用于感應(yīng)加熱的半橋電路及電磁灶系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了用于感應(yīng)加熱的半橋電路及電磁灶系統(tǒng)。該半橋電路包括由第一功率開關(guān)與第二功率開關(guān)組成的開關(guān)串聯(lián)電路、與開關(guān)串聯(lián)電路并聯(lián)的第一電容、并聯(lián)在第一功率開關(guān)上的第一吸收電容、并聯(lián)在第二功率開關(guān)上的第二吸收電容、并聯(lián)在開關(guān)串聯(lián)電路兩端的由第一諧振電容和第二諧振電容組成的電容串聯(lián)電路、連接在第一諧振電容和第二諧振電容的連接節(jié)點與第一功率開關(guān)與第二功率開關(guān)的連接節(jié)點之間的電感、以及并聯(lián)在第一諧振電容或第二諧振電容上的用于防止諧振電容被反向充電的單向?qū)ㄆ骷?。該半橋電路可使兩功率開關(guān)可在大范圍不對稱工作狀態(tài)下保持零電壓開關(guān)狀態(tài)，以降低開關(guān)損耗，并提高半橋電路的可靠性。
【專利說明】用于感應(yīng)加熱的半橋電路及電磁灶系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及感應(yīng)加熱電路領(lǐng)域，尤其涉及一種用于感應(yīng)加熱的半橋電路及電磁灶系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的用于感應(yīng)加熱的半橋電路，可以在對稱工作情況下調(diào)節(jié)工作頻率，來實現(xiàn)輸出功率的大小變化。在一個灶具具有多個爐頭的情況下，如果驅(qū)動不同爐頭的半橋電路工作頻率不一致，當(dāng)他們的頻率差落入人耳的聽覺范圍內(nèi)，就會產(chǎn)生用戶可聽到的噪聲，影響用戶體驗，所以一般要求不同爐頭的半橋電路工作頻率一致，或者頻率差在人耳聽覺范圍以外，來避免噪聲。
[0003]當(dāng)不同的半橋電路在同一頻率下工作時，由于每一個半橋電路的輸出功率根據(jù)用戶需求會有不同，會使得某些爐頭的半橋電路工作在不對稱狀態(tài)，當(dāng)這種不對稱狀態(tài)達到一定程度后，就會使得其中導(dǎo)通時間短的一個功率開關(guān)脫離零電壓開關(guān)狀態(tài)，導(dǎo)致開關(guān)損耗急劇增加，使得功率開關(guān)溫度升高，甚至損壞；使得半橋電路需要采用更高等級的功率開關(guān)或更好的散熱措施來保證半橋電路的在工作頻率不對稱的情況下的正常工作，以減少噪聲，從而導(dǎo)致應(yīng)用于感應(yīng)加熱的半橋電路的電路成本增加。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種用于感應(yīng)加熱的半橋電路及電磁灶系統(tǒng)。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種用于感應(yīng)加熱的半橋電路，包括由第一功率開關(guān)與第二功率開關(guān)組成的開關(guān)串聯(lián)電路，所述開關(guān)串聯(lián)電路的一端接地，另一端與電源連接；還包括與所述開關(guān)串聯(lián)電路并聯(lián)的第一電容、并聯(lián)在所述第一功率開關(guān)上的第一吸收電容、并聯(lián)在所述第二功率開關(guān)上的第二吸收電容、并聯(lián)在所述開關(guān)串聯(lián)電路兩端的由第一諧振電容和第二諧振電容組成的電容串聯(lián)電路、連接在所述第一諧振電容和第二諧振電容的連接節(jié)點與所述第一功率開關(guān)與第二功率開關(guān)的連接節(jié)點之間的電感、以及并聯(lián)在所述第一諧振電容或所述第二諧振電容上的用于防止諧振電容被反向充電的單向?qū)ㄆ骷?；所述第一功率開關(guān)具有第一控制信號輸入端，所述第二功率開關(guān)具有第二控制信號輸入端。
[0006]優(yōu)選地，所述單向?qū)ㄆ骷嵌O管。
