專利名稱:用于電源開關(guān)轉(zhuǎn)換器的電流控制模式的電流感應(yīng)器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及單片電流感應(yīng)器,特別涉及感應(yīng)和控制流經(jīng)功率晶
體管的電流。
背景技術(shù):
許多便攜式設(shè)備和電子系統(tǒng)都需要一個(gè)穩(wěn)定電源。裝置可能對(duì) 電源電壓變化比較敏感,所以提供一個(gè)穩(wěn)定的電源電壓顯得非常重要。但 是,當(dāng)內(nèi)部晶體管被打開和關(guān)閉時(shí),裝置從電源汲取的電流量可能是變化 的。這種電流變化使得提供一個(gè)恒定的電源電壓變得非常困難。當(dāng)裝置突 然吸收大量電流時(shí),電源電壓可能下降到危險(xiǎn)的低水平,從而可能導(dǎo)致存 儲(chǔ)失調(diào)或邏輯錯(cuò)誤。在大型系統(tǒng)里的一個(gè)單片電源轉(zhuǎn)換器(power converter)芯片 或模塊可能有一個(gè)較大的功率晶體管,其可被用來(lái)驅(qū)動(dòng)電流經(jīng)過(guò)電感器 (indiictor)。電感器使功率晶體管提供的強(qiáng)電流變化變得平穩(wěn),并且額外 的濾波電容器存儲(chǔ)電荷以協(xié)助平穩(wěn)電源電壓。但是,功率晶體管需要被打 開和關(guān)閉以恢復(fù)濾波電容器上的電荷,從而保持期望的電源電壓。電源電壓可以被感應(yīng)到,并與目標(biāo)電壓進(jìn)行比較。但是,測(cè)量 經(jīng)過(guò)功率晶體管或電感器的電流可以提供更迅速的反饋,并且更好地控制 電源電流。有多個(gè)反饋源,如電源電壓和供電電流可以提供異??焖俚姆?應(yīng)時(shí)間,如微秒反應(yīng)速度而不是毫秒反應(yīng)速度。期望能有一個(gè)功率-電流感應(yīng)器和控制電路。期望有一個(gè)功率 控制電路能夠迅速地感應(yīng)供電電流,并調(diào)整功率晶體管以保持一個(gè)穩(wěn)定電 源。
圖1是一個(gè)功率控制電路的模塊9
圖2顯示在狀態(tài)Sl期間電流感應(yīng)和控制電路的運(yùn)作;
圖3顯示在狀態(tài)S2期間電流感應(yīng)和控制電路的運(yùn)作;
圖4是圖1-3電流感應(yīng)和控制電路運(yùn)作的時(shí)序圖;
圖5A、 B顯示一個(gè)放大器的實(shí)施例;
圖6是電流感應(yīng)和控制電路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)圖;
圖7是使用采樣-保持電容器用于均衡電壓的另一個(gè)實(shí)施例;
圖8是使用n-通道傳感晶體管的另一個(gè)實(shí)施例;
圖9是使用一個(gè)偏移到放大器的另一個(gè)實(shí)施例。 發(fā)明詳述本發(fā)明涉及功率轉(zhuǎn)換器的改善。以下描述使本領(lǐng)域技術(shù)人員能 夠制作和使用特別實(shí)施及其要求的上下文里提供的本發(fā)明。優(yōu)選實(shí)施例的 各種修改對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的,在此定義的普通原理可 以應(yīng)用到其它實(shí)施例。所以,本發(fā)明不是意在受限于所示和所述的特別實(shí) 施例,而是與在此披露的原理和新穎特征一致的最廣范圍。圖1是一個(gè)功率控制電路的模塊圖。輸入電壓VIN可以是一個(gè) 未被調(diào)節(jié)的或一個(gè)已經(jīng)調(diào)節(jié)的電壓,其可以提供一個(gè)強(qiáng)電流,如100mA、 600mA或其它值。 一些便攜式裝置可能需要一個(gè)更低的電流,如lmA,但 仍然可以使用此功率控制電路。輸入電壓VIN被施加到p-通道功率晶體管130,其在—l激活 時(shí)(—1,為低)開啟并傳導(dǎo)一個(gè)供電電流。功率晶體管130在狀態(tài)S1期 間開啟,并且供電電流經(jīng)過(guò)電感器80,然后由功率電容器74和電阻器76濾波。可以替換不同的濾波網(wǎng)絡(luò)。在電感器80的右側(cè)獲得一個(gè)被調(diào)節(jié)的電 源電壓VDD。調(diào)節(jié)的電源電壓VDD被電阻器78、 82分配,而產(chǎn)生一個(gè)電壓 到電壓感應(yīng)放大器72的反相輸入,電壓感應(yīng)放大器72在其正相輸入上也 接收一個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF。電壓感應(yīng)放大器72可以是一個(gè)運(yùn)算放大器(op amp)或其它類型的放大器或運(yùn)算半導(dǎo)體放大器(OTA),其產(chǎn)生一個(gè)誤差 電壓,誤差電壓是輸入電壓差乘以一個(gè)增益。電容器68平滑或時(shí)間平均電 壓感應(yīng)放大器72的放大輸出,其輸出被施加到脈寬調(diào)制(PWM)比較器 66的反相輸入。 PWM比較器66的正相輸入接收一個(gè)補(bǔ)償斜坡信號(hào) RAMP—COMP,其是通過(guò)感應(yīng)供電電流而產(chǎn)生的。設(shè)置-重置SR鎖存器 64是由時(shí)鐘CLK周期性地設(shè)置,并由PWM比較器64的輸出進(jìn)行重置。時(shí)鐘產(chǎn)生器50產(chǎn)生四個(gè)時(shí)鐘信號(hào)—1、 —2、 —3、 —4,它們確 定兩個(gè)狀態(tài)Sl、 S2。在狀態(tài)Sl期間,—1激活,功率晶體管130開啟, 驅(qū)動(dòng)電流經(jīng)過(guò)電感器80至VDD。在狀態(tài)S2期間,—1未激活,功率晶體 管130關(guān)閉,但—4激活,n-通道吸入電流晶體管(sinktransistor) 79被開 啟,功率晶體管130和電感器80之間節(jié)點(diǎn)上的電壓VY被放電。電壓VY 和經(jīng)過(guò)電感器80的電流可以通過(guò)輪流開啟和關(guān)閉晶體管130、70而迅速地 進(jìn)行調(diào)整。在狀態(tài)Sl、 S2上花費(fèi)的時(shí)間比率可以通過(guò)控制SR鎖存器64 的輸入而進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)VDD很低時(shí),如VDD,R82/(R78+R82)低于VREF,
