專利名稱：異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及開關(guān)電源電磁干擾技術(shù)，特別是一種異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器。
背景技術(shù)：
電磁干擾是開關(guān)電源設(shè)計(jì)需要關(guān)注的一個(gè)問題。對(duì)于常用的PWM控制方式的變換器而言，輻射的峰值一般出現(xiàn)在變換器的基礎(chǔ)開關(guān)頻率處，各個(gè)高次諧波上的輻射強(qiáng)度逐漸降低，大部分輻射能量只限于基波和較低次的諧波。為了減少電磁干擾，首先考慮的是抑制噪聲源的能量，其方法之一在于改變開關(guān)頻率，也即對(duì)開關(guān)頻率進(jìn)行調(diào)制，擴(kuò)展開關(guān)頻率處得頻譜，從而降低輻射能量。根據(jù)隨機(jī)信號(hào)理論，當(dāng)頻率抖動(dòng)技術(shù)被使用時(shí)，其調(diào)制方法中所存在的周期性的規(guī)律，必然會(huì)反映至系統(tǒng)中的某些電氣量中，使這些電氣量的頻譜受到該周期性規(guī)律的影響，包含了相應(yīng)的離散譜。隨機(jī)調(diào)制技術(shù)的應(yīng)用，則使系統(tǒng)某些電氣量的頻譜受到隨機(jī)調(diào)制規(guī)律的影響。由于隨機(jī)算法是均勻分布規(guī)律，則在頻率的變化范圍內(nèi)， 任何一個(gè)新頻率的發(fā)生概率都是相等的，且生成的每個(gè)頻率之間幾乎沒有相關(guān)性，因此這種調(diào)制方式所對(duì)應(yīng)的離散譜成份會(huì)被明顯削弱，這就是本發(fā)明相對(duì)于其他偽隨機(jī)抖頻振蕩器的區(qū)別之處。。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種新穎的異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器，通過隨機(jī)變化振蕩器頻率及其變化時(shí)間間隔，使頻率產(chǎn)生抖動(dòng)，擴(kuò)展頻譜，從而最大有效的降低開關(guān)電源中電磁干擾。本發(fā)明的目的是通過下述技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。一種異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器，用于使電源管理芯片中的振蕩器在頻率變化的間隔時(shí)間變化的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)頻率變化按偽隨機(jī)方式抖動(dòng)，包括振蕩器，用以輸出受調(diào)制的脈沖序列；可變電流源網(wǎng)絡(luò)，用以為振蕩器提供可變電流，按發(fā)明要求改變?chǔ)?I1，使Ici與AI1 的和按發(fā)明要求變化，從而改變電容C的充放電電流大小，實(shí)現(xiàn)如發(fā)明要求的頻率變化；自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器，用以產(chǎn)生偽隨機(jī)序列控制可變電流源網(wǎng)絡(luò)的電流值， 控制電容充放電電流值，實(shí)現(xiàn)振蕩器頻率偽隨機(jī)變化，頻率變化的時(shí)間間隔也按偽隨機(jī)方式變化；隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器，用以產(chǎn)生偽隨機(jī)時(shí)鐘作為自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器的觸發(fā)時(shí)鐘，實(shí)現(xiàn)頻率變化的時(shí)間間隔也按偽隨機(jī)方式變化；分頻器，用以為隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器提供時(shí)鐘信號(hào)；所述可變電流源網(wǎng)絡(luò)與振蕩器相連，振蕩器與分頻電路相連，分頻電路依次與隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器、自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器相連，自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器再與可變電流源網(wǎng)絡(luò)相連構(gòu)成一個(gè)閉合回路。
