專利名稱：一種降低電源功耗的方法、零電流自鎖開關(guān)及電源裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子電路，尤其涉及一種降低電源功耗的方法、零電流自鎖開關(guān)及電 源裝置，可應(yīng)用于RFID(Radio Frequency Identification，射頻識(shí)別)系統(tǒng)中有源/半有 源電子標(biāo)簽的電源控制，也可以應(yīng)用于其它需要電源控制的系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在目前RFID系統(tǒng)中，有源/半有源標(biāo)簽的供電一直存在著盡量小的電池尺寸和長(zhǎng) 的工作時(shí)間的矛盾。在要求標(biāo)簽的尺寸盡可能小的情況下，不得不降低電池容量，犧牲標(biāo)簽 的工作時(shí)間?，F(xiàn)有的有源標(biāo)簽的實(shí)現(xiàn)形式，雖然有對(duì)標(biāo)簽的工作狀態(tài)加以區(qū)分，通過工作電路 的休眠的方式來降低標(biāo)簽的耗電，但休眠方式下幾個(gè)微安的耗電對(duì)于長(zhǎng)時(shí)間電池供電的系 統(tǒng)也是不可忽視的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種降低電源功耗的方法、零電流自鎖開關(guān)及電 源裝置，減少電源功耗，增加工作時(shí)間。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種零電流自鎖開關(guān)，包括端口 A，端口 B， 端口 C及端口 D，三極管Ql、Q2和場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、Q5和Q6，電阻Rl、R2、R3和R4，三極管 Q2的集電極連接MOS管Q3及Q5的柵極和MOS管Q6的漏極，其發(fā)射極接地，其基極連接電 阻R2的一端，另一端連接端口 B ；MOS管Q3和Q4的源極相連，MOS管Q3的漏極通過電阻R3 與MOS管Q5的漏極相連，MOS管Q4的漏極通過電阻R4與MOS管Q6的漏極相連，MOS管Q5 和Q6的源極相連并接地；三極管Ql的集電極連接MOS管Q4及Q6的柵極和MOS管Q5的漏 極，其發(fā)射極接地，其基極連接電阻Rl的一端，電阻Rl的另一端連接端口 A ；MOS管Q3和Q4 的源極連接端口 C ；MOS管Q4的漏極連接端口 D。進(jìn)一步地，上述零電流自鎖開關(guān)還可具有以下特點(diǎn)，所述三極管Ql或Q2的發(fā)射極 和集電極之間通過一電容C相連。本發(fā)明還提出一種零電流自鎖開關(guān)，包括端口 A，端口 B，端口 C及端口 D，三極管 QU Q2和場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、Q5和Q6，電阻Rl、R2、R3和R4，三極管Q2的集電極連接MOS管 Q4、Q6的柵極和Q5的漏極，其發(fā)射極接地，其基極連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端連 接端口 A，M0S管Q3和Q4的源極相連，MOS管Q3的漏極通過電阻R3與MOS管Q6的柵極相 連；MOS管Q4的漏極通過電阻R4與MOS管Q5的柵極相連，MOS管Q6的源極與MOS管Q5的 源極相連并接地；三極管Ql的集電極連接MOS管Q3、Q5的柵極和MOS管Q6的漏極，其發(fā)射 極接地，其基極連接電阻Rl的一端，電阻Rl的另一端連接端口 B，M0S管Q3和Q4的源極連 接端口 C ；MOS管Q4的漏極連接端口 D。進(jìn)一步地，上述零電流自鎖開關(guān)還可具有以下特點(diǎn)，所述三極管Ql或Q2的發(fā)射極 和集電極之間通過一電容C相連。
