一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器上的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路。這種電路能把數(shù)碼發(fā)電機(jī)輸出的三相交流電轉(zhuǎn)換成所需要的直流電，而且結(jié)構(gòu)新異，性能優(yōu)良，能有效減低成本，縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，減小故障率。包括三相半可控整流模塊，晶體管驅(qū)動(dòng)模塊、晶體管穩(wěn)壓模塊、整流供電模塊。發(fā)電機(jī)輸出的三相交流電一路輸入到通過三相半可控整流模塊中，為三相半可控整流模塊提供輸入電源，另一路通過整流供電模塊給晶體管驅(qū)動(dòng)模塊供電，晶體管驅(qū)動(dòng)模塊為三相半可控整流模塊提供驅(qū)動(dòng)，三相半可控整流模塊輸出信號(hào)到晶體管穩(wěn)壓模塊，晶體管穩(wěn)壓模塊分析判斷后輸出信號(hào)到晶體管驅(qū)動(dòng)模塊，為晶體管驅(qū)動(dòng)模塊提供穩(wěn)壓信號(hào)，從而使三相半可控整流模塊有效控制輸出直流電壓。
【專利說明】—種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種整流穩(wěn)壓電路，特別是涉及一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，公知的數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器中的三相整流穩(wěn)壓電路大都結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本較高。
[0003]有鑒于此，本發(fā)明人對(duì)此進(jìn)行研究，專門開發(fā)出一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路，本案由此產(chǎn)生。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的是提供一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路，能把發(fā)電機(jī)輸出的三相電轉(zhuǎn)換成所需要的直流電，結(jié)構(gòu)簡單，性能穩(wěn)定，且成本低廉。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的解決方案是:
[0006]一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路，包括三相半可控整流模塊、晶體管驅(qū)動(dòng)模塊、晶體管穩(wěn)壓模塊和整流供電模塊，發(fā)電機(jī)輸出的三相交流電一路輸入到三相半可控整流模塊中，為三相半可控整流模塊提供輸入電源，另一路通過整流供電模塊給晶體管驅(qū)動(dòng)模塊供電，晶體管驅(qū)動(dòng)模塊為三相半可控整流模塊提供驅(qū)動(dòng)，三相半可控整流模塊輸出信號(hào)到晶體管穩(wěn)壓模塊，晶體管穩(wěn)壓模塊分析判斷后輸出信號(hào)到晶體管驅(qū)動(dòng)模塊，為晶體管驅(qū)動(dòng)模塊提供穩(wěn)壓信號(hào)，從而使三相半可控整流模塊有效控制輸出直流電壓。
[0007]進(jìn)一步，上述三相半可控整流模塊包括第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅、第一二極管、第二二極管、第三二極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容、第七電容和第八電容，其中，第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅、第一二極管、第二二極管、第三二極管組成三相半可控模塊主結(jié)構(gòu)，第一電阻與第一電容、第二電阻與第二電容、第三電阻與第三電容分別串聯(lián)后并聯(lián)于第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的A K兩端，吸收三相交流高壓電的畸變波形，有效保護(hù)第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅，第四電容、第五電容、第六電容分別連接于第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的K G兩端，吸收來自晶體管驅(qū)動(dòng)模塊驅(qū)動(dòng)信號(hào)上噪聲，保護(hù)第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅，第七電容與第八電容并聯(lián)接于第一可控硅的K極與地線間。
[0008]進(jìn)一步，上述第七電容為CBB電容，用于吸收高壓直流電上的高頻開關(guān)噪聲；所述第八電容為電解電容，起到濾波作用。