[0007]優(yōu)選地，還包括與所述二極管串聯(lián)的繼電器開關(guān)或控制開關(guān)，所述二極管與所述繼電器開關(guān)或控制開關(guān)形成的電路并聯(lián)在所述第一諧振電容或所述第二諧振電容上。
[0008]優(yōu)選地，所述單向?qū)ㄆ骷菃蜗蚩煽毓琛?br> [0009]優(yōu)選地，所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)為IGBT開關(guān)或M0SFET開關(guān)。
[0010]本發(fā)明還提供一種用于感應(yīng)加熱的半橋電路，包括由第一功率開關(guān)與第二功率開關(guān)組成的開關(guān)串聯(lián)電路，所述開關(guān)串聯(lián)電路的一端接地，另一端與電源連接；還包括與所述開關(guān)串聯(lián)電路并聯(lián)的第一電容、并聯(lián)在所述第一功率開關(guān)上的第一吸收電容、并聯(lián)在所述第二功率開關(guān)上的第二吸收電容、并聯(lián)在所述開關(guān)串聯(lián)電路兩端的由第一諧振電容和第二諧振電容組成的電容串聯(lián)電路、連接在所述第一諧振電容和第二諧振電容的連接節(jié)點與所述第一功率開關(guān)與第二功率開關(guān)的連接節(jié)點之間的電感、以及并聯(lián)在所述第一諧振電容和所述第二諧振電容上的用于防止諧振電容被反向充電的單向?qū)ㄆ骷?；所述第一功率開關(guān)具有第一控制信號輸入端，所述第二功率開關(guān)具有第二控制信號輸入端。
[0011]優(yōu)選地，所述單向?qū)ㄆ骷菃蜗蚩煽毓?、二極管與繼電器開關(guān)串聯(lián)形成的電路、或二極管與控制開關(guān)形成的電路。
[0012]優(yōu)選地，所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)為IGBT開關(guān)或M0SFET開關(guān)。
[0013]本發(fā)明還提供一種電磁灶系統(tǒng)，包括至少兩個爐頭和用于控制所述至少兩個爐頭感應(yīng)加熱的主控芯片，每一所述爐頭上設(shè)有權(quán)利要求1?9任一項所述用于感應(yīng)加熱的半橋電路，所述電磁灶系統(tǒng)還包括連接在所述主控芯片和每一所述用于感應(yīng)加熱的半橋電路的第一功率開關(guān)和第二功率開關(guān)的控制信號輸入端之間的、用于放大所述主控芯片輸出的控制信號以驅(qū)動所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)工作的驅(qū)動電路。
[0014]優(yōu)選地，還包括與交流市電相連的EMC電路、與所述EMC電路串聯(lián)的整流電路、連接在所述整流電路與每一所述爐頭上的用于感應(yīng)加熱的半橋電路之間的濾波電路。
[0015]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點:實施本發(fā)明，通過在第一諧振電容和/或第二諧振電容上并聯(lián)用于防止諧振電容被反向充電的單向?qū)ㄆ骷沟玫谝还β书_關(guān)和第二功率開關(guān)可在大范圍不對稱工作狀態(tài)下保持零電壓開關(guān)狀態(tài)，以降低開關(guān)損耗，從而降低第一功率開關(guān)和第二功率開關(guān)溫升，降低損耗，并提高半橋電路可靠性并拓寬半橋電路不對稱工作調(diào)節(jié)功率輸出范圍。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明，附圖中:
[0017]圖1是本發(fā)明實施例1中用于感應(yīng)加熱的半橋電路的一電路圖。
[0018]圖2是本發(fā)明實施例2中用于感應(yīng)加熱的半橋電路的一電路圖。
[0019]圖3是本發(fā)明實施例3中用于感應(yīng)加熱的半橋電路的一電路圖。
[0020]圖4是本發(fā)明實施例4中用于感應(yīng)加熱的半橋電路的一電路圖。
[0021]圖5是本發(fā)明實施例5中用于感應(yīng)加熱的半橋電路的一電路圖。
[0022]圖6是本發(fā)明實施例6中電磁灶系統(tǒng)的電路原理圖。
[0023]10、半橋電路；20、主控芯片；30、驅(qū)動電路；40、EMC電路；50、整流電路；60、濾波電路；70、人機交互界面；80、爐頭。