本發(fā)明還提出一種零電流自鎖開關(guān)，包括端口 A，端口 B，端口 C及端口 D，三極管 QU Q2和場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、Q5和Q6，電阻RU R2、R3和R4，一種零電流自鎖開關(guān)，其特征在 于，包含端口 A，端口 B，端口 C及端口 D，三極管Q1、Q2和場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、Q5和Q6，電阻Rl、 R2、R3和R4，三極管Ql的集電極連接MOS管Q4、Q6的柵極和MOS管Q3的漏極，其發(fā)射極連 接MOS管Q3、Q4的源極，其基極連接電阻Rl的一端，電阻Rl的另一端連接端口 A ；MOS管 Q3和Q4的源極相連，MOS管Q3的漏極通過電阻R3與MOS管Q5的漏極相連，MOS管Q4的 漏極通過電阻R4與MOS管Q6的漏極相連，MOS管Q5、Q6的源極相連并接地；三極管Q2的 集電極連接MOS管Q3、Q5的柵極和MOS管Q4的漏極，其發(fā)射極連接MOS管Q3、Q4的源極， 其基極連接電阻R2的一端，另一端連接端口 B ；MOS管Q3和Q4的源極連接端口 C ；MOS管 Q3的漏極連接端口 D。進(jìn)一步地，上述零電流自鎖開關(guān)還可具有以下特點(diǎn)，所述三極管Ql或Q2的發(fā)射極 和集電極之間通過一電容C相連。
本發(fā)明還提出一種包含上述零電流自鎖開關(guān)的電源裝置，所述電源裝置包含電源 模塊、上電脈沖輸入模塊、斷電脈沖輸入模塊和零電流自鎖開關(guān)，所述上電脈沖輸入模塊與 所述零電流自鎖開關(guān)的端口 A相連、斷電脈沖輸入模塊與所述零電流自鎖開關(guān)的端口 B相 連，電源模塊與所述零電流自鎖開關(guān)的端口 C相連，其中，所述上電脈沖輸入模塊，用于輸入上電控制信號(hào)給所述零電流自鎖開關(guān)；所述斷電脈沖輸入模塊，用于輸入斷電控制信號(hào)給所述零電流自鎖開關(guān)；所述零電流自鎖開關(guān)，收到所述上電控制信號(hào)后，開關(guān)狀態(tài)變?yōu)榇蜷_，收到所述斷 電控制信號(hào)后，開關(guān)狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)閉；所述電源模塊，用于在零電流自鎖開關(guān)狀態(tài)變?yōu)榇蜷_時(shí)，通過零電流自鎖開關(guān)的 端口 D對(duì)工作電路模塊供電；在零電流自鎖開關(guān)狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)閉時(shí)，停止對(duì)工作電路模塊供 H1^ ο進(jìn)一步地，上述電源裝置還可具有以下特點(diǎn)，所述上電控制信號(hào)為脈沖信號(hào)，所述 斷電控制信號(hào)為脈沖信號(hào)。進(jìn)一步地，上述電源裝置還可具有以下特點(diǎn)，所述上電脈沖輸入模塊直接產(chǎn)生上 電控制信號(hào)輸入給所述零電流自鎖開關(guān)；或者接收射頻信號(hào)產(chǎn)生所述上電控制信號(hào)輸入給 所述零電流自鎖開關(guān)。進(jìn)一步地，上述電源裝置還可具有以下特點(diǎn)，所述斷電脈沖輸入模塊與工作電路 模塊相連，用于在所述工作電路模塊工作完畢后，產(chǎn)生斷電控制信號(hào)；或者所述斷電脈沖輸 入模塊位于所述工作電路模塊上，用于在所述工作電路模塊工作完畢后，將所述工作電路 模塊產(chǎn)生的斷電控制信號(hào)輸入給所述零電流自鎖開關(guān)。本發(fā)明還提出一種使用上述電源裝置降低功耗的方法，包括，輸入上電控制信號(hào)打開零電流自鎖開關(guān)；
電源模塊對(duì)工作電路模塊供電；在工作電路模塊完成工作后，輸入斷電控制信號(hào)將零電流自鎖開關(guān)關(guān)閉；電源模塊停止對(duì)工作電路模塊供電。進(jìn)一步地，上述方法還可具有以下特點(diǎn)，所述上電控制信號(hào)為脈沖信號(hào)，所述斷電 控制信號(hào)為脈沖信號(hào)，通過有線或無線的方式輸入所述上電控制信號(hào)至所述零電流自鎖開關(guān)。本發(fā)明所述降低電源功耗的方法和裝置，通過控制信號(hào)控制開關(guān)的通斷，從而控 制電源的通斷，在工作電路工作完畢的時(shí)候直接關(guān)閉電源，不需要進(jìn)入休眠狀態(tài)，從而降低 了功耗。


