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電力轉(zhuǎn)換裝置的控制方法以及電力轉(zhuǎn)換裝置與流程

文檔序號:11840590閱讀:227來源:國知局
電力轉(zhuǎn)換裝置的控制方法以及電力轉(zhuǎn)換裝置與流程

本發(fā)明涉及電力轉(zhuǎn)換裝置的控制方法以及電力轉(zhuǎn)換裝置。



背景技術(shù):

公知有一種如下所述的電力轉(zhuǎn)換裝置,具備:初級側(cè)全橋電路,其在橋接部分設置有變壓器的初級側(cè)線圈;次級側(cè)全橋電路,其在橋接部分設置有變壓器的次級側(cè)線圈;第一端口,其連接于初級側(cè)全橋電路的正極母線;以及第二端口,其連接于初級側(cè)線圈的抽頭(例如,參照專利文獻1、2)

在專利文獻1中公開了一種控制初級側(cè)全橋電路的開關(guān)與次級側(cè)全橋電路的開關(guān)之間的相位差,并且控制初級側(cè)全橋電路的開關(guān)的占空比的控制部。

另一方面,專利文獻2中公開了一種通過反饋第一端口的電壓的檢測結(jié)果,來生成用于使第一端口的實際電壓收斂于第一端口的目標電壓的相位差的指令值,并且通過反饋第二端口的電壓的檢測結(jié)果,來生成用于使第二端口的實際電壓收斂于第二端口的目標電壓的占空比的指令值的控制部。該控制部根據(jù)所生成的相位差的指令值以及占空比的指令值,進行初級側(cè)全橋電路以及次級側(cè)全橋電路的開關(guān)控制。

專利文獻1:日本特開2011-193713號公報

專利文獻2:日本特開2014-230371號公報

然而,若檢測端口電壓的電壓檢測部發(fā)生異常,則由于端口電壓的檢測結(jié)果不被正確地反饋,所以有可能無法繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路以及次級側(cè)全橋電路的開關(guān)控制。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

鑒于此,本發(fā)明的目的在于,提供一種即使檢測端口電壓的電壓檢 測部發(fā)生異常,也能夠繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路以及次級側(cè)全橋電路的開關(guān)控制的電力轉(zhuǎn)換裝置的控制方法以及電力轉(zhuǎn)換裝置。

在一個方案中,提供一種電力轉(zhuǎn)換裝置的控制方法,是對下述電力轉(zhuǎn)換裝置進行控制的方法,所述電力轉(zhuǎn)換裝置具備:具有初級側(cè)線圈和次級側(cè)線圈的變壓器、在橋接部分設置有上述初級側(cè)線圈的初級側(cè)全橋電路、在橋接部分設置有上述次級側(cè)線圈的次級側(cè)全橋電路、與上述初級側(cè)全橋電路的正極母線連接的第一端口、與上述初級側(cè)線圈的抽頭連接的第二端口、檢測上述第一端口的電壓的第一電壓檢測部、以及檢測上述第二端口的電壓的第二電壓檢測部,其中,

所述電力轉(zhuǎn)換裝置的控制方法具有檢測上述第一電壓檢測部以及上述第二電壓檢測部的異常的異常檢測步驟,

當在上述異常檢測步驟中未檢測到上述第二電壓檢測部的異常而檢測到上述第一電壓檢測部的異常的情況下,進行下述步驟:

通過反饋上述第二電壓檢測部對上述第二端口的電壓的檢測結(jié)果,來導出將上述第二端口的電壓調(diào)整為上述第二端口的目標電壓的第一指令占空比的步驟;

根據(jù)上述初級側(cè)全橋電路的開關(guān)與上述次級側(cè)全橋電路的開關(guān)之間的相位差、上述初級側(cè)全橋電路的開關(guān)的占空比、以及從上述次級側(cè)全橋電路向上述初級側(cè)全橋電路傳輸?shù)膫鬏旊娏Φ膶P(guān)系,來導出與上述傳輸電力的目標值即目標電力以及上述第一指令占空比對應的第一推斷相位差的步驟;以及

將上述相位差控制為上述第一推斷相位差,并且將上述占空比控制為上述第一指令占空比的步驟。

另外,在另一個方案中,提供一種電力轉(zhuǎn)換裝置的控制方法,是對下述電力轉(zhuǎn)換裝置進行控制的方法,所述電力轉(zhuǎn)換裝置具備:具有初級側(cè)線圈和次級側(cè)線圈的變壓器、在橋接部分設置有上述初級側(cè)線圈的初級側(cè)全橋電路、在橋接部分設置有上述次級側(cè)線圈的次級側(cè)全橋電路、與上述初級側(cè)全橋電路的正極母線連接的第一端口、與上述初級側(cè)線圈的抽頭連接的第二端口、檢測上述第一端口的電壓的第一電壓檢測部、 以及檢測上述第二端口的電壓的第二電壓檢測部,其中,

上述電力轉(zhuǎn)換裝置的控制方法具有檢測上述第一電壓檢測部以及上述第二電壓檢測部的異常的異常檢測步驟,

當在上述異常檢測步驟中未檢測到上述第一電壓檢測部的異常而檢測到上述第二電壓檢測部的異常的情況下,進行以下步驟:

通過反饋上述第一電壓檢測部對上述第一端口的電壓的檢測結(jié)果,來導出將上述第一端口的電壓調(diào)整為上述第一端口的目標電壓的第一指令相位差的步驟;

根據(jù)上述初級側(cè)全橋電路的開關(guān)與上述次級側(cè)全橋電路的開關(guān)之間的相位差、上述初級側(cè)全橋電路的開關(guān)的占空比、以及從上述次級側(cè)全橋電路向上述初級側(cè)全橋電路傳輸?shù)膫鬏旊娏Φ膶P(guān)系,來導出與上述傳輸電力的目標值即目標電力以及上述第一指令相位差對應的第一推斷占空比的步驟;以及

將上述相位差控制為上述第一指令相位差,并且將上述占空比控制為上述第一推斷占空比的步驟。

根據(jù)一個方式,即使上述第一電壓檢測部發(fā)生異常,由于上述相位差被控制為上述第一推斷相位差,并且上述占空比被控制為上述第一指令占空比,所以也能夠繼續(xù)進行上述初級側(cè)全橋電路以及上述次級側(cè)全橋電路的開關(guān)控制。另外,根據(jù)一個方式,即使上述第二電壓檢測部發(fā)生異常,由于上述相位差被控制為上述第一指令相位差,并且上述占空比被控制為上述第一推斷占空比,所以也能夠繼續(xù)進行上述初級側(cè)全橋電路以及上述次級側(cè)全橋電路的開關(guān)控制。