電壓感應(yīng)放大器72驅(qū)動(dòng)一個(gè)較高電壓到PWM比較器66,需要一個(gè)較長(zhǎng) 的時(shí)間給RAMP—COMP信號(hào)以升到足夠高,而觸發(fā)PWM比較器66來(lái)驅(qū) 動(dòng)一個(gè)高信號(hào)到SR鎖存器64的重置輸入(reset input)。在重置之前的較 長(zhǎng)時(shí)間使得SR鎖存器64保持較長(zhǎng)時(shí)間地設(shè)置,其保持狀態(tài)Sl和—1激活 的時(shí)間更長(zhǎng)。狀態(tài)S1的較長(zhǎng)時(shí)間允許功率晶體管130保持較長(zhǎng)時(shí)間,提 高VY并最終提高VDD。
除了經(jīng)過(guò)電壓感應(yīng)放大器72和PWM比較器66的VDD的電 壓感應(yīng),電流感應(yīng)可以調(diào)整RAMP一COMP,也可以調(diào)整VY。 —個(gè)電流感應(yīng)電路通過(guò)p-通道電流鏡晶體管(mirror transistor) 132被連接到輸入電壓VIN,p-通道電流鏡晶體管132小于功率晶體管130, 但能鏡像經(jīng)過(guò)功率晶體管130的電流。例如,p-通道電流鏡晶體管132和 功率晶體管130可以有匹配的線路圖,并且它們的襯底都連接到VIN或另 一個(gè)電壓。經(jīng)過(guò)p-通道電流鏡晶體管132的電流是經(jīng)過(guò)功率晶體管130的 電流的一部分,其中這一部分是一個(gè)主要由晶體管130、 132的尺寸比率 (W/L)確定的比率。并不是直接測(cè)量經(jīng)過(guò)晶體管130的電流,其可能會(huì) 干擾供電電流,經(jīng)過(guò)p-通道電流鏡晶體管132的鏡像電流是被電流感應(yīng)電 路感應(yīng)的。功率晶體管130在其柵極上接收—l,,p-通道電流鏡晶體管132 接收—3,。時(shí)鐘產(chǎn)生器50相對(duì)—1,延遲—3,(參照?qǐng)D4里的時(shí)序),從而功 率晶體管130可以在p-通道電流鏡晶體管132開啟之前開啟。p-通道電流 鏡晶體管132的這個(gè)延遲開啟可以避免由其它現(xiàn)有技術(shù)的電流感應(yīng)器引起 的流經(jīng)電感器80的電流里的短時(shí)脈沖波形干擾或尖波。功率晶體管130 能夠開啟,并在p-通道電流鏡晶體管132干擾之前開始對(duì)VY充電。節(jié)點(diǎn) VY可以在感應(yīng)干擾發(fā)生之前穩(wěn)定下來(lái)。供電電流不受電流感應(yīng)的干擾。功率晶體管130的漏極是電壓VY,而p-通道電流鏡晶體管132 的漏極是電壓VX。電壓VX通過(guò)放大器60和晶體管134的負(fù)反饋機(jī)制近 似地鏡像VY。當(dāng)p-通道傳感晶體管134被放大器60開啟時(shí), 一個(gè)感應(yīng)電 壓VSEN從VX產(chǎn)生。VX的一個(gè)分壓,經(jīng)過(guò)p-通道傳感晶體管134和感 應(yīng)電阻器62到地,這個(gè)分壓在p-通道傳感晶體管134和感應(yīng)電阻器62之 間的節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生VSEN。加法器137可以在VSEN上增加一個(gè)偏移電壓 (offset voltage)以產(chǎn)生一個(gè)目標(biāo)電壓RAMP—COMP而輸入到PWM比較 器66。 RAMP—COMP可以通過(guò)將兩個(gè)電流加總而產(chǎn)生 一個(gè)來(lái)自晶體管 134的縮放(scaled)電感電流,和一個(gè)由時(shí)鐘產(chǎn)生的斜坡電流,斜坡電流 用于斜坡補(bǔ)償。為了實(shí)施這種電流加總,斜坡電流可以被注入到感應(yīng)電阻 器62。所以,加法器B7的符號(hào)僅是用來(lái)描述這個(gè)電流加總。
圖2顯示在狀態(tài)Sl期間電流感應(yīng)和控制電路的運(yùn)作。在狀態(tài) Sl期間,時(shí)鐘產(chǎn)生器50開啟—1,驅(qū)動(dòng)—l,至低,并開啟功率晶體管130。 供電電流從VIN經(jīng)過(guò)功率晶體管130到VY,然后以電流IL流經(jīng)電感器 80而對(duì)功率電容器74進(jìn)行充電,并恢復(fù)VDD。時(shí)鐘產(chǎn)生器50保持—4關(guān) 閉,從而n-通道吸入電流晶體管70是關(guān)閉的。時(shí)鐘產(chǎn)生器50保持—2關(guān)閉,從而開關(guān)44、 46斷開。但是, —3在一個(gè)延遲之后開啟以允許功率晶體管130首先充電VY, p-通道電流 鏡晶體管132開啟,允許VX隨后上升。開關(guān)42、 48閉合,因?yàn)椤?和—1 變成激活的,施加VY到放大器60的正相輸入和施加VX到放大器60的 反相輸入。由于—1和—3之間的開啟延遲,VY最初比VX高。放大器60 最初驅(qū)動(dòng)至高到p-通道傳感晶體管134的柵極,保持隔離并允許p-通道傳 感晶體管134將VX充電至更高。 一旦VX達(dá)到VY,放大器60轉(zhuǎn)換并驅(qū) 動(dòng)至低到p-通道傳感晶體管134的柵極上,將其開啟并允許VX通過(guò)感應(yīng) 電阻器62進(jìn)行放電。如果VX充電低于VY,那么放大器60再次轉(zhuǎn)換而 關(guān)閉p-通道傳感晶體管134,并允許VX經(jīng)過(guò)p-通道電流鏡晶體管132重 新充電。 VSEN最初幾乎接地,因?yàn)閜-通道傳感晶體管134最初關(guān)閉, 而感應(yīng)電阻器62連接VSEN到地。低VSEN和RAMP一COMP避免PWM 比較器60重置SR鎖存器64,從而狀態(tài)S1保持激活。在一個(gè)時(shí)間周期之 后,VX達(dá)到VY, p-通道傳感晶體管134開啟,拉動(dòng)VSEN上升。當(dāng)VSEN 電壓上升時(shí),濾波信號(hào)RAMP_COMP也上升,直到其上升到超過(guò)電壓感 應(yīng)放大器72的濾波輸出。接著,PWM比較器66轉(zhuǎn)換其輸出至高,施加 一個(gè)重置到SR鎖存器64。 SR鎖存器64重置,導(dǎo)致時(shí)鐘產(chǎn)生器50結(jié)束狀 態(tài)Sl,開始啟動(dòng)狀態(tài)S2。時(shí)鐘產(chǎn)生器50首先關(guān)閉—1,斷開開關(guān)48并關(guān) 閉功率晶體管130,從而隔離V+和VY引起的干擾。接著,—3未激活, 斷開p-通道電流鏡晶體管132和開關(guān)42。然后,VSEN在狀態(tài)S2期間被 放電。
