jìn)行組裝。

請(qǐng)參閱圖5，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元的另一實(shí)現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

可以看出該功率單元中每個(gè)相單元由2個(gè)高電流密度IGBT模塊以及5個(gè)電容組成。每一個(gè)相單元的交流輸入或輸出的端子2作為三相輸入輸出端，即R端、S端、T端。負(fù)母線DC-和正母線DC+的如圖5所示設(shè)置。本實(shí)用新型實(shí)施例中的2個(gè)高電流密度IGBT模塊以及5個(gè)電容只是舉例，并不對(duì)高電流密度IGBT模塊和電容的個(gè)數(shù)進(jìn)行限制。

圖5中的功率單元可以是一體式的，即不是由三個(gè)相同結(jié)構(gòu)的相單元組裝而成，而是一個(gè)統(tǒng)一的整體，這樣當(dāng)需要的電流較小時(shí)，例如1000A，可以使用一體式的功率單元。

可以理解的是當(dāng)需要的電流較大時(shí)，例如1500A，為了便于維護(hù)可以將相單元按照實(shí)施例四中第二種電容和高電流密度IGBT模塊的位置設(shè)置方式進(jìn)行設(shè)置，然后在將三個(gè)相單元進(jìn)行組裝。

圖5中相單元的結(jié)構(gòu)為實(shí)施例四中第二種電容和高電流密度IGBT模塊的位置設(shè)置方式。這樣的方式可以減小相單元的長度，但是相單元的高度增加且疊層銅排設(shè)計(jì)復(fù)雜了。

為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更加理解本實(shí)用新型實(shí)施例中電容和高電流密度IGBT模塊的連接關(guān)系，請(qǐng)參閱圖6，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元中的相單元的電容和高電流密度IGBT模塊連接關(guān)系示意圖。

從圖6中可以看出，該相單元包括3個(gè)高電流密度IGBT模塊，分別為高電流密度IGBT模塊IGBT1、高電流密度IGBT模塊IGBT2、高電流密度IGBT模塊IGBT3，7個(gè)電容，7個(gè)電容分別為電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7。由于電容個(gè)數(shù)較多在途6中僅示出了3個(gè)電容。

7個(gè)電容的一端均分別與3個(gè)高電流密度IGBT模塊的與負(fù)母線連接的端子3連接，7個(gè)電容的另一端均分別與3個(gè)高電流密度IGBT模塊的與正母線連接的端子1連接，圖6中DC+表示正母線，DC-表示負(fù)母線。

3個(gè)高電流密度IGBT模塊的交流輸入或輸出的端子2相連，作為R端(U端)或S端(V端)或T端(W端)。

請(qǐng)參閱圖7，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種功率單元中電容與高電流密度IGBT模塊的連接關(guān)系示意圖。

從圖7中可以看出，每個(gè)相單元包括2個(gè)高電流密度IGBT模塊以及5個(gè)電容，所以功率單元包括6個(gè)高電流密度IGBT模塊以及15個(gè)電容，6個(gè)高電流密度IGBT模塊分別為高電流密度IGBT模塊IGBT1、高電流密度IGBT模塊IGBT2、高電流密度IGBT模塊IGBT3、高電流密度IGBT模塊IGBT4、高電流密度IGBT模塊IGBT5、高電流密度IGBT模塊IGBT6，15個(gè)電容分別為電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7、電容C8、電容C9、電容C10、電容C11、電容C12、電容C13、電容C14以及電容C15。每個(gè)相單元中的2個(gè)高電流密度IGBT模塊的交流輸入或輸出的端子2相連作為R端(U端)或S端(V端)或T端(W端)，如圖高電流密度IGBT模塊IGBT1、高電流密度IGBT模塊IGBT2的交流輸入或輸出的端子2相連作為R端(U端)，高電流密度IGBT模塊IGBT3、高電流密度IGBT模塊IGBT4的交流輸入或輸出的端子2相連作為S端(V端)，高電流密度IGBT模塊IGBT5、高電流密度IGBT模塊IGBT6的交流輸入或輸出的端子2相連作為T端(W端)。

15個(gè)電容的一端均分別與6個(gè)高電流密度IGBT模塊的與負(fù)母線連接的端子3連接，15個(gè)電容的另一端均分別與6個(gè)高電流密度IGBT模塊的與正母線連接的端子連接，圖7中DC+表示正母線，DC-表示負(fù)母線。

本實(shí)用新型實(shí)施例中功率單元中每個(gè)相單元由2個(gè)高電流密度IGBT模塊并聯(lián)構(gòu)成，三相共六個(gè)高電流密度IGBT模塊，可以用作整流單元或者逆變單元，用作整流功率單元時(shí)，輸入端R端、S端、T端三相交流690VAC(以690VAC為例，根據(jù)實(shí)際情況也可以為其他值)輸入經(jīng)過高電流密度IGBT模塊整流后到正母線DC+和負(fù)母線DC-，正母線DC+和負(fù)母線DC-的電容可以由15個(gè)膜電容并聯(lián)。用作逆變功率單元時(shí)，正母線DC+和負(fù)母線DC-直流輸入，正母線DC+和負(fù)母線DC-支撐電容與整流單元一樣，然后經(jīng)三相共六個(gè)高電流密度IGBT模塊逆變?yōu)檩敵龆薝端、V端、W端三相交流690VAC輸出。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種變頻器，該變頻器包括如上述任一功率單元實(shí)施例所描述的功率單元。

需要說明的是，本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。

還需要說明的是，在本文中，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。