一種多芯片瞬態(tài)電壓抑制器及用于雙信號(hào)線任意極瞬態(tài)電壓或esd放電抑制方法
【專利摘要】一種多芯片瞬態(tài)電壓抑制器及用于雙信號(hào)線任意極瞬態(tài)電壓或ESD放電抑制方法，屬于低電壓設(shè)備保護(hù)【技術(shù)領(lǐng)域】。本發(fā)明多芯片瞬態(tài)電壓抑制器，包括兩對(duì)電極性反向并聯(lián)的寬禁帶二極管及窄禁帶二極管，以背靠背方式串聯(lián)，經(jīng)由鍵合引線及引線框架電連接在一起并封裝在一封裝體內(nèi)；以及一種用于雙信號(hào)線任意極瞬態(tài)電壓或ESD放電抑制方法，將上述抑制器共模連接于信號(hào)線上，可實(shí)現(xiàn)雙向保護(hù)。
【專利說(shuō)明】一種多芯片瞬態(tài)電壓抑制器及用于雙信號(hào)線任意極瞬態(tài)電壓或ESD放電抑制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種瞬態(tài)電壓抑制器，適用于電子設(shè)備的共模的雙向極性瞬態(tài)保護(hù)，包括靜電(ESD )保護(hù)，尤其適用于低于3-4V的低電壓電子設(shè)備的保護(hù)。

【背景技術(shù)】
[0002]盡管已有多種瞬態(tài)電壓及ESD抑制器用于工作電壓在大于4-5V的電子設(shè)備的保護(hù)，但是更低工作電壓范圍的同類保護(hù)需求日漸增長(zhǎng)。正如YU及他人在美國(guó)專利N0.6015999中所陳述的，目前基于齊納二極管原理的所述已有的抑制器件，在更低的工作電壓范圍內(nèi)，漏電流高到了不可接受的程度，因此該專利提出了一種基于穿通二極管原理的單向抑制器?；诖┩ǘO管原理的抑制器，無(wú)論是Si (硅)還是WBG (寬禁帶半導(dǎo)體)類型，如Kannam及他人在美國(guó)專利N0.4017882和Kashyap及他人在美國(guó)專利N0.8530902中所述，的確能在感興趣的低電壓工作電壓范圍內(nèi)，同時(shí)提供低的保護(hù)電壓和低的漏電流。然而，由于基于穿通二極管原理的抑制器內(nèi)生的“負(fù)阻效應(yīng)”的特性，這種類型的器件更好適用于低電壓及高速數(shù)據(jù)線的保護(hù)，而不適用于電源線或者DC分量顯著的信號(hào)線的保護(hù)。另一解決上述技術(shù)問題的方案是基于在Si上(如Bernier的歐洲專利EP0562982和Lu的美國(guó)專利N0.4989057)或者WBG (如Barkhodarian的美國(guó)專利N0.6703284)集成控向二極管斬波器予以解決。然而這些方案，依然不能提供理想的雙向瞬態(tài)抑制器，而是僅僅是信號(hào)線對(duì)參考點(diǎn)的差分保護(hù)。另外的解決方案是由Vaschenko及他人的美國(guó)專利N0.6500008和Weiss的美國(guó)專利N0.6600356提出一種ESD保護(hù)晶體管，由多個(gè)串聯(lián)在一起、正向偏置連接的硅二極管觸發(fā)。類似的解決方案由Templeton及他人的美國(guó)專利N0.7817389提出在觸發(fā)回路上，采用較高勢(shì)壘的寬禁帶半導(dǎo)體二極管，已達(dá)到在感興趣的工作電壓范圍內(nèi)簡(jiǎn)化多芯片(即串聯(lián)多個(gè)二極管)抑制器的目的。然而，所述方案依然在低電壓工作電壓下只能提供信號(hào)線的差分，不是共模保護(hù)。因此，低壓瞬態(tài)電壓抑制器需要一種具有雙向功能的簡(jiǎn)單、低成本的技術(shù)方案。