開關(guān)42設(shè)計(jì)成與開關(guān)48匹配,從而在狀態(tài)Sl期間當(dāng)感應(yīng)VY 時(shí)由開關(guān)48引起的任何開關(guān)阻抗或開關(guān)偏移被感應(yīng)VX時(shí)開關(guān)42上的一 個(gè)相似阻抗或偏移抵消。在狀態(tài)S2期間,開關(guān)42、 48斷開,但開關(guān)44、 46閉合,連接放大器60的兩個(gè)輸入到相同的共模電壓,如VIN。圖3顯示在狀態(tài)S2期間電流感應(yīng)和控制電路的運(yùn)作。在狀態(tài) S2期間,時(shí)鐘產(chǎn)生器50停用—1和—3,關(guān)閉功率晶體管130和p-通道電 流鏡晶體管132。時(shí)鐘產(chǎn)生器50首先開啟—2,閉合開關(guān)44、 46。放大器60的 兩個(gè)輸入被連接到VIN,從而均衡任何偏移。放大器60不驅(qū)動(dòng)p-通道傳 感晶體管134的柵極至高。由于節(jié)點(diǎn)VX被隔離,p-通道傳感晶體管134 將放電VX到接地,直到p-通道傳感晶體管134的柵極-到-源極電壓跌落 到晶體管閾值電壓之下,從而p-通道傳感晶體管134關(guān)閉。接著,感應(yīng)電 阻器62將緩慢放電VSEN到接地。由于p-通道傳感晶體管134關(guān)閉,電流感應(yīng)器在狀態(tài)S2期間 沒(méi)有D.C.電流。弱電流可以更精確地感應(yīng)到,并且電流感應(yīng)器只消耗較少 功率。 一個(gè)較小的偏壓可以被引入到放大器60或其輸入,以確保p-通道 傳感晶體管134完全關(guān)閉。在狀態(tài)S2開始之后一段時(shí)間,在—2已經(jīng)激活之后,時(shí)鐘產(chǎn)生 器50驅(qū)動(dòng)—2至高。n-通道吸入電流晶體管70的柵極接收—4,并開啟。 流經(jīng)n-通道吸入電流晶體管70的S2電流會(huì)降低流經(jīng)電感器80的電流IL。在一個(gè)時(shí)間周期之后,CLK再次走高,設(shè)置SR鎖存器64并 結(jié)束狀態(tài)S2。時(shí)鐘產(chǎn)生器50關(guān)閉—4,然后關(guān)閉—2。在下一個(gè)狀態(tài)S1, 可以有一個(gè)快速回應(yīng),因?yàn)閜-通道傳感晶體管134的柵極電壓接近VIN而 不是接地。放大器60只需要將p-通道傳感晶體管134的柵極電壓改變一 個(gè)相當(dāng)小的數(shù)值(從VIN),而不是一個(gè)較大數(shù)值(從接地)。
圖4是圖1-3電流感應(yīng)和控制電路運(yùn)行的時(shí)序圖。隨著時(shí)鐘產(chǎn) 生器50驅(qū)動(dòng)—4至低,開始狀態(tài)S1。在一個(gè)延遲之后,—l被驅(qū)動(dòng)至高, 且—l,走低到功率晶體管130的柵極。供電電流從功率晶體管130流經(jīng)電 感器80,電流IL上升,只要—l被激活。在另一個(gè)延遲之后,—3被激活,開關(guān)42、 48閉合而連接VX、 VY到放大器60。 p-通道電流鏡晶體管132開啟而從VIN驅(qū)動(dòng)VX。當(dāng)VX 下降時(shí),p-通道傳感晶體管134開啟,VSEN緩慢上升。時(shí)鐘產(chǎn)生器50驅(qū) 動(dòng)—2至低而從放大器60的輸入斷開均衡電壓VIN。當(dāng)供電電流IL上升時(shí),VSEN緩慢上升。最終,VSEN上升到 超過(guò)PWM比較器66的觸發(fā)電壓, 一個(gè)重置信號(hào)施加到SR鎖存器64,結(jié) 束狀態(tài)S1并開始狀態(tài)S2。時(shí)鐘產(chǎn)生器50關(guān)閉—1,然后關(guān)閉—3,進(jìn)而關(guān) 閉晶體管130、 132。在狀態(tài)S2,當(dāng)—2被驅(qū)動(dòng)激活時(shí),均衡開關(guān)44、 46閉合。當(dāng) —4被脈沖至高時(shí),n-通道吸入電流晶體管70開啟而降低供電電流IL,直 到時(shí)鐘設(shè)置SR鎖存器64,狀態(tài)S2結(jié)束。圖5A、 5B顯示一個(gè)放大器的實(shí)施例。圖l-3、 7-9內(nèi)的放大器 60可以以各種方式實(shí)現(xiàn),如圖5A的放大器102或圖5B的放大器104。在圖5A,電壓V+、 V-分別被施加到差分晶體管(differential transistor)30、 31的柵極。n-通道晶體管28在其柵極接收一個(gè)偏壓BIASN, 并從n-通道差分晶體管30、 31吸入電流。差分晶體管30的漏極連接到p-通道源晶體管(source transistor) 20的漏極和p-通道級(jí)聯(lián)晶體管(cascade transistor) 22的源極。n-通道級(jí)聯(lián) 晶體管24的源極連接到n-通道源晶體管26的漏極。p-通道級(jí)聯(lián)晶體管22 和n-通道級(jí)聯(lián)晶體管24的漏極連接在一起。