本發(fā)明進(jìn)一步的特征在于所述振蕩器包括與電流源相并聯(lián)的MOS管Ml M5，以及在MOS管M3與MOS管M5 間串接的開關(guān)Ka和開關(guān)Kb ；振蕩器還包括并聯(lián)連接在MOS管M5、開關(guān)Ka和開關(guān)Kb節(jié)點(diǎn)上的電容C、開關(guān)Ka和開關(guān)Kb節(jié)點(diǎn)上的兩個(gè)比較器、兩個(gè)與非門以及兩個(gè)反相器。引入了開關(guān)Ka，Kb,反相器使電容C在充放電間切換。所述MOS 管 Ml M5 中，MOS 管 Ml、M2、M3 管為 PMOS 管，MOS 管 M4、M5 管為 NMOS 管；所述MOS管Ml、M2、M3的源端接VDD，MOS管M2、M3的柵極、MOS管Ml的柵端及其漏端接電流源和可變電流源網(wǎng)絡(luò)；電流源和可變電流源網(wǎng)絡(luò)另一端接地；MOS管M2的漏端、MOS 管M5的柵端接MOS管M4的柵端和漏端；MOS管M3的漏端接開關(guān)Kb，M0S管M5的漏端接開關(guān)Ka ；MOS管M4、M5的源端接地；第二反相器輸出接開關(guān)Ka，控制Ka開關(guān)狀態(tài)；第二反相器輸出接第一反相器輸入；第一反相器輸出接開關(guān)Kb，控制Kb開關(guān)狀態(tài)。引入了 Ml M5，為振蕩器提供充放比固定的電流。所述電容C并聯(lián)連接在MOS管M5接地端與開關(guān)Ka和開關(guān)Kb節(jié)點(diǎn)之間。所述兩個(gè)比較器相并聯(lián)后再串聯(lián)在開關(guān)Ka和開關(guān)Kb節(jié)點(diǎn)上；所述與兩個(gè)與非門分別與兩個(gè)比較器串聯(lián)，再并聯(lián)后其輸出端與第二反相器相連。引入了比較器、與非門，反相器的作用使電容C的鋸齒波經(jīng)過處理后變成方波。所述隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器由三個(gè)相互串聯(lián)連接的移位寄存器和三個(gè)分別與各個(gè)移位寄存器相連接的反饋電路組成。所述自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器由四個(gè)相互串聯(lián)連接的移位寄存器和分別與各個(gè)移位寄存器相連接的反饋電路組成。所述可變電流源網(wǎng)絡(luò)包括四個(gè)分別與電流源相并聯(lián)連接的開關(guān)& 1(3開關(guān)，電流源幅值分別為ZciXU1XU2XI1J3XIiq本發(fā)明在傳統(tǒng)振蕩器中加入了可變電流源網(wǎng)絡(luò)、電流源(產(chǎn)生電流Itl)、分頻器、隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器、自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器。電流源Itl是振蕩頻率的基礎(chǔ)電流源，且 (20X Ip1X Ip2X Ip3X I1)的和遠(yuǎn)小于電流源I0, 一般為電流源I0的4% 7%。電流源 Itl和可變電流源網(wǎng)絡(luò)共同影響振蕩器的充放電電流，通過改變可變電流源網(wǎng)絡(luò)的開關(guān)(Κο， K1, K2, K3)的斷開與閉合，從而改變振蕩器電容C的充放電電流，使振蕩器頻率在一定范圍內(nèi)變化。而可變電流源網(wǎng)絡(luò)開關(guān)的斷開與閉合的狀態(tài)及變化時(shí)間，受自啟動(dòng)序列發(fā)生器、隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器與分頻器的控制，此點(diǎn)也是本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)抖頻振蕩器不同，傳統(tǒng)抖頻振蕩器的頻率變化有的是周期性，也有隨機(jī)的，但他們的頻率變化的時(shí)間間隔都是固定的，這無異于在頻譜中引入一固定的頻率分量，從而加大電磁輻射。發(fā)明中的自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器的狀態(tài)變化受隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器觸發(fā)，這樣以來自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器狀態(tài)改變的時(shí)間也是隨機(jī)變化的，即頻率變化的大小是隨機(jī)的，同時(shí)頻率產(chǎn)生變化的時(shí)刻也是隨機(jī)的， 這樣的結(jié)果就使這種變化盡量接近偽隨機(jī)噪聲，從而降低電磁輻射。