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明根據(jù)上述目的，提供一種簡(jiǎn)單、低成本且適用于低于3-4V的低電壓電子設(shè)備保護(hù)的多芯片瞬態(tài)電壓抑制器及用于雙信號(hào)線任意極瞬態(tài)電壓或ESD放電抑制方法。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案是提供一種多芯片瞬態(tài)電壓抑制器，封裝在一個(gè)封裝體內(nèi)，包括寬禁帶二極管，兩對(duì)反向并聯(lián)的寬禁帶二極管和窄禁帶二極管，通過鍵合引線和引線框架，以背對(duì)背方式串聯(lián)連接，以提供雙向瞬態(tài)電壓抑制功能。
[0005]作為本發(fā)明的優(yōu)選，所述多芯片瞬態(tài)電壓抑制器包括:
具有芯片背面為金屬化陰極和芯片正面為金屬化陽(yáng)極的兩個(gè)寬禁帶二極管；
具有芯片背面為金屬化陽(yáng)極和芯片正面為金屬化陰極的兩個(gè)窄禁帶二極管；
具有一個(gè)位于中間的主引線盤和兩個(gè)置于兩端的次引線盤且每個(gè)引線盤具有延伸引腳的一個(gè)金屬引線框架；
所述兩個(gè)寬禁帶二極管與所述兩個(gè)窄禁帶二極管放置在所述主引線盤上，且所述兩個(gè)寬禁帶二極管的陰極和所述兩個(gè)窄禁帶二極管的陽(yáng)極分別連接所述主引線盤，同時(shí)所述二極管相互橫向隔開，通過相等且最小長(zhǎng)度的鍵合引線將所述兩個(gè)寬禁帶二極管的陽(yáng)極和所述兩個(gè)窄禁帶二極管的陰極連接至所述兩個(gè)次引線盤；以及
用于封裝所述引線框架、所述兩個(gè)寬禁帶二極管和所述兩個(gè)窄禁帶二極管的一個(gè)模制封裝體，其具有所述延伸引腳延伸出所述模制封裝體的邊界，以用于提供外部連接。
[0006]作為本發(fā)明的優(yōu)選，所述多芯片瞬態(tài)電壓抑制器包括:
具有芯片背面為金屬化陰極和芯片正面為金屬化陽(yáng)極的兩個(gè)寬禁帶二極管；
具有芯片背面為金屬化陰極和芯片正面為金屬化陽(yáng)極的兩個(gè)窄禁帶二極管；
具有一個(gè)位于中間的主引線盤和兩個(gè)置于兩端的次引線盤且每個(gè)引線盤具有延伸引腳的一個(gè)金屬引線框架；
所述兩個(gè)寬禁帶二極管放置在所述主引線盤上，且所述兩個(gè)寬禁帶二極管的陰極連接所述主引線盤，并通過鍵合引線將所述兩個(gè)寬禁帶二極管的陽(yáng)極與所述兩個(gè)次引線盤連接；而所述每個(gè)窄禁帶二極管分別放置在所述兩個(gè)次引線盤上，且所述兩個(gè)窄禁帶二極管的陰極與所述兩個(gè)次引線盤電連接，所述兩個(gè)窄禁帶二極管的陽(yáng)極與所述主引線盤以鍵合引線連接，其中上述鍵合引線皆具有相等且最小長(zhǎng)度；以及
用于封裝所述引線框架、所述兩個(gè)寬禁帶二極管和所述兩個(gè)窄禁帶二極管的一個(gè)模制封裝體，其具有所述延伸引腳延伸出所述模制封裝體的邊界，以用于提供外部連接。
[0007]作為本發(fā)明的優(yōu)選，所述窄禁帶二極管為P-N結(jié)類型，而所述寬禁帶二極管為n-n+結(jié)類型或p-n結(jié)類型。
[0008]作為本發(fā)明的優(yōu)選，所述多芯片瞬態(tài)電壓抑制器包括肖特基勢(shì)壘類型的窄禁帶二極管。
[0009]作為本發(fā)明的優(yōu)選，所述寬禁帶二極管是基于IV族或者II1-V族化合物半導(dǎo)體材料類型，所述窄禁帶二極管是基于單質(zhì)半導(dǎo)體(elementary semiconductor),如Si。