『00431差分晶體管31的漏極連接到D-通道級(jí)聯(lián)晶體管23的源極和p-通道源晶體管21的漏極。n-通道級(jí)聯(lián)晶體管25的源極連接到n-通道源晶 體管27的漏極。p-通道級(jí)聯(lián)晶體管23和n-通道級(jí)聯(lián)晶體管25的漏極連 接在一起,并驅(qū)動(dòng)放大器102的輸出。 n-通道源晶體管26、27的柵極連接在一起,并連接到晶體管22、 24的漏極以鏡像電流。n-通道級(jí)聯(lián)晶體管24、 25的柵極是偏壓電壓 CASCN,而p-通道級(jí)聯(lián)晶體管22、 23的柵極是偏壓電壓CASCP。 p-通道 源晶體管20、 21的柵極是偏壓電壓BIASP。偏壓電壓可以以傳統(tǒng)方式產(chǎn) 生,如使用分壓器。放大器102是一個(gè)NMOS共源輸入折疊級(jí)聯(lián)放大器。在圖5B,晶體管32、 34、 36、 38形成一個(gè)PMOS共柵輸入放 大器,起到圖1的放大器60的作用。 一個(gè)偏壓電壓VBIAS被施加到n-通 道晶體管36、 38的柵極,其分別從p-通道共柵晶體管34、 32吸入電流。 p-通道共柵晶體管34和p-通道共柵晶體管32的柵極被連接在 一起,并被連接到p-通道共柵晶體管32的漏極。電壓V+、 V-分別被施加 到p-通道共柵晶體管34、 32的源極。晶體管34、 38的漏極是PMOS共柵 輸入放大器或放大器104的輸出。圖6是電流感應(yīng)和控制電路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)圖。當(dāng)—l'為低激活時(shí), 功率晶體管130連接輸入電壓VIN到VY,然后到電感器80(圖中未顯示)。 在狀態(tài)S1期間,—3'也是低激活,使p-通道電流鏡晶體管132能夠鏡像經(jīng) 過(guò)功率晶體管130的電流。在狀態(tài)S2期間,n-通道吸入電流晶體管70 (圖 中未顯示)降低供電電流。在狀態(tài)S1期間,p-通道開關(guān)晶體管(switch transistor) 110連 接VY到V+,因?yàn)樵谄鋿艠O上接收—1'。在一個(gè)延遲之后,p-通道開關(guān)晶 體管1M連接VX到V-,因?yàn)樵谄鋿艠O上接收—3,。 p-通道共柵晶體管120 和p-通道共柵晶體管122的柵極被連接在一起,并被連接到p-通道共柵晶 體管122的漏極。電壓V+、 V-分別被施加到p-通道共柵晶體管120、 122 的源極。
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晶體管120、 122、 124、 126形成一個(gè)PMOS共柵輸入放大器, 并起到圖1的放大器60的作用。 一個(gè)偏壓電壓VB是由電流源16、電阻 器14和n-通道偏壓晶體管(bias transistor) 18產(chǎn)生。這個(gè)偏壓電壓VB被 施加到n-通道晶體管124、 126的柵極,其分別從p-通道共柵晶體管120、 122吸入電流。晶體管120、 124的漏極是PMOS共柵輸入放大器的輸出,并 驅(qū)動(dòng)p-通道傳感晶體管134的柵極。當(dāng)p-通道傳感晶體管134開啟時(shí),電 流從VX經(jīng)過(guò)p-通道傳感晶體管134和感應(yīng)電阻器60以產(chǎn)生VSEN。在狀態(tài)S2期間,p-通道均衡開關(guān)晶體管112、 116因—2而開 啟,并走低。VCM被施加到PMOS共柵輸入放大器,如電壓V+、 V-,而 VX、 VY被隔離。圖7是一個(gè)使用采樣-保持電容器(sample-and-hold capacitor) 用于均衡電壓的另一個(gè)實(shí)施例。不同于在狀態(tài)S2期間施加經(jīng)過(guò)均衡開關(guān) 44、 46的輸入電壓VIN到放大器60的輸入,VY的最終電壓在狀態(tài)Sl的 結(jié)尾時(shí)被采樣,并在共模電容器138上被保持。在狀態(tài)Sl期間,采樣開 關(guān)52因—1而閉合以對(duì)共模電容器138充電。當(dāng)—1落在狀態(tài)Sl的結(jié)尾時(shí), 采樣開關(guān)52斷開,保持共模電容器138上的電荷。在狀態(tài)S2期間,—2 激活,連接共模電容器138到放大器60的兩個(gè)輸入,如共模電壓VCM。在此實(shí)施例里,放大器60可以少少變化來(lái)驅(qū)動(dòng)p-通道傳感晶 體管134的柵極,因?yàn)閂CM是從VY采樣而不是較高的輸入電壓VIN。圖8是使用n-通道傳感晶體管的另一個(gè)實(shí)施例。不使用p-通道 傳感晶體管134,而是替換成n-通道傳感晶體管135。到放大器60的+和-輸入被顛倒以驅(qū)動(dòng)相反極性到n-通道傳感晶體管135的柵極。使用了一個(gè) 從VX經(jīng)過(guò)開關(guān)42和放大器60到n-通道傳感晶體管135的負(fù)反饋環(huán)路。圖9是使用一個(gè)偏移量到放大器的另一個(gè)實(shí)施例。通過(guò)采樣開 關(guān)52, VY的最終電壓是由圖7所述的共模電容器138采樣。但是,偏移電壓57被串聯(lián)連接在共模電容器138和均衡開關(guān)44之間,使這個(gè)偏移電 壓被施加到放大器60的V-。偏移電壓57可以是由晶體管的不匹配引起, 如在放大器60或其它元件內(nèi)部的差分晶體管,或經(jīng)由電阻器的電壓下降或 由于其它方式引起的。偏移電壓57能夠更加迅速地關(guān)閉p-通道傳感晶體管134,提高 電路的反應(yīng)和精確性用于下一個(gè)循環(huán)。仿真顯示可以消除當(dāng)功率晶體管130開啟時(shí)出現(xiàn)的尖波 (spike)。這中尖波特別會(huì)出現(xiàn)在現(xiàn)有技術(shù)的小功率-電流電路里,如 lOOmA的供電電流,但尖波仍然會(huì)出現(xiàn)在強(qiáng)供電電流,如600mA。圖1-4 的改進(jìn)電路消除了在弱(如100mA)和強(qiáng)(如600mA)供電電流上的這種 電流尖波。
