大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置，其特征包括：220V交流電源、阻容移相及雙向可控硅控制電路、兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路、阻容吸收電路；阻容移相及雙向可控硅控制電路由雙向可控硅BCR、線性電位器RP、電阻R1、電容C1和雙向觸發(fā)二級(jí)管KS組成；兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路由單向可控硅SCR1、單向可控硅SCR2反向并聯(lián)和電機(jī)M組成；所述的阻容吸收電路由電阻R2、電容C2和壓敏電阻RV組成。本發(fā)明所述的大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置制作僅花幾元錢(qián)，該調(diào)速裝置使用可控硅模塊，它可以控制工作電流≤100A的電機(jī)調(diào)速。本發(fā)明也可用于220V交流電供電的用電設(shè)備調(diào)壓。
【專(zhuān)利說(shuō)明】大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電子與溫度控制【技術(shù)領(lǐng)域】，是關(guān)于一種大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]一般大功率可控硅觸發(fā)電路都比較復(fù)雜，而且有些元器件價(jià)格昂貴。本發(fā)明所述的大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置制作僅花幾元錢(qián)，該調(diào)速裝置使用可控硅模塊，它可以控制工作電流< 100A的電機(jī)調(diào)速，如:用于大功率鼓風(fēng)機(jī)無(wú)級(jí)調(diào)速。本發(fā)明所述的大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置也可用于220V交流電供電的用電設(shè)備調(diào)壓。
[0003]本發(fā)明所述的大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，全部使用普通元器件，適合用于工廠批量開(kāi)發(fā)具有調(diào)速功能的新型大功率電機(jī)。
[0004]以下詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明所述的大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置在實(shí)施過(guò)程中所涉及必要的、關(guān)鍵性技術(shù)內(nèi)容。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]發(fā)明目的及有益效果:一般大功率可控硅觸發(fā)電路都比較復(fù)雜，而且有些元器件價(jià)格昂貴。本發(fā)明所述的大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置制作僅花幾元錢(qián)，該調(diào)速裝置使用可控硅模塊，它可以控制工作電流< 100A的電機(jī)調(diào)速，如:用于大功率鼓風(fēng)機(jī)無(wú)級(jí)調(diào)速。本發(fā)明所述的大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置也可用于220V交流電供電的用電設(shè)備調(diào)壓。
[0006]電路工作原理:將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)，再將控制電路與觸發(fā)電路連接組成一個(gè)大功率無(wú)級(jí)調(diào)速電路。該電路的獨(dú)特之處在于:可控硅控制極不需外加電源，只要將用電設(shè)備與本電路串聯(lián)后接通220V交流電源后，兩只單向可控硅控制極與各自的陰極之間便產(chǎn)生5?8V脈動(dòng)直流電壓，調(diào)節(jié)線性電位器RP即可改變兩只單向可控硅SCR1、SCR2的導(dǎo)通角，增加線性電位器RP的阻值到一定程度，便可使兩只單向可控硅阻斷。因此，線性電位器RP還可起開(kāi)關(guān)的作用。該電路另一個(gè)特點(diǎn)是兩只單向可控硅交替導(dǎo)通，一個(gè)正向壓降就是另一個(gè)反向壓降，因而不存在反向擊穿問(wèn)題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過(guò)阻斷電壓時(shí)，單向可控硅SCRl、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器RP決定。雙向可控硅BCR與周?chē)?gòu)成移相觸發(fā)電路。
[0007]本裝置用于感性負(fù)載時(shí)，增加電阻R2，電容C2阻容吸收電路及壓敏電阻RV用作過(guò)壓保護(hù)，防止感性負(fù)載斷開(kāi)或接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓而損壞單向可控硅。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]附圖1是本發(fā)明提供的大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置一個(gè)實(shí)施例的電路工作原理圖。

【具體實(shí)施方式】
[0009]按照附圖1所示的大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置電路工作原理圖和【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】，并按照
【發(fā)明內(nèi)容】
