專利名稱：一種推挽變換器及推挽拓?fù)鋖ed驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于照明電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種推挽變換器及推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的推挽變換器包括一個(gè)高頻推挽變壓器Tl、開(kāi)關(guān)管Ql和開(kāi)關(guān)管Q2，另外，還包括由電容Cl、電阻Rl、二極管Dl和電容C2、電阻R2、二極管D2分別組成的兩個(gè)RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)，用以減小開(kāi)關(guān)管關(guān)斷瞬間高頻推挽變壓器Tl漏感造成的電壓尖峰。但是，現(xiàn)有的推挽變換器的RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)會(huì)將高頻推挽變壓器Tl漏感儲(chǔ)存的能量通過(guò)阻尼振蕩的方式消耗掉，使得電源整體的電氣效率較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種推挽變換器，旨在解決現(xiàn)有的推挽變換器中的 RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)存在會(huì)將高頻推挽變壓器漏感儲(chǔ)存的能量通過(guò)阻尼振蕩的方式消耗掉，使得電源整體的電氣效率較低的問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種推挽變換器，所述推挽變換器包括MOS管Q1、 MOS管Q2和高頻推挽變壓器，所述高頻推挽變壓器的初級(jí)繞組的第一端和第三端分別接 MOS管Ql的漏極和MOS管Q2的漏極，所述MOS管Ql的源極和MOS管Q2的源極分別接地， 所述高頻推挽變壓器的初級(jí)繞組的第二端接電源輸入端，所述推挽變換器還包括分別與所述MOS管Ql的漏極、MOS管Q2的漏極以及電源輸入端連接，用于去掉高頻推挽變壓器在MOS管Ql或MOS管Q2關(guān)斷瞬間時(shí)產(chǎn)生的漏感尖峰的漏感尖峰鉗位電路。本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提供一種推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動(dòng)電路，所述推挽拓?fù)?LED驅(qū)動(dòng)電路包括如上述的推挽變換器、整流電路、濾波電感以及恒流芯片，所述高頻推挽變壓器的次級(jí)繞組的第一端和第三端分別接整流電路的輸入端，所述整流電路的輸出端通過(guò)濾波電感接恒流芯片的輸入端，所述恒流芯片的輸出端接LED負(fù)載的陽(yáng)極，所述高頻推挽變壓器的次級(jí)繞組的第二端接地。在本發(fā)明實(shí)施例中，推挽變換器能有效去掉高頻推挽變壓器在MOS管Ql或MOS管 Q2關(guān)斷瞬間時(shí)產(chǎn)生的漏感尖峰，同時(shí)將高頻推挽變壓器漏感儲(chǔ)存的能量反饋到輸入電源， 相比傳統(tǒng)的RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)，其電氣效率更高，并且成本也更低。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的推挽變換器的結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的MOS管Ql、MOS管Q2和MOS管Q3的驅(qū)動(dòng)波形圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的推挽變換器的結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。推挽變換器包括MOS管Q1、M0S管Q2和高頻推挽變壓器Tl，高頻推挽變壓器Tl的初級(jí)繞組的第一端1和第三端3分別接MOS管Ql的漏極和MOS管Q2的漏極，MOS管Ql的源極和MOS管Q2的源極分別接地，高頻推挽變壓器Tl的初級(jí)繞組的第二端2接電源輸入端Vin，推挽變換器還包括分別與MOS管Ql的漏極、MOS管Q2的漏極以及電源輸入端Vin連接，用于去掉高頻推挽變壓器Tl在MOS管Ql或MOS管Q2關(guān)斷瞬間時(shí)產(chǎn)生的漏感尖峰的漏感尖峰鉗位電路10。作為本發(fā)明一實(shí)施例，漏感尖峰鉗位電路10包括二極管 D1、二極管 D2 和 MOS 管 Q3 ；二極管Dl的陽(yáng)極接MOS管Ql的漏極，二極管Dl的陰極接二極管D2的陰極，二極管D2的陽(yáng)極接MOS管Q2的漏極，MOS管Q3的漏極同時(shí)接二極管Dl和二極管D2的陰極， MOS管Q3的源極接電源輸入端Vin。作為本發(fā)明一實(shí)施例，推挽變換器還包括驅(qū)動(dòng)芯片U1，驅(qū)動(dòng)芯片Ul的三個(gè)輸出端分別接MOS管Ql、MOS管Q2和MOS管Q3的柵極。圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的MOS管Q1、M0S管Q2和MOS管Q3的驅(qū)動(dòng)波形圖。圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)，為了便于說(shuō)明，僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。