本發(fā)明大致是有關于在電源供應器中的補償濾波器,并且尤其是有關于一種在被形成于集成電路、晶圓、芯片或晶粒上的DC-DC轉(zhuǎn)換器中所利用的第三型切換式電容濾波器(SCF)。
背景技術:
某些DC-DC轉(zhuǎn)換器(例如,步降或是降壓轉(zhuǎn)換器)通常是利用一補償濾波器或是“回授放大器”以用于閉回路的調(diào)節(jié),使得作為頻率的一函數(shù)的回授網(wǎng)絡增益及相位確保具有回授的整體系統(tǒng)維持穩(wěn)定的。例如,某些降壓轉(zhuǎn)換器是包含第三型切換式電容濾波器(SCF)補償,以確保其穩(wěn)定性、瞬時響應以及閉回路效能符合由所牽涉到的整體系統(tǒng)施加的需求。然而,有關這些降壓轉(zhuǎn)換器的一項重要的問題是一或多個取樣及保持放大器(SHA)級是運作所述SCF補償電路以及避免迭頻(aliasing)失真所需的。每一個SHA級是增加一T/2的相位延遲(其中T是所述SCF的取樣周期)至所述回授回路,其在此種閉回路系統(tǒng)中是極不合需要的,因為所述相位延遲是直接而且負面地影響所牽涉到的降壓轉(zhuǎn)換器及系統(tǒng)的穩(wěn)定性、瞬時響應以及因此的閉回路效能。再者,每一個SHA級都增加所述SCF補償電路被形成在其上的晶粒的覆蓋區(qū)、功率消耗以及成本。
技術實現(xiàn)要素:
相關申請案的交互參照
此申請案是相關于2015年8月14日申請的名稱為“DC-DC轉(zhuǎn)換器中的加強型切換式電容濾波器補償”的美國臨時專利申請案序號62/205,230以及2015年11月10日申請的名稱為“DC-DC轉(zhuǎn)換器中的加強型切換式電容濾波器補償”的美國臨時專利申請案序號62/253,644,所述兩個美國臨時專利申請案是被納入在此作為參考。此申請案特此主張美國臨時專利申請案序號62/205,230以及62/253,644的益處。
一實施例是針對于一種用于一DC-DC轉(zhuǎn)換器的補償電路。所述補償電路是包含一積分器電路以接收及積分一電壓信號(例如,來自一降壓轉(zhuǎn)換器的電壓回授信號VFB)。所述補償電路也包含一耦接至所述積分器電路的差分差值放大器電路,以產(chǎn)生一和所述經(jīng)積分的電壓信號相關的濾波器轉(zhuǎn)移函數(shù)(transfer function)。一切換式電容濾波器(SCF)電路也耦接至所述差分差值放大器電路,以產(chǎn)生一第二濾波器轉(zhuǎn)移函數(shù)。所述差分差值放大器是響應于所述第一濾波器轉(zhuǎn)移函數(shù)以及所述第二濾波器轉(zhuǎn)移函數(shù)來輸出一第二電壓信號。對于此實施例而言,所述第二電壓信號是用于所牽涉到的降壓轉(zhuǎn)換器的補償電壓信號VCOMP。
附圖說明
理解到所述圖式只描繪范例實施例,并且因此并不被視為在范疇上限制性的,所述范例實施例將會透過所附的圖式的使用,在額外的特定性及細節(jié)下加以描述。
圖1是描繪一切換式電容濾波器(SCF)補償電路的概要的電路圖,其可被利用以實施本發(fā)明的一范例實施例。
圖2是描繪一SCF補償電路的概要的電路圖,其可被利用以實施本發(fā)明的一第二范例實施例。
圖3是描繪根據(jù)本發(fā)明的一范例實施例的一種可被利用以實施用于一DC-DC轉(zhuǎn)換器的第三型SCF補償?shù)姆椒ǖ牧鞒虉D。
圖4是描繪根據(jù)本發(fā)明的一范例實施例的一DC-DC轉(zhuǎn)換器的概要的電路圖,其可被利用以實施第三型SCF補償。
圖5是描繪一種可被利用以實施本發(fā)明的一范例實施例的電子系統(tǒng)的概要的方塊圖。
具體實施方式