附圖說明

圖1是表示電力轉(zhuǎn)換裝置的一個例子的構(gòu)成圖。

圖2是表示各臂的開關(guān)動作的一個例子的時間圖。

圖3是表示控制部的一個構(gòu)成例的框圖。

圖4是表示端口電壓與時間的關(guān)系的一個例子的圖。

圖5是表示相位差指令部的一個構(gòu)成例的框圖。

圖6是表示占空比指令部的一個構(gòu)成例的框圖。

圖7是表示傳輸電力、相位差、以及占空比的對應關(guān)系的一個例子的特性圖。

圖8是概念性地表示記錄有映射(map)數(shù)據(jù)的存儲器的一個例子的圖。

圖9是概念性地表示記錄有多個映射數(shù)據(jù)的存儲器的一個例子的圖。

圖10是表示電力轉(zhuǎn)換裝置的控制方法的一個例子的流程圖。

具體實施方式

以下,根據(jù)附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。

圖1是表示作為電力轉(zhuǎn)換裝置的一個實施方式的電源裝置101的構(gòu)成的一個例子的圖。電源裝置101例如是被搭載于汽車等車輛,并向搭載于車輛的各負載進行配電的車輛用電源系統(tǒng)的一個例子。電源裝置101例如具備電源電路10和控制部50。

電源電路10是具備至少2個以上的多個端口,且具有從這些多個端口中選擇任意的2個端口,在所選擇的2個端口之間進行電力轉(zhuǎn)換的功能的電力轉(zhuǎn)換電路的一個例子。本實施方式的電源電路10具備4個端口(第一端口60a、第二端口60c、第三端口60b、第四端口60d)和轉(zhuǎn)換器11。

第一端口60a是電源電路10的第一端子部的一個例子,例如連接有負載61a。第一端口60a是連接于初級側(cè)全橋電路200,且被設置在初級側(cè)正極母線298與初級側(cè)負極母線299之間的輸入輸出端口。第一端口60a包括端子613和端子614而構(gòu)成。

第二端口60c是電源電路10的第二端子部的一個例子,例如連接有電池62c以及負載61c。第二端口60c是連接于變壓器400的初級側(cè)的抽頭202m,且被設置在初級側(cè)負極母線299與初級側(cè)線圈202的抽頭202m之間的輸入輸出端口。第二端口60c包括端子614和端子616而 構(gòu)成。

第三端口60b是電源電路10的第三端子部的一個例子,例如連接有電池62b以及負載61b。第三端口60b是連接于次級側(cè)全橋電路300,且被設置在次級側(cè)正極母線398與次級側(cè)負極母線399之間的輸入輸出端口。第三端口60b包括端子618和端子620而構(gòu)成。

第四端口60d是電源電路10的第四端子部的一個例子,例如連接有電源62d以及負載61d。第四端口60d是連接于變壓器400的次級側(cè)的抽頭302m,且被設置在次級側(cè)負極母線399與次級側(cè)線圈302的抽頭302m之間的輸入輸出端口。第四端口60d包括端子620和端子622而構(gòu)成。

端口電壓Va、Vb、Vc、Vd分別是第一端口60a、第三端口60b、第二端口60c、第四端口60d處的輸入電壓或者輸出電壓。

轉(zhuǎn)換器11是對輸入至一個端口的直流電力進行電壓轉(zhuǎn)換,并將電壓轉(zhuǎn)換后的直流電力輸出到另一個端口的DC-DC轉(zhuǎn)換器的一個例子。本實施方式的轉(zhuǎn)換器11例如具備變壓器400、初級側(cè)全橋電路200、以及次級側(cè)全橋電路300。初級側(cè)全橋電路200和次級側(cè)全橋電路300通過變壓器400而被磁耦合。包括第一端口60a以及第二端口60c的初級側(cè)端口和包括第三端口60b以及第四端口60d的次級側(cè)端口經(jīng)由變壓器400而連接。

變壓器400具有初級側(cè)線圈202和次級側(cè)線圈302,通過初級側(cè)線圈202和次級側(cè)線圈302以耦合系數(shù)kT磁耦合,從而作為初級側(cè)線圈202和次級側(cè)線圈302的匝數(shù)比為1:N的變壓器發(fā)揮作用。N是比1大的正數(shù)。

初級側(cè)線圈202具有初級側(cè)第一繞組202a、初級側(cè)第二繞組202b、以及被從初級側(cè)第一繞組202a與初級側(cè)第二繞組202b的中間連接點抽出的抽頭202m。抽頭202m與第二端口60的高電位側(cè)的端子616連接。抽頭202m例如是被從匝數(shù)彼此相等的初級側(cè)第一繞組202a和初級側(cè)第二繞組202b的中間連接點抽出的中心抽頭。

次級側(cè)線圈302具有次級側(cè)第一繞組302a、次級側(cè)第二繞組302b、以及被從次級側(cè)第一繞組202a與次級側(cè)第二繞組302b的中間連接點抽出的抽頭302m。抽頭302m與第四端口60d的高電位側(cè)的端子622連 接。抽頭302m例如是被從匝數(shù)彼此相等的次級側(cè)第一繞組302a與次級側(cè)第二繞組302b的中間連接點抽出的中心抽頭。

初級側(cè)全橋電路200被設置于變壓器400的初級側(cè)。初級側(cè)全橋電路200具有與第一端口60a的高電位側(cè)的端子613連接的初級側(cè)正極母線298、和與第一端口60a以及第二端口60c的低電位側(cè)的端子614連接的初級側(cè)負極母線299。

在初級側(cè)正極母線298與初級側(cè)負極母線299之間連接有第一臂電路207,該第一臂電路207由配置于中間點207m的高壓側(cè)(high side)的臂S1和設置于中間點207m的低壓側(cè)(low side)的臂S2串聯(lián)連接而構(gòu)成。中間點207m是連接臂S1和臂S2的初級側(cè)第一連接點。