[0009]進(jìn)一步，上述晶體管驅(qū)動(dòng)模塊包括第九電容、第一晶體管、第一穩(wěn)壓管、第二穩(wěn)壓管、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻和第八電阻，其中，第一晶體管的D極接于整流供電模塊中第四二極管的陰極，第四電阻接于第一晶體管的G D兩級(jí)間，第一穩(wěn)壓管接于第一晶體管的G S兩級(jí)間，整流供電模塊中的電壓信號(hào)通過第四電阻加于第一晶體管上，使第一晶體管導(dǎo)通，第一穩(wěn)壓管能限制第一晶體管G S兩級(jí)電壓，起到保護(hù)第一晶體管作用，第九電容接于第一晶體管的D極與三相半可控整流模塊中第一可控硅的K極之間，吸收第一晶體管開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開關(guān)噪聲，第五電阻與第二穩(wěn)壓管并聯(lián)接于第一晶體管S極與三相半可控整流模塊中第一可控硅的K極之間，起到鉗位三相半可控整流模塊中第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的G K兩端電壓，保護(hù)第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的G K兩端電壓，第六電阻、第七電阻和第八電阻一端共同接于第一晶體管的D極，另一端分別接于三相半可控整流模塊中第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的G極，起到限流保護(hù)作用。
[0010]進(jìn)一步，上述第九電容為高壓瓷片電容。
[0011]進(jìn)一步，上述晶體管穩(wěn)壓模塊包括第二晶體管、第三晶體管、第三穩(wěn)壓管、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第十二電阻和第十三電阻，其中，第二晶體管的E極接于第一晶體管的G極，C極接于第一可控硅的K極，第九電阻接于第二晶體管的B E兩級(jí)間，第三晶體管的C極通過第十電阻接于第二晶體管的B極，E極接于第三穩(wěn)壓管的陰極，第三穩(wěn)壓管的陽極接于地線，第十一電阻接于第三穩(wěn)壓管的陰極與第二晶體管的C極，第十二電阻和第十三電阻串聯(lián)接于第二晶體管的C極與地線之間，第十二電阻與第十三電阻的公共端接于第三晶體管的B極，通過低十一電阻與第三穩(wěn)壓管使得第三晶體管的E極電壓保持在固定電壓上，通過第十二電阻與第十三電阻采樣高壓直流電壓，當(dāng)高壓直流電壓大于設(shè)定值時(shí)，第三晶體管導(dǎo)通，使得第二晶體管導(dǎo)通，從而改變驅(qū)動(dòng)模塊中驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在惡劣環(huán)境時(shí)，第九電阻能有效防止第二晶體管因B E極間漏電流而產(chǎn)生的誤導(dǎo)通的發(fā)生。
[0012]進(jìn)一步，上述整流供電模塊包括第四二極管、第五二極管、第六二極管，其中，第四二極管極管、第五二極管極管和第六二極管極管的陽極分別接于第一二極管、第二二極管、第三二極管的陰極，第四二極管、第五二極管、第六二極管的陰極共同接于第一晶體管的S極，六個(gè)二極管組成三相全橋整流電路，為驅(qū)動(dòng)模塊供電。
[0013]上述結(jié)構(gòu)的一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路，主結(jié)構(gòu)采用三個(gè)二極管與三個(gè)可控硅組成的半可控整流電路，觸發(fā)方式采用三相交流電每一項(xiàng)都通過一個(gè)二極管整流后，采用開關(guān)管觸發(fā)三個(gè)可控硅的方式，可控硅旁邊并聯(lián)電阻加電容結(jié)構(gòu)的阻尼電路，穩(wěn)壓電路采用電阻、穩(wěn)壓管及三極管組合式。能把發(fā)電機(jī)輸出的三相電轉(zhuǎn)換成所需要的直流電，結(jié)構(gòu)簡單，性能穩(wěn)定，且成本低廉。
[0014]以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)描述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為本實(shí)施例的一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器上的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]如圖1所示，一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路，包括三相半可控整流模塊1、晶體管驅(qū)動(dòng)模塊2、晶體管穩(wěn)壓模塊3和整流供電模塊4。
