本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種泄放電器殘余電壓的裝置、方法及具有該裝置的用電器。

背景技術(shù)：

家用電器上需要用到X2電容作為濾波使用，當(dāng)電器從交流電路中脫開時(shí)，電容器上的電荷沒(méi)有及時(shí)放掉，很容易發(fā)生觸電事故，所以電容器在脫離交流電源時(shí)，必須使用放電負(fù)載立刻將電容器上的剩余電量放掉。目前已有的家用電器殘余電壓放掉的方法，都是斷開電網(wǎng)時(shí)需要通過(guò)硬件或軟件檢測(cè)電網(wǎng)電壓變化，檢測(cè)掉電狀態(tài)控制放電開關(guān)接通負(fù)載電路放電，這種根據(jù)檢測(cè)數(shù)據(jù)實(shí)施控制的方法比較繁瑣，且耗費(fèi)系統(tǒng)資源。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種泄放電器殘余電壓的裝置，包括：至少一個(gè)開關(guān),所述開關(guān)的一端與負(fù)載連接；所述開關(guān)的另一端與芯片IO口連接，所述開關(guān)在所述電器斷電時(shí)導(dǎo)通泄放殘余電壓。

可選地，所述開關(guān)為三極管；所述三極管的基極通過(guò)電阻和/或上拉電阻與所述芯片IO口連接，發(fā)射極接地，集電極與所述負(fù)載連接。

可選地，所述開關(guān)為第二三極管；所述第二三極管的基極通過(guò)電阻和上拉電阻與所述第二芯片IO口連接，所述第二芯片IO口為開漏IO口。

可選地，在電器斷電時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口輸出高阻態(tài)，從而殘余電壓通過(guò)所述第二三級(jí)管的上拉電阻接通所述第二三極管，使所述電器泄放殘余電壓。

可選地，在負(fù)載工作時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口輸出高電平控制所述第二三極管接通工作；在負(fù)載不工作時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口輸出低電平控制所述第二三極管關(guān)斷。

可選地，所述開關(guān)包括第一三極管；所述第一三極管的基極通過(guò)電阻與所述第一芯片IO口連接，所述第一芯片IO口為開漏IO口或普通IO口。

可選地，在負(fù)載工作時(shí)，通過(guò)所述第一芯片IO口輸出高電平控制所述第一三極管接通工作，通過(guò)所述第二芯片IO口輸出低電平控制所述第二三極管關(guān)掉；在負(fù)載不工作時(shí)，通過(guò)所述第一芯片IO口輸出低電平控制所述第一三極管關(guān)斷，通過(guò)所述第二芯片IO口輸出低電平控制所述第二三極管關(guān)斷。

可選地，還包括所述三極管的集電極與負(fù)載電路連接；所述負(fù)載電路包括連接所述負(fù)載的插座和二極管；所述連接所述負(fù)載的插座的一端與電源VCC相連接，另一端與所述三極管的集電極相連接；所述二極管的正極與所述三極管的集電極相連接，負(fù)極與所述電源VCC相連接。

本發(fā)明另一方面還提供了一種用電器，具有以上任一項(xiàng)所述的泄放電器殘余電壓的裝置。

本發(fā)明又一方面還提供了一種泄放電器殘余電壓的方法，包括：設(shè)置至少一個(gè)開關(guān),將所述開關(guān)的一端與負(fù)載連接；將所述開關(guān)的另一端與芯片IO口連接，所述開關(guān)在所述電器斷電時(shí)導(dǎo)通泄放殘余電壓。

可選地，所述開關(guān)為三極管；將所述三極管的基極通過(guò)電阻和/或上拉電阻與所述芯片IO口連接，發(fā)射極接地，集電極與所述負(fù)載連接。

可選地，所述開關(guān)為第二三極管；將所述第二三極管的基極通過(guò)電阻和上拉電阻與所述第二芯片IO口連接，所述第二芯片IO口為開漏IO口。

可選地，在電器斷電時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口輸出高阻態(tài)，從而殘余電壓通過(guò)所述第二三級(jí)管的上拉電阻接通所述第二三極管，使所述電器泄放殘余電壓。

