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一種通信用硅芯管的制作方法

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一種通信用硅芯管的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種通信用硅芯管,包括高密度聚乙烯制成的外層和均勻涂抹在所述外層內(nèi)壁上由硅膠質(zhì)固體潤(rùn)滑劑構(gòu)成的硅芯層,所述外層與所述硅芯層軸向錯(cuò)位設(shè)置,所述硅芯管一端于所述外層與硅芯層之間設(shè)有外露于硅芯管端部的中空的、圓錐臺(tái)形的接頭,所述硅芯管另一端于所述外層與硅芯層之間設(shè)有向硅芯管內(nèi)部延伸的、與所述接頭配合的插接口。本實(shí)用新型的通信用硅芯管通過(guò)在兩端設(shè)置相互吻合的插頭與插接口,使得兩硅芯管在拼接時(shí),只需將其中一根硅芯管的插頭插入到另一根硅芯管的插接口內(nèi),在插頭與插接口的接觸處包裹上密封圈即可,簡(jiǎn)單,易操作,同時(shí)兩硅芯管之間的密封性較好。
【專利說(shuō)明】一種通信用硅芯管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種通信管材,尤其涉及一種用于鋪設(shè)光電纜的硅芯管。

【背景技術(shù)】
[0002]硅芯管是一種內(nèi)壁帶有硅膠質(zhì)固體潤(rùn)滑劑的新型復(fù)合管道,簡(jiǎn)稱硅管,其密封性能好,耐化學(xué)腐蝕,工程造價(jià)低,廣泛運(yùn)用于高速公路,鐵路等的光電纜通信網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。硅芯管由三臺(tái)塑料擠出機(jī)同步擠壓復(fù)合,主要原材料為高密度聚乙烯,芯層為摩擦系數(shù)最低的固體潤(rùn)滑劑硅膠質(zhì),廣泛運(yùn)用于光電纜通信網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。
[0003]在利用硅芯管鋪設(shè)光電纜時(shí),需要將多根硅芯管進(jìn)行拼接。現(xiàn)有的拼接方式是在安裝時(shí),首先將硅芯管兩端切平,再利用特制的接頭將兩硅芯管的端頭對(duì)接,現(xiàn)有的接頭通常是由端帽、彈性卡圈、墊圈、橡膠密封圈、連接絲桿組裝而成,由于接頭不能確保密封性,還需利用堵頭將硅芯管兩端密封??梢?,現(xiàn)有的拼接方式較繁瑣,還且拼接的成本較高,還不能確保兩硅芯管之間完全地密封。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種可利用自身結(jié)構(gòu)進(jìn)行拼接密封的硅芯管。
[0005]為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:一種通信用硅芯管,包括高密度聚乙烯制成的外層和均勻涂抹在所述外層內(nèi)壁上由硅膠質(zhì)固體潤(rùn)滑劑構(gòu)成的硅芯層,其特征在于:所述外層與所述硅芯層軸向錯(cuò)位設(shè)置,所述硅芯管一端于所述外層與硅芯層之間設(shè)有外露于硅芯管端部的中空的、圓錐臺(tái)形的接頭,所述硅芯管另一端于所述外層與硅芯層之間設(shè)有向硅芯管內(nèi)部延伸的、與所述接頭配合的插接口。
[0006]本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中,進(jìn)一步包括所述接頭自其設(shè)置在所述外層與硅芯層之間的一端的直徑向另一端遞減,所述接頭直徑較小的一端的直徑與所述硅芯層的內(nèi)徑相等。
[0007]本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中,進(jìn)一步包括所述插接口自其設(shè)置在所述外層與硅芯層之間的一端的直徑向另一端遞減,所述插接口直徑較小的一端的直徑與所述硅芯層的內(nèi)徑相等。
[0008]本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中,進(jìn)一步包括所述接頭與插接口均由高密度聚乙烯制成,所述硅芯層一端延伸至所述接頭直徑較小的一端,所述硅芯層的另一端與所述插接口直徑較小的一端接觸。
[0009]本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中,進(jìn)一步包括所述接頭與插接口直徑較大的一端的直徑均等于所述硅芯層的內(nèi)徑加上1/2的外層的外徑與硅芯層的內(nèi)徑之差。
[0010]本實(shí)用新型解決了【背景技術(shù)】中存在的缺陷,本實(shí)用新型的通信用硅芯管通過(guò)在兩端設(shè)置相互吻合的插頭與插接口,使得兩硅芯管在拼接時(shí),只需將其中一根硅芯管的插頭插入到另一根硅芯管的插接口內(nèi),在插頭與插接口的接觸處包裹上密封圈即可,簡(jiǎn)單,易操作,同時(shí)兩硅芯管之間的密封性較好。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。
[0012]圖1是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0013]圖中:10、外層,20、硅芯層,30、接頭,40、插接口,50、臺(tái)階。