[0010]作為本發(fā)明的優(yōu)選，所述寬禁帶二極管的勢(shì)壘高度在1.2-3.6eV而所述窄禁帶二極管的勢(shì)壘高度不超過leV。
[0011]本發(fā)明的另一技術(shù)方案是提供一種用于雙信號(hào)線任意極瞬態(tài)電壓或ESD放電抑制方法，所述多芯片瞬態(tài)電壓抑制器與雙信號(hào)線共模連接，包括:
A)—寬禁帶二極管的陽(yáng)極與一信號(hào)線連接以及另一寬禁帶二極管的陽(yáng)極與另一信號(hào)線連接，
B)—窄禁帶二極管的陰極與一信號(hào)線連接以及另一窄禁帶二極管的陰極與另一信號(hào)線連接，
C)所述寬禁帶二極管的陰極與所述窄禁帶二極管的陽(yáng)極連接在一起，并因此在所述瞬態(tài)電壓的幅值超過所述寬禁帶二極管和所述窄禁帶二極管的勢(shì)壘高度總和時(shí)，提供一條用于任意極短路瞬態(tài)電壓或ESD放電的路徑，所述路徑通過連接的寬禁帶二極管和窄禁帶二極管從一條信號(hào)線到另一條信號(hào)線。
[0012]作為本發(fā)明的優(yōu)選，所述窄禁帶二極管為P-N結(jié)類型，而所述寬禁帶二極管為n-n+結(jié)類型或p-n結(jié)類型。
[0013]作為本發(fā)明的優(yōu)選，所述窄禁帶二極管為肖特基勢(shì)壘類型。
[0014]作為本發(fā)明的優(yōu)選，所述寬禁帶二極管的勢(shì)壘高度在1.2-3.6eV而所述窄禁帶二極管的勢(shì)壘高度不超過leV。
[0015]本發(fā)明提出由兩對(duì)電極性反向并聯(lián)的寬禁帶二極管及窄禁帶二極管，以背靠背方式串聯(lián)，經(jīng)由鍵合引線及引線框架電連接在一起并封裝在一封裝體內(nèi)的裝配；以及一種將上述裝配共模連接在信號(hào)線上的方法，以實(shí)現(xiàn)雙向保護(hù)。其中，寬禁帶二極管采用具有勢(shì)壘高度為 1.2-3.6eV(IV 或 II1-V 族類型，如 InGaAs, InGaAlP, InGaAsP, GaN, AlGaN, InGaP等)的p-n或n-n+類型，以及窄禁帶二極管采用具有勢(shì)魚高度不超過1.1eV的p-n或肖特基類型(例如，Si或SiGe等)。所述瞬態(tài)電壓抑制器的每個(gè)方向的鉗位電壓被定義為具有低動(dòng)態(tài)電阻的且正向偏置的寛禁帶二極管和窄禁帶二極管串聯(lián)連接的電壓降落之和，則有一低鉗位電壓。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。其中具有芯片背面為金屬化陰極的兩個(gè)寬禁帶二極管和具有芯片背面為金屬化陽(yáng)極的兩個(gè)窄禁帶二極管放置在引線框架中間的主引線盤上，且與所述主引線盤電連接，同時(shí)所述二極管相互橫向隔開，所述寬禁帶二極管芯片的陽(yáng)極與所述窄禁帶二極管芯片的陰極，均通過鍵合引線與所述中間的主引線盤兩側(cè)的次引線盤連接。
[0017]圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例。其中，具有芯片背面為金屬化陰極的兩個(gè)寬禁帶二極管放置于所述引線框架中間的主引線盤，且與所述主引線盤電連接，以及具有芯片背面為金屬化陰極的兩個(gè)窄禁帶二極管分別放置于每個(gè)次引線盤上，且與所述每個(gè)次引線盤電連接，同時(shí)所述寬禁帶二極管的陽(yáng)極通過鍵合引線連接至所述次引線盤以及每個(gè)窄禁帶二極管的陽(yáng)極通過鍵合引線連接至所述中間的主引線盤。