可選地，在負(fù)載工作時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口輸出高電平控制所述第二三極管接通工作；在負(fù)載不工作時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口輸出低電平控制所述第二三極管關(guān)斷。

可選地，所述開關(guān)包括第一三極管；將所述第一三極管的基極通過(guò)電阻與所述第一芯片IO口連接，所述第一芯片IO口為開漏IO口或普通IO口。

可選地，在負(fù)載工作時(shí)，通過(guò)所述第一芯片IO口輸出高電平控制所述第一三極管接通工作，通過(guò)所述第二芯片IO口輸出低電平控制所述第二三極管關(guān)掉；在負(fù)載不工作時(shí)，通過(guò)所述第一芯片IO口輸出低電平控制所述第一三極管關(guān)斷，通過(guò)所述第二芯片IO口輸出低電平控制所述第二三極管關(guān)斷。

可選地，還包括所述三極管的集電極與負(fù)載電路連接；所述負(fù)載電路包括連接所述負(fù)載的插座和二極管；所述連接所述負(fù)載的插座的一端與電源VCC相連接，另一端與所述三極管的集電極相連接；所述二極管的正極與所述三極管的集電極相連接，負(fù)極與所述電源VCC相連接。

本發(fā)明的提供的技術(shù)方案避免家用電器斷開電網(wǎng)時(shí)需要通過(guò)硬件或軟件檢測(cè)電網(wǎng)電壓變化，不用檢測(cè)市電電壓，不涉及軟件控制處理，控制完全由硬件電路自動(dòng)實(shí)現(xiàn)，節(jié)省了系統(tǒng)資源；且硬件電路設(shè)計(jì)巧妙，方案簡(jiǎn)單易行。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1是本發(fā)明提供的泄放電器殘余電壓的裝置的一種優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明提供的泄放電器殘余電壓的裝置的又一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明提供的泄放電器殘余電壓的方法的整體框架圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的說(shuō)明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對(duì)象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語(yǔ)“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過(guò)程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒(méi)有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過(guò)程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

本發(fā)明提供了一種泄放電器殘余電壓的裝置。本發(fā)明的泄放電器殘余電壓的裝置包括：至少一個(gè)開關(guān),所述開關(guān)的一端與負(fù)載連接；所述開關(guān)的另一端與芯片IO口連接，所述開關(guān)在所述電器斷電時(shí)導(dǎo)通泄放殘余電壓。本方案主要解決家用電器拔掉電源插頭時(shí)，EMC(Electro Magnetic Compatibility，電磁兼容性)濾波X2電容殘余電荷泄放問(wèn)題。本方案為在正常工作時(shí)使用開關(guān)可以接通工作，在電器斷開電網(wǎng)時(shí)通過(guò)開關(guān)接通負(fù)載或耗電器快速泄放交流電容地電荷。

圖1是本發(fā)明提供的泄放電器殘余電壓的裝置的一種優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，所述開關(guān)為三極管；所述三極管的基極通過(guò)電阻和/或上拉電阻與所述芯片IO口連接，發(fā)射極接地，集電極與負(fù)載電路4連接；圖1中標(biāo)號(hào)4所示的虛線框表示負(fù)載電路，所述負(fù)載電路4包括連接所述負(fù)載的插座CN1和二極管D1；圖1中的插座CN1連接負(fù)載，負(fù)載可包括風(fēng)扇等電器。所述負(fù)載的一端通過(guò)插座CN1與電源VCC端相連接，另一端通過(guò)插座CN1與所述三極管的集電極相連接；所述二極管D1的正極與所述三極管的集電極相連接，負(fù)極與所述電源VCC端相連接。

