相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

無(wú)。

背景技術(shù)：

開關(guān)式dc-dc升壓轉(zhuǎn)換器一般包括作為開關(guān)的至少兩個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備(例如，作為開關(guān)的晶體管和作為同步開關(guān)的二極管或晶體管)。更有效地接通和關(guān)斷半導(dǎo)體開關(guān)可有利地增加整個(gè)dc-dc升壓轉(zhuǎn)換器的效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本文公開了減小切斷dc-dc升壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)的時(shí)間量的變化的系統(tǒng)和方法。在一個(gè)實(shí)施例中，dc-dc轉(zhuǎn)換器包括輸入電壓節(jié)點(diǎn)、電感器和耦接到電感器和輸入電壓節(jié)點(diǎn)的開關(guān)。更具體地說(shuō)，開關(guān)具有接通狀態(tài)和斷開狀態(tài)，其中在接通狀態(tài)期間，流過(guò)電感器的電流增加，并且斷開狀態(tài)引起經(jīng)由耦接到開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器流過(guò)電感器的電流的減小。驅(qū)動(dòng)器包括多個(gè)晶體管和自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)，其中自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)處的電壓電平將根據(jù)流過(guò)電感器的電流而變化，以便減小切斷開關(guān)的時(shí)間量的變化。

在另一個(gè)實(shí)施例中，dc-dc轉(zhuǎn)換器包括耦接到輸入電壓節(jié)點(diǎn)和電感器的第一開關(guān)，耦接到電感器和輸出電壓節(jié)點(diǎn)的第二開關(guān)，以及耦接到第一開關(guān)和第二開關(guān)且經(jīng)配置用于交替地導(dǎo)通和切斷第一開關(guān)和第二開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器。更具體地說(shuō)，當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)接通時(shí)，第一開關(guān)經(jīng)配置用于增加流過(guò)電感器的電流。當(dāng)?shù)诙_關(guān)接通時(shí)，第二開關(guān)經(jīng)配置用于減小流過(guò)電感器的電流。當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)斷開時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將向自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)提供電壓電平，該電壓電平與流過(guò)電感器的電流成反比，以便減小切斷第一開關(guān)的時(shí)間量的變化。

在又一個(gè)的實(shí)施例中，一種方法包括：切斷dc-dc轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)，以便基于流過(guò)電感器的電流，減小流過(guò)電感器的電流，該電感器耦接到輸入電壓節(jié)點(diǎn)和主開關(guān)，在自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)處提供與流過(guò)電感器的電流成反比的電壓電平，以及基于自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)處的電壓電平，確定切斷主開關(guān)的時(shí)間量。

附圖說(shuō)明

為了詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，現(xiàn)在將參考附圖，在附圖中：

圖1示出了說(shuō)明根據(jù)各種實(shí)施例的包括自適應(yīng)控制器的dc-dc升壓轉(zhuǎn)換器的框圖；

圖2示出了根據(jù)各種實(shí)施例的自適應(yīng)控制器的進(jìn)一步說(shuō)明；以及

圖3示出了根據(jù)各種實(shí)施例的用于確定關(guān)斷dc-dc升壓轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)的時(shí)間量的方法。

符號(hào)和術(shù)語(yǔ)

在以下描述和權(quán)利要求中使用某些術(shù)語(yǔ)來(lái)指代特定的系統(tǒng)組件。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，公司可以通過(guò)不同的名稱來(lái)指代組件。本文件不旨在區(qū)分名稱不同而非功能不同的組件。在以下討論中且在權(quán)利要求中，術(shù)語(yǔ)“包括(including)”和“包含(comprising)”以開放式的方式使用，且因此應(yīng)該被解釋為意味著“包括但不限于...”。再者，術(shù)語(yǔ)“耦接(couple)”或“耦接(couples)”旨在意味著或間接連接或直接連接。因此，如果第一設(shè)備耦接到第二設(shè)備，則該連接可以是通過(guò)直接連接，或者通過(guò)經(jīng)由其它設(shè)備和連接的間接連接。