圖1是本發(fā)明電源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明零電流自鎖開關(guān)的電路示意圖；圖3是本發(fā)明零電流自鎖開關(guān)的另一電路示意圖；圖4是本發(fā)明零電流自鎖開關(guān)的又一電路示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出了一種零電流自鎖開關(guān)，以及包含該零電流自鎖開關(guān)的電源裝置，不 僅在斷電的時(shí)候不消耗電流，在上電工作的時(shí)候，自鎖開關(guān)部分也不消耗電流，極大的降低 了系統(tǒng)的電源消耗。請(qǐng)參閱圖1，它是本發(fā)明一種應(yīng)用于RFID有源標(biāo)簽的電源裝置結(jié)構(gòu)示意圖。它可 應(yīng)用于RFID系統(tǒng)中有源/半有源電子標(biāo)簽的電源控制，也可以應(yīng)用于其它需要電源控制的 系統(tǒng)。如圖1所示該裝置包含上電脈沖輸入模塊101，電源模塊102，零電流自鎖開關(guān) 103，工作電路模塊104，斷電脈沖輸入模塊105。各模塊的功能和連接關(guān)系如下上電脈沖輸入模塊101，用于產(chǎn)生上電控制信號(hào)至零電流自鎖開關(guān)103，零電流自 鎖開關(guān)103接收到該上電控制信號(hào)后狀態(tài)變?yōu)榇蜷_。上電脈沖輸入模塊101可自己產(chǎn)生上電控制信號(hào)輸入給零電流自鎖開關(guān)，例如通 過直接的控制線輸入，或者采用手動(dòng)按鍵方式輸入，或者以無線方式，通過天線接收射頻信 號(hào)，再通過二極管檢波和電容濾波后生成上電控制信號(hào)。上電控制信號(hào)一般為脈沖信號(hào)，如圖2，3中為高電平脈沖信號(hào)，圖4中為低電平脈 沖信號(hào)。斷電脈沖輸入模塊104與工作電路模塊相連，用于在所述工作電路模塊工作完畢 后，產(chǎn)生斷電控制信號(hào)，輸入零電流自鎖開關(guān)，零電流自鎖開關(guān)收到改斷電控制信號(hào)后，其 狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)閉；或者所述斷電脈沖輸入模塊位于所述工作電路模塊上，用于在所述工作電 路模塊工作完畢后，將所述工作電路模塊產(chǎn)生的斷電控制信號(hào)輸入給所述零電流自鎖開 關(guān)，即工作電路105在完成預(yù)定操作后通過斷電脈沖輸入模塊104關(guān)閉零電流自鎖開關(guān) 103。斷電控制信號(hào)也為脈沖信號(hào)，與上電控制信號(hào)類似。電源模塊102在有源/半有源標(biāo)簽系統(tǒng)中一般指電池，用于在零電流自鎖開關(guān)狀態(tài)為打開時(shí)對(duì)工作電路模塊105進(jìn)行供電，在零電流自鎖開關(guān)狀態(tài)為關(guān)閉時(shí)斷開對(duì)工作電 路模塊105的供電。圖2所示為零電流自鎖開關(guān)103的一實(shí)施例，包含2個(gè)NPN三極管Ql、Q2，4個(gè)MOS 管(場(chǎng)效應(yīng)管)Q3、Q4、Q5、Q6和四個(gè)電阻Rl、R2、R3、R4，以及端口 A、B、C、D，其中
端口 A為上電脈沖輸入端，端口 B為斷電脈沖輸入端，端口 C為電源輸入端，端口D為輸出端，與工作電路模塊連接；三極管Ql的集電極連接MOS管Q4、Q6的柵極和MOS管Q5的漏極，其發(fā)射極接地， 其基極連接電阻Rl的一端，電阻Rl的另一端連接端口 A ；MOS管Q3和Q4的源極相連，MOS管Q3的漏極通過電阻R3與MOS管Q5的漏極相 連，MOS管Q4的漏極通過電阻R4與MOS管Q6的漏極相連，MOS管Q5、Q6的源極相連并接 地；三極管Q2的集電極連接MOS管Q3、Q5的柵極和MOS管Q6的漏極，其發(fā)射極接地， 其基極連接電阻R2的一端，另一端連接端口 B ；MOS管Q3和Q4的源極連接端口 C ；MOS管Q4的漏極連接端口 D。假設(shè)電路處于關(guān)斷狀態(tài)，三極管Ql，Q2沒有信號(hào)輸入，處于截止?fàn)顟B(tài)。