本發(fā)明實(shí)施例還提供一推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動(dòng)電路，推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動(dòng)電路包括上述的推挽變換器、整流電路20、濾波電感Ll以及恒流芯片U2，高頻推挽變壓器Tl的次級(jí)繞組的第一端1和第三端3分別接整流電路20的輸入端，整流電路20的輸出端通過(guò)濾波電感 Ll接恒流芯片U2的輸入端，恒流芯片U2的輸出端接LED負(fù)載的陽(yáng)極，高頻推挽變壓器Tl 的次級(jí)繞組的第二端2接地。其工作原理為在MOS管Ql或MOS管Q2導(dǎo)通時(shí)，能量由高頻推挽變壓器Tl的初級(jí)耦合到次級(jí)， 當(dāng)MOS管Ql柵極信號(hào)由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，此時(shí)MOS管Q2也還截止，即死區(qū)處MOS管 QU MOS管Q2都不導(dǎo)通，高頻推挽變壓器Tl初級(jí)上半部分由于和次級(jí)耦合的原因，能量?jī)H在MOS管Ql導(dǎo)通時(shí)向次級(jí)傳遞能量，到MOS管Ql截止時(shí)，高頻推挽變壓器Tl初級(jí)上半部分上端的電位已恢復(fù)到輸入電壓；隨著MOS管Ql由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止，由于流過(guò)電感的電流不能突變，那么高頻推挽變壓器Tl初級(jí)繞組兩端勢(shì)必會(huì)產(chǎn)生很高的反向電動(dòng)勢(shì)來(lái)阻礙電流的減??；由于高頻推挽變壓器Tl的初級(jí)繞組產(chǎn)生的磁力線有一部門(mén)沒(méi)有經(jīng)過(guò)磁芯耦合到次級(jí)繞組，而是直接經(jīng)空氣返回到初級(jí)繞組，這部門(mén)磁力線就是漏磁，即變壓器的漏感；MOS 管Ql關(guān)斷時(shí)由漏感產(chǎn)生的反向電動(dòng)勢(shì)由于沒(méi)有耦合到次級(jí)，將會(huì)施加到MOS管Ql和MOS管 Q2上，如果MOS管Ql和MOS管Q2未加保護(hù)就勢(shì)必會(huì)被高壓擊穿損壞，本發(fā)明如圖3所示， 在MOS管Ql和MOS管Q2的漏極和電源正極之間加入了一個(gè)二極管D1、二極管D2和MOS管Q3，這樣在MOS管Ql或MOS管Q2關(guān)斷瞬間讓MOS管Q3導(dǎo)通，就可以將MOS管Ql或MOS管 Q2的漏極電壓鉗制在輸入電壓上(二極管和MOS管的導(dǎo)通壓降很低，可忽略)，避免了 MOS 管Ql，MOS管Q2由于高壓而被擊穿，這就是二極管D1、二極管D2和MOS管Q3組成的漏感尖峰鉗位電路所起的鉗位作用；同時(shí)漏感儲(chǔ)存的能量又被回饋到輸入電源，減小了電路本身的損耗。在本發(fā)明實(shí)施例中，推挽變換器能有效去掉高頻推挽變壓器在MOS管Ql或MOS管 Q2關(guān)斷瞬間時(shí)產(chǎn)生的漏感尖峰，同時(shí)將高頻推挽變壓器漏感儲(chǔ)存的能量反饋到輸入電源， 相比傳統(tǒng)的RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)，其電氣效率更高，并且成本也更低。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種推挽變換器，所述推挽變換器包括MOS管Ql、MOS管Q2和高頻推挽變壓器，所述高頻推挽變壓器的初級(jí)繞組的第一端和第三端分別接MOS管Ql的漏極和MOS管Q2的漏極，所述MOS管Ql的源極和MOS管Q2的源極分別接地，所述高頻推挽變壓器的初級(jí)繞組的第二端接電源輸入端，其特征在于，所述推挽變換器還包括分別與所述MOS管Ql的漏極、MOS管Q2的漏極以及電源輸入端連接，用于去掉高頻推挽變壓器在MOS管Ql或MOS管Q2關(guān)斷瞬間時(shí)產(chǎn)生的漏感尖峰的漏感尖峰鉗位電路。
2.如權(quán)利要求1所述的推挽變換器，其特征在于，所述漏感尖峰鉗位電路包括二極管Dl、二極管D2和MOS管Q3 ；所述二極管Dl的陽(yáng)極接MOS管Ql的漏極，所述二極管Dl的陰極接二極管D2的陰極， 所述二極管D2的陽(yáng)極接MOS管Q2的漏極，所述MOS管Q3的漏極同時(shí)接二極管Dl和二極管D2的陰極，所述MOS管Q3的源極接電源輸入端。
3.如權(quán)利要求2所述的推挽變換器，其特征在于，所述推挽變換器還包括驅(qū)動(dòng)芯片，所述驅(qū)動(dòng)芯片的三個(gè)輸出端分別接MOS管Ql、MOS管Q2和MOS管Q3的柵極。
4.一種推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動(dòng)電路包括如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的推挽變換器、整流電路、濾波電感以及恒流芯片，所述高頻推挽變壓器的次級(jí)繞組的第一端和第三端分別接整流電路的輸入端，所述整流電路的輸出端通過(guò)濾波電感接恒流芯片的輸入端，所述恒流芯片的輸出端接LED負(fù)載的陽(yáng)極，所述高頻推挽變壓器的次級(jí)繞組的第二端接地。
全文摘要
本發(fā)明適用于照明電路技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種推挽變換器及推挽拓?fù)銵ED驅(qū)動(dòng)電路。在本發(fā)明中，推挽變換器能有效去掉高頻推挽變壓器在MOS管Q1或MOS管Q2關(guān)斷瞬間時(shí)產(chǎn)生的漏感尖峰，同時(shí)將高頻推挽變壓器漏感儲(chǔ)存的能量反饋到輸入電源，相比傳統(tǒng)的RCD緩沖網(wǎng)絡(luò)，其電氣效率更高，并且成本也更低。
文檔編號(hào)H02M7/48GK102480242SQ20101056446
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月26日
發(fā)明者周明杰, 邵賢輝 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司