具體實(shí)施方式

以下討論涉及本發(fā)明的各種實(shí)施例。雖然這些實(shí)施例中的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例可以是優(yōu)選的，但是所公開的實(shí)施例不應(yīng)被解釋為或以其它方式用于限制包括權(quán)利要求的本公開的范圍。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，以下描述具有廣泛的應(yīng)用，并且任何實(shí)施例的討論僅意味著該實(shí)施例是示例性的，并且不旨在暗示使包括權(quán)利要求的本公開的范圍受限于該實(shí)施例。

升壓轉(zhuǎn)換器用于基于較低的輸入電壓源生成較高的輸出電壓。因此，來(lái)自例如電池的輸入電壓源可以由直流-直流(dc-dc)升壓轉(zhuǎn)換器接收，并且升壓到為要求特定調(diào)節(jié)的電壓的各種電氣組件供電必需的期望電壓。

一般地，開關(guān)式升壓轉(zhuǎn)換器包括至少兩個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備(例如，二極管和/或晶體管)以及至少一個(gè)能量存儲(chǔ)元件(例如，電容器、電感器)。在升壓轉(zhuǎn)換器中，半導(dǎo)體設(shè)備可以經(jīng)配置作為交替地導(dǎo)通和切斷的開關(guān)，以便將輸入電壓調(diào)節(jié)到期望的輸出電壓。更具體地說(shuō)，可以經(jīng)由耦接到開關(guān)的驅(qū)動(dòng)器或控制器來(lái)控制開關(guān)的導(dǎo)通和切斷。

在一個(gè)示例中，升壓轉(zhuǎn)換器優(yōu)選地包括用作低側(cè)開關(guān)的第一晶體管(例如，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)或雙極結(jié)型晶體管(bjt))，以及用作高側(cè)開關(guān)的第二晶體管。低側(cè)開關(guān)耦接到電感器和接地，并且高側(cè)開關(guān)耦接到輸出(優(yōu)選地轉(zhuǎn)換器的負(fù)載)和電感器。通常，經(jīng)由由耦接到開關(guān)的控制器提供的脈寬調(diào)制(pwm)信號(hào)控制低側(cè)開關(guān)和高側(cè)開關(guān)。pwm信號(hào)是在較低電平和較高電平之間交替地轉(zhuǎn)變的時(shí)變方波。交替轉(zhuǎn)變引起低側(cè)開關(guān)和高側(cè)開關(guān)的交替接通和關(guān)斷。

繼續(xù)上面的示例，當(dāng)pwm信號(hào)處于較高電平時(shí)，低側(cè)開關(guān)可以導(dǎo)通，并且保持接通，直到pwm信號(hào)從較高電平轉(zhuǎn)變到較低電平，這致使低側(cè)開關(guān)切斷。同時(shí)，當(dāng)?shù)蛡?cè)開關(guān)斷開時(shí)，高側(cè)開關(guān)接通。更具體地說(shuō)，當(dāng)?shù)蛡?cè)開關(guān)接通時(shí)，輸入電壓源與電感器和低側(cè)開關(guān)到接地形成短路。因而，電流流過(guò)電感器，這通過(guò)生成磁場(chǎng)引起在電感器內(nèi)存儲(chǔ)能量。當(dāng)?shù)蛡?cè)開關(guān)斷開時(shí)，磁場(chǎng)衰減，并且反過(guò)來(lái)電感器中的存儲(chǔ)能量流過(guò)高側(cè)開關(guān)到電壓轉(zhuǎn)換器的負(fù)載(例如，耦接在輸出電壓節(jié)點(diǎn)處的輸出電容器)。理想地，如果低側(cè)開關(guān)和高側(cè)開關(guān)的切換足夠快，則可以忽略開關(guān)損耗，并且電壓轉(zhuǎn)換器能夠在輸出電壓節(jié)點(diǎn)處維持恒定的電壓電平，其中輸出電壓節(jié)點(diǎn)處的電壓電平高于輸入電壓。