在以下的詳細說明中是參考到構(gòu)成其中一部分而且其中通過特定的舉例說明的實施例而被展示的所附的圖式。然而,將了解到的是,其它實施例可被利用,并且可以做成邏輯、機械以及電性的改變。再者,在圖式的圖以及說明書中所呈現(xiàn)的方法并非被解釋為限制個別的動作可加以執(zhí)行所用的順序。因此,以下的詳細說明并非以限制性的意思來加以解釋。在所有可能之處的相同或類似的組件符號是在整個圖式被使用來指稱相同或類似的結(jié)構(gòu)的構(gòu)件或部件。
某些DC-DC轉(zhuǎn)換器(例如,步降或是降壓轉(zhuǎn)換器)通常是利用一補償濾波器或是“回授放大器”以用于閉回路的調(diào)節(jié),使得作為頻率的一函數(shù)的回授網(wǎng)絡增益及相位確保具有回授的整體系統(tǒng)維持穩(wěn)定的。例如,某些降壓轉(zhuǎn)換器是包含第三型切換式電容濾波器(SCF)補償,以確保其穩(wěn)定性、瞬時響應以及閉回路效能符合由所牽涉到的整體系統(tǒng)施加的需求。然而,有關這些降壓轉(zhuǎn)換器的一項重要的問題是一或多個取樣及保持放大器(SHA)級是運作所述SCF補償電路以及避免迭頻失真所需的。每一個SHA級是增加一T/2的相位延遲(其中T是所述SCF的取樣周期)至所述回授回路,其在此種閉回路系統(tǒng)中是極不合需要的,因為所述相位延遲是直接而且負面地影響所牽涉到的降壓轉(zhuǎn)換器及系統(tǒng)的穩(wěn)定性、瞬時響應以及因此的閉回路效能。再者,每一個SHA級都增加所述SCF補償電路被形成在其上的晶粒的覆蓋區(qū)、功率消耗以及成本。再者,現(xiàn)有的SCF補償電路是產(chǎn)生一復數(shù)的高頻極點,此進一步劣化其閉回路效能以及因此所牽涉到的降壓轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)定性及效能。最后,此高頻極點需要高帶寬的放大電路在所牽涉到的SCF補償電路中的利用,此產(chǎn)生遠高于所要的功率耗散需求。然而,如同在以下敘述的,本發(fā)明是利用在集成電路、晶圓、芯片或晶粒上所形成的降壓轉(zhuǎn)換器中的加強型第三型SCF補償,來解決這些以及其它相關的問題。
圖1是描繪一切換式電容濾波器(SCF)補償電路100的概要的電路圖,其可被利用以實施本發(fā)明的一范例實施例。在所展示的范例實施例中,所述SCF補償電路100包含一具有一連續(xù)時間的積分器前端的“沒有延遲的”第三型SCF電路。一具有兩對差分輸入的差分差值放大器(DDA)是被利用在所述SCF補償電路100中以實現(xiàn)一第三型濾波器轉(zhuǎn)移函數(shù),其致能在所述DDA的兩個差分輸入對之處所實現(xiàn)的轉(zhuǎn)移函數(shù)的隱含的級聯(lián)(cascading)。因此,在圖1中描繪的實施例可被利用作為一小型的離散時間的濾波器,此消除對于SHA級、高帶寬的放大級以及產(chǎn)生在現(xiàn)有的SCF補償電路中的復數(shù)的高頻極點的需求。
明確地說,參照圖1,所述SCF補償電路100是在一輸入102之處接收一電壓回授信號VFB,所述輸入102是耦接至一電阻器R0 103的第一端子。在此實施例中,所述電壓回授信號VFB是從一電壓控制的切換模式的脈波寬度調(diào)變的(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器的輸出端子來耦接至所述電阻器R0 103。在一第二實施例中,例如,所述電壓回授信號VFB可以是從一切換模式的PWM升壓轉(zhuǎn)換器的輸出端子、或是任何其它適當?shù)腄C-DC電壓轉(zhuǎn)換器的輸出節(jié)點來耦接至所述電阻器R0 103。不論在任何情形,所述電阻器R0 103的第二端子都連接至一電容器C0 104的第一端子以及一誤差放大器(例如,運算放大器)106的反相的輸入。