在初級側(cè)正極母線298與初級側(cè)負極母線299之間連接有第二臂電路211,該第二臂電路211由配置于中間點211m的高壓側(cè)的臂S3和配置于中間點211m的低壓側(cè)的臂S4串聯(lián)連接而構(gòu)成。第二臂電路211與第一臂電路207并聯(lián)連接。中間點21是臂S3與臂S4之間的初級側(cè)第二連接點。

初級側(cè)全橋電路200具有將第一臂電路207的中間點207m和第二臂電路211的中間點211m連接的橋接部分,在該橋接部分設置有初級側(cè)線圈202和初級側(cè)磁耦合電抗器(reactor)204。初級側(cè)線圈202被串聯(lián)插入中間點207m與中間點211m之間。初級側(cè)磁耦合電抗器204具有被串聯(lián)插入中間點207m與初級側(cè)線圈202之間的初級側(cè)第一電抗器204a、和被串聯(lián)插入中間點211m與初級側(cè)線圈202之間的初級側(cè)第二電抗器204b。初級側(cè)第一電抗器204a和初級側(cè)第二電抗器204b以耦合系數(shù)k1磁耦合。

次級側(cè)全橋電路300被設置于變壓器400的次級側(cè)。次級側(cè)全橋電路300具有與第三端口60b的高電位側(cè)的端子618連接的次級側(cè)正極母線398、和與第三端口60c以及第四端口60d的低電位側(cè)的端子620連接的次級側(cè)負極母線399。

在次級側(cè)正極母線398與次級側(cè)負極母線399之間連接有第三臂電路307,該第三臂電路307由配置于中間點307m的高壓側(cè)的臂S5和配置于中間點307m的低壓側(cè)的臂S6串聯(lián)連接而構(gòu)成。中間點307m是連接臂S5和臂S6的次級側(cè)第一連接點。

在次級側(cè)正極母線398與次級側(cè)負極母線399之間連接有第四臂電路311,該第四臂電路311由配置于中間點311m的高壓側(cè)的臂S7和配置于中間點311m的低壓側(cè)的臂S8串聯(lián)連接而構(gòu)成。第四臂電路311與第三臂電路307并聯(lián)連接。中間點311m是臂S7與臂S8之間的次級側(cè)第二連接點。

次級側(cè)全橋電路300具有將第三臂電路307的中間點307m和第四臂電路311的中間點311m連接的橋接部分,在該橋接部分設置有次級側(cè)線圈302和次級側(cè)磁耦合電抗器304。次級側(cè)線圈302被串聯(lián)插入中間點307m與中間點311m之間。次級側(cè)磁耦合電抗器304具有被串聯(lián)插入中間點307m與次級側(cè)線圈302之間的次級側(cè)第一電抗器304a、和被串聯(lián)插入中間點311m與次級側(cè)線圈302之間的次級側(cè)第二電抗器304b。次級側(cè)第一電抗器304a與次級側(cè)第二電抗器304b以耦合系數(shù)k1磁耦合。

臂S1-S8分別是例如包括N溝道型的MOSFET、和作為該MOSFET的寄生元件的體二極管(body diode)(寄生二極管)而構(gòu)成的開關(guān)元件。也可以對各臂并聯(lián)追加連接二極管。

此外,也可以沒有第四端口60d。在沒有第四端口60d的情況下,也可以沒有抽頭302m以及次級側(cè)磁耦合電抗器304。

控制部50是控制轉(zhuǎn)換器11的電壓轉(zhuǎn)換動作的控制部的一個例子,生成使轉(zhuǎn)換器11進行電壓轉(zhuǎn)換動作的控制信號,并對轉(zhuǎn)換器11輸出。本實施方式的控制部50輸出使初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300內(nèi)的各臂接通斷開的控制信號。作為控制部50的具體例子,可列舉具備CPU(Central Processing Unit:中央處理器)的微型計算機、具備微型計算機的控制電路、具備微型計算機和與該微型計算機連接的控制電路的控制裝置(例如,ECU(Electronic Control Unit:電子控制單元)等。

圖2是表示各臂S1-S8的開關(guān)動作的一個例子的時間圖。在各臂S1-S8的接通斷開波形中,高電平表示接通狀態(tài),低電平表示斷開狀態(tài)。V1表示在變壓器400的初級側(cè)線圈202的兩端產(chǎn)生的電壓,V2表示在變壓器400的次級側(cè)線圈302的兩端產(chǎn)生的電壓。

占空比D(=δ/T)表示接通時間δ在初級側(cè)全橋電路200內(nèi)的 臂S1以及臂S3的開關(guān)周期T中所占的比例,并且,表示接通時間δ在次級側(cè)全橋電路300內(nèi)的臂S5以及臂S7的開關(guān)周期T中所占的比例。構(gòu)成為初級側(cè)全橋電路200的各臂的開關(guān)周期T和構(gòu)成為次級側(cè)全橋電路300的各臂的開關(guān)周期T是彼此相等的時間。

如圖1所示,初級側(cè)全橋電路200和次級側(cè)全橋電路300均是包括能夠進行升降壓的升降壓電路的構(gòu)成的電路。因此,控制部50能夠通過控制占空比D來將初級側(cè)全橋電路200和次級側(cè)全橋電路300雙方的全橋電路的升降壓比調(diào)整為所希望的值。

本實施方式的控制部50將次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)的占空比D控制為與初級側(cè)全橋電路200的開關(guān)的占空比D相同的值。通過初級側(cè)全橋電路200的占空比D和次級側(cè)全橋電路300的占空比D被控制為相同的值,使得初級側(cè)全橋電路200的升降壓比和次級側(cè)全橋電路300的升降壓比彼此相等。

由于初級側(cè)全橋電路200和次級側(cè)全橋電路300均是包括能夠進行升降壓的升降壓電路的構(gòu)成的電路,所以下述關(guān)系成立,

端口電壓Vc=端口電壓Va×占空比D

端口電壓Vd=端口電壓Vb×占空比D。

另一方面,設置于初級側(cè)全橋電路200的橋接部分的初級側(cè)線圈202和設置于次級側(cè)全橋電路300的橋接部分的次級側(cè)線圈302磁耦合。因此,控制部50通過控制初級側(cè)全橋電路200的開關(guān)與次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)之間的相位差φ,能夠?qū)⒃诖渭墏?cè)全橋電路300與初級側(cè)全橋電路200之間經(jīng)由變壓器400傳輸?shù)膫鬏旊娏調(diào)整為所希望的值。