本發(fā)明異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器具有下述特點(diǎn)本發(fā)明用于使電源管理芯片中的振蕩器在頻率變化間隔時(shí)間變化的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)頻率變化按偽隨機(jī)方式抖動(dòng)，模擬偽隨機(jī)噪聲，避免了傳統(tǒng)抖頻振蕩器在調(diào)制抖頻過程中引入新的頻率分量，從而大大降低電磁輻射，從而降低電磁輻射，滿足開關(guān)電源環(huán)測(cè)需求。與傳統(tǒng)固定頻率的振蕩器或傳統(tǒng)抖頻電路相比，EMI影響得到有效地抑制。該異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩電路適用于所有的PS系列AC-DC (交流到直流)的隔離或非隔離的開關(guān)電源控制器。


圖1是設(shè)計(jì)的頻率抖動(dòng)受偽隨機(jī)序列控制的振蕩器電路圖。圖2是隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器電路圖。圖3是自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器電路圖。圖4是可變電流源網(wǎng)絡(luò)。圖5是偽隨機(jī)序列控制引起的振蕩器頻率變化曲線。圖6是傳統(tǒng)振蕩器的頻譜圖。圖7是采用圖1設(shè)計(jì)的振蕩器頻譜圖。圖中101、第一反相器；102、第一比較器；103、第一與非門；104、第二反相器； 105、第二與非門；106、第二比較器；107、分頻器；108、隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器；109、自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器；110、可變電流源網(wǎng)絡(luò)；111、電流源；112、振蕩器；201、202、203移位寄存器； 204、205、206、反饋電路或非門；301、302、303、304、移位寄存器；305、306、307、反饋電路或非門。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。參閱圖1，是本發(fā)明的主電路的具體實(shí)施電路。本發(fā)明異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器引人了 MOS管Ml M5，電容C，電流源111，開關(guān)Ka，Kb，第一反相器101和第二反相器 104，第一比較器102和第二比較器106，第一與非門103和第二與非門105，分頻電路107， 隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器108，自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器109以及可變電流源網(wǎng)絡(luò)110。其中，振蕩器112，用以輸出受調(diào)制的脈沖序列；可變電流源網(wǎng)絡(luò)110，用以為振蕩器提供可變電流，從而改變振蕩器電容C的充放電電流大?。蛔詥?dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器109，用以產(chǎn)生偽隨機(jī)序列控制可變電流源網(wǎng)絡(luò)110的電流值；隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器108，用以產(chǎn)生偽隨機(jī)時(shí)鐘作為自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器109的觸發(fā)時(shí)鐘；分頻器107，用以為隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器108提供時(shí)鐘信號(hào)；可變電流源網(wǎng)絡(luò)110和電流源111相并聯(lián)后與振蕩器112相連，其中，電流源111產(chǎn)生電流Itl,可變電流源網(wǎng)絡(luò)110產(chǎn)生一個(gè)電流Δ I1,振蕩器112與分頻電路107相連，分頻電路107依次與隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器108、自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器109相連，自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器109再與可變電流源網(wǎng)絡(luò)110相連構(gòu)成一個(gè)閉合回路。