[0017]在本實(shí)施例中，上述三相半可控整流模塊I包括第一可控硅TAl、第二可控硅TA2、第三可控硅TA3、第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第七電容C7和第八電容C8，其中，第一可控硅TA1、第二可控硅TA2、第三可控硅TA3、第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3組成三相半可控模塊I主結(jié)構(gòu)，第一電阻Rl與第一電容Cl、第二電阻R2與第二電容C2、第三電阻R3與第三電容C3分別串聯(lián)后并聯(lián)于第一可控硅TAl、第二可控硅TA2和第三可控硅TA3的A K兩端，第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6分別連接于第一可控硅TAl、第二可控硅TA2和第三可控硅TA3的K G兩端，第七電容C7與第八電容C8并聯(lián)接于第一可控硅TAl的K極與地線間。其中第七電容C7為CBB電容，用于吸收高壓直流電上的高頻開關(guān)噪聲；所述第八電容C8為電解電容，起到濾波作用。
[0018]在本實(shí)施例中，上述晶體管驅(qū)動(dòng)模塊2包括第九電容C9、第一晶體管Q1、第一穩(wěn)壓管ZD1、第二穩(wěn)壓管ZD2、第四電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻R7和第八電阻R8，其中，第一晶體管Ql的D極第四二極管D4的陰極，第四電阻R4接于第一晶體管Ql的G D兩級(jí)間，第一穩(wěn)壓管ZDl接于第一晶體管Ql的G S兩級(jí)間，整流供電模塊4中的電壓信號(hào)通過第四電阻R4加于第一晶體管Ql上，第九電容C9接于第一晶體管Ql的D極與第一可控娃TAl的K極之間，第五電阻R5與第二穩(wěn)壓管ZD2并聯(lián)接于第一晶體管QlS極與第一可控娃TAl的K極之間,第六電阻R6、第七電阻R7和第八電阻R8 —端共同接于第一晶體管Ql的D極，另一端分別接于第一可控硅TA1、第二可控硅TA2和第三可控硅TA3的G極。上述第九電容C9為高壓瓷片電容。
[0019]在本實(shí)施例中，上述晶體管穩(wěn)壓模塊3包括第二晶體管Q2、第三晶體管Q3、第三穩(wěn)壓管ZD3、第九電阻R9、第十電阻R10、第十一電阻R11、第十二電阻R12和第十三電阻R13，其中，第二晶體管Q2的E極接于第一晶體管Ql的G極，C極接于第一可控硅TAl的K極，第九電阻R9接于第二晶體管Q2的B E兩級(jí)間，第三晶體管Q3的C極通過第十電阻RlO接于第二晶體管Q2的B極，E極接于第三穩(wěn)壓管ZD3的陰極，第三穩(wěn)壓管ZD3的陽極接于地線，第十一電阻Rll接于 第三穩(wěn)壓管ZD3的陰極與第二晶體管Q2的C極，第十二電阻R12和第十三電阻Rl3串聯(lián)接于第二晶體管Q2的C極與地線之間，第十二電阻Rl2與第十三電阻R13的公共端接于第三晶體管Q3的B極。
[0020]在本實(shí)施例中，上述整流供電模塊4包括第四二極管D4、第五二極管D5、第六二極管D6，以及與三相半可控整流模塊I共用的第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3，其中，第四二極管D4、第五二極管D5和第六二極管D6的陽極分別接于第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3的陰極，第四二極管D4、第五二極管D5和第六二極管D6的陰極共同接于第一晶體管Ql的S極。
[0021]發(fā)電機(jī)剛起動(dòng)時(shí)，三相交流電經(jīng)過二極管Dl，D2，D3，D4，D5，D6整流，通過電阻R4和第一穩(wěn)壓管ZDl使得晶體管Ql導(dǎo)通，即觸發(fā)可控硅TA1，TA2，TA3導(dǎo)通，使得可控硅TA1，TA2，TA3與二極管Dl，D2，D3形成三相半控整流穩(wěn)壓電路。當(dāng)電壓達(dá)到所需要的值后，通過第十二電阻R12與第十三電阻R13分壓得到的值使得晶體管Q3，Q2相繼導(dǎo)通，從而使得第一晶體管Ql關(guān)斷，隨即可控硅TA1，TA2，TA3關(guān)斷，電壓得到穩(wěn)定。高壓瓷片電容第九電容C9，能有效吸收數(shù)碼發(fā)電機(jī)運(yùn)行中產(chǎn)生的瞬間高壓，第一穩(wěn)壓管ZDl能有效限制第一晶體管Ql的D S間電壓，保護(hù)第一晶體管Ql穩(wěn)定工作。第九電阻R9能有效避免因三極管Q2的B E漏電流產(chǎn)生的Q2誤導(dǎo)通。穩(wěn)壓管ZD2、電阻R5，電容C4，C5，C6能有效限制及吸收數(shù)碼發(fā)電機(jī)運(yùn)行中產(chǎn)生的可控硅K G兩級(jí)間的瞬間高電壓，保護(hù)可控硅TA1，TA2，AT3。電阻Rl，R2，R3及電容Cl，C2, C3組成阻尼電路，能有效吸收可控硅A K兩級(jí)瞬間高壓，保護(hù)可控硅TA1，TA2，AT3。電解電容C8能有效濾波，穩(wěn)定輸出直流電壓。CBB電容C7能有效吸收高壓直流電壓上的高頻噪聲。
[0022]上述實(shí)施例和圖式并非限定本實(shí)用新型的產(chǎn)品形態(tài)和式樣，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員對(duì)其所做的適當(dāng)變化或修飾，皆應(yīng)視為不脫離本實(shí)用新型的專利范疇。
