一種應(yīng)用pmw控制器ob2269的低損耗開關(guān)電源裝置制造方法
【專利摘要】一種應(yīng)用PMW控制器OB2269的低損耗開關(guān)電源裝置，包括：電阻R5、電阻R6、電阻R7、電容C4、電容C3、MOSFET管和PMW控制器OB2269。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過配置PMW控制器OB2269，其所具有的：低待機功耗特性、低啟動電流特性、低工作電流內(nèi)置特性、前沿消隱內(nèi)置特性和MOSFET軟驅(qū)動特性等充分保證了電源的低損耗保護。輸出過流、短路消除后，電源仍能正常輸出，使得電源的工作效率大大提高。
【專利說明】-種應(yīng)用PMW控制器0B2269的低損耗開關(guān)電源裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，具體為一種應(yīng)用PMW控制器0B2269的低損耗開關(guān)電源 裝直。

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)中，很多開關(guān)電源都具有輸出過流、輸出短路保護功能，保護模式通常為 打嗝保護。這類保護線路可以有效地保護輸出負(fù)載設(shè)備，但由于打嗝保護的頻率通常不容 易控制，導(dǎo)致在保護線路被觸發(fā)后，整個電源裝置的損耗仍舊非常大。在長時間大損耗的保 護狀態(tài)下，電源裝置的功率器件可能會因為損耗過大，溫度過高而發(fā)生失效，進而造成電源 裝置失效。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于提供一種應(yīng)用PMW控制器0Β2269的能在過流、短路保護中實現(xiàn) 低損耗、高可靠性的低損耗開關(guān)電源裝置。
[0004] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
[0005] -種應(yīng)用PMW控制器0Β2269的低損耗開關(guān)電源裝置，包括：電阻R5、電阻R6、電 阻R7、電容C4、電容C3、M0SFET管和PMW控制器0Β2269 ;所述M0SFET管的第2引腳連接 PMW控制器0Β2269的FB端，所述M0SFET管的第3弓丨腳連接電阻R7的一端，電阻R7的另 一端連接電阻R9的一端，電阻R9的一端還與電容C3的一端連接，電阻R9的另一端與所述 M0SFET管的第1引腳連接，所述電容C3的一端連接電阻R7的一端，所述電容C3的另一端連 接電阻R7的另一端，所述電阻R6的一端連接所述電容C3的另一端，所述電阻R6的另一端 連接電阻R5的一端，所述電阻R5的另一端連接PMW控制器0Β2269的VDD端，所述電阻R6 的另一端還連接電容C4的一端，所述電容C4的另一端連接所述M0SFET管的第3引腳。所 述電阻R6的另一端連接三極管Q1的控制極，所述三極管的發(fā)射極連接PMW控制器0Β2269 的VDD端；所述三極管Q1的基極連接電容C2的一端，所述電容C2的另一端連接PMW控制 器0Β2269的VDD端，M0SFET管引腳與PMW控制器0Β2269的VDD端之間連接有電阻R8 ;所 述三極管Q1的基極連接電阻R3的一端，所述電阻R3的另一端連接PMW控制器0Β2269的 VDD端，所述電阻R3的一端還連接電阻R4的一端；所述電阻R4的另一端連接穩(wěn)壓二極管 U1的負(fù)極，所述穩(wěn)壓二極管U1的正極連接M0SFET管的第3引腳；所述穩(wěn)壓二極管U1的控 制端還連接電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端還連接PMW控制器0Β2269的VDD端，所 述電阻R1的一端還連接電阻R2的一端，所述電阻R2的另一端連接M0SFET管的第3引腳。
[0006] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過配置PMW控制器0Β2269,其所具有的：低待機功耗特 性、低啟動電流特性、低工作電流內(nèi)置特性、前沿消隱內(nèi)置特性和M0SFET軟驅(qū)動特性等充 分保證了電源的低損耗保護。輸出過流、短路消除后，電源仍能正常輸出，使得電源的工作 效率大大提1?。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1為本發(fā)明提供開關(guān)電源的電路原理圖。

【具體實施方式】
[0008] 為了使本發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié) 合具體圖示，進一步闡述本發(fā)明。
[0009] 如圖1、所示的一種應(yīng)用PMW控制器0B2269的低損耗開關(guān)電源裝置，包括：電阻 R5、電阻R6、電阻R7、電容C4、電容C3、M0SFET管和PMW控制器0B2269,所述M0SFET管的第 2引腳連接PMW控制器0B2269的FB端，所述M0SFET管的第3引腳連接電阻R7的一端，電 阻R7的另一端連接電阻R9的一端，電阻R9的一端還與電容C3的一端連接，電阻R9的另 一端與所述M0SFET管的第1引腳連接，所述電容C3的一端連接電阻R7的一端，所述電容 C3的另一端連接電阻R7的另一端，所述電阻R6的一端連接所述電容C3的另一端，所述電 阻R6的另一端連接電阻R5的一端，所述電阻R5的另一端連接PMW控制器0B2269的VDD 端，所述電阻R6的另一端還連接電容C4的一端，所述電容C4的另一端連接所述M0SFET管 的第3引腳。所述電阻R6的另一端連接三極管Q1的控制極，所述三極管的發(fā)射極連接PMW 控制器0B2269的VDD端；所述三極管Q1的基極連接電容C2的一端，所述電容C2的另一端 連接PMW控制器0B2269的VDD端，M0SFET管引腳與PMW控制器0B2269的VDD端之間連接 有電阻R8 ;所述三極管Q1的基極連接電阻R3的一端，所述電阻R3的另一端連接PMW控制 器0B2269的VDD端，所述電阻R3的一端還連接電阻R4的一端；所述電阻R4的另一端連接 穩(wěn)壓二極管U1的負(fù)極，所述穩(wěn)壓二極管U1的正極連接M0SFET管的第3引腳；所述穩(wěn)壓二 極管U1的控制端還連接電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端還連接PMW控制器0B2269 的VDD端，所述電阻R1的一端還連接電阻R2的一端，所述電阻R2的另一端連接M0SFET管 的第3引腳。
