專利名稱：一種電壓反饋型半橋電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半橋電路，尤其涉及的是一種電壓反饋型半橋電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中的半橋電路一般為電流反饋型半橋電路，這種電路設(shè)置兩個振蕩繞組、一個感應(yīng)線圈和一個高頻振蕩器，通過高頻振蕩器的電流變化使通過感應(yīng)線圈的電流發(fā)生變化，從而影響振蕩繞組中的電流變化，實現(xiàn)電流反饋，這種電路在工作時必須在輸出端連接具有一定功率的負載，因此實際使用非常不方便。利用電流反饋型半橋電路制作的變壓器帶載范圍小，直接限制了變壓器的使用范圍，這種變壓器一般只能用作燈飾產(chǎn)品的配套電源。因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種電壓反饋型半橋電路，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的半橋電路帶載范圍小，用途單一和使用不方便等技術(shù)問題。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種電壓反饋型半橋電路，包括輸入電路，EMI電路，整流濾波電路，啟動電路，保護電路和高頻振蕩逆變電路，其中，所述輸入電路，EMI電路，整流濾波電路，啟動電路，保護電路和聞頻振蕩逆變電路依次連接，所述聞頻振蕩逆變電路為電壓反饋型高頻振蕩逆變電路。所述的電壓反饋型半橋電路，其中，所述電壓反饋型高頻振蕩逆變電路包括兩個三極管、兩個振蕩繞組和一個高頻變壓器；所述三極管分別與振蕩繞組一一對應(yīng)連接，所述振蕩繞組一端直接與高頻變壓器的輸入端線圈的一端連接，振蕩繞組另一端通過三極管與高頻變壓器的輸入端線圈的另一端連接。所述的電壓反饋型半橋電路，其中，所述電壓反饋型高頻振蕩逆變電路包括四個三極管、兩個振蕩繞組和一個高頻變壓器；所述三極管平均分成兩組，同一組內(nèi)三極管并聯(lián)連接；兩組三極管分別與兩個振蕩繞組連接，所述振蕩繞組一端直接與高頻變壓器的輸入端線圈的一端連接，振蕩繞組另一端通過三極管組與高頻變壓器的輸入端線圈的另一端連接。所述的電壓反饋型半橋電路，其中，所述其中一個三極管的發(fā)射極和集電極分別與另一個三極管的集電極和發(fā)射極連接；所述兩個三極管的發(fā)射極分別連接高頻變壓器的輸入端線圈的兩端，所述兩個振蕩繞組兩端分別與兩個三極管的基極和發(fā)射極連接，所述振蕩繞組一端和三極管的基極之間串聯(lián)有耦合電容和驅(qū)動限流電阻。所述的電壓反饋型半橋電路，其中，在所述三極管的基極和發(fā)射極之間設(shè)有保護模塊。所述的電壓反饋型半橋電路，其中，所述保護模塊包括兩個抗飽和二極管和一個保護電感，所述抗飽和二極管一端與三極管基極連接，兩抗飽和二極管另一端分別接在所述耦合電容兩端，所述耦合電容一端與振蕩繞組連接，另一端與保護電感一端連接，所述保護電感另一端與三極管發(fā)射極連接。所述的電壓反饋型半橋電路，其中，所述電壓反饋型半橋電路還包括兩個保護三極管的反向放電二極管，所述兩個反向放電二極管一端與高頻變壓器的輸入線圈一端連接，兩個反向放電二極管另一端分別與一個三極管的集電極和另一個三極管的發(fā)射極連接；所述兩個反向放電二極管分別并聯(lián)有反向放電電容。所述的電壓反饋型半橋電路，其中，所述電壓反饋型半橋電路還包括兩個保護二極管，所述兩個保護二極管分別與兩個三極管的集電極和發(fā)射極連接。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明通過在電流中設(shè)置兩個振蕩繞組、兩個與振蕩繞組對應(yīng)的三極管和一個高頻變壓器，并且兩個振蕩繞組直接與高頻變壓器連接，實現(xiàn)電壓反饋型電路，實現(xiàn)電路空載時仍有電壓輸出，擴大了半橋電路的使用范圍，本發(fā)明用途廣泛，可用于低壓LED光源或者門禁控制系統(tǒng)的供電電源等，實用性高。