然而，在實(shí)踐中，當(dāng)開關(guān)特別是低側(cè)開關(guān)正在接通和關(guān)斷時(shí)，由于“米勒時(shí)間(millertime)”造成的開關(guān)損耗可不利地致使功率損耗，并且反過(guò)來(lái)可影響電壓轉(zhuǎn)換器的性能，諸如效率。一般地，米勒時(shí)間是開關(guān)的無(wú)意放電路徑造成的。例如，如果mosfet被實(shí)施為開關(guān)，則mosfet包括在mosfet的漏極端子和柵極端子之間交叉的寄生電容。因此該寄生電容導(dǎo)致泄漏電流或柵極電流，這可增加開關(guān)導(dǎo)通或切斷需要的時(shí)間量。照慣例，電路耦接到開關(guān)，并且經(jīng)配置用于調(diào)諧(例如，減少)米勒時(shí)間。然而，此類常規(guī)電路一般包括耦接到mosfet開關(guān)的柵極端子的固定電壓節(jié)點(diǎn)，這可致使米勒時(shí)間根據(jù)變化的電感器電流而顯著變化。換句話說(shuō)，可存在隨著電感器電流的米勒時(shí)間的較大變化。在關(guān)斷高側(cè)開關(guān)期間的米勒時(shí)間的變化可特別顯著，并且是不合需要的。

如下面將解釋的，本發(fā)明的實(shí)施例涉及dc-dc轉(zhuǎn)換器，該dc-dc轉(zhuǎn)換器包括耦接到轉(zhuǎn)換器的開關(guān)的自適應(yīng)控制器。自適應(yīng)控制器進(jìn)一步包括自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)，該自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)可用于提供根據(jù)電感器電流的大小而改變的自適應(yīng)電壓電平。通過(guò)實(shí)施自適應(yīng)控制器，可以減少在關(guān)斷低側(cè)開關(guān)期間隨著電感器電流改變的米勒時(shí)間的變化。再者，通過(guò)在dc-dc轉(zhuǎn)換器中實(shí)施所公開的自適應(yīng)控制器，可以有利地實(shí)現(xiàn)關(guān)斷低側(cè)開關(guān)的更短的時(shí)間量。dc-dc轉(zhuǎn)換器優(yōu)選地根據(jù)本公開的dc-dc升壓轉(zhuǎn)換器使用所公開的自適應(yīng)控制器進(jìn)行操作，如下面參考圖2所示和所描述的。其它架構(gòu)也是可能的。

圖1示出根據(jù)各種實(shí)施例說(shuō)明dc-dc升壓轉(zhuǎn)換器100的頂層框圖。升壓轉(zhuǎn)換器100包括輸入電壓源vin、電感器l1、輸出電壓節(jié)點(diǎn)vout、輸出電容器c1、自適應(yīng)控制器102和兩個(gè)開關(guān)m1和開關(guān)m2。更具體地說(shuō)，自適應(yīng)控制器102經(jīng)配置用于從輸出電壓節(jié)點(diǎn)vout接收反饋信號(hào)(例如，vfb)，并且基于反饋信號(hào)(例如，電流信號(hào)和/或電壓信號(hào))，自適應(yīng)控制器102提供pwm信號(hào)101以交替地接通和關(guān)斷開關(guān)m1和開關(guān)m2。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，開關(guān)m1被稱為低側(cè)開關(guān)，并且開關(guān)m2被稱為高側(cè)開關(guān)，該高側(cè)開關(guān)與低側(cè)開關(guān)m1相比較在專有時(shí)間進(jìn)行操作。換句話說(shuō)，當(dāng)開關(guān)m1接通時(shí)，開關(guān)m2一般斷開，反之亦然—開關(guān)不會(huì)同時(shí)接通。

如上面所提及的，當(dāng)?shù)蛡?cè)開關(guān)m1接通時(shí)，輸入電壓源vin、電感器l1和開關(guān)m1形成短路。因此，能量開始存儲(chǔ)在電感器l1內(nèi)部，并且流過(guò)電感器l1的電流增加。當(dāng)開關(guān)m1斷開時(shí)，存儲(chǔ)在電感器l1內(nèi)部的能量開始放電，并且電流流過(guò)電感器l1到升壓轉(zhuǎn)換器100的負(fù)載(例如，輸出電容c1)，引起電感器電流的減小。

