一種擴(kuò)流擴(kuò)壓應(yīng)用電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種擴(kuò)流擴(kuò)壓應(yīng)用電路，通過在兩個MOSFET管間串接一電阻，大大消減MOSFET管導(dǎo)通電阻，并使得內(nèi)部功率管輸出端（LX）得到一穩(wěn)定的電壓信號，提高DT9001內(nèi)部電路穩(wěn)定性，從而實現(xiàn)同時擴(kuò)流、擴(kuò)壓的目的。
【專利說明】一種擴(kuò)流擴(kuò)壓應(yīng)用電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及異步升壓集成電路的應(yīng)用，具體是一種擴(kuò)流擴(kuò)壓應(yīng)用電路。

【背景技術(shù)】
[0002]DT9001是一款帶擴(kuò)展輸出端的5V異步升壓集成電路，其工作電壓范圍是2?5V，但最低啟動電壓只需要0.8V，因此可以在低至0.8V的電壓下正常工作。DT9001內(nèi)部集成了輸出能力為500mA的功率晶體管，其最高輸出電壓為5.5V。與一般的5V異步升壓集成電路不同的是，DT9001帶有一個擴(kuò)展輸出端，可以在外部再接入功率晶體管，從而實現(xiàn)擴(kuò)流或高壓輸出的功能。由于這個特點，使得DT9001可以滿足一些特殊要求的應(yīng)用。
[0003]DT9001的內(nèi)部框圖，如圖1所示，包含1.25V基準(zhǔn)源、振蕩器、電壓環(huán)比較器、電流檢測電路、PWM信號發(fā)生器、功率晶體管、擴(kuò)展輸出驅(qū)動器。DT9001采用S0T23-6封裝形式，6個管腳分別為:I腳為使能輸入端(CE)，2腳為擴(kuò)展輸出端(EXT)，3腳為接地(GND)，4腳為內(nèi)部功率管輸出端(LX)，5腳為電源輸入端(VDD)，6腳為反饋電壓采集輸入端(FB)。
[0004]DT9001的基本工作原理如下:芯片將來自FB端的電壓(VFB)與內(nèi)部基準(zhǔn)源(VREF)作比較，當(dāng)VFB〈VREF時，芯片內(nèi)部的PWM控制信號輸出低電平到內(nèi)部功率管的柵極，使功率管截止，同時另一路送至EXT端，用于截止外部連接的功率管；而當(dāng)VFB>VREF時，芯片內(nèi)部的PWM控制信號輸出高電平，內(nèi)部功率管導(dǎo)通，同時另一路也送至EXT端，使外部連接的功率管導(dǎo)通。
[0005]鑒于上述，本領(lǐng)域技術(shù)人員充分利用DT9001的特性實現(xiàn)得到擴(kuò)流電路(如圖2)及擴(kuò)壓電路(如圖3)，但至今未能實現(xiàn)同時提供擴(kuò)壓擴(kuò)流輸出的應(yīng)用電路。究其主要原因在于當(dāng)DT9001運行時，在每個PWM周期結(jié)束前，均要從內(nèi)部功率管輸出端(LX)取樣一個電壓信號，而這個電壓信號不夠穩(wěn)定，導(dǎo)致工作穩(wěn)定性低。
實用新型內(nèi)容
[0006]本實用新型目的是提出一種新型的采用DT9001實現(xiàn)的應(yīng)用電路，克服現(xiàn)有技術(shù)中電路只能擴(kuò)壓或只能擴(kuò)流的問題。
[0007]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:一種擴(kuò)流擴(kuò)壓應(yīng)用電路，用以實現(xiàn)同時擴(kuò)壓和擴(kuò)流，包括，
[0008]—電源供入端Vin+,所述電源供入端Vin+分別與一第一電容Cl第一端、一第四電阻R4第一端及一第一電感LI第一端連接,所述第一電感LI第二端分別與一第一二極管Dl正極及一第一 MOSFET管Ql第二端連接；