相位差φ是在初級側(cè)全橋電路200與次級側(cè)全橋電路300之間對應的臂電路間的開關(guān)時刻(switching timing)的偏差。相位差φ包含有第一相位差φu以及第二相位差φv。

第一相位差φu是第一臂電路207的開關(guān)時刻與第三臂電路307的開關(guān)時刻之間的時間差,第二相位差φv是第二臂電路211的開關(guān)時刻與第四臂電路311的開關(guān)時刻之間的時間差。

如圖2所示,例如,第一相位差φu是臂S1的接通時刻與臂S5的接通時刻之間的相位差,第二相位差φv是臂S3的接通時刻與臂S7的 接通時刻之間的相位差。

此外,第一相位差φu以及第二相位差φv也可以是初級側(cè)線圈202的兩端的電壓V1與次級側(cè)線圈302的兩端的電壓V2的相位差。該情況下,例如也可以第一相位差φu是臂S5的接通時刻與臂S2的斷開時刻之間的相位差,第二相位差φv是臂S7的接通時刻與臂S4的斷開時刻之間的相位差。

這里,接通時刻是指臂從斷開切換為接通的時刻,斷開時刻是指臂從接通切換為斷開的時刻。

另外,控制部50在穩(wěn)定時使臂S1與臂S3的相位差α例如以180度(π)動作,使臂55與臂S7的相位差β也以180度(π)動作。

本實施方式的控制部50通過將第一相位差φu控制為正值并且將第二相位差φv控制為正值,能夠?qū)鬏旊娏從次級側(cè)全橋電路300傳輸?shù)匠跫墏?cè)全橋電路200,通過將第一相位差φu控制為負值并且將第二相位差φv控制為負值,能夠?qū)鬏旊娏從初級側(cè)全橋電路200傳輸?shù)酱渭墏?cè)全橋電路300。即,在初級側(cè)全橋電路200與次級側(cè)全橋電路300之間對應的臂電路間,傳輸電力P從具備高壓側(cè)的臂先接通的臂電路的全橋電路向具備高壓側(cè)的臂后接通的臂電路的全橋電路傳輸。

圖2示出控制部50將第一相位差φu控制為正值并且將第二相位差φv控制為正值的情況的一個例子,該情況下,傳輸電力P從次級側(cè)全橋電路300傳輸?shù)匠跫墏?cè)全橋電路200。

本實施方式的控制部50將第一相位差φu和第二相位差φv控制為彼此相同的值。

在圖1中,電源裝置101具備檢測第一端口60a的端口電壓Va并輸出端口電壓Va的檢測值的第一電壓檢測部71、和檢測第二端口60c的端口電壓Vc并輸出端口電壓Vc的檢測值的第二電壓檢測部72。作為第一電壓檢測部71以及第二電壓檢測部72的具體例子,可列舉通過基于電阻的分壓等來檢測端口電壓的電壓傳感器、將端口電壓的模擬值轉(zhuǎn)換成數(shù)字值的AD轉(zhuǎn)換器等。

在圖1中,電源裝置101具備檢測流過第一端口60a的端口電流Ia并輸出端口電流Ia的檢測值的第一電流檢測部73、和檢測流過第二端 口60c的端口電流Ic并輸出端口電流Ic的檢測值的第二電流檢測部74。端口電流Ia是第一端口60a處的輸入輸出電流,端口電流Ic是第二端口60c處的輸入輸出電流。

作為第一電流檢測部73的具體例子,可列舉通過監(jiān)測流過端子613的電流來測定端口電流Ia的電流傳感器、從負載61a接收由負載61a測定的端口電流Ia的測定數(shù)據(jù)的接收電路等。作為第二電流檢測部74的具體例子,可列舉通過監(jiān)測流過端子616的電流來測定端口電流Ic的電流傳感器、從負載61c接收由負載61c測定的端口電流Ic的測定數(shù)據(jù)的接收電路等。

圖3是表示控制部50的一個構(gòu)成例的框圖??刂撇?0具備異常判定部49、相位差指令部53、占空比指令部54、相位差推斷部55、占空比推斷部56、第一選擇部57、第二選擇部58、以及開關(guān)控制部59。

異常判定部49是判定檢測端口電壓Va的第一電壓檢測部71有無異常以及檢測端口電壓Vc的第二電壓檢測部72有無異常的單元的一個例子。電壓檢測部的異常中不僅包括電壓檢測部本身的故障等異常,也可以包括與電壓檢測部連接的布線的異常等。異常判定部49具備檢測第一電壓檢測部71的異常的第一異常檢測部51、和檢測第二電壓檢測部72的異常的第二異常檢測部52。

圖4是表示端口電壓與時間的關(guān)系的一個例子的圖。第一異常檢測部51例如為了防止第一電壓檢測部71的異常的誤檢測,在經(jīng)過被預先規(guī)定為端口電壓Va從零上升到目標電壓Vao為止的期間的初始動作期間后,檢測第一電壓檢測部71是否異常。在經(jīng)過該初始動作期間后,由第一電壓檢測部71檢測到的端口電壓Va的檢測值偏離預定的第一電壓范圍超過預定的第一經(jīng)過時間的情況下,第一異常檢測部51檢測為第一電壓檢測部71異常。第一電壓范圍的上限閾值Vath1是被設定得比目標電壓Vao高的電壓,第一電壓范圍的下限閾值Vath2是被設定得比目標電壓Vao低的電壓。

同樣,第二異常檢測部52例如為了防止第二電壓檢測部72的異常的誤檢測,在經(jīng)過被預先規(guī)定為端口電壓Vc從零上升到目標電壓Vco為止的期間的初始動作期間后,檢測第二電壓檢測部72是否異常。在 經(jīng)過該初始動作期間后,由第二電壓檢測部72檢測到的端口電壓Vc的檢測值偏離預定的第二電壓范圍超過預定的第二經(jīng)過時間的情況下,第二異常檢測部52檢測為第二電壓檢測部72異常。第二電壓范圍的上限閾值Vcth1是被設定得比目標電壓Vco高的電壓,第二電壓范圍的下限閾值Vcth2是被設定得比目標電壓Vco低的電壓。

其中,第一異常檢測部51在檢測到第一電壓檢測部71的異常后,即使變得檢測不到第一電壓檢測部71的異常,也可以持續(xù)檢測為第一電壓檢測部71異常。由此,能夠防止相位差φ或者占空比D的控制精度由于異常檢測的反復進行而降低。對于第二異常檢測部52也相同。