仍然參考圖1，當(dāng)經(jīng)由pwm信號(hào)切斷開關(guān)m1時(shí)，根據(jù)流過(guò)電感器l1的電流，由于米勒時(shí)間效應(yīng)，開關(guān)m1可能不會(huì)立即切斷。在這點(diǎn)上，自適應(yīng)控制器102包括電路以相對(duì)于流過(guò)電感器l1的電流來(lái)調(diào)諧導(dǎo)通和切斷的速度(即，使米勒時(shí)間變化)，以便實(shí)際上在更短的時(shí)間段內(nèi)切斷開關(guān)m1。在一個(gè)示例中，切斷開關(guān)m1的時(shí)間量可與負(fù)載電流(即，流過(guò)電感器l1的電流)成反比，也就是說(shuō)，負(fù)載電流越低，切斷開關(guān)m1的時(shí)間量越長(zhǎng)。而且，可存在切斷開關(guān)m1的時(shí)間量的較大變化。因此，這對(duì)于在低電流條件和/或?qū)挿秶呢?fù)載電流條件下的升壓轉(zhuǎn)換器100可能不是所期望的。更具體地說(shuō)，如果旨在在其中僅低電平電流是優(yōu)選的條件下操作升壓轉(zhuǎn)換器100，則升壓轉(zhuǎn)換器可在開關(guān)m1從接通轉(zhuǎn)變到斷開時(shí)遭受效率問(wèn)題。

圖2示出根據(jù)各種實(shí)施例的升壓轉(zhuǎn)換器100的示例性電路200。如圖2所示，自適應(yīng)控制器102進(jìn)一步包括兩個(gè)框202和框204。更特別地，框202經(jīng)配置用于從輸出電壓節(jié)點(diǎn)vout接收反饋信號(hào)vfb，并且基于反饋信號(hào)，提供pwm信號(hào)201以進(jìn)一步控制開關(guān)m1和開關(guān)m2，并且將與電感器電流成比例的自適應(yīng)電流iadp203提供給框204?；谧赃m應(yīng)電流203，耦接到框202的框204經(jīng)配置用于提供自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)vadp，自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)vadp可用于控制用于切斷開關(guān)m1的速度(即，米勒時(shí)間)。而且，電路200進(jìn)一步包括耦接到高側(cè)開關(guān)m2的感測(cè)控制器ms。感測(cè)控制器ms經(jīng)配置用于感測(cè)連接到高側(cè)開關(guān)m1和低側(cè)開關(guān)m2的共同節(jié)點(diǎn)vsw處的電壓電平/電流電平(例如，vsns)。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，如電路200中所示，升壓轉(zhuǎn)換器100進(jìn)一步包括分壓器(即，r0和r1)，分壓器(即，r0和r1)用于對(duì)輸出電壓節(jié)點(diǎn)vout處的電壓電平進(jìn)行分壓，并且致使反饋信號(hào)vfb等于分壓信號(hào)。也就是說(shuō)，vfb小于輸出電壓節(jié)點(diǎn)vout處的電壓電平，并且基于電阻器的分壓器比率(例如，r1/(r0+r1))。在一個(gè)替代性的實(shí)施例中，如果缺少分壓器對(duì)于由用戶實(shí)施升壓轉(zhuǎn)換器200可以是優(yōu)選的，則反饋信號(hào)vfb等于輸出電壓節(jié)點(diǎn)vout處的電壓電平。

仍然參考圖2，框202進(jìn)一步包括誤差放大器206、比較器208和控制邏輯210。誤差放大器206包括經(jīng)配置用于分別接收信號(hào)vfb和參考電壓vref的信號(hào)的兩個(gè)輸入端。與耦接到誤差放大器的輸出端的電容器c0一起，誤差放大器206經(jīng)配置用于提供與電感器電流成比例的自適應(yīng)電流idap。如圖2所示，自適應(yīng)電流優(yōu)選地流過(guò)晶體管m14和晶體管m13中的每個(gè)。進(jìn)一步地，比較器208經(jīng)配置用于比較vout和vsns，以便致使耦接的控制邏輯210產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的pwm信號(hào)，該對(duì)應(yīng)的pwm信號(hào)具有同步控制開關(guān)m1和開關(guān)m2的開關(guān)行為的占空比。