其它實(shí)施例發(fā)明人還有一些其它實(shí)施例。例如,可以增加電容器、電阻器 和其它濾波元件。開關(guān)可以是n-通道晶體管、p-通道晶體管、或具有平行 n-通道和p-通道晶體管的傳輸門。電路可以是反向顛倒的,使用n-通道而 不是p-通道晶體管,和使用p-通道而不是n-通道晶體管。晶體管下的阱或 陳底可以被連接到一個(gè)公共偏壓電壓,或者每個(gè)晶體管可以將其源極和阱 連接在一起。可以使用各種組合。到電壓感應(yīng)放大器72的基準(zhǔn)電壓VREF可以通過(guò)仿真來(lái)確定, 如1.23伏特。感應(yīng)電阻器62可以是50K歐姆或其它數(shù)值。圖4所示的實(shí) 際時(shí)序可以改變,以及產(chǎn)生非重疊時(shí)鐘的延遲可以被調(diào)整或縮減。其它觸 發(fā)器或比較電路可以被替換,如使用時(shí)鐘和具有D-輸入接地而不是SR鎖 存器64的D型觸發(fā)器的重置輸入。其它類型的雙穩(wěn)態(tài)元件也可以被替換。 時(shí)鐘產(chǎn)生器50可以使用標(biāo)準(zhǔn)反相器和緩沖器或邏輯門而產(chǎn)生期望的延遲 和時(shí)鐘。 —些元件可能不會(huì)出現(xiàn)在真實(shí)的電路里,但在結(jié)構(gòu)上是理想的 元件。例如,電阻器76可以代表一個(gè)真實(shí)裝置的負(fù)載,其可能有幾千個(gè)晶體管的復(fù)雜配置,而不是單個(gè)電阻器接地。諸如加法器137的元件可以被 刪除或被應(yīng)用作為其它電路的一部分,如圖6所示。在各個(gè)節(jié)點(diǎn)上可以增加額外的元件,如電阻器、電容器、電感 器、晶體管等,也可以出現(xiàn)寄生元件。激活和停用電路可以利用額外晶體 管或其它方法一起完成??梢栽黾觽鬏旈T晶體管或傳輸門用于隔離。可以增加反相或額外緩沖。在電路仿真或現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試之后,可以 選擇晶體管和電容器的最終尺寸。金屬掩膜選項(xiàng)或其它可編程元件可以被 用來(lái)選擇最終的電容器、電阻器或晶體管尺寸。雖然已經(jīng)描述了運(yùn)算放大器(op amp),但可以使用其它類型 的放大器,如非放大的比較緩沖器。許多電路類型可以用于放大器,如折 疊級(jí)聯(lián)(foldedcascode)、源極跟隨(source-follower)、差分等。雖然已經(jīng)描述了互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管,但 也可以替換使用其它晶體管技術(shù)和變化,可以使用除硅之外的其它材料, 如砷化鎵(GaAs)和其它變種。雖然已經(jīng)描述了正向電流,但電流可以是負(fù)的或正的,如在一 些情況下電子和空穴都可以考慮為載流子。當(dāng)參照相反極性的載流子時(shí), 充電和放電是可以互換的術(shù)語(yǔ)。電流可以相反方向流動(dòng)。時(shí)鐘可以在高狀 態(tài)時(shí)被激活,或者在低狀態(tài)時(shí)被激活,可以顛倒反相、緩沖或利用其它信 號(hào)如邏輯門。產(chǎn)生的電源VDD可以小于2.0伏特,如1.8伏特、1.5伏特、 1.2伏特、或1.0伏特,或者可以是較高值,如2.6-3.7伏特。輸入電壓VIN 可以是1伏特,或者更高,如5伏特或3伏特。偏移電壓57可以大約等于 晶體管閾值,如大約0.5伏特,并可以隨條件不同發(fā)生變化,而不是一個(gè) 固定的電壓偏移。
『00671本發(fā)明的背景部分可以包含有關(guān)本發(fā)明問(wèn)題或環(huán)境的背景信息,而不僅僅是描述的現(xiàn)有技術(shù)。因此,在背景部分里包括的材料不僅僅 是申請(qǐng)者所陳述的。描述的任何優(yōu)勢(shì)和好處可能不適用于本發(fā)明的所有實(shí)施例。在 "裝置"之前通常有一個(gè)或多個(gè)詞語(yǔ)。在"裝置"之前的詞語(yǔ)是一個(gè)容易 引述權(quán)利要素的標(biāo)記,而不是意在傳送一個(gè)結(jié)構(gòu)限制。這種裝置加功能的 權(quán)利要求不僅覆蓋在此所述的結(jié)構(gòu)用來(lái)執(zhí)行功能及其結(jié)構(gòu)等價(jià)物,還有等 價(jià)結(jié)構(gòu)。例如,盡管釘子和螺絲有不同的結(jié)構(gòu),但它們是等同的結(jié)構(gòu),因 為它們都執(zhí)行固定功能。信號(hào)通常是電信號(hào),但也可能是光信號(hào),如可以 附載在纖維光纖上。為便于描述和說(shuō)明,前面己經(jīng)描述了本發(fā)明的實(shí)施例。其不是 意在排他性的或受制于在此披露的本發(fā)明特定格式。按照以上的教義,許 多修改和變化是可能的。本發(fā)明的范圍并不受此詳述限制,而是受制于附 加的權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一個(gè)功率-電流感應(yīng)電路,包括一個(gè)輸入,其有一個(gè)輸入電壓;一個(gè)功率晶體管,其有一個(gè)柵極接收第一時(shí)鐘,用于當(dāng)?shù)谝粫r(shí)鐘在第一狀態(tài)期間被激活時(shí),從所述輸入將電源電流傳導(dǎo)到一個(gè)電源節(jié)點(diǎn),并在第二狀態(tài)期間將所述電源節(jié)點(diǎn)與所述輸入隔離;一個(gè)電流鏡晶體管,其有一個(gè)柵極接收第三時(shí)鐘,用于當(dāng)?shù)谌龝r(shí)鐘在第一狀態(tài)期間被激活時(shí),從所述輸入將電源電流傳導(dǎo)到鏡像節(jié)點(diǎn),并在第二狀態(tài)期間將所述輸入和所述鏡像節(jié)點(diǎn)隔離;第一開關(guān),在第一狀態(tài)期間連接所述電源節(jié)點(diǎn)到第一比較節(jié)點(diǎn),并在第二狀態(tài)期間將所述電源節(jié)點(diǎn)和第一比較節(jié)點(diǎn)隔離;第二開關(guān),在第一狀態(tài)期間連接所述鏡像節(jié)點(diǎn)到第二比較節(jié)點(diǎn),并在第二狀態(tài)期間將所述鏡像節(jié)點(diǎn)和第二比較節(jié)點(diǎn)隔離;一個(gè)放大器,比較第一比較節(jié)點(diǎn)和第二比較節(jié)點(diǎn)的電壓而產(chǎn)生一個(gè)比較輸出;一個(gè)傳感晶體管,有一個(gè)柵極接收所述比較輸出,用來(lái)從所述鏡像節(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)感應(yīng)電流到一個(gè)感應(yīng)節(jié)點(diǎn);和一個(gè)雙穩(wěn)態(tài),通過(guò)一個(gè)周期時(shí)鐘被觸發(fā)到第一狀態(tài),并通過(guò)所述感應(yīng)節(jié)點(diǎn)被觸發(fā)到第二狀態(tài);由此第二開關(guān)與第一開關(guān)建立的偏移相匹配。