振蕩器112包括與電流源111相并聯(lián)的MOS管Ml Μ5，以及在MOS管Μ3與MOS 管Μ5間串接的開關(guān)Ka和開關(guān)Kb ；振蕩器112還包括并聯(lián)連接在MOS管Μ5、開關(guān)Ka和開關(guān) Kb節(jié)點(diǎn)上的電容C、開關(guān)Ka和開關(guān)Kb節(jié)點(diǎn)上的第一比較器102和第二比較器106、第一與非門103和第二與非門105以及第一反相器101和第二反相器104。其中，MOS管 Ml Μ5 中，MOS 管 Μ1、Μ2、Μ3 管為 PMOS 管，MOS 管 Μ4、Μ5 管為 NMOS 管；所述MOS管Ml、Μ2、Μ3的源端接VDD，MOS管M2、M3的柵極、MOS管Ml的柵端及其漏端接電流源111和可變電流源網(wǎng)絡(luò)110 ；電流源111和可變電流源網(wǎng)絡(luò)110另一端接地；MOS 管M2的漏端，MOS管M5的柵端接MOS管M4的柵端和漏端；MOS管M3的漏端接開關(guān)Kb，MOS管M5的漏端接開關(guān)Ka ；MOS管M4、M5的源端接地；第二反相器104輸出接開關(guān)Ka，控制Ka 開關(guān)狀態(tài)；反相器104輸出接第一反相器101輸入；第一反相器101輸出接開關(guān)Kb，控制Kb 開關(guān)狀態(tài)。電容C并聯(lián)連接在MOS管M5接地端與開關(guān)Ka和開關(guān)Kb的節(jié)點(diǎn)之間。第一比較器102和第二比較器106相并聯(lián)后再串聯(lián)在開關(guān)Ka和開關(guān)Kb節(jié)點(diǎn)上； 所述與第一非門103和第二與非門105分別與第一比較器102和第二比較器106串聯(lián)，再并聯(lián)后，其輸出端與第二反相器104相連。電容C的電壓在電流影響下升高或降低，形成鋸齒波。鋸齒波電壓在通過兩個(gè)比較器第一比較器102、第二比較器106和由兩個(gè)與非門第一與非門103、第二與非門105組成的觸發(fā)器處理后變成方波信號(hào)。方波信號(hào)控制Ka，Kb開關(guān)的交替的斷開與閉合，改變振蕩器電容的充放電狀態(tài)。同時(shí)方波信號(hào)經(jīng)過分頻器107后將分頻后的方波信號(hào)送入隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器108，經(jīng)隨機(jī)發(fā)生器108處理后的隨機(jī)時(shí)鐘信號(hào)作為自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器109 的觸發(fā)信號(hào)，觸發(fā)偽隨機(jī)序列發(fā)生器109，產(chǎn)生變換趨勢(shì)和變換時(shí)間間隔都隨機(jī)變化的偽隨機(jī)序列。參閱圖2，是本發(fā)明的是隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器具體實(shí)施電路，隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器108由三個(gè)相互串聯(lián)連接的移位寄存器和三個(gè)分別與各個(gè)移位寄存器相連接的反饋電路組成。移位寄存器FO 201的輸出QO接移位寄存器Fl 202的輸入Dl，移位寄存器Fl 202的輸出Ql接移位寄存器F2 203的輸入D2，移位寄存器F2 203的輸出Q2和移位寄存器Fl 202的輸出 Ql經(jīng)過反饋電路或非門204異或后與三個(gè)移位寄存器201、202、203的輸出Q0，Q1，Q2在經(jīng)過反饋電路或非門205的或非通過反饋電路或非門206或門做或運(yùn)算。結(jié)果送入移位寄存器FO 201的輸入DO。移位寄存器的時(shí)鐘elk由振蕩器方波的16分頻提供。圖中移位寄存器FO 201的輸出QO即CLKQ，作為自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器的時(shí)鐘信號(hào)。參閱圖3是自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器的具體實(shí)施電路，自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器 109由四個(gè)相互串聯(lián)連接的移位寄存器和分別與各個(gè)移位寄存器相連接的反饋電路組成。移位寄存器FO 301的輸出QO接移位寄存器Fl 302的輸入Dl，移位寄存器Fl 302 的輸出Ql接移位寄存器F2 303的輸入D2，移位寄存器F2 303的輸出Q2接移位寄存器F3 304的輸入D3，移位寄存器F3 304的輸出Q3和移位寄存器F2 303的輸出Q2通過反饋電路或非門305異或后與四個(gè)移位寄存器的輸出通過反饋電路或非門306的或非結(jié)果通過反饋電路或非門或門307做或運(yùn)算。