再參見(jiàn)圖1，根據(jù)本發(fā)明泄放電器殘余電壓的裝置的一種實(shí)施方式,所述開關(guān)包括第一三極管Q1和第二三極管Q2；所述第一三極管Q1的基極通過(guò)電阻R2與所述第一芯片IO口1連接，所述第一芯片IO口1為開漏IO口或普通IO口；所述第二三極管Q2的基極通過(guò)上拉電阻R1與所述第二芯片IO口2連接，所述第二芯片IO口2為開漏IO口。上拉就是將不確定的信號(hào)通過(guò)一個(gè)電阻鉗位在高電平(如圖1所示，高電平為5V)，電阻同時(shí)起限流作用。第一三極管Q1和第二三極管Q2的發(fā)射極接地，集電極與連接負(fù)載的插座CN1的一端和二極管D1的正極相連接。

進(jìn)一步，在負(fù)載工作時(shí)，通過(guò)所述第一芯片IO口1輸出高電平控制所述第一三極管Q1接通工作；通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出低電平控制所述第二三極管Q2關(guān)掉。在負(fù)載待機(jī)時(shí)，通過(guò)所述第一芯片IO口1輸出低電平控制所述第一三極管Q1關(guān)斷；通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出低電平控制所述第二三極管Q2關(guān)斷。在電器斷電時(shí)，通過(guò)所述第一芯片IO口1輸出低電平控制所述第一三極管Q1關(guān)斷；通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出高阻態(tài)，從而殘余電壓通過(guò)所述第二三級(jí)管的上拉電阻接通所述第二三極管Q2，使所述電器泄放殘余電壓。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案，其優(yōu)點(diǎn)在于使用芯片開漏口在掉電時(shí)的高阻態(tài)特性實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制開關(guān)放電。開漏口的特性是：需要外部上拉電阻才能工作，芯片設(shè)置輸出為低電平L時(shí)，IO口輸出低電平L；輸出為高電平H時(shí)，IO口輸出高電平H，在芯片掉電低于復(fù)位電壓時(shí)，IO口輸出為高阻態(tài)。利用IO口輸出低電平、高電平和高阻態(tài)，自動(dòng)控制負(fù)載的工作、待機(jī)和放電狀態(tài)。

在以上實(shí)施例中，通過(guò)芯片開漏IO口實(shí)現(xiàn)開關(guān)自動(dòng)控制，同時(shí)放電負(fù)載工作時(shí)使用一個(gè)開關(guān)，放電時(shí)使用另一個(gè)開關(guān)，根據(jù)需要可以使用多個(gè)開關(guān)。實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)根據(jù)具體的控制需要而確定所使用開關(guān)的個(gè)數(shù)，可以是一個(gè)開關(guān)，也可以是多個(gè)開關(guān)，不限于使用兩個(gè)開關(guān)。以下是使用一個(gè)三極管實(shí)施控制的實(shí)施例。

圖2是本發(fā)明提供的泄放電器殘余電壓的裝置的又一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明泄放電器殘余電壓的裝置的一種實(shí)施方式,所述開關(guān)為第二三極管Q2；所述第二三極管Q2的基極通過(guò)電阻R2和上拉電阻R1與所述第二芯片IO口2連接，所述第二芯片IO口2為開漏IO口。所述第二三極管Q2的發(fā)射極接地，集電極與連接負(fù)載的插座CN1和二極管D1的正極相連接。圖2中標(biāo)號(hào)4所示的虛線框表示負(fù)載電路，負(fù)載電路包括連接負(fù)載的插座CN1和二極管D1。所述負(fù)載的一端通過(guò)插座CN1與電源VCC端相連接，另一端通過(guò)插座CN1與所述第二三極管Q2的集電極相連接；所述二極管D1的正極與所述第二三極管Q2的集電極相連接，負(fù)極與所述電源VCC端相連接。

進(jìn)一步，在負(fù)載工作時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出高電平控制所述第二三極管Q2接通工作；在負(fù)載待機(jī)時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出低電平控制所述第二三極管Q2關(guān)斷；在電器斷電時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出高阻態(tài)，從而殘余電壓通過(guò)所述第二三級(jí)管的上拉電阻接通所述第二三極管Q2，使所述電器泄放殘余電壓。