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率-電流感應(yīng)電路,還包括一個(gè)時(shí)鐘產(chǎn)生器,其對(duì)應(yīng)雙穩(wěn)態(tài),用來(lái)產(chǎn)生第一時(shí)鐘和第三時(shí)鐘,其 中第三時(shí)鐘相對(duì)第一時(shí)鐘有延遲,其中電流鏡晶體管相對(duì)功率晶體管開啟 之后有一個(gè)延遲才開啟;由此,電流鏡晶體管被延遲以降低對(duì)電源電流的干擾。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率-電流感應(yīng)電路,還包括 第一均衡開關(guān),接收第二時(shí)鐘,用來(lái)在第二狀態(tài)期間連接第一比較節(jié)點(diǎn)到一個(gè)共模電壓,并用來(lái)在第一狀態(tài)期間隔離第一比較節(jié)點(diǎn)和共模電壓;第二均衡開關(guān),接收第二時(shí)鐘,用來(lái)在第二狀態(tài)期間連接第二比較節(jié) 點(diǎn)到共模電壓,并用來(lái)在第一狀態(tài)期間隔離第二比較節(jié)點(diǎn)和共模電壓;其中時(shí)鐘產(chǎn)生器在第二狀態(tài)期間激活第二時(shí)鐘;由此放大器的兩個(gè)輸入是在第二狀態(tài)期間利用共模電壓驅(qū)動(dòng)的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率-電流感應(yīng)電路,還包括-一個(gè)共模電容器;第五開關(guān),接收第一時(shí)鐘,用來(lái)在第一狀態(tài)期間連接電源節(jié)點(diǎn)到共模 電容器以產(chǎn)生共模電壓到第一均衡開關(guān)和第二均衡開關(guān); 由此電源節(jié)點(diǎn)被采樣以產(chǎn)生共模電壓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率-電流感應(yīng)電路,還包括一個(gè)偏移電壓,被施加到共模電壓,該共模電壓是被施加到放大器的 第一比較節(jié)點(diǎn),而不是被施加到放大器的第二比較節(jié)點(diǎn)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率-電流感應(yīng)電路,還包括 一個(gè)功率吸入電流晶體管(power sink transistor),有一個(gè)柵極接收第四時(shí)鐘,用來(lái)當(dāng)?shù)谒臅r(shí)鐘在第二狀態(tài)期間被激活時(shí)傳導(dǎo)來(lái)自電源節(jié)點(diǎn)的電 流;其中時(shí)鐘產(chǎn)生器在第二狀態(tài)期間激活第四時(shí)鐘。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率-電流感應(yīng)電路,還包括 一個(gè)電感器,其被連接在功率節(jié)點(diǎn)和電源節(jié)點(diǎn)之間; 一個(gè)功率電容器,其被連接到電源節(jié)點(diǎn); 其中電源節(jié)點(diǎn)是由功率-電流感應(yīng)電路調(diào)節(jié)的。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率-電流感應(yīng)電路,還包括一個(gè)分壓器,其被連接到電源節(jié)點(diǎn),其產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電壓的電壓;第二放大器,其比較感應(yīng)電壓的電壓和一個(gè)基準(zhǔn)電壓以產(chǎn)生一個(gè)電壓觸發(fā);一個(gè)比較器,其接收電壓觸發(fā)和感應(yīng)節(jié)點(diǎn)以產(chǎn)生一個(gè)重置信號(hào)到雙穩(wěn)態(tài);由此來(lái)自電源節(jié)點(diǎn)的感應(yīng)電壓的觸發(fā)和一個(gè)感應(yīng)電流的觸發(fā)被合并而觸發(fā)雙穩(wěn)態(tài)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率-電流感應(yīng)電路,其中第一開關(guān)接收第一時(shí)鐘;其中第二開關(guān)接收第三時(shí)鐘。
10. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率-電流感應(yīng)電路,還包括-一個(gè)感應(yīng)電阻器,其被連接在感應(yīng)節(jié)點(diǎn)和一個(gè)固定電壓之間,用來(lái)在感應(yīng)節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生一個(gè)電流感應(yīng)電壓。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率-電流感應(yīng)電路,其中功率晶體管、電流鏡晶體管、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第一均衡開關(guān)、和第二均衡開關(guān)是p-通道晶體管,功率吸入電流晶體管是一個(gè)被連接到地的n-通道晶體管。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的功率-電流感應(yīng)電路,其中傳感晶體管是一個(gè)p-通道晶體管;其中第一時(shí)鐘和第四時(shí)鐘是非重疊的時(shí)鐘。
