專利名稱：分補復合開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及ー種分補復合開關(guān)。
背景技術(shù)：
目前市場上主要的分相電カ電容器投切器件是可控硅模塊，可控硅模塊導通時有I. IV的壓降，在電流較大時，產(chǎn)生的熱量很大，必須用強制散熱的辦法來降低溫度。可控硅模塊是一個諧波源，大量的可控硅在電路中，產(chǎn)生諧波污染，影響電網(wǎng)質(zhì)量
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的就是為解決上述問題，提供ー種結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，成本較低的分補復合開關(guān)。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案ー種分補復合開關(guān)，它包括與A、B、C、三相線，每ー相線上分別分別串聯(lián)的繼電器常開觸點和電容，各電容與零線連接，整體構(gòu)成三相四線連接方式；每個常開觸點上均并聯(lián)ー個可控硅，可控硅的控制端與過零觸發(fā)電路連接。所述可控硅為雙向可控硅。所述電容為電カ電容器。本實用新型的工作原理為磁保持繼電器常開觸點與可控硅并聯(lián)，投切電カ電容器。投入時，可控硅先導通，電容器經(jīng)過可控硅與電網(wǎng)接通?？煽毓鑼ê?0毫秒，磁保持繼電器閉合，電流流過磁保持繼電器的觸點，此時可控硅關(guān)斷退出，完成投入動作；切除吋，可控硅先導通，然后磁保持繼電器的觸頭分開，電流流過可控硅，經(jīng)過50毫秒后，可控硅關(guān)斷，電流截止，完成切除動作?？刂齐娐酚袉纹瑱C控制過零觸發(fā)電路和磁保持繼電器。保護措施有斷相保護、再投入保護、空負載保護。本實用新型的有益效果是I.分補復合開關(guān)可以分相補償，對于単相負載和不平衡負載起到補償效果。2.可控硅實現(xiàn)電壓過零點投入，無涌流，對電網(wǎng)沖擊小，使電容器延長使用壽命。3.投入后正常運行，電流流過磁保持繼電器，而磁保持繼電器實現(xiàn)電流流通無需線圈的吸持，不消耗電流，是零功耗。4.切除過程有可控硅來完成，切除后無操作過電壓和電弧，不會燒壞磁保持繼電器的觸點。5.投入動作響應(yīng)速度快，切除后再投入的時間為2分鐘，消除連續(xù)投切對電容器造成的損害。6.分補復合開關(guān)正常運行時的電流通道是磁保持繼電器，磁保持繼電器是銅導體材料，發(fā)熱很小，幾乎沒有能量損失。7.復合開關(guān)中的可控硅導通時間很短，在幾十個毫秒內(nèi)，因此不會產(chǎn)生諧波污染。
圖I為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖與實施例對本實用新型做進ー步說明。圖I中，它包括與A、B、C、三相線，A相線串聯(lián)繼電器常開觸點Kl和電容C，B相線串聯(lián)繼電器常開觸點K2和電容C，C相線串聯(lián)繼電器常開觸點K3和電容C ;各電容C與零線N連接。每個常開觸點上均并聯(lián)ー個可控硅Q1、Q2、Q3，各可控硅的控制端與過零觸發(fā)電路連接。所述各可控硅為雙向可控硅。 所述電容為電カ電容器。
權(quán)利要求1.ー種分補復合開關(guān)，它包括與A、B、C、三相線，每ー相線上分別分別串聯(lián)的繼電器常開觸點和電容，各電容與零線連接，整體構(gòu)成三相四線連接方式；其特征是，每個常開觸點上均并聯(lián)ー個可控硅，可控硅的控制端與過零觸發(fā)電路連接。
2.如權(quán)利要求I所述的分補復合開關(guān)，其特征是，所述可控硅為雙向可控硅。
3.如權(quán)利要求I所述的分補復合開關(guān)，其特征是，所述電容為電カ電容器。
專利摘要本實用新型公開了一種結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，成本較低的分補復合開關(guān)。它包括與A、B、C、三相線，每一相線上分別分別串聯(lián)的繼電器常開觸點和電容，各電容與零線連接，整體構(gòu)成三相四線連接方式；每個常開觸點上均并聯(lián)一個可控硅，可控硅的控制端與過零觸發(fā)電路連接。
文檔編號H02J3/01GK202435037SQ20122001667
公開日2012年9月12日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者姜常偉 申請人:范永剛