【權(quán)利要求】
1.一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器上的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路，其特征在于:發(fā)電機(jī)輸出的三相交流電一路輸入到通過三相半可控整流模塊中，為三相半可控整流模塊提供輸入電源，另一路通過整流供電模塊給晶體管驅(qū)動(dòng)模塊供電，晶體管驅(qū)動(dòng)模塊為三相半可控整流模塊提供驅(qū)動(dòng)，三相半可控整流模塊輸出信號(hào)到晶體管穩(wěn)壓模塊，晶體管穩(wěn)壓模塊分析判斷后輸出信號(hào)到晶體管驅(qū)動(dòng)模塊，為晶體管驅(qū)動(dòng)模塊提供穩(wěn)壓信號(hào)，從而使三相半可控整流模塊有效控制輸出直流電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器上的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路，其特征在于:上述三相半可控整流模塊包括第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅、第一二極管、第二二極管、第三二極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容、第七電容和第八電容，其中，第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅、第一二極管、第二二極管、第三二極管組成三相半可控模塊主結(jié)構(gòu)，第一電阻與第一電容、第二電阻與第二電容、第三電阻與第三電容分別串聯(lián)后并聯(lián)于第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的A K兩端，第四電容、第五電容、第六電容分別連接于第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的K G兩端，第七電容與第八電容并聯(lián)接于第一可控硅的K極與地線間。
3.如權(quán)利要求1所述的一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器上的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路，其特征在于:上述晶體管驅(qū)動(dòng)模塊包括第九電容、第一晶體管、第一穩(wěn)壓管、第二穩(wěn)壓管、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻和第八電阻，其中，第一晶體管的D極接于第四二極管的陰極，第四電阻接于第一晶體管的G D兩級(jí)間，第一穩(wěn)壓管接于第一晶體管的G S兩級(jí)間，整流供電模塊中的電壓信號(hào)通過第四電阻加于第一晶體管上，第九電容接于第一晶體管的D極與第一可控硅的K極之間，第五電阻與第二穩(wěn)壓管并聯(lián)接于第一晶體管S極與第一可控硅的K極之間，第六電阻、第七電阻和第八電阻一端共同接于第一晶體管的D極，另一端分別接于三相半可控整流模塊中第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的G極。
4.如權(quán)利要求1所述的一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器上的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路，其特征在于:上述晶體管穩(wěn)壓模塊包括第二晶體管、第三晶體管、第三穩(wěn)壓管、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第十二電阻和第十三電阻，其中，第二晶體管的E極接于第一晶體管的G極，C極接于第一可控硅的K極，第九電阻接于第二晶體管的B E兩級(jí)間，第三晶體管的C極通過第十電阻接于第二晶體管的B極，E極接于第三穩(wěn)壓管的陰極，第三穩(wěn)壓管的陽極接于地線，第十一電阻接于第三穩(wěn)壓管的陰極與第二晶體管的C極，第十二電阻和第十三電阻串聯(lián)接于第二晶體管的C極與地線之間，第十二電阻與第十三電阻的公共端接于第三晶體管的B極。
5.如權(quán)利要求1所述的一種用于數(shù)碼發(fā)電機(jī)逆變器上的三相可控硅整流穩(wěn)壓電路，其特征在于:上述整流供電模塊包括第四二極管、第五二極管、第六二極管，還有與三相半可控整流模塊共用的的第一二極管、第二二極管、第三二極管，其中，第四二極管、第五二極管和第六二極管的陽極分別接于第一二極管、第二二極管、第三二極管的陰極，第四二極管、第五二極管、第六二極管的陰極共同接于第一晶體管的S極。
【文檔編號(hào)】H02M7/217GK203691270SQ201320890526
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】陳歡, 張洪明, 蔡江 申請(qǐng)人:紹興思源科技有限公司