【具體實施方式】
[0024]為了對本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖詳細說明本發(fā)明的【具體實施方式】。
[0025]實施例1
[0026]圖1示出本實施例中用于感應(yīng)加熱的半橋電路10的電路圖。如圖1所示，該用于感應(yīng)加熱的半橋電路10，包括由第一功率開關(guān)S1與第二功率開關(guān)S2組成的開關(guān)串聯(lián)電路，開關(guān)串聯(lián)電路的一端接地，另一端與電源連接?？梢岳斫獾?，第一功率開關(guān)S1具有用于控制開關(guān)導(dǎo)通的第一控制信號輸入端，第二功率開關(guān)S2具有用于控制開關(guān)導(dǎo)通的第二控制信號輸入端。該半橋電路10還包括與開關(guān)串聯(lián)電路并聯(lián)的用于穩(wěn)定母壓的第一電容C0、并聯(lián)在第一功率開關(guān)S1上的用于避免開關(guān)損耗的第一吸收電容C3、并聯(lián)在第二功率開關(guān)S2上的用于避免開關(guān)損耗的第二吸收電容C4、并聯(lián)在開關(guān)串聯(lián)電路兩端的由第一諧振電容C1和第二諧振電容C2組成的電容串聯(lián)電路、連接在第一諧振電容C1和第二諧振電容C2的連接節(jié)點與第一功率開關(guān)S1與第二功率開關(guān)S2的連接節(jié)點之間的電感L1、以及并聯(lián)在第一諧振電容C1或第二諧振電容C2上的用于防止諧振電容被反向充電的單向?qū)ㄆ骷?br> [0027]具體地，單向?qū)ㄆ骷⒙?lián)在導(dǎo)通時間長的功率開關(guān)所對應(yīng)的諧振電容上，以避免導(dǎo)通時間長的功率開關(guān)所對應(yīng)的諧振電容被反向充電，從而使得導(dǎo)通時間較長的功率開關(guān)斷開時，電感L1的電流能夠通過導(dǎo)通時間較短的功率開關(guān)，在開通瞬間，由于導(dǎo)通時間較短的功率開關(guān)的內(nèi)置二極管處于續(xù)流狀態(tài)，其兩端電壓接近0V，此時該功率開關(guān)的導(dǎo)通處于零電壓開關(guān)狀態(tài)，可有效降低開關(guān)損耗，進而避免功率開關(guān)溫度升高、甚至損壞；而且可有效避免噪聲的產(chǎn)生。
[0028]具體地，第一功率開關(guān)S1和第二功率開關(guān)S2可以是IGBT開關(guān)或M0SFET開關(guān)。本實施例中，第一功率開關(guān)S1和第二功率開關(guān)S2均為IGBT開關(guān)。如圖1所示，第一功率開關(guān)S1的集電極與電源連接，發(fā)射極與第二功率開關(guān)S2的集電極相連，第二功率開關(guān)S2的發(fā)射極與接地端相連；可以理解地，第一功率開關(guān)S1的基極為第一控制信號輸出端，第二功率開關(guān)S2的基板為第二控制信號輸出端。第一功率開關(guān)S1和第二功率開關(guān)S2均設(shè)有內(nèi)置二極管，內(nèi)置二極管的導(dǎo)通方向與第一功率開關(guān)S1或第二功率開關(guān)S2的導(dǎo)通方向相反，即當(dāng)?shù)谝还β书_關(guān)S1或第二功率開關(guān)S2導(dǎo)通時，電流從其集電極流經(jīng)發(fā)射極；當(dāng)?shù)谝还β书_關(guān)S1或第二功率開關(guān)S2斷開時，電流流經(jīng)內(nèi)置二極管。