圖1是本發(fā)明中電壓反饋型半橋電路的電路模塊圖。圖2是本發(fā)明中電壓反饋型半橋電路的電壓反饋型高頻振蕩逆變電路的電路圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實施例對本發(fā)明進一步詳細說明。如圖1，本發(fā)明包括輸入電路，EMI電路(電磁抗干擾濾波電路)，整流濾波電路，啟動電路，保護電路和高頻振蕩逆變電路，所述輸入電路，EMI電路，整流濾波電路，啟動電路，保護電路和高頻振蕩逆變電路依次連接，本發(fā)明中的高頻振蕩逆變電路為電壓反饋型高頻振蕩逆變電路。如圖2，是本發(fā)明中電壓反饋型半橋電路的電壓反饋型高頻振蕩逆變電路的電路圖。圖中包括兩個振蕩繞組TR-2和TR-3，兩個三極管NI和N2，一個高頻變壓器，四個抗飽和二極管D6、D7、D8和D9，兩個耦合電容C8和C9，兩個驅(qū)動限流電阻R4和R5，兩個保護電感L2和L3，兩個反向放電二極管DlO和Dl I，兩個反向放電電容ClO和Cl I，兩個保護二極管D13和D14 ;高頻放大器輸入端線圈為TR-1。具體實施時，也可以根據(jù)需要配置四個三極管。振蕩繞組TR-2、耦合電容CS和驅(qū)動限流電阻R4串聯(lián)連接在三極管NI的基極和發(fā)射極之間，組成振蕩回路；振蕩繞組TR-3、耦合電容C9和驅(qū)動限流電阻R5串聯(lián)連接在三極管N2的基極和發(fā)射極之間，組成振蕩回路。三極管NI的發(fā)射極連接三極管N2的集電極，同時三極管NI的發(fā)射極還連接高頻放大器輸入端線圈TR-1的一端；三極管NI的集電極通過反向放電電容ClO與高頻放大器輸入端線圈TR-1的另一端連接；三極管N2的發(fā)射極通過反向放電電容Cll與反向放電電容ClO連接。通過上述連接方式,實現(xiàn)電壓反饋型高頻振蕩逆變電路，當(dāng)高頻變壓器輸入線圈TR-1的兩端電壓變化時，直接通過三極管NI或N2反饋給振蕩繞組TR-2或TR-3。本發(fā)明所述的電壓反饋型半橋電路在輸出端不接負載時，仍有電壓輸出，可作電源使用，適用于低壓LED光源或者門禁控制系統(tǒng)的供電電源等設(shè)備。
進一步，在三極管NI和N2的基極和發(fā)射極之間設(shè)置保護模塊，所述保護模塊包括四個抗飽和二極管D6、D7、D8和D9，兩個保護電感L2和L3。所述抗飽和二極管D6 —端連接三極管NI的基極，另一端連接耦合電容C8并與振蕩繞組TR-2 —端連接，耦合電容C8的另一端連接抗飽和二極管D7和保護電感L2，所述抗飽和二極管D7并聯(lián)在驅(qū)動限流電阻R4兩端，所述保護電感L2的一端與驅(qū)動限流電阻R4連接，保護電感L2另一端連接三極管NI的發(fā)射極。所述抗飽和二極管D8 —端連接三極管N2的基極，另一端連接耦合電容C9并與振蕩繞組TR-3 —端連接，耦合電容C9的另一端連接抗飽和二極管D9和保護電感L3，所述抗飽和二極管D9并聯(lián)在驅(qū)動限流電阻R5兩端，所述保護電感L3的一端與驅(qū)動限流電阻R5連接，保護電感L3另一端連接三極管N2的發(fā)射極。該保護模塊不但可以保護三極管NI和N2，避免三極管燒壞，還可以對三極管起到抗飽和作用。進一步，本實施例中的電壓反饋型高頻振蕩逆變電路還包括兩個反向放電二極管DlO和D11，所述反向放電二極管DlO并聯(lián)在反向放電電容ClO兩端，所述反向放電二極管Dll并聯(lián)在反向放電電容Cll兩端。反向放電二極管DlO和Dll對三極管起到保護作用，避免了高頻變壓器輸出端短路時，電流過大燒毀三極管。為了進一步保護三極管NI和N2，防止三極管被反向電壓擊穿或損壞，在三極管NI和N2的集電極和發(fā)射極之間分別接有保護二極管D13和D14。實際應(yīng)用中，可以在高頻變壓器的輸出端和三極管NI的集電極之間連接一個輸出反饋電容C13，有利于通過輸出電壓調(diào)節(jié)輸出電壓，避免了輸出電壓過大造成輸出電壓過大而燒壞設(shè)備。本發(fā)明通過在電流中設(shè)置兩個振蕩繞組、兩個與振蕩繞組對應(yīng)的三極管和一個高頻變壓器，并且兩個振蕩繞組直接與高頻變壓器連接，實現(xiàn)電壓反饋型電路，實現(xiàn)電路空載時仍有電壓輸出，擴大了半橋電路的使用范圍，本發(fā)明用途廣泛，可用于低壓LED光源或者門禁控制系統(tǒng)的供電電源等，實用性高。