【具體實(shí)施方式】
[0014]現(xiàn)在結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明,這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖,僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu),因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0015]如圖1所示,一種通信用硅芯管,包括高密度聚乙烯制成的外層10和均勻涂抹在外層10內(nèi)壁上由硅膠質(zhì)固體潤(rùn)滑劑構(gòu)成的硅芯層20,且外層10與硅芯層20軸向錯(cuò)位設(shè)置,即娃芯層20的一端伸出外層10的一端外,娃芯層20的另一端縮進(jìn)外層10的另一端內(nèi)。本實(shí)用新型中的娃芯管一端(即娃芯層20伸出的一端)于外層10與娃芯層20之間設(shè)有外露于硅芯管端部的中空的、圓錐臺(tái)形的接頭30,在硅芯管另一端于外層10與硅芯層20之間設(shè)有向硅芯管內(nèi)部延伸的、與接頭30配合的插接口 40。
[0016]具體的,接頭30自其設(shè)置在外層10與硅芯層20之間的一端的直徑向另一端遞減,接頭30直徑較小的一端的直徑與硅芯層20的內(nèi)徑相等;同樣,插接口 40自其設(shè)置在外層10與娃芯層20之間的一端的直徑向另一端遞減,插接口 40直徑較小的一端的直徑與娃芯層20的內(nèi)徑相等,且接頭30與插接口 40直徑較大的一端的直徑均等于硅芯層20的內(nèi)徑加上1/2的外層10的外徑與硅芯層20的內(nèi)徑之差。如此,即可在外層10的邊緣處與接頭30的邊緣處形成一臺(tái)階50,在將兩根硅芯管連接時(shí),具有插接口 40的硅芯管的一端可抵靠在另一硅芯管具有接頭30的臺(tái)階50處,并形成吻合。
[0017]本實(shí)用新型中接頭30與插接口 40均由高密度聚乙烯制成,娃芯層20 —端延伸至接頭30直徑較小的一端,娃芯層20的另一端與插接口 40直徑較小的一端接觸。如此,夕卜層10、接頭30與插接口 40即可一次擠壓成型,再將硅芯層20成型在由外層10、接頭30與插接口 40構(gòu)成的內(nèi)腔壁上即可,易加工制造。
[0018]本實(shí)用新型的通信用硅芯管通過(guò)在兩端設(shè)置相互吻合的插頭與插接口,使得兩硅芯管在拼接時(shí),只需將其中一根硅芯管的插頭插入到另一根硅芯管的插接口內(nèi),在插頭與插接口的接觸處包裹上密封圈即可,簡(jiǎn)單,易操作,同時(shí)兩硅芯管之間的密封性較好。
[0019]以上依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示,通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容,相關(guān)人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi),進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說(shuō)明書上的內(nèi)容,必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定技術(shù)性范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種通信用硅芯管,包括高密度聚乙烯制成的外層和均勻涂抹在所述外層內(nèi)壁上由硅膠質(zhì)固體潤(rùn)滑劑構(gòu)成的硅芯層,其特征在于:所述外層與所述硅芯層軸向錯(cuò)位設(shè)置,所述硅芯管一端于所述外層與硅芯層之間設(shè)有外露于硅芯管端部的中空的、圓錐臺(tái)形的接頭,所述硅芯管另一端于所述外層與硅芯層之間設(shè)有向硅芯管內(nèi)部延伸的、與所述接頭配合的插接口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通信用硅芯管,其特征在于:所述接頭自其設(shè)置在所述外層與硅芯層之間的一端的直徑向另一端遞減,所述接頭直徑較小的一端的直徑與所述硅芯層的內(nèi)徑相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的通信用硅芯管,其特征在于:所述插接口自其設(shè)置在所述外層與娃芯層之間的一端的直徑向另一端遞減,所述插接口直徑較小的一端的直徑與所述娃芯層的內(nèi)徑相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的通信用硅芯管,其特征在于:所述接頭與插接口均由高密度聚乙烯制成,所述硅芯層一端延伸至所述接頭直徑較小的一端,所述硅芯層的另一端與所述插接口直徑較小的一端接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的通信用硅芯管,其特征在于:所述接頭與插接口直徑較大的一端的直徑均等于所述硅芯層的內(nèi)徑加上1/2的外層的外徑與硅芯層的內(nèi)徑之差。
【文檔編號(hào)】H02G9/02GK204068165SQ201420353235
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月27日
【發(fā)明者】朱小龍, 孫康, 陸德華, 張建忠, 趙勇 申請(qǐng)人:江蘇蘇龍通信科技股份有限公司
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