[0009]一電源供出端Vout+，所述電源供出端Vout+分別與一第三電容C3第一端、一第四電容C4第一端、一第五電容C5第一端、一第一電阻Rl第一端及所述第一二極管Dl負(fù)端連接；以及，
[0010]一異步升壓集成電路DT9001，所述異步升壓集成電路DT9001具有一使能輸入端CE、一擴(kuò)展輸出端EXT、一接地端GND、一內(nèi)部功率管輸出端LX、一電源輸入端VDD及一反饋電壓采集輸入端FB，其中，
[0011]所述電源輸入端VDD分別與所述第四電阻R4第二端、一第二電容C2第一端及一第五電阻R5第一端連接；
[0012]所述使能輸入端CE分別與所述第五電阻R5第二端、一第六電阻R6第一端及一第六電容C6第一端連接；
[0013]所述反饋電壓采集輸入端FB分別與所述第五電容C5第二端、所述第一電阻Rl第二端及一第二電阻R2第一端連接；
[0014]所述擴(kuò)展輸出端EXT分別與所述第一 MOSFET管Ql的第一端及一第二 MOSFET管Q2的第一端連接；
[0015]所述內(nèi)部功率管輸出端LX分別與一第七電阻R7第二端及所述第二 MOSFET管Q2第二端連接，所述第二 MOSFET管Q2第三端與一第三電阻R3第一端連接，所述第七電阻R7第一端與所述第一 MOSFET管Ql第三端連接；
[0016]所述第一電容Cl第二端、所述第二電容C2第二端、所述第六電阻R6第二端、所述第六電容C6第二端、所述第三電阻R3第二端、所述異步升壓集成電路DT9001的接地端GND、所述第二電阻R2第二端、所述第三電容C3第二端、所述第四電容C4第二端均與地連接。
[0017]作為一種擴(kuò)流擴(kuò)壓應(yīng)用電路的優(yōu)選方案，所述第一 MOSFET管Ql及所述第二MOSFET 管 Q2 均采用 A03418。
[0018]作為一種擴(kuò)流擴(kuò)壓應(yīng)用電路的優(yōu)選方案，所述第一電容Cl為10yF,所述第二電容C2為I μ F，所述第三電容C3為10 μ F，所述第四電容C4為100 μ F，所述第五電容C5為10pF，所述第六電容C6為IyF;所述第一電阻Rl為860ΚΩ，所述第二電阻R2為100K Ω，所述第三電阻R3為0.1 Ω，所述第四電阻R4為100 Ω，所述第五電阻R5為100K Ω，所述第六電阻R6為100K Ω，所述第七電阻R7為0.1 Ω ;所述第一電感LI為4.7 μ H。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的優(yōu)點在于，通過在兩個MOSFET管間串接一電阻，大大消減MOSFET管導(dǎo)通電阻，并使得內(nèi)部功率管輸出端(LX)得到一穩(wěn)定的電壓信號，提高DT9001內(nèi)部電路穩(wěn)定性，從而實現(xiàn)同時擴(kuò)流、擴(kuò)壓的目的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中DT9001的內(nèi)部框圖。
[0021]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中采用DT9001實現(xiàn)的擴(kuò)流輸出應(yīng)用電路。
[0022]圖3是現(xiàn)有技術(shù)中采用DT9001實現(xiàn)的擴(kuò)壓輸出應(yīng)用電路。
[0023]圖4是本實用新型的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作詳細(xì)說明。
[0025]請參見圖4，圖中所示的是一種擴(kuò)流擴(kuò)壓應(yīng)用電路，其結(jié)合現(xiàn)有的擴(kuò)壓電路結(jié)構(gòu)和擴(kuò)流電路結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行創(chuàng)造性的改進(jìn)，以實現(xiàn)同時擴(kuò)壓和擴(kuò)流。具體地說，本應(yīng)用電路，包括，