實際生產(chǎn)中，通過把兩個振蕩繞組TR-2和TR-3集成到高頻變壓器TR-1上，一方面實現(xiàn)電壓反饋，增大變壓器的帶載范圍，另一方面可以減少變壓器成品的體積，方便客戶使用。應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種電壓反饋型半橋電路，包括輸入電路，EMI電路，整流濾波電路，啟動電路，保護電路和聞頻振蕩逆變電路，其特征在于，所述輸入電路，EMI電路，整流濾波電路，啟動電路，保護電路和高頻振蕩逆變電路依次連接，所述高頻振蕩逆變電路為電壓反饋型高頻振蕩逆變電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓反饋型半橋電路，其特征在于，所述電壓反饋型高頻振蕩逆變電路包括兩個三極管、兩個振蕩繞組和一個高頻變壓器；所述三極管分別與振蕩繞組一一對應(yīng)連接，所述振蕩繞組一端直接與高頻變壓器的輸入端線圈的一端連接，振蕩繞組另一端通過三極管與高頻變壓器的輸入端線圈的另一端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓反饋型半橋電路，其特征在于，所述電壓反饋型高頻振蕩逆變電路包括四個三極管、兩個振蕩繞組和一個高頻變壓器；所述三極管平均分成兩組，同一組內(nèi)三極管并聯(lián)連接；兩組三極管分別與兩個振蕩繞組連接，所述振蕩繞組一端直接與高頻變壓器的輸入端線圈的一端連接，振蕩繞組另一端通過三極管組與高頻變壓器的輸入端線圈的另一端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓反饋型半橋電路，其特征在于，所述其中一個三極管的發(fā)射極和集電極分別與另一個三極管的集電極和發(fā)射極連接；所述兩個三極管的發(fā)射極分別連接高頻變壓器的輸入端線圈的兩端，所述兩個振蕩繞組兩端分別與兩個三極管的基極和發(fā)射極連接，所述振蕩繞組一端和三極管的基極之間串聯(lián)有耦合電容和驅(qū)動限流電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電壓反饋型半橋電路，其特征在于，在所述三極管的基極和發(fā)射極之間設(shè)有保護模塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電壓反饋型半橋電路，其特征在于，所述保護模塊包括兩個抗飽和二極管和一個保護電感，所述抗飽和二極管一端與三極管基極連接，兩抗飽和二極管另一端分別接在所述耦合電容兩端，所述耦合電容一端與振蕩繞組連接，另一端與保護電感一端連接，所述保護電感另一端與三極管發(fā)射極連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項所述的電壓反饋型半橋電路，其特征在于，所述電壓反饋型半橋電路還包括兩個保護三極管的反向放電二極管，所述兩個反向放電二極管一端與高頻變壓器的輸入線圈一端連接，兩個反向放電二極管另一端分別與一個三極管的集電極和另一個三極管的發(fā)射極連接；所述兩個反向放電二極管分別并聯(lián)有反向放電電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電壓反饋型半橋電路，其特征在于，所述電壓反饋型半橋電路還包括兩個保護二極管，所述兩個保護二極管分別與兩個三極管的集電極和發(fā)射極連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電壓反饋型半橋電路，包括輸入電路，EMI電路，整流濾波電路，啟動電路，保護電路和高頻振蕩逆變電路，其中，所述輸入電路，EMI電路，整流濾波電路，啟動電路，保護電路和高頻振蕩逆變電路依次連接，所述高頻振蕩逆變電路為電壓反饋型高頻振蕩逆變電路。本發(fā)明在空載時仍然可以工作，采用本發(fā)明可擴大半橋電路的使用范圍，可用于低壓LED光源或者門禁控制系統(tǒng)的供電電源等，實用性高。
文檔編號H02M1/32GK103066858SQ20131002264
公開日2013年4月24日 申請日期2013年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月22日
發(fā)明者王 鋒 申請人:廣東新昇電業(yè)科技股份有限公司