另外,第一異常檢測部51也可以基于與端口電壓的檢測值不同的信息(例如,通過診斷得到的故障信息等)來檢測第一電壓檢測部71的異常。對于第二異常檢測部52也相同。

在圖3中,相位差指令部53通過反饋第一電壓檢測部71對端口電壓Va的檢測結(jié)果,來導出將端口電壓Va調(diào)整為對第一端口60a設定的目標電壓Vao的指令相位差φor。目標電壓Vao例如是48伏特。

圖5是表示相位差指令部53的一個構(gòu)成例的框圖。相位差指令部53將以端口電壓Va與目標電壓Vao一致的方式反饋端口電壓Va的檢測結(jié)果而導出的相位差作為指令相位差φor輸出。相位差指令部53例如具有減法部20、PI運算部21、加法部22、以及前饋部23。

減法部20計算第一端口60a的目標電壓Vao與從第一電壓檢測部71反饋輸入的端口電壓Va的偏差△Va。

PI運算部21通過對于偏差△Va進行組合了比例動作(P動作)和積分動作(I動作)的PI控制,來導出調(diào)整相位差φ的調(diào)整基準值φr。PI運算部21也可以通過對偏差Va進行組合了比例動作、積分動作以及微分動作(D動作)的PID控制,來導出調(diào)整基準值φr。

前饋部23以端口電壓Va容易收斂于目標電壓Vao的方式進行預先設定為了傳輸指令傳輸電力Po所需要的相位差φ的控制中心值φff的前饋控制。指令傳輸電力Po是初級側(cè)全橋電路200和次級側(cè)全橋電路300的任意一方全橋電路需要從另一方全橋電路得到的傳輸電力P。

加法部22將通過把調(diào)整基準值φr和控制中心值φff相加而新導出的相位差作為指令相位差φor輸出。

在圖3中,占空比指令部54通過反饋第二電壓檢測部72對端口電壓Vc的檢測結(jié)果,來導出將端口電壓Vc調(diào)整為對第二端口60c設定的目標電壓Vco的指令占空比Dor。目標電壓Vco例如是12V。

圖6是表示占空比指令部54的一個構(gòu)成例的框圖。占空比指令部54將以端口電壓Vc與目標電壓Vco一致的方式反饋端口電壓Vc的檢測結(jié)果而導出的占空比作為指令占空比Dor輸出。占空比指令部54例如具有減法部24、PI運算部25、加法部26、以及前饋部27。

減法部24計算第二端口60c的目標電壓Vco與從第二電壓檢測部72反饋輸入的端口電壓Vc的偏差△Vc。

PI運算部25通過對于偏差△Vc進行組合了比例動作(P動作)和積分動作(I動作)的PI控制,來導出調(diào)整占空比D的調(diào)整基準值Dr。PI運算部25也可以通過對于偏差△Vc進行組合了比例動作、積分動作、以及微分動作(D動作)的PID控制,來導出調(diào)整基準值Dr。

前饋部27以端口電壓Vc容易收斂于目標電壓Vco的方式進行預先設定為了將端口電壓Vc升降壓調(diào)整為目標電壓Vco所需要的占空比D的控制中心值Dff的前饋控制。

加法部26將通過把調(diào)整基準值Dr和控制中心值Dff相加而新導出的占空比作為指令占空比Dor輸出。

在圖3中,開關(guān)控制部59在第一異常檢測部51和第二異常檢測部52雙方均未檢測到異常的情況下,輸出將相位差φ控制為指令相位差φor并且將占空比D控制為指令占空比Dor的控制信號59a??刂菩盘?9a例如是脈沖寬度調(diào)制(PWM)方式的信號。

開關(guān)控制部59既可以是驅(qū)動各臂S1-S8(參照圖1)的驅(qū)動電路,也可以是對該驅(qū)動電路進行驅(qū)動控制的驅(qū)動控制電路。即,控制信號59a既可以是從該驅(qū)動電路朝向各臂S1-S8輸出的驅(qū)動信號,也可以是用于生成該驅(qū)動信號的驅(qū)動控制信號。

開關(guān)控制部59通過對轉(zhuǎn)換器11(參照圖1)輸出控制信號59a,來使各臂S1-S8開關(guān)(即,進行初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)控制)。

如上所述,在指令相位差φr的導出中需要由第一電壓檢測部71檢測到的端口電壓Va。因此,若第一電壓檢測部71發(fā)生異常,則由于端口電壓Va的檢測結(jié)果不被正確地反饋,所以無法正確地導出指令相位差φor。結(jié)果,有可能無法繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)控制。同樣,如上所述,在指令占空比Dor的導出中需要由第二電壓檢測部72檢測到的端口電壓Vc。因此,若第二電壓檢測部72發(fā)生異常,則由于端口電壓Vc的檢測結(jié)果不被正確地反饋,所以無法正確地導出指令占空比Dor。結(jié)果,有可能無法繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)控制。

另一方面,圖7是表示相位差φ、初級側(cè)全橋電路200的開關(guān)的占空比D、以及從次級側(cè)全橋電路300傳輸?shù)匠跫墏?cè)全橋電路200的傳輸電力P的對應關(guān)系的一個例子的特性圖。傳輸電力P主要能夠通過相位差φ的控制來調(diào)整,但如圖7所示,也受到占空比D的影響。傳輸電力P隨著相位差φ變大而變大(φ11<φ12<φ13<φ14)。然而,即使相位差φ被固定為相同的值,傳輸電力P在占空比D大于0.5的情況下,也隨著占空比D變大而變小,在占空比D小于0.5的情況下,隨著占空比D變小而變小。

鑒于此,控制部50具備相位差推斷部55,以便即使第一電壓檢測部71發(fā)生異常,也能夠繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)控制(參照圖3)。相位差推斷部55根據(jù)相位差φ、占空比D、以及傳輸電力P的對應關(guān)系(以下,稱為“對應關(guān)系X”)來推斷與被設定為傳輸電力P的目標值的目標電力Pr以及指令占空比Dor對應的相位差,將該推斷值作為推斷相位差φoe輸出。同樣,控制部50具備占空比推斷部56,以便即使第二電壓檢測部72發(fā)生異常,也能夠繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)控制(參照圖3)。占空比推斷部56根據(jù)相位差φ、占空比D、以及傳輸電力P的對應關(guān)系X,來推斷與被設定為傳輸電力P的目標值的目標電力Pr以及指令相位差φor對應的占空比,將該推斷值作為推斷占空比Doe 輸出。