[0018]圖3為在本發(fā)明瞬態(tài)電壓抑制器的封裝體內(nèi)的寬禁帶二極管和窄禁帶二極管的電氣連接圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明不限于所示實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不偏離本發(fā)明技術(shù)方案范圍下可進(jìn)行選擇性的改變。
[0020]實(shí)施例1
圖1所示本發(fā)明瞬態(tài)電壓抑制器的一個(gè)具體實(shí)施例。所述瞬態(tài)電壓抑制器為多個(gè)芯片被組裝在銅引線框架上并封裝在一個(gè)封裝體內(nèi)，如S0T-23/S0T-223類型，它包括一中間的主引線盤I和分布在主引線盤兩側(cè)的兩個(gè)次引線盤2、3，其中每個(gè)引線盤有延伸引腳。兩個(gè)臺(tái)面型寬禁帶二極管(如GaAs上制作GaP/AlGalnP) 4和5，其芯片正面為陽(yáng)極，金屬電極為Al ;芯片背面為陰極，金屬電極為AuGe ;所述兩個(gè)寬禁帶二極管設(shè)置于銅引線框架中間的主引線盤I上，并相互橫向隔開。兩個(gè)平面型窄禁帶二極管(如Si上制作N+P) 6和7，其芯片正面為陰極，金屬電極為Al ;芯片背面為陽(yáng)極，金屬電極為AuGe，所述兩個(gè)窄禁帶二極管設(shè)置于所述銅引線框架中間的主引線盤I上，并與所述兩個(gè)寬禁帶二極管4，5相互橫向隔開。兩根Au鍵合引線8、10將一個(gè)所述寬禁帶二極管4的陽(yáng)極與一個(gè)所述窄禁帶二極管6的陰極分別連接至所述銅引線框架一側(cè)的次引線盤2;而另兩根Au鍵合引線9、11將另一個(gè)所述寬禁帶二極管5的陽(yáng)極與另一個(gè)所述窄禁帶二極管7的陰極分別連接至所述銅引線框架另一側(cè)的次引線盤3。為了減少在高速瞬態(tài)工作時(shí)的電感效應(yīng)，所述鍵合引線應(yīng)具有相等且盡可能短的長(zhǎng)度。在引線框架上的所述多芯片組裝被封裝在塑料封裝體12之內(nèi)，同時(shí)所述中間的主引線盤和兩個(gè)次引線盤皆具有延伸引腳，延伸至塑料封裝體外進(jìn)行外部的連接應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)的多芯片組裝技術(shù)，如超聲波引線鍵合技術(shù)，共晶焊接技術(shù)，是眾所周知的技術(shù)，可用于本發(fā)明的這一實(shí)施例。
[0021]當(dāng)一個(gè)所述次引線盤2的外部引腳相對(duì)于另一個(gè)所述次引線盤3被反向電壓偏置時(shí)，一個(gè)所述寬禁帶二極管4和一個(gè)所述窄禁帶二極管7被反向偏置，且另一所述窄禁帶二極管6和另一個(gè)所述寬禁帶二極管5被正向偏置，然而當(dāng)電壓不超過相應(yīng)二極管正向閾值電壓之和，約2.6V是，回路中流過的電流非常小；然而當(dāng)一個(gè)很高的瞬態(tài)電壓脈沖加在同樣的偏置方向，正向偏置且串聯(lián)連接的另一個(gè)所述窄禁帶二極管6和另一個(gè)所述寬禁帶二極管5為瞬態(tài)電流提供了一條低阻通路。在這樣條件下，正向偏置且串聯(lián)連接的另一所述窄禁帶二極管6和另一個(gè)所述寬禁帶二極管5的總電壓(即鉗位電壓)將超過所述閾值電壓的3-5倍，但仍然在一個(gè)所述寬禁帶二極管4和一個(gè)所述窄禁帶二極管7安全工作的反向電壓臨界值之下。當(dāng)極性反過來(lái)(即所述另一個(gè)次引線盤3的外部引腳相對(duì)于一個(gè)所述次引線盤2被反向電壓偏置)，上面所述瞬態(tài)抑制器也反向?qū)ΨQ工作。根據(jù)本發(fā)明制作的瞬態(tài)電壓抑制器樣品按IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)可以承受雙向+/_ 4 KV ESD脈沖。