繼續(xù)圖2，框204進(jìn)一步包括恒壓節(jié)點(diǎn)vx，耦接到恒壓節(jié)點(diǎn)vx的采樣保持電路(例如，sw0和sw1)，耦接到高側(cè)開關(guān)m2的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器204-hs以及耦接到低側(cè)開關(guān)m1的低側(cè)驅(qū)動(dòng)器204-ls。驅(qū)動(dòng)器204-ls和驅(qū)動(dòng)器204-hs經(jīng)配置用于緩沖所接收的pwm信號(hào)，并分別增加低側(cè)開關(guān)和高側(cè)開關(guān)的驅(qū)動(dòng)速度。優(yōu)選地，m4和串聯(lián)連接的m5用作高側(cè)驅(qū)動(dòng)器204-hs的第一反相器，并且m3與m6一起用作與第一反相器串聯(lián)連接的第二反相器。類似地，對(duì)于低側(cè)驅(qū)動(dòng)器204-ls，m7和m9形成第一反相器，并且m8和m10形成與第一反相器串聯(lián)連接的第二反相器。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，m1～m10是mosfet。也是在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，低側(cè)驅(qū)動(dòng)器204-ls可以進(jìn)一步包括耦接到m10的mosfetm10a。如圖2所示，m10a的柵極端子連接到電壓節(jié)點(diǎn)v1，其中電壓節(jié)點(diǎn)v1連接到低側(cè)開關(guān)m1的柵極端子。

更具體地說(shuō)，低側(cè)驅(qū)動(dòng)器204-ls進(jìn)一步包括耦接到第一反相器和第二反相器的自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路，其中自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路包括兩個(gè)晶體管m11和晶體管m12以及開關(guān)m1。如電路200中所示，晶體管m11的漏極端子連接到開關(guān)m1的柵極端子，并且晶體管m11的柵極端子經(jīng)由晶體管m8耦接到輸出電壓節(jié)點(diǎn)vout。晶體管m12串聯(lián)連接到晶體管m11的源極端子，并且晶體管m12的柵極端子連接到自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)vadp。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，當(dāng)開關(guān)m1切斷時(shí)，所有電感器電流(即，如200中所示的il)流過(guò)開關(guān)m1至接地。更具體地說(shuō)，由于開關(guān)m1優(yōu)選地在mosfet的飽和區(qū)域中操作，所以存在幾乎不改變的電導(dǎo)電流id。因此，基于電流定律，il＝id+ig，通過(guò)m1的電流變?yōu)榱阌卸嗫?即，開關(guān)m1被斷開的速度)可在很大程度上取決于ig的變化，其中ig是流過(guò)開關(guān)m1的寄生電容cgd到串聯(lián)連接的晶體管m11和晶體管m12的放電電流。晶體管m11和晶體管m12優(yōu)選地在mosfet的線性區(qū)域中操作。進(jìn)一步地，放電電流ig可以被導(dǎo)出為vgs_m1/(ron_m11+ron_m12)，其中vgs_m1、ron_m11、ron_m12分別表示開關(guān)m1的柵極端子和源極端子上的電壓降、晶體管m11和晶體管m12的導(dǎo)電電阻。在開關(guān)m1的關(guān)斷期間，vgs_m1等于其中vth是開關(guān)m1的閾值電壓，并且k是比例常數(shù)。仍進(jìn)一步地，由于晶體管m11的柵極端子耦接到近似恒定的輸出電壓節(jié)點(diǎn)vout，引起導(dǎo)電電阻ron_m11的近似恒定的值。另一方面，晶體管m12的柵極端子耦接到根據(jù)電感器電流il而改變的自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)vadp，并且因此導(dǎo)電電阻ron_m12可以被導(dǎo)出為在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，可以經(jīng)由選擇連接到恒壓節(jié)點(diǎn)vx的電阻r4的值控制自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)vadp，也就是說(shuō)，vadp＝vx-kilr4。