[0029]如圖1所示，單向?qū)ㄆ骷梢允嵌O管D1，第二功率開關(guān)S2的導(dǎo)通時間大于第一功率開關(guān)S1的導(dǎo)通時間，該二極管D1并聯(lián)在導(dǎo)通時間較長的第二功率開關(guān)S2對應(yīng)的第二諧振電容C2上。當(dāng)?shù)谝还β书_關(guān)S1導(dǎo)通時，電源電流流經(jīng)第一功率開關(guān)S1、電感L1、第二諧振電容C2至接地端，電量存儲在電感L1中。當(dāng)?shù)谝还β书_關(guān)S1斷開時，電感L1中存儲的電量通過電感L1、第二諧振電容C2、第二功率開關(guān)S2的內(nèi)置二極管形成回路，從而轉(zhuǎn)移到第二諧振電容C2中，經(jīng)過一定的死區(qū)時間，第二功率開關(guān)S2會進入導(dǎo)通狀態(tài)，實現(xiàn)零電壓開關(guān)。當(dāng)電感L1的電量為0時，第二諧振電容C2兩端的電壓達到最大值，此時電流會反向，第二諧振電容C2中存儲的電量通過第二諧振電容C2、電感L1、第二功率開關(guān)S2形成回路，從而轉(zhuǎn)移到電感L1上。第二諧振電容C2的電量轉(zhuǎn)移過程中，第二諧振電容C2上端(即二極管D1的陰極端)的電壓不斷降低、下端(即二極管D1的陽極端)的電壓不斷升高，并聯(lián)在第二諧振電容C2上的二極管D1導(dǎo)通，此時電感L1進入恒流狀態(tài)，電流方向維持從電感L1右端流向左端，電感L1、第二功率開關(guān)S2、二極管D1之間形成回路，在第二功率開關(guān)S2斷開之前，流經(jīng)電感L1的電流方向維持不變。當(dāng)?shù)诙β书_關(guān)S2斷開時，由于電感L1的電流不能突變，由此在死區(qū)時間內(nèi)，流經(jīng)電感L1的電流通過第一功率開關(guān)S1的內(nèi)置二極管、第一諧振電容C1續(xù)流，在續(xù)流期間，第一功率開關(guān)S1進行導(dǎo)通狀態(tài)，從而實現(xiàn)零電壓開關(guān)，以避免出現(xiàn)硬開關(guān)狀態(tài)導(dǎo)致開關(guān)損耗和溫度升高，從而拓寬半橋電路10不對稱工作調(diào)節(jié)功率輸出范圍，避免噪聲的產(chǎn)生。
[0030]實施例2
[0031]如圖2所不，若第一功率開關(guān)S1的導(dǎo)通時間長于第二功率開關(guān)S2的導(dǎo)通時間，貝IJ可將二極管D1并聯(lián)在第一功率開關(guān)S1對應(yīng)的第一諧振電容C1上，其工作原理與實施例1中的工作原理一致。
[0032]實施例3
[0033]可以理解地，該用于感應(yīng)加熱的半橋電路10還可以包括與二極管D1串聯(lián)的繼電器開關(guān)K1或其他控制開關(guān)，二極管D1與繼電器開關(guān)K1或控制開關(guān)形成的電路并聯(lián)在第一諧振電容C1或第二諧振電容C2上。如圖3所示，串聯(lián)連接的繼電器開關(guān)K1與二極管D1連接在第二諧振電容C2的兩端，通過控制繼電器開關(guān)K1的通斷以控制是否將二極管D1接入半橋電路10，以擴大功率調(diào)節(jié)范圍。若繼電器開關(guān)K1斷開時，二極管D1不接入半橋電路10，該用于感應(yīng)加熱的半橋電路10主要應(yīng)用于輸出功率對稱的場合；若繼電器開關(guān)K1導(dǎo)通時，二極管D1接入半橋電路10，與實施例1中的電路的工作原理一致。
[0034]實施例4
[0035]可以理解地，實施例1中的二極管D1還可以采用單向可控硅SCR1替代，用于并聯(lián)在導(dǎo)通時間較長的功率開關(guān)上，通過控制信號控制單向可控硅SCR1的通斷，以替代實施例1中根據(jù)二極管D1兩端電壓差控制二極管D1的通斷，以擴大功率調(diào)節(jié)范圍，其半橋電路10的工作原理與實施例1中的工作原理一致。
[0036]實施例5
[0037]可以理解地，在該用于感應(yīng)加熱的半橋電路10中，還可以在第一諧振電容C1和第二諧振電容C2上同時并聯(lián)用于防止諧振電容被反向充電的單向?qū)ㄆ骷?。該單向?qū)ㄆ骷梢允遣⒙?lián)在第一諧振電容C1上的由二極管D1與繼電器開關(guān)K1串聯(lián)形成的電路(如圖5所示)、并聯(lián)在第二諧振電容C2上的由二極管D2與繼電器開關(guān)K2串聯(lián)形成的電路，可以理解地，繼電器開關(guān)K1與K2可采用其他控制開關(guān)替換，其工作原理與實施例3的工作原理一致?？梢岳斫獾兀搯蜗?qū)ㄆ骷€可以單向可控硅，其工作原理與實施例4的工作原理一致。
[0038]實施例6