結(jié)果送入移位寄存器FO 301的輸入DO。移位寄存器的時(shí)鐘elk由隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器108的輸出CLKQ提供。圖中移位寄存器FO 301，移位寄存器 Fl 302，移位寄存器F2 303，移位寄存器F3 304的Q0，Ql，Q2，Q3作為控制電流源網(wǎng)絡(luò)110 開關(guān)K0，K1，K2，K3的控制電平。 參閱圖4，是本發(fā)明中可變電流源網(wǎng)絡(luò)的具體實(shí)施圖?？勺冸娏髟淳W(wǎng)絡(luò)110包括四個(gè)分別與電流源111相并聯(lián)連接的開關(guān)Ko K3開關(guān)，電流源111幅值分別為^Xiy1X I1, 22XII;23XI10 K0 K3是開關(guān)網(wǎng)絡(luò)，其中，2°X L+21 X I^2X I^3X I1的和遠(yuǎn)小于電流源 I0 ；開關(guān)下方是對(duì)應(yīng)的電流源111，電流源111的幅值按BCD碼加權(quán)。開關(guān)的斷開，閉合，受偽隨機(jī)序列發(fā)生器109控制。當(dāng)開關(guān)閉合時(shí)相應(yīng)的電流源電流進(jìn)入充放電回路，改變充放電電流大小。下面通過設(shè)計(jì)參數(shù)的計(jì)算公式來進(jìn)一步說明本發(fā)明。1.頻率抖動(dòng)范圍的確定
左側(cè)電流源網(wǎng)絡(luò)開關(guān)全部斷開時(shí)，充電電流，放電電流最小(充電電流只有Itl),振 蕩器的頻率最小，設(shè)為も。圖1中左側(cè)電流源網(wǎng)絡(luò)開關(guān)全部閉合吋，充電電流，放電電流最大(充電電流為Iq 與左側(cè)電流源網(wǎng)絡(luò)全部電流的和)，振蕩器的頻率也最大，設(shè)為レ設(shè)計(jì)最大振蕩器頻率與 最小振蕩器頻率的差為最小振蕩器頻率的4%，確定頻率抖動(dòng)范圍。即
權(quán)利要求
1.一種異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器，其特征在于，用于使電源管理芯片中的振蕩器在頻率變化的間隔時(shí)間變化的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)頻率變化按偽隨機(jī)方式抖動(dòng)，包括振蕩器(112)，用以輸出受調(diào)制的脈沖序列；可變電流源網(wǎng)絡(luò)(110)，用以為振蕩器提供可變電流，從而改變振蕩器電容C的充放電電流大小；自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器(109)，用以產(chǎn)生偽隨機(jī)序列控制可變電流源網(wǎng)絡(luò)(110)的電流值；隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器(108)，用以產(chǎn)生偽隨機(jī)時(shí)鐘作為自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器(109)的觸發(fā)時(shí)鐘；分頻器(107)，用以為隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器(108)提供時(shí)鐘信號(hào)；所述可變電流源網(wǎng)絡(luò)(110)與振蕩器(112)相連，振蕩器(112)與分頻電路(107)相連，分頻電路依次與隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器(108)、自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器(109)相連，自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器(109)再與可變電流源網(wǎng)絡(luò)(110)相連構(gòu)成一個(gè)閉合回路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器，其特征在于，所述振蕩器 (112)包括電流源(111)、及與電流源(111)相并聯(lián)的MOS管Ml M5，以及在MOS管M3與 MOS管M5間串接的開關(guān)Ka和開關(guān)Kb ；振蕩器(112)還包括并聯(lián)連接在MOS管M5、開關(guān)Ka 