[0022]實(shí)施例2
圖2所示為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，兩個(gè)平面型的窄禁帶二極管(如Si上制作NiPt勢(shì)壘肖特基)13和14，其芯片正面為陽(yáng)極，金屬電極為Al ;芯片背面為陰極，金屬電極為AuGe ;所述兩個(gè)窄禁帶二極管分別放置在銅引線框架的兩個(gè)次引線盤2、3上，同時(shí)兩根Au鍵合引線10、11將所述兩個(gè)窄禁帶二極管的陽(yáng)極連接至中間的主引線盤I。在本實(shí)施例中，如第一實(shí)施例中類型相同的兩個(gè)寬禁帶二極管4、5設(shè)置在所述中間的主引線盤I上，且另兩根Au鍵合引線8、9將所述兩個(gè)寬禁帶二極管4、5的陽(yáng)極分別連接至所述兩個(gè)次引線盤2、3。
[0023]依據(jù)本實(shí)施例的瞬態(tài)抑制器與本發(fā)明第一實(shí)施例工作原理相類似。當(dāng)一個(gè)所述次引線盤2的外部引腳相對(duì)于另一個(gè)所述次引線盤3被反向電壓偏置時(shí)，一個(gè)所述寬禁帶二極管4和一個(gè)所述窄禁帶二極管14被反向偏置，另一個(gè)所述窄禁帶二極管13和另一個(gè)所述寬禁帶二極管5被正向偏置；然而當(dāng)電壓沒有超過相應(yīng)二極管正向閾值電壓之和，約
2.3V時(shí)，回路中流過的電流非常小。然而當(dāng)一個(gè)很高的瞬態(tài)電壓脈沖加在同樣的偏置方向時(shí)，正向偏置且串聯(lián)連接的另一個(gè)所述窄禁帶二極管13和另一個(gè)所述寬禁帶二極管5為瞬態(tài)電流提供了一條低阻通路。當(dāng)極性反過來(lái)(即所述另一個(gè)次引線盤3的外部引腳相對(duì)于一個(gè)所述次弓丨線盤2被反向電壓偏置)，上面所述瞬態(tài)抑制器也反向?qū)ΨQ工作。根據(jù)本發(fā)明制作的瞬態(tài)電壓抑制器樣品按IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)可以承受雙向+/- 15 KV ESD脈沖。
[0024]圖3所示為依據(jù)本發(fā)明瞬態(tài)電壓抑制器封裝體內(nèi)的寬禁帶二極管和窄禁帶二極管的電氣連接圖。圖3表示寬禁帶和窄禁帶二極管的電氣連接圖。其中，第一寬禁帶二極管WBG-1和第一窄禁帶二極管NBG-1為第一對(duì)二極管，第二寬禁帶二極管WBG-2和第二窄禁帶二極管NBG-2為第二隊(duì)二極管；所述第一寬禁帶二極管WBG-1的陽(yáng)極和第一窄禁帶二極管NBG-1的陰極一同連接在一個(gè)所述次引線盤2，而第二寬禁帶二極管WBG-2的陽(yáng)極和第二窄禁帶二極管NBG-2的陰極一同連接在另一個(gè)所述次引線盤3上，并且所述兩隊(duì)二極管通過將第一寬禁帶二極管WBG-1的陰極、第一窄禁帶二極管NBG-1的陽(yáng)極、第二寬禁帶二極管WBG-2的陰極和第二窄禁帶二極管NBG-2的陽(yáng)極一同連接，以背靠背方式連接在所述主引線盤I上。當(dāng)兩個(gè)所述次引線盤2、3被施加正極性的高瞬態(tài)電壓脈沖時(shí)，第二窄禁帶二極管NBG-2和第一寬禁帶二極管WBG-1為瞬態(tài)電流脈沖提供一低阻通路。當(dāng)兩個(gè)所述次引線盤2、3被施加負(fù)極性的高瞬態(tài)電壓脈沖時(shí)，第一窄禁帶二極管NBG-1和第二寬禁帶二極管WBG-2為瞬態(tài)電流脈沖提供一低阻通路。因此，所述瞬態(tài)電壓抑制器在電壓超過所述寬禁帶二極管和窄禁帶二極管勢(shì)壘高度之和時(shí)，提供雙向保護(hù)。