由于MOS管 Q4斷開Q6導(dǎo)通，Q3和Q5的柵極為低電平，使得Q3導(dǎo)通Q5斷開。由于MOS管的柵極沒有 電流，R3、R4上沒有壓降。當(dāng)輸入上電脈沖時(shí)，脈沖電流使Ql快速導(dǎo)通，流過Ql的集電極電流使R3上產(chǎn)生 一個(gè)壓降，使得Q4、Q6的柵極電壓降為低電平。此時(shí)Q4導(dǎo)通Q6斷開，使Q3、Q5的柵極變?yōu)?高電平，Q3斷開Q5導(dǎo)通。此時(shí)即使上電信號(hào)的高電平脈沖結(jié)束，Ql的集電極仍然為低電 平，達(dá)到開關(guān)狀態(tài)自鎖的目的。對(duì)于斷電操作，電路的實(shí)現(xiàn)過程和上電過程完全對(duì)稱，具體如下斷電操作時(shí)，零電流自鎖開關(guān)先處于導(dǎo)通狀態(tài)，Q4導(dǎo)通Q6關(guān)斷，Q3關(guān)斷Q5導(dǎo)通。 由工作電路模塊104輸出的斷電脈沖輸入到R2，使Q2快速導(dǎo)通。流過Q2的集電極電流使 R4上產(chǎn)生一個(gè)壓降，使得Q3、Q5的柵極電壓降為低電平。導(dǎo)致Q3導(dǎo)通Q5斷開，使Q4、Q6 的柵極變?yōu)楦唠娖?，Q4斷開Q6導(dǎo)通，完成斷電操作。圖3所示為零電流自鎖開關(guān)103的另一實(shí)施例，包含2個(gè)NPN三極管Ql、Q2，4個(gè) MOS 管 Q3、Q4、Q5、Q6 和四個(gè)電阻 Rl、R2、R3、R4,以及端 口 A、B、C、D。其中，端口 A為上電脈沖輸入端，與上電脈沖輸入模塊連接，端口 B為斷電脈沖輸入端， 與斷電脈沖輸入模塊連接，端口 C為電源輸入端，與電源模塊連接，端口 D為輸出端，與工作 電路模塊連接；三極管Q2的集電極連接MOS管Q4、Q6的柵極和Q5的漏極，其發(fā)射極接地，其基極 連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接端口 A ；MOS管Q3和Q4的源極相連，MOS管Q3的漏極通過電阻R3與MOS管Q6的柵極相 連；MOS管Q4的漏極通過電阻R4與MOS管Q5的柵極相連，MOS管Q6的源極與MOS管Q5的 源極相連并接地；三極管Ql的集電極連接MOS管Q3、Q5的柵極和MOS管Q6的漏極，其發(fā)射極接地， 其基極連接電阻Rl的一端，電阻Rl的另一端連接端口 B。MOS管Q3和Q4的源極連接端口 C ；MOS管Q4的漏極連接端口 D。圖4所示為零電流自鎖開關(guān)103的另一實(shí)施例，包含2個(gè)三極管Ql、Q2，4個(gè)MOS 管03、04、05、06和四個(gè)電阻1 1、1 2、1 3、1 4，以及端口 A、B、C、D。其中，端口 A為上電脈沖 輸入端，與上電脈沖輸入模塊連接，端口 B為斷電脈沖輸入端，與斷電脈沖輸入模塊連接， 端口 C為電源輸入端，與電源模塊連接，端口 D為輸出端，與工作電路模塊連接；
三極管Ql的集電極連接MOS管Q4、Q6的柵極和MOS管Q3的漏極，其發(fā)射極連接 MOS管Q3、Q4的源極，其基極連接電阻Rl的一端，電阻Rl的另一端連接端口 A ；其發(fā)射極和 集電極之間連接一電容Cl ；MOS管Q3和Q4的源極相連，MOS管Q3的漏極通過電阻R3與MOS管Q5的漏極相 連，MOS管Q4的漏極通過電阻R4與MOS管Q6的漏極相連，MOS管Q5、Q6的源極相連并接 地；三極管Q2的集電極連接MOS管Q3、Q5的柵極和MOS管Q4的漏極，其發(fā) 射極連接 MOS管Q3、Q4的源極，其基極連接電阻R2的一端，另一端連接端口 B ；MOS管Q3和Q4的源極連接端口 C ；MOS管Q3的漏極連接端口 D。圖3、圖4電路上電和斷電具體過程類似圖2，此處不再贅述。 上述各實(shí)施例中，電阻Rl、R2、R3、R4的阻值一般為幾十K Ω，MOS管Q3、Q4、Q5、Q6 為增強(qiáng)型MOS管，其導(dǎo)通電壓Vgs(th)和導(dǎo)通電阻Rds(On)比較低(要求導(dǎo)通電壓Vgs (th) 不高于電源電壓，導(dǎo)通電阻Rds(On)在電路最大工作電流時(shí)產(chǎn)生的壓降滿足工作電路的電 壓范圍)，三極管Ql、Q2可選低頻小功率的通用三極管。優(yōu)選地，Ql和Q2參數(shù)一致，Rl和 R2參數(shù)一致，Q3和Q4參數(shù)一致，Q5和Q6參數(shù)一致。上述各實(shí)施例中，三極管Ql或Q2的集電極和發(fā)射極之間可增加一電容，使電路初 次上電確定工作在上電(或斷電)的狀態(tài)。如圖4所示，在三極管Ql的發(fā)射極和集電極之 間增加了一電容Cl。也可以在三極管Q2的發(fā)射極和集電極之間增加一電容，本發(fā)明對(duì)此不
