本發(fā)明涉及一種電源域選擇領(lǐng)域，特別涉及一種電源設(shè)計(jì)中多電源域選擇的方法。

背景技術(shù)：

電源芯片設(shè)計(jì)中，往往存在多個(gè)電源域。在有多電源域的電源芯片中，不同電源域之間存在信號(hào)連接(如圖1)，該圖中，信號(hào)連接到電源域-2的PMOS的Source端。VDD_1和VDD_2的建立時(shí)間有差異，如果VDD_2建立較晚，則有可能信號(hào)S1電壓高于VDD_2，則電源域_2的寄生二極管(Diode)導(dǎo)通，使得Source和Bulk之間存在漏電可能。如果多個(gè)電源在啟動(dòng)時(shí)沒有配合好，則會(huì)存在短路的可能。本專利就提供一種方法來避免短路漏電的可能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種電源設(shè)計(jì)中多電源域選擇的方法，能避免多個(gè)電源在啟動(dòng)時(shí)沒有配合好，則會(huì)存在短路漏電的可能。詳見下文描述：

一種電源設(shè)計(jì)中多電源域選擇的方法，所述方法包括以下步驟：

1)根據(jù)電源選擇模塊，自動(dòng)選擇VDD_1和VDD_2中的高電壓。

2)連接到電源域_2的襯底(Bulk)上。

3)保證寄生Diode永遠(yuǎn)處于反向截止?fàn)顟B(tài)。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案的有益效果是：本發(fā)明可以有效避免多個(gè)電源在啟動(dòng)時(shí)沒有配合好而產(chǎn)生短路漏電的危險(xiǎn)，保證了電器的安全使用。

通過結(jié)合在本說明書中并成為其一部分的附圖和以下具體實(shí)施方式，本發(fā)明的上述特性和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)得以更詳細(xì)的說明，且附圖和具體實(shí)施方式一起用來通過舉例的方式說明本發(fā)明的原理。

附圖說明

圖1為不同電源域之間的信號(hào)連接；

圖2為自動(dòng)選擇高電位；

圖3為電源選擇模塊。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方案作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

參見圖1：在有多電源域的電源芯片中，不同電源域之間存在信號(hào)連接，該圖中，信號(hào)連接到電源域-2的PMOS的Source端。VDD_1和VDD_2的建立時(shí)間有差異，如果VDD_2建立較晚，則有可能信號(hào)S1電壓高于VDD_2，則電源域_2的寄生二極管(Diode)導(dǎo)通，使得Source 和Bulk之間存在漏電可能。

參見圖2：通過一個(gè)電源選擇模塊，把VDD_1和VDD_2中的高電位自動(dòng)選出來，并接到電源域_2的襯底(Bulk)上。從而保證寄生Diode永遠(yuǎn)處于反向截止?fàn)顟B(tài)。

參見圖3：VDD_1和VDD_2是兩個(gè)不同電源，如果VDD_2高于VDD_1，則M2管開啟，這VDD_2自動(dòng)接到電源域_2的襯底(Bulk)上。同樣如果VDD_1高于VDD_2，則M1管開啟，這VDD_1自動(dòng)接到電源域_2的襯底(Bulk)上。