額外地，當(dāng)開關(guān)m1切斷時(shí)，m10和m10a可以增加對(duì)il放電的速度，特別是當(dāng)電壓節(jié)點(diǎn)v1處的電壓電平高于低側(cè)開關(guān)m1的柵極端子處的電壓電平時(shí)，以致使開關(guān)m1在飽和模式下操作。更具體地說(shuō)，通過(guò)減小開關(guān)m1的柵極端子處的電壓電平，m1和m10a將從線性區(qū)域切換到飽和區(qū)域，同時(shí)m12可以接管對(duì)電感器電流il進(jìn)行放電的功能。

總之，經(jīng)由根據(jù)用戶旨在其上操作升壓轉(zhuǎn)換器100的電感器電流選擇電阻r4的值，可以優(yōu)化隨電感器電流變化的速度的變化。再者，可以通過(guò)電阻r4的優(yōu)化值減少關(guān)斷開關(guān)m1的時(shí)間量。一旦確定了r4的值，就根據(jù)電感器電流il確定自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)vadp處的電壓電平?；谌缟纤龉絭gs_m1/(ron_m11+ron_m12)，可以由用戶為合適的應(yīng)用最佳調(diào)諧速度和速度的變化。

仍然參考電路200，sw0和sw1經(jīng)配置用于同時(shí)接通和關(guān)斷，以便對(duì)電壓電平進(jìn)行采樣，并且保持采樣的電壓電平以產(chǎn)生自適應(yīng)電壓vx-kilr4。更具體地說(shuō)，當(dāng)開關(guān)接通時(shí)，sw0和sw1耦接到恒壓節(jié)點(diǎn)vx。當(dāng)開關(guān)斷開時(shí)，sw0和sw1耦接到自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)vadp。將開關(guān)sw0和sw1與電容器c1集成，可以避免在開關(guān)m1斷開時(shí)不期望的直流電流消耗。

圖3示出了根據(jù)各種實(shí)施例確定關(guān)斷升壓轉(zhuǎn)換器100的開關(guān)m1的時(shí)間量的流程圖300。流程圖300開始于框302，其中切斷升壓轉(zhuǎn)換器100的主開關(guān)(即，低側(cè)開關(guān)m1)。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，可由自適應(yīng)控制器102提供的pwm信號(hào)控制切斷主開關(guān)。當(dāng)開關(guān)m1被切斷時(shí)，電感器電流流過(guò)開關(guān)m1和耦接的低側(cè)驅(qū)動(dòng)器204-ls至接地，其中耦接的低側(cè)驅(qū)動(dòng)器204-ls優(yōu)選地用作用于電流ig的放電路徑。

流程圖300在框304中繼續(xù)，其中在自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)vadp處提供與電感器電流成反比的電壓電平。自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)優(yōu)選地耦接到低側(cè)驅(qū)動(dòng)器204-ls的晶體管的柵極。因此，晶體管m12的導(dǎo)電電阻(優(yōu)選地是用于確定關(guān)斷主開關(guān)m1的時(shí)間量的參數(shù)中的一個(gè)參數(shù))也隨著電感器電流而變化。

基于自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)vadp處的電壓電平，在框306中，通過(guò)將晶體管m11的柵極端子維持為輸出電壓節(jié)點(diǎn)vout處的電壓電平，確定關(guān)斷主開關(guān)m1的時(shí)間量。因此，如果有的話，則晶體管m11的導(dǎo)電電阻隨著電感器電流改變非常小。在一個(gè)優(yōu)選示例中，關(guān)斷主開關(guān)m1的時(shí)間量主要取決于電流ig變?yōu)榱阌卸嗫?即，有多少電流ig通過(guò)包括晶體管m11和晶體管m12的放電路徑)。更具體地說(shuō)，晶體管(例如，m12)的特性(例如，導(dǎo)電電阻)隨自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)處的電壓電平而改變。因此，提供自適應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)以根據(jù)電感器電流改變其電壓電平可以有利地確定關(guān)斷主開關(guān)m1的速度。

上面的討論意圖說(shuō)明本發(fā)明的原理和各種實(shí)施例。一旦完全理解了上面公開內(nèi)容，許多變化和修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得明顯。旨在將隨附權(quán)利要求解釋為涵蓋所有此類變化和修改。