本發(fā)明另一方面還提供了一種用電器，具有以上任一項(xiàng)所述的泄放電器殘余電壓的裝置。

本發(fā)明又一方面還提供了一種泄放電器殘余電壓的方法。圖3是本發(fā)明提供的泄放電器殘余電壓的方法的整體框架圖。如圖3所示，本發(fā)明泄放電器殘余電壓的方法包括：步驟S110，設(shè)置至少一個(gè)開關(guān),將所述開關(guān)的一端與負(fù)載連接；步驟S120，將所述開關(guān)的另一端與芯片IO口連接，所述開關(guān)在所述電器斷電時(shí)導(dǎo)通泄放殘余電壓。

根據(jù)本發(fā)明泄放電器殘余電壓的方法的一種實(shí)施方式,參見(jiàn)圖1及圖2，所述開關(guān)為三極管；將所述三極管的基極通過(guò)電阻和/或上拉電阻與所述芯片IO口連接，發(fā)射極接地，集電極與負(fù)載電路4連接；所述負(fù)載電路4包括連接所述負(fù)載的插座CN1和二極管D1；將所述連接所述負(fù)載的插座CN1的一端與電源VCC端相連接，另一端與所述三極管的集電極相連接；將所述二極管D1的正極與所述三極管的集電極相連接，負(fù)極與所述電源VCC端相連接。

根據(jù)本發(fā)明泄放電器殘余電壓的方法的一種實(shí)施方式,參見(jiàn)圖1，所述開關(guān)包括第一三極管Q1和第二三極管Q2；將所述第一三極管Q1的基極通過(guò)電阻R2與所述第一芯片IO口1連接，所述第一芯片IO口1為開漏IO口或普通IO口；將所述第二三極管Q2的基極通過(guò)上拉電阻R1與所述第二芯片IO口2連接，所述第二芯片IO口2為開漏IO口。

進(jìn)一步,在負(fù)載工作時(shí)，通過(guò)所述第一芯片IO口1輸出高電平控制所述第一三極管Q1接通工作；通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出低電平控制所述第二三極Q2管關(guān)掉；在負(fù)載待機(jī)時(shí)，通過(guò)所述第一芯片IO口1輸出低電平控制所述第一三極管Q1關(guān)斷；通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出低電平控制所述第二三極管Q2關(guān)斷；在電器斷電時(shí)，通過(guò)所述第一芯片IO口1輸出低電平控制所述第一三極管Q1關(guān)斷；通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出高阻態(tài)，從而殘余電壓通過(guò)所述第二三級(jí)管的上拉電阻接通所述第二三極管Q2，使所述電器泄放殘余電壓。

根據(jù)本發(fā)明泄放電器殘余電壓的方法的另一種實(shí)施方式,參見(jiàn)圖2，所述開關(guān)為第二三極管Q2；將所述第二三極管Q2的基極通過(guò)電阻R2和上拉電阻R1與所述第二芯片IO口2連接，所述第二芯片IO口2為開漏IO口。

進(jìn)一步，在負(fù)載工作時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出高電平控制所述第二三極管Q2接通工作；在負(fù)載待機(jī)時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出低電平控制所述第二三極管Q2關(guān)斷；在電器斷電時(shí)，通過(guò)所述第二芯片IO口2輸出高阻態(tài)，從而殘余電壓通過(guò)所述第二三級(jí)管的上拉電阻接通所述第二三極管Q2，使所述電器泄放殘余電壓。

本發(fā)明的提供的技術(shù)方案避免家用電器斷開電網(wǎng)時(shí)需要通過(guò)硬件或軟件檢測(cè)電網(wǎng)電壓變化，不用檢測(cè)市電電壓，不涉及軟件控制處理，控制完全由硬件電路自動(dòng)實(shí)現(xiàn)，節(jié)省了系統(tǒng)資源；且硬件電路設(shè)計(jì)巧妙，方案簡(jiǎn)單易行。

本文中所描述的功能可在硬件、固件或其任何組合中實(shí)施。其它實(shí)例及實(shí)施方案在本發(fā)明及所附權(quán)利要求書的范圍及精神內(nèi)。此外，各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。

在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的技術(shù)內(nèi)容，可通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。其中，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如所述單元的劃分，可以為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些接口，單元或模塊的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。

所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為控制裝置的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)單元上。可以根據(jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。