[0039]圖6示出本發(fā)明中的一種電磁灶系統(tǒng)。該電磁灶系統(tǒng)包括至少兩個爐頭80和用于控制至少兩個爐頭80感應(yīng)加熱的主控芯片20。具體地，每一爐頭80上設(shè)有前述的用于感應(yīng)加熱的半橋電路10，電磁灶系統(tǒng)還包括連接在主控芯片20和每一用于感應(yīng)加熱的半橋電路10的第一功率開關(guān)S1和第二功率開關(guān)S2的控制信號輸入端之間的、用于放大主控芯片20輸出的控制信號以驅(qū)動第一功率開關(guān)S1和第二功率開關(guān)S2工作的驅(qū)動電路30。可以理解地，與主控芯片20相連的驅(qū)動電路30分別與第一功率開關(guān)S1的第一控制信號輸入端、第二功率開關(guān)S2的第二控制信號輸入端相連。具體地，該電磁灶系統(tǒng)還包括與交流市電相連的EMC電路40、與EMC電路40串聯(lián)的整流電路50、連接在整流電路50與每一爐頭80上的用于感應(yīng)加熱的半橋電路10之間的濾波電路60。
[0040]如圖6所示，交流市電通過EMC電路40、整流電路50處理后分別經(jīng)過各自的濾波電路60輸出至每一爐頭80的用于感應(yīng)加熱的半橋電路10中，具體地，主控芯片20根據(jù)來自人機交互界面70的控制指令，輸出PWM控制信號，分別經(jīng)各自的驅(qū)動電路30進行放大后輸入至每一爐頭80對應(yīng)的用于感應(yīng)加熱的半橋電路10的第一功率開關(guān)S1和第二功率開關(guān)S2的基極，以驅(qū)動第一功率開關(guān)S1和第二功率開關(guān)S2的通斷。
[0041]可以理解地，若同一時間兩個爐頭80的工作頻率相同，其連接工作過程中不會產(chǎn)生噪音；在工作頻率相同的情況下，當(dāng)要求兩個爐頭80的輸出功率不一致時，功率小的爐頭80的第一功率開關(guān)S1和第二功率開關(guān)S2的導(dǎo)通時間不對稱，由于在半橋電路10中在導(dǎo)通時間較長的功率開關(guān)的對應(yīng)的諧振電容上并聯(lián)二極管，使得功率開關(guān)能夠工作在零電壓導(dǎo)通狀態(tài)，大大降低功率開關(guān)的損耗，提高能量轉(zhuǎn)換效率，同時避免噪音的產(chǎn)生。可以理解地，該用于感應(yīng)加熱的半橋電路10還可以應(yīng)用的其他感應(yīng)加熱產(chǎn)品中。
[0042]本發(fā)明是通過幾個具體實施例進行說明的，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，還可以對本發(fā)明進行各種變換和等同替代。另外，針對特定情形或具體情況，可以對本發(fā)明做各種修改，而不脫離本發(fā)明的范圍。因此，本發(fā)明不局限于所公開的具體實施例，而應(yīng)當(dāng)包括落入本發(fā)明權(quán)利要求范圍內(nèi)的全部實施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種用于感應(yīng)加熱的半橋電路，其特征在于:包括由第一功率開關(guān)(Si)與第二功率開關(guān)(S2)組成的開關(guān)串聯(lián)電路，所述開關(guān)串聯(lián)電路的一端接地，另一端與電源連接；還包括與所述開關(guān)串聯(lián)電路并聯(lián)的第一電容(CO)、并聯(lián)在所述第一功率開關(guān)(SI)上的第一吸收電容(C3)、并聯(lián)在所述第二功率開關(guān)(S2)上的第二吸收電容(C4)、并聯(lián)在所述開關(guān)串聯(lián)電路兩端的由第一諧振電容(Cl)和第二諧振電容(C2)組成的電容串聯(lián)電路、連接在所述第一諧振電容(Cl)和第二諧振電容(C2)的連接節(jié)點與所述第一功率開關(guān)(SI)與第二功率開關(guān)(S2)的連接節(jié)點之間的電感(LI)、以及并聯(lián)在所述第一諧振電容(Cl)或所述第二諧振電容(C2)上的用于防止諧振電容被反向充電的單向?qū)ㄆ骷?