作限定。本發(fā)明還提出一種應(yīng)用本發(fā)明所述電源裝置降低電源功耗的方法，包括510，通過有線或無線方式輸入上電控制信號(hào)打開零電流自鎖開關(guān)；520，零電流自鎖開關(guān)打開后，電源對(duì)工作電路供電；530，在工作電路在完成工作后，輸出斷電控制信號(hào)將零電流自鎖開關(guān)關(guān)閉；540，零電流自鎖開關(guān)關(guān)閉后，電源停止對(duì)工作電路供電。上述上電控制信號(hào)和斷電控制信號(hào)均為脈沖信號(hào)。通過有線或無線的方式輸入所 述上電控制信號(hào)至所述零電流自鎖開關(guān)。由工作電路產(chǎn)生斷電控制信號(hào)將零電流自鎖開關(guān) 關(guān)閉。本發(fā)明所述方法，開關(guān)裝置僅在開關(guān)狀態(tài)切換時(shí)消耗微量電流。本發(fā)明提出的電 源裝置，在工作電路完成工作后，不是進(jìn)入休眠狀態(tài)，而是電源停止對(duì)工作電路供電，從而 降低了功耗，延長(zhǎng)了電源工作時(shí)間。本發(fā)明具有如下有益效果1)本發(fā)明方法采用脈沖信號(hào)控制電源開斷，僅在脈沖輸入時(shí)消耗電流，可以降低 控制信號(hào)的輸入電阻，提高抗干擾能力；同時(shí)避免輸入電阻低帶來控制信號(hào)本身長(zhǎng)時(shí)間電 流增加引起的電流消耗。2)本發(fā)明在開關(guān)狀態(tài)保持期間利用MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)器件和電壓控制的 原理，在MOS器件的柵極保持控制電壓而沒有電流消耗，進(jìn)一步降低功耗。本發(fā)明方法和裝置可應(yīng)用于RFID系統(tǒng)中有源/半有源電子標(biāo)簽的電源控制，也可 以應(yīng)用于其它需要電源控制的系統(tǒng)。以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、 等同替換、改進(jìn)等均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種零電流自鎖開關(guān)，其特征在于，包括端口A，端口B，端口C及端口D，三極管Q1、Q2和場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、Q5和Q6，電阻R1、R2、R3和R4，三極管Q2的集電極連接MOS管Q3及Q5的柵極和MOS管Q6的漏極，其發(fā)射極接地，其基極連接電阻R2的一端，另一端連接端口B；MOS管Q3和Q4的源極相連，MOS管Q3的漏極通過電阻R3與MOS管Q5的漏極相連，MOS管Q4的漏極通過電阻R4與MOS管Q6的漏極相連，MOS管Q5和Q6的源極相連并接地；三極管Q1的集電極連接MOS管Q4及Q6的柵極和MOS管Q5的漏極，其發(fā)射極接地，其基極連接電阻R1的一端，電阻R1的另一端連接端口A；MOS管Q3和Q4的源極連接端口C；MOS管Q4的漏極連接端口D。
2.如權(quán)利要求1所述的零電流自鎖開關(guān)，其特征在于，所述三極管Q1或Q2的發(fā)射極和 集電極之間通過一電容C相連。
3.一種零電流自鎖開關(guān)，其特征在于，包括端口 A，端口 B，端口 C及端口 D，三極管Q1、 Q2和場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、Q5和Q6，電阻Rl、R2、R3和R4，三極管Q2的集電極連接M0S管Q4、 Q6的柵極和Q5的漏極，其發(fā)射極接地，其基極連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接端 口 A，M0S管Q3和Q4的源極相連，M0S管Q3的漏極通過電阻R3與M0S管Q6的柵極相連； M0S管Q4的漏極通過電阻R4與M0S管Q5的柵極相連，M0S管Q6的源極與M0S管Q5的源 極相連并接地；三極管Q1的集電極連接M0S管Q3、Q5的柵極和M0S管Q6的漏極，其發(fā)射極 接地，其基極連接電阻R1的一端，電阻R1的另一端連接端口 B，M0S管Q3和Q4的源極連接 端口 C ；M0S管Q4的漏極連接端口 D。
