專利名稱：帶保護(hù)套的半導(dǎo)體放電管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種半導(dǎo)體放電管，尤其涉及一種低電壓半導(dǎo)體放電管。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體放電管，是ー種 過(guò)壓保護(hù)器件，是利用晶閘管原理制成的，依靠PN結(jié)的擊穿電流觸發(fā)器件導(dǎo)通放電，可以流過(guò)很大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓的范圍，構(gòu)成了過(guò)壓保護(hù)的范圍。固體放電管使用時(shí)可直接跨接在被保護(hù)電路的兩端。半導(dǎo)體放電管被廣泛應(yīng)用于通訊交換設(shè)備中的程控交換機(jī)、電話機(jī)、傳真機(jī)、配線架、XDSL、通訊接ロ、通訊發(fā)射設(shè)備等一切需要防雷保護(hù)的領(lǐng)域，以保護(hù)其內(nèi)部的IC免受瞬間過(guò)電壓的沖擊和破壞。在當(dāng)今世界微電子及通訊設(shè)備高速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體放電管已成為世界通訊設(shè)備的首選器件?，F(xiàn)階段，國(guó)內(nèi)大部分半導(dǎo)體放電管的反向重復(fù)峰值電壓在200 400V，雖然通過(guò)離子注入方式，可以把電壓做到100V 200V，但是用常規(guī)的半導(dǎo)體放電管對(duì)于常用的24V，36V，48V，60V的信號(hào)線無(wú)法起到有效的保護(hù)。同時(shí)，常規(guī)放電管并不具有告警功能，不便于維護(hù)人員及時(shí)處理。此外，沒有外圍沒有保護(hù)裝置，其還容易經(jīng)常損壞。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種可將反向重復(fù)峰值電壓做到10 100V，且可實(shí)現(xiàn)快速告警且使用壽命更長(zhǎng)的新型半導(dǎo)體放電管。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種半導(dǎo)體放電管，包括ー個(gè)放電管本體，所述放電管本體包括NI型襯底、正面P擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)、正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和設(shè)于所述NI型襯底的正面和背面的N2擴(kuò)散區(qū)，所述放電管本體還與ー個(gè)由取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路順序連接構(gòu)成的告警信號(hào)發(fā)生裝置相連接，在所述放電管本體和告警信號(hào)發(fā)生裝置外圍還套有一保護(hù)套管。作為優(yōu)選，所述的取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路由第一電阻、第二電阻、第二電阻、第一晶體三極管、第二晶體三極管、可控硅觸發(fā)器和發(fā)光二極管連接構(gòu)成；第ー電阻一端、第二電阻一端連接兩半導(dǎo)體放電管的串接點(diǎn)，第二電阻另一端連接第一晶體三極管的基極和第二晶體三極管的發(fā)射極，第一電阻的另一端、第三電阻的一端及可控硅觸發(fā)器的陽(yáng)極接地端，第三電阻的另一端連接第一晶體三極管的發(fā)射極及第ニ晶體三極管的基極，第一晶體三極管的集電極與第二晶體三極管的集電極連接可控硅觸發(fā)器的觸發(fā)極，可控硅觸發(fā)器的陰極連接發(fā)光二極管陽(yáng)極，發(fā)光二極管的陰極及地端連接所述電信設(shè)備的告警系統(tǒng)。采用上述技術(shù)方案，使得本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型先在NI型襯底的正面和背面增設(shè)N2擴(kuò)散區(qū)，然后在N2擴(kuò)散區(qū)中形成正面P擴(kuò)散區(qū)和背面P擴(kuò)散區(qū)，以及形成正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)，通過(guò)這樣ー個(gè)特殊的PN結(jié)擴(kuò)散區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從而使得反向重復(fù)峰值電壓做到10 100V。同時(shí)設(shè)計(jì)串接了ー個(gè)告警裝置，有助于維護(hù)人員及時(shí)發(fā)現(xiàn)和處理，提高放電管的可靠性。在其外圍加裝ー個(gè)保護(hù)套管，可以進(jìn)一歩避免其在外部壓カ下?lián)p壞，延長(zhǎng)使用壽命。
以下結(jié)合附圖
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明圖I為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型半導(dǎo)體放電管制造エ藝過(guò)程的平面圖；其中I.放電管本體；2.告警信號(hào)發(fā)生裝置；3.保護(hù)套管。
具體實(shí)施方式