；所述第一功率開關(guān)(SI)具有第一控制信號輸入端，所述第二功率開關(guān)(S2)具有第二控制信號輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于感應(yīng)加熱的半橋電路，其特征在于:所述單向?qū)ㄆ骷嵌O管(D1)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于感應(yīng)加熱的半橋電路，其特征在于:還包括與所述二極管(Dl)串聯(lián)的繼電器開關(guān)(Kl)或控制開關(guān)，所述二極管(Dl)與所述繼電器開關(guān)(Kl)或控制開關(guān)形成的電路并聯(lián)在所述第一諧振電容(Cl)或所述第二諧振電容(C2)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于感應(yīng)加熱的半橋電路，其特征在于:所述單向?qū)ㄆ骷菃蜗蚩煽毓琛?br> 5.根據(jù)權(quán)利要求1?4任一項所述的用于感應(yīng)加熱的半橋電路，其特征在于:所述第一功率開關(guān)(SI)和所述第二功率開關(guān)(S2)為IGBT開關(guān)或MOSFET開關(guān)。
6.一種用于感應(yīng)加熱的半橋電路，其特征在于:包括由第一功率開關(guān)(SI)與第二功率開關(guān)(S2)組成的開關(guān)串聯(lián)電路，所述開關(guān)串聯(lián)電路的一端接地，另一端與電源連接；還包括與所述開關(guān)串聯(lián)電路并聯(lián)的第一電容(CO)、并聯(lián)在所述第一功率開關(guān)(SI)上的第一吸收電容(C3)、并聯(lián)在所述第二功率開關(guān)(S2)上的第二吸收電容(C4)、并聯(lián)在所述開關(guān)串聯(lián)電路兩端的由第一諧振電容(Cl)和第二諧振電容(C2)組成的電容串聯(lián)電路、連接在所述第一諧振電容(Cl)和第二諧振電容(C2)的連接節(jié)點與所述第一功率開關(guān)(SI)與第二功率開關(guān)(S2)的連接節(jié)點之間的電感(LI)、以及并聯(lián)在所述第一諧振電容(Cl)和所述第二諧振電容(C2)上的用于防止諧振電容被反向充電的單向?qū)ㄆ骷?；所述第一功率開關(guān)(SI)具有第一控制信號輸入端，所述第二功率開關(guān)(S2)具有第二控制信號輸入端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于感應(yīng)加熱的半橋電路，其特征在于:所述單向?qū)ㄆ骷菃蜗蚩煽毓?、二極管(Dl，D2)與繼電器開關(guān)(Kl，K2)串聯(lián)形成的電路、或二極管(Dl，D2)與控制開關(guān)形成的電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的用于感應(yīng)加熱的半橋電路，其特征在于:所述第一功率開關(guān)(SI)和所述第二功率開關(guān)(S2)為IGBT開關(guān)或MOSFET開關(guān)。
9.一種電磁灶系統(tǒng)，包括至少兩個爐頭(80)和用于控制所述至少兩個爐頭(80)感應(yīng)加熱的主控芯片(20)，其特征在于:每一所述爐頭(80)上設(shè)有權(quán)利要求1?8任一項所述用于感應(yīng)加熱的半橋電路(10)，所述電磁灶系統(tǒng)還包括連接在所述主控芯片(20)和每一所述用于感應(yīng)加熱的半橋電路(10)的第一功率開關(guān)(SI)和第二功率開關(guān)(S2)的控制信號輸入端之間的、用于放大所述主控芯片(20)輸出的控制信號以驅(qū)動所述第一功率開關(guān)(SI)和所述第二功率開關(guān)(S2)工作的驅(qū)動電路(30)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電磁灶系統(tǒng)，其特征在于:還包括與交流市電相連的EMC電路(40 )、與所述EMC電路(40 )串聯(lián)的整流電路(50 )、連接在所述整流電路(50 )與每一所述爐頭(80)上的用于感應(yīng)加熱的半橋電路之間的濾波電路(60)。
【文檔編號】H02M3/07GK104467402SQ201410594145
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月29日
【發(fā)明者】馬偉, 武永強, 黎志, 湯正偉 申請人:深圳拓邦股份有限公司