[0026]—電源供入端Vin+,所述電源供入端Vin+分別與一第一電容Cl第一端、一第四電阻R4第一端及一第一電感LI第一端連接,所述第一電感LI第二端分別與一第一二極管Dl正極及一第一 MOSFET管Ql第二端(D級)連接；
[0027]一電源供出端Vout+，所述電源供出端Vout+分別與一第三電容C3第一端、一第四電容C4第一端、一第五電容C5第一端、一第一電阻Rl第一端及所述第一二極管Dl負(fù)端連接；以及，
[0028]一異步升壓集成電路DT9001，所述異步升壓集成電路DT9001具有一使能輸入端CE、一擴(kuò)展輸出端EXT、一接地端GND、一內(nèi)部功率管輸出端LX、一電源輸入端VDD及一反饋電壓采集輸入端FB，其中，
[0029]所述電源輸入端VDD分別與所述第四電阻R4第二端、一第二電容C2第一端及一第五電阻R5第一端連接；
[0030]所述使能輸入端CE分別與所述第五電阻R5第二端、一第六電阻R6第一端及一第六電容C6第一端連接；
[0031]所述反饋電壓采集輸入端FB分別與所述第五電容C5第二端、所述第一電阻Rl第二端及一第二電阻R2第一端連接；
[0032]所述擴(kuò)展輸出端EXT分別與所述第一 MOSFET管Ql的第一端(G級)及一第二MOSFET管Q2的第一端(G級)連接；
[0033]所述內(nèi)部功率管輸出端LX分別與一第七電阻R7第二端及所述第二 MOSFET管Q2第二端(D級)連接，所述第二 MOSFET管Q2第三端(S級)與一第三電阻R3第一端連接，所述第七電阻R7第一端與所述第一 MOSFET管Ql第三端(S級)連接；
[0034]所述第一電容Cl第二端、所述第二電容C2第二端、所述第六電阻R6第二端、所述第六電容C6第二端、所述第三電阻R3第二端、所述異步升壓集成電路DT9001的接地端GND、所述第二電阻R2第二端、所述第三電容C3第二端、所述第四電容C4第二端均與地連接。
[0035]上述所涉及的各電氣部件均為市售產(chǎn)品。其中，所述第一 MOSFET管Ql及所述第二 MOSFET管Q2均采用A03418。所述第一電容Cl為100 μ F，所述第二電容C2為I μ F，所述第三電容C3為10 μ F，所述第四電容C4為100 μ F，所述第五電容C5為10pF，所述第六電容C6為I μ F ;所述第一電阻Rl為860Κ Ω，所述第二電阻R2為100Κ Ω，所述第三電阻R3為
0.1Ω，所述第四電阻R4為100Ω，所述第五電阻R5為100ΚΩ，所述第六電阻R6為100ΚΩ，所述第七電阻R7為0.1Ω ;所述第一電感LI為4.7 μ H。
[0036]本實施例的技術(shù)關(guān)鍵在于在所述第一 MOSFET管Ql和所述第二 MOSFET管Q2間串入所述第七電阻R7，此設(shè)計是大大削減MOSFET導(dǎo)通電阻，所述內(nèi)部功率管輸出端LX的電壓基本上由第三電阻R3和第七電阻R7所確定，這樣就解決了穩(wěn)定性的問題。
[0037]本實施例的工作原理如下:當(dāng)所述電源供出端Vout+的電壓沒有達(dá)到設(shè)定值時，從所述電源供出端Vout+端經(jīng)所述第一電阻Rl和所述第二電阻R2分壓到所述反饋電壓采集輸入端FB端的電壓VFB也小于內(nèi)部參考源VREF，所述異步升壓集成電路DT9001內(nèi)部的PWM信號使內(nèi)部功率管和兩個MOSFET管全都截止，所述第一電感LI向所述電源供出端Vout+放電；一個PWM周期后，再次比較。當(dāng)所述電源供出端Vout+達(dá)到設(shè)定值時，所述反饋電壓采集輸入端FB分得的電壓VFB高于VREF，所述異步升壓集成電路DT9001內(nèi)部的PWM信號使內(nèi)部功率管和兩個MOSFET全都導(dǎo)通，所述第一電感由所述電源供入端Vin+充電，同時所述電源供出端Vout+依靠所述第三電容C3、所述第四電容C4維持供電；一個PWM周期后，再次比較。