對應關(guān)系X定義了相位差φ、初級側(cè)全橋電路200的開關(guān)的占空比D、以及從次級側(cè)全橋電路300傳輸?shù)匠跫墏?cè)全橋電路200的傳輸電力P的預先規(guī)定的對應關(guān)系。對應關(guān)系X例如能夠由映射、運算公式(回歸公式)等關(guān)系規(guī)則規(guī)定。

控制部50為了將根據(jù)對應關(guān)系X推斷出推斷相位差φoe或者推斷占空比Doe所需要的目標電力Pr設定為傳輸電力P的目標值,例如具備電力計算部48。電力計算部48例如通過將目標電壓Vao與端口電流Ia的檢測值之積和目標電壓Vco與端口電流Ic的檢測值之積相加,來計算目標電力Pr(=Vao×Ia+Vco×Ic)。電力計算部48獲取由第一電流檢測部73檢測到的端口電流Ia的檢測值,并獲取由第二電流檢測部74檢測到的端口電流Ic的檢測值。

通過這樣計算出目標電力Pr,即使由于第一電壓檢測部71或者第二電壓檢測部72的異常而不能檢測當前的端口電壓Va或者端口電壓Vc,也能夠推斷為當前需要的傳輸電力P是目標電力Pr。此外,目標電力Pr也可以是預先規(guī)定的恒定值。

在圖3中,第一選擇部57在未由第一異常檢測部51檢測到第一電壓檢測部71的異常的情況下選擇指令相位差φor,在由第一異常檢測部51檢測到第一電壓檢測部71的異常的情況下選擇推斷相位差φoe。第一選擇部57將選擇出的相位差作為選擇指令相位差φo輸出。

另一方面,第二選擇部58在未由第二異常檢測部52檢測到第二電壓檢測部72的異常的情況下選擇指令占空比Dor,在由第二異常檢測部52檢測到第二電壓檢測部72的異常的情況下選擇推斷占空比Doe。第二選擇部58將選擇出的占空比作為選擇指令占空比Do輸出。

第一選擇部57以及第二選擇部58例如根據(jù)異常判定部49中的異常判定值來進行選擇動作。在未由第一異常檢測部51檢測到第一電壓檢測部71的異常并且未由第二異常檢測部52檢測到第二電莊檢測部72的異常的情況下,異常判定部49輸出異常判定值“00”。在第一電壓檢測部71的異常被第一異常檢測部51檢測到并且未由第二異常檢測部52 檢測到第二電壓檢測部72的異常的情況下,異常判定部49輸出異常判定值“01”。在未由第一異常檢測部51檢測到第一電壓檢測部71的異常并且由第二異常檢測部52檢測到第二電壓檢測部72的異常的情況下,異常判定部49輸出異常判定值“10”。在第一電壓檢測部71的異常被第一異常檢測部51檢測到并且第二電壓檢測部72的異常被第二異常檢測部52檢測到的情況下,異常判定部49輸出異常判定值“11”。

第一選擇部57在異常判定值是“x0”的情況下(x表示1或者0。以下相同),選擇輸出指令相位差φor,在異常判定值是“x1”的情況下,選擇輸出推斷相位差φoe。另一方面,第二選擇部58在異常判定值是“0x”的情況下,選擇輸出指令占空比Dor,在異常判定值是“1x”的情況下,選擇輸出推斷占空比Doe。

開關(guān)控制部59輸出將相位差φ控制為由第一選擇部57選擇出的相位差(即,指令相位差φor或者推斷相位差φoe),并且,將占空比D控制為由第二選擇部58選擇出的占空比(即,指令占空比Dor或者推斷占空比Doe)的控制信號59a。

因此,根據(jù)本實施方式,即使第一電壓檢測部71發(fā)生異常,由于相位差φ被控制為推斷相位差φoe,并且,占空比D被控制為指令占空比Dor,所以也能夠繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)控制。另一方面,即使第二電壓檢測部72發(fā)生異常,由于相位差φ被控制為指令相位差φor,并且,占空比D被控制為推斷占空比Doe控制,所以也能夠繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)控制。

接下來,對第一電壓檢測部71和第二電壓檢測部72雙方均異常的情況進行說明。若檢測端口電壓Vc的第二電壓檢測部72異常,則由于占空比指令部54無法正確地導出指令占空比Dor,所以相位差推斷部55無法如上述那樣在推斷相位差φoe的導出中利用指令占空比Dor。同樣,若檢測端口電壓Va的第一電壓檢測部71異常,則相位差指令部53無法正確地導出指令相位差φor,所以占空比推斷部56無法如上述那樣在推斷占空比Doe的導出中利用指令相位差φor。

鑒于此,在第一電壓檢測部71的異常被第一異常檢測部51檢測到 并且第二電壓檢測部72的異常被第二異常檢測部52檢測到的情況下,占空比推斷部56將對目標電壓Vco除以目標電壓Vao而得到的計算占空比作為推斷占空比Doe輸出。而且,相位差推斷部55根據(jù)上述的對應關(guān)系X推斷與被設定為傳輸電力的目標值的目標電力Pr以及由占空比推斷部56得到的該計算占空比對應的相位差,將該推斷值作為推斷相位差φoe輸出。

因為“端口電壓Vc=端口電壓Va×占空比D”這一關(guān)系成立,所以對目標電壓Vco除以目標電壓Vao而計算出的推斷占空比Doe能夠暫時設定為當前需要的占空比D。

因此,根據(jù)本實施方式,即使第一電壓檢測部71和第二電壓檢測部72雙方均發(fā)生異常,由于相位差φ被控制為推斷相位差φoe,并且,占空比D被控制為推斷占空比Doe,所以也能夠繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)控制。

接下來,對對應關(guān)系X的生成進行說明。

控制部50例如具備生成對應關(guān)系X的生成部40(參照圖3)。生成部40在未由第一異常檢測部51檢測到第一電壓檢測部71的異常并且未由第二異常檢測部52檢測到第二電壓檢測部72的異常的非異常時,反復獲取指令相位差φor以及指令占空比Dor。而且,生成部40使用非異常時的指令相位差φor、非異常時的指令占空比Dor、以及將相位差φ控制為非異常時的指令相位差φor并且將占空比D控制為非異常時的指令占空比Dor時的傳輸電力P的測定數(shù)據(jù),來生成對應關(guān)系X。