13. —個(gè)電流感應(yīng)電路,包括一個(gè)輸入;一個(gè)功率晶體管,有一個(gè)由第一時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的柵極和一個(gè)在輸入和功率節(jié)點(diǎn)之間的通道;一個(gè)電流鏡晶體管,有一個(gè)由第一延遲時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的柵極和一個(gè)在輸入和鏡像節(jié)點(diǎn)之間的通道;第一開關(guān)晶體管,有一個(gè)由第一時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的柵極和一個(gè)在功率節(jié)點(diǎn)和第一比較節(jié)點(diǎn)之間的通道;第二開關(guān)晶體管,有一個(gè)由延遲第一時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的柵極和一個(gè)在鏡像節(jié)點(diǎn)和第二比較節(jié)點(diǎn)之間的通道;第三開關(guān)晶體管,有一個(gè)由第二時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的柵極和一個(gè)在共模節(jié)點(diǎn)和第一比較節(jié)點(diǎn)之間的通道;第四開關(guān)晶體管,有一個(gè)由第二時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的柵極和一個(gè)在共模節(jié)點(diǎn)和第二比較節(jié)點(diǎn)之間的通道;一個(gè)吸入電流晶體管,有一個(gè)由第四時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的柵極和一個(gè)在功率節(jié)點(diǎn)和吸入節(jié)點(diǎn)之間的通道;一個(gè)時(shí)鐘產(chǎn)生器,其在第一狀態(tài)期間驅(qū)動(dòng)第一時(shí)鐘為激活,而第二和第四時(shí)鐘為非激活,并在第二狀態(tài)期間驅(qū)動(dòng)第一時(shí)鐘為非激活,而第二和第四時(shí)鐘為激活;其中功率晶體管在第一狀態(tài)期間傳導(dǎo)一個(gè)供電電流,并在第二狀態(tài)期間關(guān)閉;其中吸入電流晶體管在第二狀態(tài)期間傳導(dǎo)一個(gè)吸入電流(sinkcurrent),并在第一狀態(tài)期間關(guān)閉;一個(gè)放大器,其接收第一比較節(jié)點(diǎn)和第二比較節(jié)點(diǎn),并驅(qū)動(dòng)一個(gè)比較輸出;一個(gè)傳感晶體管,有一個(gè)接收比較輸出的柵極,以及一個(gè)在鏡像節(jié)點(diǎn)和感應(yīng)節(jié)點(diǎn)之間的通道;一個(gè)感應(yīng)電阻器,在感應(yīng)節(jié)點(diǎn)和吸入節(jié)點(diǎn)之間;其中感應(yīng)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生一個(gè)觸發(fā)到時(shí)鐘產(chǎn)生器,其導(dǎo)致時(shí)鐘產(chǎn)生器從第一狀態(tài)轉(zhuǎn)換到第二狀態(tài);由此經(jīng)過(guò)電流鏡晶體管的電流被感應(yīng)而從第一狀態(tài)轉(zhuǎn)換到第二狀態(tài),以控制供電電流。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電流感應(yīng)電路,還包括一個(gè)電感器,其被連接在電源節(jié)點(diǎn)和調(diào)節(jié)節(jié)點(diǎn)之間,電感器從功率晶體管接收供電電流;一個(gè)電壓感應(yīng)器,其在調(diào)節(jié)節(jié)點(diǎn)上,電壓感應(yīng)器調(diào)整時(shí)鐘產(chǎn)生器的觸發(fā)電平;由此,調(diào)節(jié)節(jié)點(diǎn)的電壓感應(yīng)和電流感應(yīng)控制功率晶體管。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電流感應(yīng)電路,還包括在時(shí)鐘產(chǎn)生器上的一個(gè)雙穩(wěn)態(tài),通過(guò)一個(gè)感應(yīng)節(jié)點(diǎn)上來(lái)自電壓感應(yīng)器的觸發(fā)電平電壓,雙穩(wěn)態(tài)被觸發(fā)進(jìn)入第二狀態(tài);其中雙穩(wěn)態(tài)是由時(shí)鐘重置。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電流感應(yīng)電路,還包括一個(gè)平滑電容器,其被連接到電壓感應(yīng)器,用來(lái)平滑觸發(fā)電平的變化。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的電流感應(yīng)電路,其中放大器包括第一共柵晶體管,有一個(gè)被連接到柵極節(jié)點(diǎn)的柵極和一個(gè)在第一比較節(jié)點(diǎn)和比較輸出之間的通道;第二共柵晶體管,有一個(gè)被連接到柵極節(jié)點(diǎn)的柵極和一個(gè)在第二比較節(jié)點(diǎn)和柵極節(jié)點(diǎn)之間的通道;第一長(zhǎng)尾晶體管,有一個(gè)由偏壓電壓驅(qū)動(dòng)的柵極和一個(gè)在比較輸出和吸入節(jié)點(diǎn)之間的通道;和第二長(zhǎng)尾晶體管,有一個(gè)由偏壓電壓驅(qū)動(dòng)的柵極和一個(gè)在柵極節(jié)點(diǎn)和吸入節(jié)點(diǎn)之間的通道。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的電流感應(yīng)電路,其中第一共柵晶體管和第二共柵晶體管是p-通道晶體管;其中傳感晶體管是p-通道晶體管;其中第一長(zhǎng)尾晶體管和第二長(zhǎng)尾晶體管是n-通道晶體管,且吸入節(jié)點(diǎn)是接地的;其中功率晶體管、電流鏡晶體管、第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管、第三開關(guān)晶體管和第四開關(guān)晶體管是p-通道晶體管。