所述誤差放大器106的非反相的輸入是耦接至一參考電壓信號VREF 105。耦接至所述誤差放大器106的非反相的輸入的參考電壓信號VREF 105是具有一指出用于所牽涉到的降壓轉(zhuǎn)換器的輸出電壓的目標電壓位準的電壓位準。包含所述電阻器R0 103、電容器C0 104以及誤差放大器106的電路是作用為一積分器電路109,其是在所述誤差放大器106的輸出以及所述節(jié)點108之處提供一積分的電壓信號VINTEG。注意到的是,例如在此實施例的一不同的特點中,所述積分器電路109也可以通過利用被加載一電容器的一運算互導放大器(OTA)來加以實施。
所述SCF補償電路100也包含一DDA 110。所述DDA 110是包含兩個輸入對:(V1+、V1-)以及(V2+、V2-)。在所述節(jié)點108之處的積分的電壓(誤差)信號VINTEG是耦接至所述DDA 110的V2+端子。一共模的電壓信號VCM(例如是電路參考電壓,其可以是不同于VREF 105)是耦接至所述DDA 110的V1+端子。所述共模的電壓信號VCM是一DC電壓以及一AC接地,其也耦接至一第二電容器C2 112的一第一端子。所述共模的電壓信號VCM是作用為一用于所述DDA 110的偏壓點,以確保所述DDA 110如所需地運作。就此而論,對于此范例實施例而言,所述共模的電壓VCM可被選擇為中間軌或是(VDD–GND)/2,并且可被視為一AC接地。所述第二電容器C2 112的第二端子是耦接至所述DDA 110的V1-端子,并且所述電壓回授信號VFB是耦接至所述DDA 110的V2-端子。
所述第二電容器C2 112的第二端子也耦接至一第三電容器C3 116的一第一端子、一第一晶體管(例如,MOSFET)開關118a(Ф2)的一第一端子以及一第二晶體管(例如,MOSFET)開關118b(Ф1)的一第二端子。所述第一晶體管開關118a的第二端子是耦接至一第四(切換)電容器C4 120a、120b的一第一端子以及一第三晶體管(例如,MOSFET)開關122a(Ф1)的一第一端子。所述第四電容器C4 120a、120b的第二端子是耦接至一第四晶體管(例如,MOSFET)開關122b(Ф2)的一第一端子。所述晶體管開關122a、122b以及所述第三電容器C3 116的第二端子是耦接至所述DDA 110的輸出端子,其是在所述輸出節(jié)點114之處提供一誤差或補償電壓信號VCOMP。在圖1中所示的范例實施例中,由所述電容器C2 112、C3116、C4120a及120b以及開關118a、118b、122a及122b所涵蓋的DDA 110的輸入對V1+及V1-以及輸出VCOMP是一起作用以提供一負回授網(wǎng)絡。在所述DDA110的輸出處的補償電壓信號VCOMP是耦接至一DC-DC轉(zhuǎn)換器的PWM控制器的一輸入(例如,如同在圖4描繪的實施例中,其是耦接至一降壓轉(zhuǎn)換器的一PWM比較器的輸入),以維持所述轉(zhuǎn)換器的輸出電壓在一實質(zhì)固定的值。注意到的是,在此范例實施例中,所述晶體管開關118a、118b、122a、122b、第三電容器C3 116、(雙)第四電容器C4 120a、120b以及DDA 110是被建構(gòu)以提供一第三型SCF電路101。
為了實施在圖1中所描繪的第三型SCF電路101,可以做一項有效的假設為所述DDA 110具有一無限的增益。(此外,由于VCM及VREF是DC電壓,因此所述共模的電壓VCM=VREF=AC接地)。因此,以下的關系可加以導出:
VINTEG-VFB=0-V2 (1)
所述經(jīng)積分的電壓信號VINTEG可被表示為以下(針對于所述誤差放大器106假設是無限的增益):
在數(shù)學上操作在所述DDA 110的輸入處的電壓信號是產(chǎn)生以下的表示式:
將方程式(3)及(7)代入方程式(1)中是產(chǎn)生以下的表示式:
注意到的是,如同由方程式(9)所指出的,在所述DDA 110的輸入處的轉(zhuǎn)移函數(shù)的操作是產(chǎn)生兩個極點:一極點是被設置在原點以提供一高水平的DC電壓調(diào)節(jié);并且第二極點是被設置在高頻處。此外,兩個實數(shù)零點是被設置在接近存在于電壓模式的控制中的電感-電容(LC)雙極點的頻率之處。也注意到的是,在方程式(9)中的項REQ4是代表所述切換式電容器C4的等效電阻。就此而論,一雙線性轉(zhuǎn)換(BLT)可被利用以轉(zhuǎn)換所述連續(xù)時間的濾波器(用拉普拉斯或是“s”域來加以表示)成為一離散時間的濾波器(用“z”域來加以表示),即如同以下緊接著敘述的。
為了獲得所述SCF電路100的離散時間的濾波器表示,所述BLT方程式可被表示為:
其中,T是所述SCF的取樣時間周期。在圖1所描繪的范例實施例中,所述取樣周期被假設為等于所述頻率周期的一半,因為雙重取樣被利用。因此,對于在圖1中描繪的實施例而言,所述取樣時間周期T=TCLK/2。注意到的是,只有所述切換式電容器C4的等效電阻REQ4貢獻到方程式(9)中的離散時間的濾波函數(shù)。就此而論,此離散時間的函數(shù)是在[0,1/2T]有效的。方程式(9)的其余部分對于在[0,∞)的所有模擬頻率值而言都是有效的。然而,通過選擇閉回路的截止頻率是遠小于1/T,高頻失真在整體的轉(zhuǎn)移函數(shù)上具有最小的影響。因此,方程式(7)可以用轉(zhuǎn)移函數(shù)形式來加以改寫:
所述轉(zhuǎn)移函數(shù)的完整的頻率響應于是通過將以下代入方程式(11)中來加以獲得:
z=ejωT (12)
總之,在圖1中所描繪的SCF補償電路101是包含一DDA,其實現(xiàn)一第三型濾波器轉(zhuǎn)移函數(shù),致能在所述DDA的差分輸入對之處所實現(xiàn)的兩個轉(zhuǎn)移函數(shù)的級聯(lián)。因此,利用在圖1中所描繪的實施例作為一離散時間的濾波器,實質(zhì)的益處是相對現(xiàn)有的SCF補償電路的那些個而被導出,例如是消除對于所需的SHA級以及高的放大器帶寬的需求、縮減所產(chǎn)生的晶粒的覆蓋區(qū)及功率消耗的需求以及強化所牽涉到的DC-DC(例如,降壓)轉(zhuǎn)換器以及整體系統(tǒng)的閉回路效能及穩(wěn)定性。
圖2是描繪一SCF補償電路200的概要的電路圖,其可被利用以實施本發(fā)明的一第二范例實施例。例如,所述SCF補償電路200可被利用以提供用于在一降壓轉(zhuǎn)換器中的閉回路調(diào)節(jié)的第三型SCF補償。在圖2所示的范例實施例中,所述SCF補償電路200是包含具有一取樣數(shù)據(jù)的積分器前端的一沒有延遲的第三型SCF電路201。就此而論,在圖2中所示的SCF補償電路200是在圖1中所示的第三型SCF補償電路100的一完整取樣的模擬的版本。僅通過使得SCF取樣時間周期(T=TSW/K)為所述降壓轉(zhuǎn)換器切換時間周期(TSW)的一分數(shù),一第三型濾波器被實現(xiàn),其是被完全整合到所述降壓轉(zhuǎn)換器中,不需要修整,并且其轉(zhuǎn)移函數(shù)是隨著所述切換時間周期TSW線性地縮放。因此,所述閉回路穩(wěn)定性理論上可以針對于任何TSW的值而被確保。