即,生成部40使用在檢測到電壓檢測部的異常之前的非異常時實際得到的數(shù)據(jù)來生成對應關(guān)系X。而且,開關(guān)控制部59按照基于這樣生成的對應關(guān)系X而導出的推斷相位差φoe或者推斷占空比Doe,來控制相位差φ或者占空比D。結(jié)果,能夠使在電壓檢測部的異常時作為控制結(jié)果而得到的傳輸電力P以及占空比D盡量接近在電壓檢測部的非異常時作為控制結(jié)果而得到的傳輸電力P以及占空比D。

生成部40通過將端口電壓Va的檢測值與端口電流Ia的檢測值之積、和端口電壓Vc的檢測值與端口電流Ic的檢測值之積相加,能夠計 算實際傳輸?shù)膫鬏旊娏的測定數(shù)據(jù)。生成部40也可以利用電力計算部48來獲取實際傳輸?shù)膫鬏旊娏的測定數(shù)據(jù)。

生成部40獲取由第一電壓檢測部71檢測到的端口電壓Va的檢測值,獲取由第二電壓檢測部72檢測到的端口電壓Vc的檢測值,獲取由第一電流檢測部73檢測到的端口電流Ia的檢測值,獲取由第二電流檢測部74檢測到的端口電流Ic的檢測值。

接下來,對作為對應關(guān)系X的一個例子的回歸公式的生成進行說明。例如圖8所示,生成部40計算在非異常時當前傳輸?shù)膫鬏旊娏的測定數(shù)據(jù)P1,將測定數(shù)據(jù)P1、測定數(shù)據(jù)P1的傳輸時的指令相位差φor1、測定數(shù)據(jù)P1的傳輸時的指令占空比Dor1這三個數(shù)據(jù)建立關(guān)聯(lián)而得到的映射數(shù)據(jù)41記錄到存儲器42。圖8是概念性地表示記錄有映射數(shù)據(jù)41的存儲器42的圖。

每當傳輸電力P的測定數(shù)據(jù)在非異常時變化時,生成部40通過反復進行該記錄動作,從而如圖9所示,在存儲器42中存儲關(guān)于傳輸電力P、相位差φ、以及占空比D的多個映射數(shù)據(jù)41。生成部40通過對這些多個映射數(shù)據(jù)41進行最小平方法等回歸分析,能夠生成可根據(jù)傳輸電力P以及相位差φ計算出占空比D的回歸公式、可根據(jù)傳輸電力P以及占空比D計算出相位差φ的回歸公式。

圖10是表示電源裝置101的控制方法的一個例子的流程圖。本流程被以預定的周期反復執(zhí)行。以下,參照圖3等來對圖10內(nèi)的各步驟進行說明。

在步驟S10中,異常判定部49判定檢測端口電壓Va的第一電壓檢測部71有無異常以及檢測端口電壓Vc的第二電壓檢測部72有無異常(關(guān)于異常檢測方法的一個例子請參照上述)。

當在步驟S10中第一電壓檢測部71的異常被第一異常檢測部51檢測到并且第二電壓檢測部72的異常未被第二異常檢測部52檢測到的情況下,異常判定部49輸出異常判定值“01”。在異常判定值是“01”的情況下,控制部50執(zhí)行步驟S30、S31、S32。

在步驟S30中,占空比指令部54通過反饋第二電壓檢測部72對 端口電壓Vc的檢測結(jié)果,來導出將端口電壓Vc調(diào)整為目標電壓Vco的第一指令占空比,將第一指令占空比作為指令占空比Dor輸出。

在步驟S31中,相位差推斷部55根據(jù)對應關(guān)系X導出與被設定為傳輸電力P的目標值的目標電力Pr以及第一指令占空比對應的第一推斷相位差,將第一推斷相位差作為推斷相位差φoe輸出。目標電力Pr例如通過電力計算部48在步驟S31中將目標電壓Vao與端口電流Ia的檢測值之積和目標電壓Vco與端口電流Ic的檢測值之積相加來計算。在步驟S31中,第一電流檢測部73檢測端口電流Ia,第二電流檢測部74檢測端口電流Ic。

在步驟S32中,因為異常判定值是“01”,所以開關(guān)控制部59將相位差φ控制為被設定為推斷相位差φoe的第一推斷相位差,并且,將占空比D控制為被設定為指令占空比Dor的第一指令占空比。由此,即使第一電壓檢測部71發(fā)生異常,由于相位差φ也被控制為推斷相位差φoe,并且,占空比D被控制為指令占空比Dor,所以能夠繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)控制。

當在步驟S10中第一電壓檢測部71的異常未由第一異常檢測部51檢測到并且第二電壓檢測部72的異常由第二異常檢測部52檢測到的情況下,異常判定部49輸出異常判定值“10”。在異常判定值是“10”的情況下,控制部50執(zhí)行步驟S40、S41、S42。

在步驟S40中,相位差指令部53通過反饋第一電壓檢測部71對端口電壓Va的檢測結(jié)果,來導出將端口電壓Va調(diào)整為目標電壓Vao的第一指令相位差,將第一指令相位差作為指令相位差φor輸出。

在步驟S41中,占空比推斷部56根據(jù)對應關(guān)系X導出與被設定為傳輸電力P的目標值的目標電力Pr以及第一指令相位差對應的第一推斷占空比,將第一推斷占空比作為推斷占空比Doe輸出。目標電力Pr例如通過電力計算部48在步驟S41中將目標電壓Vao與端口電流Ia的檢測值之積和目標電壓Vco與端口電流Ic的檢測值之積相加來計算。在步驟S41中,第一電流檢測部73檢測端口電流Ia,第二電流檢測部74檢測端口電流Ic。

在步驟S42中,因為異常判定值是“10”,所以開關(guān)控制部59將相位差φ控制為被設定為指令相位差φor的第一指令相位差,并且,將占空比D控制為被設定為推斷占空比Doe的第一推斷占空比。由此,即使第二電壓檢測部72發(fā)生異常,因為相位差φ被控制為指令相位差φor,并且,占空比D被控制為推斷占空比Doe,所以也能夠繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)控制。