[0025]所述多芯片瞬態(tài)電壓抑制器應(yīng)用于信號(hào)線上，并以共模連接方式構(gòu)成用于雙信號(hào)線任意極瞬態(tài)電壓或ESD放電抑制系統(tǒng)，該系統(tǒng)具有雙向保護(hù)功能。實(shí)現(xiàn)該系統(tǒng)的任意極瞬態(tài)電壓或ESD放電抑制方法包括將第一寬禁帶二極管WBG-1的陽(yáng)極和第一窄禁帶二極管NBG-1的陰極連接至一條信號(hào)線上，將第二寬禁帶二極管WBG-2的陽(yáng)極和第二窄禁帶二極管NBG-2的陰極連接至另一條信號(hào)線上；將兩個(gè)寬禁帶二極管的陰極WBG-l、WBG-2和兩個(gè)窄禁帶二極管的陽(yáng)極NBG-1、NBG-2連接在一起，因而在所述瞬態(tài)脈沖的電壓幅值超過所述寬禁帶二極管和所述窄禁帶二極管的勢(shì)壘高度總和時(shí)，提供一條任意極短路瞬態(tài)脈沖或ESD放電的路徑，所述路徑從一條信號(hào)線至另一條信號(hào)線。
[0026]本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易根據(jù)現(xiàn)有可利用以及常用的組裝方式和技術(shù)，依據(jù)本發(fā)明使用雙向瞬態(tài)電壓抑制器的其他類型的寬禁帶二極管和窄禁帶二極管，例如雙陽(yáng)極和雙陰極芯片類型，芯片正面為陽(yáng)極或芯片正面為陰極等。
【權(quán)利要求】
1.一種多芯片瞬態(tài)電壓抑制器，封裝在一個(gè)封裝體內(nèi)，包括寬禁帶二極管，其特征在于，兩對(duì)反向并聯(lián)的寬禁帶二極管和窄禁帶二極管，通過鍵合引線和引線框架，以背對(duì)背方式串聯(lián)連接，以提供雙向瞬態(tài)電壓抑制功能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述多芯片瞬態(tài)電壓抑制器包括 具有芯片背面為金屬化陰極和芯片正面為金屬化陽(yáng)極的兩個(gè)寬禁帶二極管； 具有芯片背面為金屬化陽(yáng)極和芯片正面為金屬化陰極的兩個(gè)窄禁帶二極管； 具有一個(gè)位于中間的主引線盤和兩個(gè)置于兩端的次引線盤且每個(gè)引線盤具有延伸引腳的一個(gè)金屬引線框架； 所述兩個(gè)寬禁帶二極管與所述兩個(gè)窄禁帶二極管放置在所述主引線盤上，且所述兩個(gè)寬禁帶二極管的陰極和所述兩個(gè)窄禁帶二極管的陽(yáng)極分別連接所述主引線盤，同時(shí)所述二極管相互橫向隔開，通過相等且最小長(zhǎng)度的鍵合引線將所述兩個(gè)寬禁帶二極管的陽(yáng)極和所述兩個(gè)窄禁帶二極管的陰極連接至所述兩個(gè)次引線盤；以及 用于封裝所述引線框架、所述兩個(gè)寬禁帶二極管和所述兩個(gè)窄禁帶二極管的一個(gè)模制封裝體，其具有所述延伸引腳延伸出所述模制封裝體的邊界，以用于提供外部連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述多芯片瞬態(tài)電壓抑制器包括: 具有芯片背面為金屬化陰極和芯片正面為金屬化陽(yáng)極的兩個(gè)寬禁帶二極管； 具有芯片背面為金屬化陰極和芯片正面為金屬化陽(yáng)極的兩個(gè)窄禁帶二極管； 具有一個(gè)位于中間的主引線盤和兩個(gè)置于兩端的次引線盤且每個(gè)引線盤具有延伸引腳的一個(gè)金屬引線框架； 