所述的各部分電路中元器件之間連接關(guān)系，以及實(shí)施方式中所述的元器件技術(shù)參數(shù)要求和電路制作要點(diǎn)進(jìn)行實(shí)施即可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的相關(guān)技術(shù)作進(jìn)一步的描述。
[0010]技術(shù)方案:大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置，它包括220V交流電源、阻容移相及雙向可控硅控制電路、兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路、阻容吸收電路，其特征在于:
[0011 ] 阻容移相及雙向可控硅控制電路:它由雙向可控硅BCR、線性電位器RP、電阻Rl、電容Cl和雙向觸發(fā)二級(jí)管KS組成，雙向觸發(fā)二級(jí)管KS —端接雙向可控硅BCR控制極G，雙向觸發(fā)二級(jí)管KS另一端通過(guò)電阻Rl接電容Cl 一端和線性電位器RP —端，電容Cl另一端接雙向可控硅BCR第一陽(yáng)極Tl，線性電位器RP另一端及其活動(dòng)臂接雙向可控硅BCR第二陽(yáng)極T2 ；
[0012]兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路:它由單向可控硅SCR1、單向可控硅SCR2反向并聯(lián)和電機(jī)M組成，單向可控硅SCRl控制極接雙向可控硅BCR第一陽(yáng)極TI，單向可控硅SCRl的陰極接單向可控硅SCR2的陽(yáng)極和電機(jī)M的一端，單向可控硅SCR2控制極接雙向可控硅BCR的第二陽(yáng)極T2，單向可控硅SCRl的陽(yáng)極和單向可控硅SCR2陰極接220V交流電源零線端N，電機(jī)M的另一端接220V交流電源火線端L ；
[0013]阻容吸收電路:它由電阻R2、電容C2和壓敏電阻RV組成，電阻R2 —端接電容C2一端，電阻R2另一端接壓敏電阻RV —端和220V交流電源零線端N，電容C2另一端接單向可控硅SCRl的陰極和壓敏電阻RV另一端。
[0014]元器件的技術(shù)參數(shù)及選擇要求
[0015]BCR為雙向可控硅，選用600V的雙向可控硅，其型號(hào)為BT136或3CTSI或DB3 ；
[0016]單向可控硅SCRl、SCR2選用可控硅模塊，技術(shù)參數(shù)為110A/600V ；
[0017]KS為雙向觸發(fā)二極管，選用的型號(hào)為BCR3AM，或者選用2CTS ；
[0018]電阻全部選用RTX-1型功率為IW金屬膜電阻，電阻Rl的阻值為1K Ω ;電阻R2的阻值為100 Ω ;線性電位器RP的阻值為330ΚΩ ；
[0019]電容Cl選用滌綸電容，容量為0.22 μ F、要求電容Cl的耐壓彡400V ；
[0020]電容C2選用滌綸電容，容量為0.1 μ F、要求電容C2的耐壓彡400V。
[0021]電路制作要點(diǎn)及電路調(diào)試
[0022]在制作大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置的電路時(shí)，只要選用的電子元器件性能完好，并按照說(shuō)明書(shū)附圖中的元器件連接關(guān)系進(jìn)行焊接，物理連接線及焊接質(zhì)量經(jīng)過(guò)仔細(xì)檢查無(wú)誤后，電路只要稍加調(diào)試就可正常工作；
[0023]在電路調(diào)試時(shí)，調(diào)節(jié)線性電位器RP的阻值置于中間值，使電機(jī)M上的交流電電壓在140?210V之間變化，若交流電電壓變化區(qū)間不合適，可適當(dāng)調(diào)整阻容移相電路中的電阻Rl或電容Cl的技術(shù)參數(shù)。
[0024]本發(fā)明的電路元器件布局、電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、它的外觀的形狀及尺寸大小等均不是制作本發(fā)明的關(guān)鍵技術(shù)，也不是本發(fā)明要求保護(hù)的技術(shù)特征，故不在說(shuō)明書(shū)中一一說(shuō)明。
【權(quán)利要求】
1.一種大功率電機(jī)可控硅無(wú)級(jí)調(diào)速裝置，它包括220V交流電源、阻容移相及雙向可控硅控制電路、兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路、阻容吸收電路，其特征在于: 阻容移相及雙向可控硅控制電路由雙向可控硅BCR、線性電位器RP、電阻R1、電容Cl和雙向觸發(fā)二級(jí)管KS組成，雙向觸發(fā)二級(jí)管KS —端接雙向可控硅BCR的控制極G，雙向觸發(fā)二級(jí)管KS另一端通過(guò)電阻Rl接電容Cl 一端和線性電位器RP —端，電容Cl另一端接雙向可控硅BCR第一陽(yáng)極Tl，線性電位器RP另一端及其活動(dòng)臂接雙向可控硅BCR第二陽(yáng)極T2 ；兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路由單向可控硅SCR1、單向可控硅SCR2反向并聯(lián)和電機(jī)M組成，單向可控硅SCRl的控制極接雙向可控硅BCR第一陽(yáng)極TI，單向可控硅SCRl的陰極接單向可控硅SCR2的陽(yáng)極和電機(jī)M的一端，單向可控硅SCR2的控制極接雙向可控硅BCR的第二陽(yáng)極T2，單向可控硅SCRl陽(yáng)極和單向可控硅SCR2陰極接220V交流電源零線端N，電機(jī)M的另一端接220V交流電源火線端L ； 所述的阻容吸收電路由電阻R2、電容C2和壓敏電阻RV組成，電阻R2 —端接電容C2 —端，電阻R2另一端接壓敏電阻RV —端和220V交流電源零線端N，電容C2另一端接單向可控硅SCRl的陰極和壓敏電阻RV另一端。
【文檔編號(hào)】H02P23/00GK104300869SQ201410621389
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月5日
【發(fā)明者】黃宇嵩 申請(qǐng)人:黃宇嵩