[0038]以上僅表達(dá)了本實用新型的實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對實用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實用新型的保護(hù)范圍。因此，本實用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種擴(kuò)流擴(kuò)壓應(yīng)用電路，用以實現(xiàn)同時擴(kuò)壓和擴(kuò)流，其特征在于，包括， 一電源供入端Vin+,所述電源供入端Vin+分別與一第一電容Cl第一端、一第四電阻R4第一端及一第一電感LI第一端連接,所述第一電感LI第二端分別與一第一二極管Dl正極及一第一 MOSFET管Ql第二端連接； 一電源供出端Vout+,所述電源供出端Vout+分別與一第三電容C3第一端、一第四電容C4第一端、一第五電容C5第一端、一第一電阻Rl第一端及所述第一二極管Dl負(fù)端連接；以及， 一異步升壓集成電路DT9001，所述異步升壓集成電路DT9001具有一使能輸入端CE、一擴(kuò)展輸出端EXT、一接地端GND、一內(nèi)部功率管輸出端LX、一電源輸入端VDD及一反饋電壓采集輸入端FB，其中， 所述電源輸入端VDD分別與所述第四電阻R4第二端、一第二電容C2第一端及一第五電阻R5第一端連接； 所述使能輸入端CE分別與所述第五電阻R5第二端、一第六電阻R6第一端及一第六電容C6第一端連接； 所述反饋電壓采集輸入端FB分別與所述第五電容C5第二端、所述第一電阻Rl第二端及一第二電阻R2第一端連接； 所述擴(kuò)展輸出端EXT分別與所述第一 MOSFET管Ql的第一端及一第二 MOSFET管Q2的第一端連接； 所述內(nèi)部功率管輸出端LX分別與一第七電阻R7第二端及所述第二 MOSFET管Q2第二端連接，所述第二 MOSFET管Q2第三端與一第三電阻R3第一端連接，所述第七電阻R7第一端與所述第一 MOSFET管Ql第三端連接； 所述第一電容Cl第二端、所述第二電容C2第二端、所述第六電阻R6第二端、所述第六電容C6第二端、所述第三電阻R3第二端、所述異步升壓集成電路DT9001的接地端GND、所述第二電阻R2第二端、所述第三電容C3第二端、所述第四電容C4第二端均與地連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種擴(kuò)流擴(kuò)壓應(yīng)用電路，其特征在于，所述第一MOSFET管Ql及所述第二 MOSFET管Q2均采用A03418。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種擴(kuò)流擴(kuò)壓應(yīng)用電路，其特征在于，所述第一電容Cl為100 μ F，所述第二電容C2為I μ F，所述第三電容C3為10 μ F，所述第四電容C4為100 μ F，所述第五電容C5為10pF，所述第六電容C6為IyF;所述第一電阻Rl為860ΚΩ，所述第二電阻R2為100ΚΩ，所述第三電阻R3為0.1Ω，所述第四電阻R4為100 Ω，所述第五電阻R5為100K Ω，所述第六電阻R6為100K Ω，所述第七電阻R7為0.1 Ω ;所述第一電感 LI 為 4.7 μ H。
【文檔編號】H02M3/156GK203951363SQ201420383010
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月11日
【發(fā)明者】張益銘, 談毅平 申請人:上海芯強(qiáng)微電子有限公司