明確地說,所述SCF補償電路200是在一輸入節(jié)點202之處接收一電壓回授信號VFB(例如,來自一降壓轉(zhuǎn)換器的輸出節(jié)點)。所述輸入節(jié)點202是連接至一取樣數(shù)據(jù)的前端電路230(在以下詳細地敘述)的輸入端子。所述取樣數(shù)據(jù)的前端電路230的輸出端子是耦接至一節(jié)點203,所述節(jié)點203是連接至一電容器C0 204的第一端子以及一誤差放大器(例如,運算放大器)206的反相的輸入。所述誤差放大器206的非反相的輸入是連接以接收一參考電壓信號VREF 205。包含所述取樣數(shù)據(jù)的前端電路230、電容器C0 204以及誤差放大器206的電路是作用為一積分器電路209,以在所述誤差放大器206的輸出以及所述節(jié)點208之處提供一積分的電壓信號VINTEG。就此而論,以及如同在以下詳細敘述的,在此范例實施例中,所述SCF補償電路200是包含一取樣資料的積分器前端電路。
在所述節(jié)點208的積分的電壓信號VINTEG是耦接至一DDA 210的V2+輸入。所述電壓回授信號VFB是耦接至所述DDA 210的V2-輸入。所述DDA 210的V1+輸入是耦接至一共模的電壓信號VCM(例如,電路參考電壓信號)。所述共模的電壓信號VCM是一DC電壓以及一AC接地,其也耦接至一第二電容器C2 212的一第一端子。就此而論,所述共模的電壓信號VCM是作用為一偏壓點,以確保所述DDA 210如所需地運作。對于此范例實施例而言,所述共模的電壓VCM是被選擇為中間軌或是VCM=(VDD–GND)/2。所述第二電容器C2 212的第二端子是耦接至所述DDA 210的V1-輸入。所述DDA 210的輸出是在所述輸出節(jié)點214之處提供一補償電壓信號VCOMP。在此范例實施例中,所述輸出節(jié)點214是耦接至所牽涉到的DC-DC(降壓)轉(zhuǎn)換器。
所述第二電容器C2 212的第二端子也耦接至一第三電容器C3 216的一第一端子、一第一晶體管(例如,MOSFET)開關218a(Ф2)的一第一端子以及一第二晶體管(例如,MOSFET)開關218b(Ф1)的一第二端子。所述第一晶體管開關218a的第二端子是耦接至一第四(切換)電容器C4 220a、220b的一第一端子以及一第三晶體管(例如,MOSFET)開關222a(Ф1)的一第一端子。所述第四電容器C4 220a、220b的第二端子是耦接至一第四晶體管(例如,MOSFET)開關222b(Ф2)的一第一端子。所述晶體管開關222a、222b以及所述第三電容器C3 216的第二端子是耦接至所述輸出節(jié)點214。因此,在此范例實施例中,所述晶體管開關218a、218b、222a、222b、所述(切換式)第四電容器C4 220以及所述DDA 210是一起作用以提供一第三型SCF 201。
在此實施例中,所述取樣數(shù)據(jù)的前端電路230是在一第五晶體管(例如,MOSFET)開關224a(Ф1)的一第一端子以及一第六晶體管(例如,MOSFET)開關224b(Ф1)的一第一端子之處接收所述回授電壓信號VFB。所述第五晶體管開關224a的第二端子是耦接至一切換式電容器C1 226a、226b的一第一端子以及一第七晶體管(例如,MOSFET)開關228a(Ф2)的一第一端子。所述切換式(第五)電容器C1 226a、226b的第二端子是耦接至所述第六晶體管開關224b的第二端子以及一第八晶體管(例如,MOSFET)開關228b(Ф2)的一第一端子。所述第八晶體管開關228b的第二端子是耦接至所述第七晶體管開關228a的第二端子以及所述節(jié)點203。因此,所述第三型SCF 200是包含一取樣數(shù)據(jù)的電路(230)以及積分器電路(209)的前端。
在此范例實施例中,所述切換式電容器C1 226及C4 220兩者都可以在所述離散的時域中分別被實施為等效電阻器REQ1及REQ4。因此,假設以上的方程式(1)-(8)也可以適用于此實施例,則方程式(9)可以被改寫并且因此被表示為如下:
就此而論,對于此實施例而言,在所述離散的時域中,方程式(13)可被表示為如下:
同樣地,此轉(zhuǎn)移函數(shù)的完整的頻率響應可以藉由將以上的方程式(12)代入方程式(14)中來加以獲得。
總之,在圖2的實施例中所描繪的第三型SCF補償電路200是實現(xiàn)以上相關在圖1中描繪的實施例所述的所有強化。此外,在圖2所描繪的實施例中的取樣數(shù)據(jù)的前端電路230可被利用以直接取樣在所牽涉到的DC-DC(降壓)轉(zhuǎn)換器的輸出處的回授電壓。此功能尤其可被實施在其中降壓轉(zhuǎn)換器的漣波電壓是小的情形中(以及尤其當陶瓷輸出電容器被利用時)。然而,在此實施例中的切換式電容積分器的隱含的低通濾波避免了迭頻失真(并且因此消除對于抗迭頻濾波器的需求),即使所述漣波電壓是高的也是如此。
圖3是描繪根據(jù)本發(fā)明的一范例實施例的一種方法300的流程圖,其可被利用以實施用于一DC-DC轉(zhuǎn)換器的第三型SCF補償。在此實施例中,所述方法300是被利用以實施用于一降壓轉(zhuǎn)換器的SCF補償。然而,在其它實施例中,所述方法300也可被利用以實施用于其它適當類型的其中SCF補償是所要的電壓轉(zhuǎn)換器的SCF補償。參照圖1及3,所述范例的方法300是通過積分一在所述積分器109的輸出節(jié)點108所產(chǎn)生的誤差電壓信號來開始(302)。從所述輸入端子102之處接收到的回授電壓VFB導出的積分的誤差電壓信號是耦接至所述DDA 110的V2+差分輸入。所述SCF 101是濾波一和所述共模的電壓VCM相關的電壓信號(304),并且借此在所述DDA 110的V1-差分輸入之處產(chǎn)生一經(jīng)濾波的電壓信號。所述DDA 110是放大所述經(jīng)積分的誤差電壓信號以及所述經(jīng)濾波的電壓信號(306),并且響應于放大在所述兩個差分輸入對的個別的輸入處的積分的電壓信號以及經(jīng)濾波的電壓信號,以在其輸出(以及耦接至所述降壓轉(zhuǎn)換器的輸出節(jié)點)114之處產(chǎn)生一補償電壓信號(308)。更明確的說,在所述DDA 110的輸出114之處的補償電壓信號是在所述兩個差分輸入對之處接收到的電壓信號之間的差值。就此而論,所述DDA 110是隱含地作用以級聯(lián)被實現(xiàn)在所述兩個差分輸入對之處的電壓信號的轉(zhuǎn)移函數(shù)。
圖4是描繪一DC-DC轉(zhuǎn)換器400的概要的電路圖,其可被利用以實施本發(fā)明的一范例實施例。在所展示的范例實施例中,所述DC-DC轉(zhuǎn)換器400是一具有第三型SCF補償?shù)碾妷耗J娇刂频慕祲恨D(zhuǎn)換器。在一第二實施例中,所述DC-DC轉(zhuǎn)換器400可以是具有第三型SCF補償?shù)囊簧龎恨D(zhuǎn)換器或是一升降壓轉(zhuǎn)換器。參照在圖4中描繪的范例實施例,所述降壓轉(zhuǎn)換器400是包含一電源電路402以及一電壓模式的PWM控制器電路404。在此范例實施例中,所述電源電路402以及控制器電路404是被形成在個別的集成電路、晶圓、芯片或晶粒上。在一第二實施例中,所述電源電路402以及控制器電路404可被形成在單一集成電路、晶圓、芯片或晶粒上。
在圖4所描繪的實施例中,所述電源電路402是包含一高側(cè)驅(qū)動器放大器406以及一低側(cè)驅(qū)動器放大器408。所述驅(qū)動器放大器406、408的輸入端子是耦接至所述控制器電路404的輸出。所述高側(cè)驅(qū)動器放大器406以及低側(cè)驅(qū)動器放大器408的輸出端子是分別被耦接至一高側(cè)開關(例如,NMOS)晶體管410以及低側(cè)開關(例如,NMOS)晶體管412的控制端子。在所述開關晶體管410、412之間的輸出節(jié)點處的開關電壓VSW是耦接至電阻器RL 414,并且橫跨所述電阻器RL 414而發(fā)展出。橫跨所述電阻器RL 414發(fā)展出的電壓是耦接至所述電感器L 416,此于是產(chǎn)生電感器電流IL。所述電源電路402的輸出電壓是在所述輸出節(jié)點VOUT418之處被發(fā)展出,并且通過所述RC網(wǎng)絡420、422來加以濾波。