如圖I和2所示，一種半導(dǎo)體放電管，包括一個(gè)放電管本體，所述放電管本體包括NI型襯底、正面P擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)、正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和設(shè)于所述NI型襯底的正面和背面的N2擴(kuò)散區(qū)，所述放電管本體還與ー個(gè)由取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路順序連接構(gòu)成的告警信號(hào)發(fā)生裝置相連接，在所述放電管本體和告警信號(hào)發(fā)生裝置外圍還套有一保護(hù)套管。所述的取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路由第一電阻、第二電阻、第二電阻、第一晶體三極管、第二晶體三極管、可控硅觸發(fā)器和發(fā)光二極管連接構(gòu)成；第一電阻一端、第二電阻一端連接兩半導(dǎo)體放電管的串接點(diǎn)，第二電阻另一端連接第一晶體三極管的基極和第二晶體三極管的發(fā)射極，第一電阻的另一端、第三電阻的一端及可控硅觸發(fā)器的陽(yáng)極接地端，第三電阻的另一端連接第一晶體三極管的發(fā)射極及第ニ晶體三極管的基極，第一晶體三極管的集電極與第二晶體三極管的集電極連接可控硅觸發(fā)器的觸發(fā)極，可控硅觸發(fā)器的陰極連接發(fā)光二極管陽(yáng)極，發(fā)光二極管的陰極及地端連接所述電信設(shè)備的告警系統(tǒng)。需要指出的是，上述實(shí)施例雖對(duì)本實(shí)用新型作了比較詳細(xì)的文字描述，但這些文字描述只是對(duì)本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思路的簡(jiǎn)單描述，而不是對(duì)本實(shí)用新型思路的限制。任何不超過(guò)本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思路的組合、増加或修改，均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種帶保護(hù)套的半導(dǎo)體放電管，包括一個(gè)放電管本體，其特征在于，所述放電管本體包括NI型襯底、正面P擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)、正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和設(shè)于所述NI型襯底的正面和背面的N2擴(kuò)散區(qū)，所述放電管本體還與ー個(gè)由取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路順序連接構(gòu)成的告警信號(hào)發(fā)生裝置相連接，在所述放電管本體和告警信號(hào)發(fā)生裝置外圍還套有一保護(hù)套管。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的帶保護(hù)套的半導(dǎo)體放電管，其特征在于所述的取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路由第一電阻、第二電阻、第二電阻、第一晶體三極管、第二晶體三極管、可控硅觸發(fā)器和發(fā)光二極管連接構(gòu)成；第一電阻一端、第二電阻一端連接兩半導(dǎo)體放電管的串接點(diǎn)，第二電阻另一端連接第一晶體三極管的基極和第二晶體三極管的發(fā)射極，第一電阻的另一端、第三電阻的一端及可控硅觸發(fā)器的陽(yáng)極接地端，第三電阻的另一端連接第一晶體三極管的發(fā)射極及第ニ晶體三極管的基極，第一晶體三極管的集電極與第二晶體三極管的集電極連接可控硅觸發(fā)器的觸發(fā)極，可控硅觸發(fā)器的陰極連接發(fā)光二極管陽(yáng)極，發(fā)光二極管的陰極及地端連接所述電信設(shè)備的告警系統(tǒng)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種帶保護(hù)套的半導(dǎo)體放電管，包括一個(gè)放電管本體，所述放電管本體包括N1型襯底、正面P擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)、正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和設(shè)于所述N1型襯底的正面和背面的N2擴(kuò)散區(qū)，所述放電管本體還與一個(gè)由取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路順序連接構(gòu)成的告警信號(hào)發(fā)生裝置相連接，在所述放電管本體和告警信號(hào)發(fā)生裝置外圍還套有一保護(hù)套管。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于可將反向重復(fù)峰值電壓做到10～100V，且可實(shí)現(xiàn)快速告警，便于維護(hù)和處理。
文檔編號(hào)H02H9/04GK202633317SQ20122026946
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月8日
發(fā)明者張小平 申請(qǐng)人:江蘇晟芯微電子有限公司