[0010] PMW控制器0B2269通過特別的低功耗間歇工作模式設(shè)計不僅可以讓整個系統(tǒng)在 空載的狀態(tài)下輕易達到國際能源機構(gòu)最新的推薦標(biāo)準(zhǔn)，而且允許系統(tǒng)在較輕負(fù)載（約1/30 滿載以下）的情況下同樣具有超低耗的性能。無噪聲工作：使用PMW控制器0B2269設(shè)計的 電源無論在空載，輕載和滿載的情況下都不會產(chǎn)生音頻噪聲。優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計可以使系統(tǒng) 任何工作狀態(tài)下均可安靜地工作。更低啟動電流：PMW控制器0B2269VIN/VDD啟動電流低 至4uA，可有效地減少系統(tǒng)啟動電路的損耗，縮短系統(tǒng)的啟動時間。更低工作電流：PMW控 制器0B2269的工作電流約為2. 3mA，可有效降低系統(tǒng)的損耗，提高系統(tǒng)的效率。PMW控制器 0B2269內(nèi)置前沿消隱：內(nèi)置前沿消隱（LEB)，可以為系統(tǒng)節(jié)省了一個外部的R-C網(wǎng)絡(luò)，降低 系統(tǒng)成本。:PMW控制器0B2269內(nèi)置了 0CP補償功能，使系統(tǒng)在不需要增加成本的情況下輕 易使得全電壓范圍內(nèi)系統(tǒng)的0CP曲線趨向平坦，提高系統(tǒng)的性價比。PMW控制器0B2269集 成了較完善的保護功能模塊。PMW控制器0B2269的M0SFET軟驅(qū)動：可有效的改善系統(tǒng)的 EMI。較少的外圍器件：PMW控制器0B2269外圍比較簡單，可有效提高系統(tǒng)的功率密度，降 低系統(tǒng)的成本。PMW控制器0B2269具有優(yōu)良的EMI特性：PMW控制器0B2269內(nèi)置的頻率抖 動設(shè)計可以很有效的改善系統(tǒng)的EMI特性，同時可以降低系統(tǒng)的EMI成本。
[〇〇11] 對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在 不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論 從哪一點來看，均應(yīng)將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán) 利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有 變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。 [0012] 此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包 含一個獨立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 將說明書作為一個整體，各實施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員 可以理解的其他實施方式。
【權(quán)利要求】
1. 一種應(yīng)用PMW控制器0B2269的低損耗開關(guān)電源裝置，其特征在于：包括：電阻R5、電 阻R6、電阻R7、電容C4、電容C3、MOSFET管和PMW控制器0B2269,所述MOSFET管的第2弓丨 腳連接PMW控制器0B2269的FB端，所述MOSFET管的第3引腳連接電阻R7的一端，電阻 R7的另一端連接電阻R9的一端，電阻R9的一端還與電容C3的一端連接，電阻R9的另一端 與所述MOSFET管的第1引腳連接，所述電容C3的一端連接電阻R7的一端，所述電容C3的 另一端連接電阻R7的另一端，所述電阻R6的一端連接所述電容C3的另一端，所述電阻R6 的另一端連接電阻R5的一端，所述電阻R5的另一端連接PMW控制器0B2269的VDD端，所 述電阻R6的另一端還連接電容C4的一端，所述電容C4的另一端連接所述MOSFET管的第 3引腳。所述電阻R6的另一端連接三極管Q1的控制極，所述三極管的發(fā)射極連接PMW控 制器0B2269的VDD端；所述三極管Q1的基極連接電容C2的一端，所述電容C2的另一端連 接PMW控制器0B2269的VDD端，MOSFET管引腳與PMW控制器0B2269的VDD端之間連接有 電阻R8 ;所述三極管Q1的基極連接電阻R3的一端，所述電阻R3的另一端連接PMW控制器 0B2269的VDD端，所述電阻R3的一端還連接電阻R4的一端；所述電阻R4的另一端連接穩(wěn) 壓二極管U1的負(fù)極，所述穩(wěn)壓二極管U1的正極連接MOSFET管的第3引腳；所述穩(wěn)壓二極 管U1的控制端還連接電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端還連接PMW控制器0B2269的 VDD端，所述電阻R1的一端還連接電阻R2的一端，所述電阻R2的另一端連接MOSFET管的 第3引腳。
【文檔編號】H02M3/155GK104104226SQ201410345571
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年7月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月20日
【發(fā)明者】費志瑾 申請人:蘇州塔可盛電子科技有限公司