在所述電源電路402的輸出節(jié)點418之處的電壓VOUT是耦接至所述SCF補償電路424中的回授電壓輸入VFB。例如,參照圖1,所述電壓VOUT可以耦接至在該實施例中描繪的回授電壓輸入VFB 102、或者是,參照圖2,所述電壓VOUT可以耦接至在該實施例中描繪的SCF補償電路200中的回授電壓輸入VFB 202。在所述SCF補償電路424的輸出處的補償電壓信號VCOMP是耦接至一PWM比較器426的非反相的輸入端子。例如,參照圖1,所述電壓VCOMP可以從在該實施例中所描繪的SCF補償電路100中的輸出端子114耦接至所述電源電路402、或者是,參照圖2,所述電壓VCOMP可以從在該實施例中所描繪的SCF補償電路200中的輸出端子214耦接至所述電源電路402。所述電壓模式的PWM控制器電路404也包含一產(chǎn)生一頻率(時序)脈波的頻率電路428。所述頻率脈波是耦接至一鋸齒波產(chǎn)生器電路430,其產(chǎn)生一鋸齒波電壓信號VSAW,所述鋸齒波電壓信號VSAW是耦接至所述PWM比較器426的反相的輸入端子。因此產(chǎn)生在所述PWM比較器426的輸出以及所述電壓模式的PWM控制器404的輸出端子的PWM電壓信號VPWM是耦接至所述電源電路402中的高側(cè)及低側(cè)驅(qū)動器放大器406、408的個別的輸入端子。
圖5是描繪一種電子系統(tǒng)500的概要的方塊圖,其可被利用以實施本發(fā)明的一范例實施例。在所展示的范例實施例中,電子系統(tǒng)500是包含一電源子系統(tǒng)502、一數(shù)字處理器單元504以及一外圍子系統(tǒng)506。例如,所述數(shù)字處理器單元504可以是一微處理器或是微控制器與類似的。所述外圍子系統(tǒng)506是包含一用于儲存由所述數(shù)字處理器單元504處理的數(shù)據(jù)的內(nèi)存單元508以及一用于往返所述內(nèi)存單元508以及數(shù)字處理器單元504發(fā)送及接收資料的輸入/輸出(I/O)單元510。在圖5所描繪的范例實施例中,所述電源子系統(tǒng)502是包含一DC-DC轉(zhuǎn)換器512以及一用于所述轉(zhuǎn)換器512的閉回路調(diào)節(jié)的SCF補償電路514。例如,所述DC-DC轉(zhuǎn)換器512可以利用在圖4中所描繪的DC-DC(降壓)轉(zhuǎn)換器400來加以實施,并且所述SCF補償電路514可以是在圖4中所描繪的SCF補償電路424。所述DC-DC轉(zhuǎn)換器512以及電源子系統(tǒng)502是經(jīng)由線516來提供一調(diào)節(jié)后的電壓,以供電在所述數(shù)字處理器單元504以及外圍子系統(tǒng)506中的電子構(gòu)件。在圖5所示的范例實施例中,所述SCF補償電路514例如可以利用在圖1中所描繪的第三型SCF補償電路100、或者是利用在圖2中所描繪的完整取樣的第三型SCF補償電路200來加以實施。在一或多個實施例中,所述電子系統(tǒng)500的構(gòu)件可被實施在一或多個集成電路、晶圓、芯片或晶粒中。
盡管特定的實施例已經(jīng)在此加以描繪及敘述,但所述技術中具有通常技能者將會體認到的是,任何被推測是達成相同目的之配置都可以取代所展示的特定實施例。因此,本申請案明白地欲僅受限于本申請案的請求項及其等同物。