當在步驟S10中第一電壓檢測部71的異常由第一異常檢測部51檢測到并且第二電壓檢測部72的異常由第二異常檢測部52檢測到的情況下,異常判定部49輸出異常判定值“11”。在異常判定值是“11”的情況下,控制部50執(zhí)行步驟S50、S51、S52。

在步驟S50中,占空比推斷部56通過對目標電壓Vco除以目標電壓Vao來計算第二推斷占空比,將第二推斷占空比作為推斷占空比Doe輸出。

在步驟S51中,相位差推斷部55根據(jù)對應關(guān)系X導出與被設定為傳輸電力P的目標值的目標電力Pr以及第二推斷占空比對應的第二推斷相位差,將第二推斷相位差作為推斷相位差φoe輸出。目標電力Pr例如通過電力計算部48在步驟S51中將目標電壓Vao與端口電流Ia的檢測值之積和目標電壓Vco與端口電流Ic的檢測值之積相加來計算。在步驟S51中,第一電流檢測部73檢測端口電流Ia,第二電流檢測部74檢測端口電流Ic。

在步驟S52中,因為異常判定值是“11”,所以開關(guān)控制部59將相位差φ控制為被設定為推斷相位差φoe的第二推斷相位差,并且,將占空比D控制為被設定為推斷占空比Doe的第二推斷占空比。由此,即使第一電壓檢測部71和第二電壓檢測部72雙方均發(fā)生異常,也能夠繼續(xù)進行初級側(cè)全橋電路200以及次級側(cè)全橋電路300的開關(guān)控制。

當在步驟S10中未由第一異常檢測部51檢測到第一電壓檢測部71的異常并且未由第二異常檢測部52檢測到第二電壓檢測部72的異常的情況下,異常判定部49輸出異常判定值“00”。在異常判定值是“00”的情況下,控制部50執(zhí)行步驟S20、S21、S22。

在步驟S20中,相位差指令部53通過反饋第一電壓檢測部71對端口電壓Va的檢測結(jié)果,來導出將端口電壓Va調(diào)整為目標電壓Vao的第二指令相位差,將第二指令相位差作為指令相位差φor輸出。另一方面,占空比指令部54通過反饋第二電壓檢測部72對端口電壓Vc的檢測結(jié)果,來導出將端口電壓Vc調(diào)整為目標電壓Vco的第二指令占空比,將第二指令占空比作為指令占空比Dor輸出。

在步驟S21中,因為異常判定值是“00”,所以開關(guān)控制部59將相位差φ控制為被設定為指令相位差φor的第二指令相位差,并且,將占空比D控制為被設定為指令占空比Dor的第二指令占空比。

在步驟S22中,生成部40將第二指令相位差、第二指令占空比、以及將相位差φ控制為第二指令相位差并且將占空比D控制為第二指令占空比時的傳輸電力P的測定數(shù)據(jù)記錄到存儲器42,以便用于生成對應關(guān)系X。由此,能夠在電壓檢測部的非異常時高效地獲取為了生成在電壓檢測部的異常時使用的對應關(guān)系X所需要的映射數(shù)據(jù)41。

此外,生成部40例如在檢測到電壓檢測部的異常的情況下,根據(jù)檢測到異常的電壓檢測部使用映射數(shù)據(jù)41生成需要的對應關(guān)系X。由此,能夠根據(jù)檢測到異常的電壓檢測部在需要的時刻生成需要的對應關(guān)系X。例如,在異常判定值是“01”的情況下,生成部40生成能夠根據(jù)目標電力Pr以及第一指令占空比來導出第一推斷相位差的對應關(guān)系X。另外,在異常判定值是“10”的情況下,生成部40生成能夠根據(jù)目標電力Pr以及第一指令相位差來導出第一推斷占空比的對應關(guān)系X。另外,在異常判定值是“11”的情況下,生成部40生成能夠根據(jù)目標電力Pr以及第二推斷占空比來導出第二推斷相位差的對應關(guān)系X。

或者,生成部40也可以在超過預定個數(shù)的映射數(shù)據(jù)41被記錄于存儲器42情況下,生成對應關(guān)系X。

以上,通過實施方式對電力轉(zhuǎn)換裝置的控制方法以及電力轉(zhuǎn)換裝置進行了說明,但本發(fā)明并不局限于上述實施方式。與其他實施方式的一部分或者全部的組合、置換等各種變形以及改進也能夠是本發(fā)明的范圍內(nèi)。

例如,各臂并不局限于MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor:金屬氧化物半導體場效應晶體管)、絕緣柵型雙極型晶體管(IGBT)等絕緣柵型半導體開關(guān)元件,也可以是進行接通斷開動作的其他半導體開關(guān)元件。例如,各臂既可以是單極型晶體管,也可以是雙極型晶體管。

另外,控制部50也可以在能夠進行相位差φ的控制的范圍內(nèi),將次級側(cè)全橋電路300的占空比D錯開控制為與初級側(cè)全橋電路200的占空比D不同的值。另外,控制部50也可以在能夠進行占空比D的控制的范圍內(nèi),將圖2中示出的第一相位差φu和第二相位差φu錯開控制為彼此不同的值。

另外,在上述的說明中,也可以將初級側(cè)定義為次級側(cè),將次級側(cè)定義為初級側(cè)。

符號說明

10...電源電路;11...轉(zhuǎn)換器;40...生成部;41...映射數(shù)據(jù);42...存儲器;48...電力計算部;49...異常判定部;50...控制部;51...第一異常檢測部;52...第二異常檢測部;53...相位差指令部;54...占空比指令部;55...相位差推斷部;56...占空比推斷部;57...第一選擇部;58...第二選擇部;59...開關(guān)控制部;60a...第一端口;60c...第二端口;71...第一電壓檢測部;72...第二電壓檢測部;101...電源裝置;200...初級側(cè)全橋電路;202...初級側(cè)線圈;202m...抽頭;204...初級側(cè)磁耦合電抗器;207...第一臂電路;207m...中間點;211...第二臂電路;211m...中間點;298...初級側(cè)正極母線;299...初級側(cè)負極母線;300...次級側(cè)全橋電路;302...次級側(cè)線圈;307...第三臂電路;307m...中間點;311...第四臂電路;311m...中間點;398...次級側(cè)正極母線;399...次級側(cè)負極母線;400...變壓器;S1-S8...臂。

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