和開關(guān)Kb節(jié)點(diǎn)上的電容C、開關(guān)Ka和開關(guān)Kb節(jié)點(diǎn)上的第一比較器(102)和第二比較器 (106)、第一與非門(10 和第二與非門(10 以及第一反相器(101)和第二反相器(104)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器，其特征在于，所述MOS管 Ml M5 中，MOS 管 M1、M2、M3 管為 PMOS 管，MOS 管 M4、M5 管為 NMOS 管；所述 MOS 管 M1、M2、 M3的源端接VDD，MOS管M2、M3的柵極、MOS管Ml的柵端及其漏端接電流源(111)和可變電流源網(wǎng)絡(luò)(110)；電流源(111)和可變電流源網(wǎng)絡(luò)(110)另一端接地；所述MOS管M2的漏端、MOS管M5的柵端接MOS管M4的柵端和漏端；所述MOS管M3的漏端接開關(guān)Kb，MOS管 M5的漏端接開關(guān)Ka ；MOS管M4、M5的源端接地；所述第二反相器(104)輸出接開關(guān)Ka，控制Ka開關(guān)狀態(tài)；所述第二反相器(104)輸出接第一反相器(101)輸入；第一反相器(101) 輸出接開關(guān)Kb，控制Kb開關(guān)狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器，其特征在于，所述電容 C并聯(lián)連接在MOS管M5接地端與開關(guān)Ka和開關(guān)Kb節(jié)點(diǎn)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器，其特征在于，所述第一比較器(102)和第二比較器(106)相并聯(lián)后再串聯(lián)在開關(guān)Ka和開關(guān)Kb節(jié)點(diǎn)上；所述第一與非門(103)和第二與非門(105)分別與第一比較器(102)和第二比較器(106)串聯(lián)，再并聯(lián)后其輸出端與第二反相器(104)相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器，其特征在于，所述隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器(108)由三個(gè)相互串聯(lián)連接的移位寄存器和三個(gè)分別與各個(gè)移位寄存器相連接的反饋電路組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器，其特征在于，所述自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器(109)由四個(gè)相互串聯(lián)連接的移位寄存器和分別與各個(gè)移位寄存器相連接的反饋電路組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器，其特征在于，所述可變電流源網(wǎng)絡(luò)(Iio)包括四個(gè)分別與電流源(111)相并聯(lián)連接的開關(guān)K。 K3開關(guān)，電流源(111) 幅值分別為 ZciXU1XU2XI1J3XIiq
全文摘要
本發(fā)明公開了一種異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩器，該振蕩器的可變電流源網(wǎng)絡(luò)和電流源相并聯(lián)后與振蕩器相連，振蕩器與分頻電路相連，分頻電路依次與隨機(jī)時(shí)鐘發(fā)生器、自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器相連，自啟動(dòng)偽隨機(jī)序列發(fā)生器再與可變電流源網(wǎng)絡(luò)相連構(gòu)成一個(gè)閉合回路。本發(fā)明用于使電源管理芯片中的振蕩器在頻率變化間隔時(shí)間變化的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)頻率變化按偽隨機(jī)方式抖動(dòng)，模擬偽隨機(jī)噪聲，避免了傳統(tǒng)抖頻振蕩器在調(diào)制抖頻過程中引入新的頻率分量，從而大大降低電磁輻射，從而降低電磁輻射，滿足開關(guān)電源環(huán)測(cè)需求。該異形偽隨機(jī)序列控制抖頻振蕩電路適用于所有的PS系列AC-DC(交流到直流)的隔離或非隔離的開關(guān)電源控制器。
文檔編號(hào)H02M1/44GK102361396SQ20111025904
公開日2012年2月22日 申請(qǐng)日期2011年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月2日
發(fā)明者孟智凱, 李萌, 祁玉林 申請(qǐng)人:陜西源能微電子有限公司