所述兩個(gè)寬禁帶二極管放置在所述主引線盤上，且所述兩個(gè)寬禁帶二極管的陰極連接所述主引線盤，并通過鍵合引線將所述兩個(gè)寬禁帶二極管的陽(yáng)極與所述兩個(gè)次引線盤連接；而所述每個(gè)窄禁帶二極管分別放置在所述兩個(gè)次引線盤上，且所述兩個(gè)窄禁帶二極管的陰極與所述兩個(gè)次引線盤電連接，所述兩個(gè)窄禁帶二極管的陽(yáng)極與所述主引線盤以鍵合引線連接，其中上述鍵合引線皆具有相等且最小長(zhǎng)度；以及 用于封裝所述引線框架、所述兩個(gè)寬禁帶二極管和所述兩個(gè)窄禁帶二極管的一個(gè)模制封裝體，其具有所述延伸引腳延伸出所述模制封裝體的邊界，以用于提供外部連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多芯片瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述窄禁帶二極管為p-n結(jié)類型，而所述寬禁帶二極管為n-n+結(jié)類型或p-n結(jié)類型。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述多芯片瞬態(tài)電壓抑制器包括肖特基勢(shì)壘類型的窄禁帶二極管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述寬禁帶二極管是基于IV族或者II1-V族化合物半導(dǎo)體材料類型，所述窄禁帶二極管是基于單質(zhì)半導(dǎo)體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述寬禁帶二極管的勢(shì)壘高度在1.2-3.6eV而所述窄禁帶二極管的勢(shì)壘高度不超過lev。
8.一種用于雙信號(hào)線任意極瞬態(tài)電壓或ESD放電抑制方法，其特征在于，如權(quán)利要求1所述的多芯片瞬態(tài)電壓抑制器與雙信號(hào)線共模連接，包括: A)—寬禁帶二極管的陽(yáng)極與一信號(hào)線連接以及另一寬禁帶二極管的陽(yáng)極與另一信號(hào)線連接， B)—窄禁帶二極管的陰極與一信號(hào)線連接以及另一窄禁帶二極管的陰極與另一信號(hào)線連接， C)所述寬禁帶二極管的陰極與所述窄禁帶二極管的陽(yáng)極連接在一起，并因此在所述瞬態(tài)電壓的幅值超過所述寬禁帶二極管和所述窄禁帶二極管的勢(shì)壘高度總和時(shí)，提供一條用于任意極短路瞬態(tài)電壓或ESD放電的路徑，所述路徑通過連接的寬禁帶二極管和窄禁帶二極管從一條信號(hào)線到另一條信號(hào)線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述方法，其特征在于，所述窄禁帶二極管為P-N結(jié)類型，而所述寬禁帶二極管為n-n+結(jié)類型或p-n結(jié)類型。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述方法，其特征在于，所述窄禁帶二極管為肖特基勢(shì)壘類型。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述方法，其特征在于，所述寬禁帶二極管的勢(shì)壘高度在.1.2-3.6eV而所述窄 禁帶二極管的勢(shì)壘高度不超過leV。
【文檔編號(hào)】H02H9/04GK104051446SQ201410287626
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月25日
【發(fā)明者】謝可勛, 西里奧艾珀里亞科夫 申請(qǐng)人:浙江美晶科技有限公司, 謝可勛