19.一個(gè)功率控制器,包括一個(gè)具有輸入電壓的輸入;功率晶體管裝置,有一個(gè)接收第一時(shí)鐘的柵極,用于當(dāng)?shù)谝粫r(shí)鐘在第一狀態(tài)期間被激活時(shí)從所述輸入傳導(dǎo)供電電流到功率節(jié)點(diǎn),并在第二狀態(tài)期間隔離所述輸入和功率節(jié)點(diǎn);電流鏡晶體管裝置,有一個(gè)接收第三時(shí)鐘的柵極,用于當(dāng)?shù)谌龝r(shí)鐘在第一狀態(tài)期間被激活時(shí)從所述輸入傳導(dǎo)電流到鏡像節(jié)點(diǎn),并在第二狀態(tài)期間隔離所述輸入和鏡像節(jié)點(diǎn);第一開關(guān)裝置,用于在第一狀態(tài)期間連接功率節(jié)點(diǎn)到第一比較節(jié)點(diǎn),并在第二狀態(tài)期間隔離功率節(jié)點(diǎn)和第一比較節(jié)點(diǎn);第二開關(guān)裝置,用于在第一狀態(tài)期間連接鏡像節(jié)點(diǎn)到第二比較節(jié)點(diǎn),并在第二狀態(tài)期間隔離鏡像節(jié)點(diǎn)和第二比較節(jié)點(diǎn);第一均衡開關(guān)裝置,接收第二時(shí)鐘,用于在第二狀態(tài)期間連接第一比較節(jié)點(diǎn)到共模電壓,并在第一狀態(tài)期間隔離第一比較節(jié)點(diǎn)和共模電壓;第二均衡開關(guān)裝置,接收第二時(shí)鐘,用于在第二狀態(tài)期間連接第二比較節(jié)點(diǎn)到共模電壓,并在第一狀態(tài)期間隔離第二比較節(jié)點(diǎn)和共模電壓;放大器裝置,用于比較第一比較節(jié)點(diǎn)和第二比較節(jié)點(diǎn)的電壓以產(chǎn)生一個(gè)比較輸出;傳感晶體管裝置,有一個(gè)接收比較輸出的柵極,用于從鏡像節(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)感應(yīng)電流到感應(yīng)節(jié)點(diǎn);雙穩(wěn)態(tài)裝置,由一個(gè)周期時(shí)鐘被觸發(fā)到第一狀態(tài),并由感應(yīng)節(jié)點(diǎn)被觸發(fā)到第二狀態(tài);時(shí)鐘產(chǎn)生器裝置,對(duì)應(yīng)雙穩(wěn)態(tài)裝置,用于激活第一時(shí)鐘和第三時(shí)鐘以對(duì)應(yīng)第二狀態(tài),并用于激活第二時(shí)鐘和第四時(shí)鐘以對(duì)應(yīng)第一狀態(tài);其中第三時(shí)鐘相對(duì)第一時(shí)鐘有延遲,其中電流鏡晶體管裝置相對(duì)功率晶體管裝置開啟之后延遲開啟;功率吸入電流晶體管裝置,有一個(gè)接收第四時(shí)鐘的柵極,用于當(dāng)?shù)谒臅r(shí)鐘在第二狀態(tài)期間被激活時(shí)從功率節(jié)點(diǎn)傳導(dǎo)電流;其中時(shí)鐘產(chǎn)生器裝置在第二狀態(tài)期間激活第四時(shí)鐘。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的功率控制器,還包括電感器裝置,其被連接在功率節(jié)點(diǎn)和調(diào)節(jié)節(jié)點(diǎn)之間,用于控制到調(diào)節(jié)節(jié)點(diǎn)的電流;一個(gè)被連接到調(diào)節(jié)節(jié)點(diǎn)的功率電容器;分壓器裝置,其被連接到調(diào)節(jié)節(jié)點(diǎn),用于產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電壓的電壓;第二放大器裝置,用于比較感應(yīng)電壓的電壓和一個(gè)基準(zhǔn)電壓以產(chǎn)生一個(gè)觸發(fā)電壓;比較器裝置,用于比較觸發(fā)電壓和感應(yīng)節(jié)點(diǎn)以產(chǎn)生一個(gè)重置信號(hào)到雙穩(wěn)態(tài)裝置;由此來(lái)自調(diào)節(jié)節(jié)點(diǎn)的觸發(fā)感應(yīng)電壓和觸發(fā)感應(yīng)電流被合并以觸發(fā)雙穩(wěn)態(tài)裝置。
全文摘要
電源轉(zhuǎn)換器有一個(gè)功率晶體管,其驅(qū)動(dòng)電流經(jīng)過(guò)電感器以提供一個(gè)受控的供電電壓。當(dāng)吸入電流晶體管降低經(jīng)過(guò)電感器的供電電流時(shí),功率晶體管在第一狀態(tài)期間開啟,但在第二狀態(tài)期間關(guān)閉。供電電壓的電壓感應(yīng)和功率晶體管上的電流感應(yīng)提供反饋以控制第一狀態(tài)被激活的時(shí)間量,從而控制供電電流。電流感應(yīng)是由一個(gè)平行于功率晶體管的較小電流鏡晶體管提供。電流鏡晶體管在功率晶體管開啟之后才開啟,以降低干擾脈沖。開關(guān)連接功率晶體管和電流鏡晶體管的源極到一個(gè)驅(qū)動(dòng)傳感晶體管的放大器。傳感晶體管從電流鏡晶體管源極產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電壓。在第二狀態(tài)期間,放大器輸入被均衡以提供快速反應(yīng)。
文檔編號(hào)H02M3/20GK101635509SQ20091016486
公開日2010年1月27日 申請(qǐng)日期2009年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月12日
發(fā)明者溫錦泉, 王一濤, 鄺國(guó)權(quán), 鄺小飛 申請(qǐng)人:香港應(yīng)用科技研究院有限公司