4.如權(quán)利要求3所述的零電流自鎖開關(guān)，其特征在于，所述三極管Q1或Q2的發(fā)射極和 集電極之間通過一電容C相連。
5.一種零電流自鎖開關(guān)，其特征在于，包括端口 A，端口 B，端口 C及端口 D，三極管Q1、 Q2和場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、Q5和Q6，電阻R1、R2、R3和R4，一種零電流自鎖開關(guān)，其特征在于，包 含端口 A，端口 B，端口 C及端口 D，三極管Q1、Q2和場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4、Q5和Q6，電阻R1、R2、 R3和R4，三極管Q1的集電極連接M0S管Q4、Q6的柵極和M0S管Q3的漏極，其發(fā)射極連接 M0S管Q3、Q4的源極，其基極連接電阻R1的一端，電阻R1的另一端連接端口 A ；M0S管Q3 和Q4的源極相連，M0S管Q3的漏極通過電阻R3與M0S管Q5的漏極相連，M0S管Q4的漏極 通過電阻R4與M0S管Q6的漏極相連，M0S管Q5、Q6的源極相連并接地；三極管Q2的集電 極連接M0S管Q3、Q5的柵極和M0S管Q4的漏極，其發(fā)射極連接M0S管Q3、Q4的源極，其基 極連接電阻R2的一端，另一端連接端口 B ；M0S管Q3和Q4的源極連接端口 C ；M0S管Q3的 漏極連接端口 D。
6.如權(quán)利要求5所述的零電流自鎖開關(guān)，其特征在于，所述三極管Q1或Q2的發(fā)射極和 集電極之間通過一電容C相連。
7.一種包含如權(quán)利要求1至6任一所述的零電流自鎖開關(guān)的電源裝置，所述電源裝置 包含電源模塊、上電脈沖輸入模塊、斷電脈沖輸入模塊和零電流自鎖開關(guān)，所述上電脈沖輸 入模塊與所述零電流自鎖開關(guān)的端口 A相連、斷電脈沖輸入模塊與所述零電流自鎖開關(guān)的 端口 B相連，電源模塊與所述零電流自鎖開關(guān)的端口 C相連，其中，所述上電脈沖輸入模塊，用于輸入上電控制信號(hào)給所述零電流自鎖開關(guān)；所述斷電脈沖輸入模塊，用于輸入斷電控制信號(hào)給所述零電流自鎖開關(guān)；所述零電流自鎖開關(guān)，收到所述上電控制信號(hào)后，開關(guān)狀態(tài)變?yōu)榇蜷_，收到所述斷電控制信號(hào)后，開關(guān)狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)閉；所述電源模塊，用于在零電流自鎖開關(guān)狀態(tài)變?yōu)榇蜷_時(shí)，通過零電流自鎖開關(guān)的端口 D 對(duì)工作電路模塊供電；在零電流自鎖開關(guān)狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)閉時(shí)，停止對(duì)工作電路模塊供電。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述上電控制信號(hào)為脈沖信號(hào)，所述斷電控 制信號(hào)為脈沖信號(hào)。
9.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述上電脈沖輸入模塊直接產(chǎn)生上電控制 信號(hào)輸入給所述零電流自鎖開關(guān)；或者接收射頻信號(hào)產(chǎn)生所述上電控制信號(hào)輸入給所述零 電流自鎖開關(guān)。
10.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述斷電脈沖輸入模塊與工作電路模塊相 連，用于在所述工作電路模塊工作完畢后，產(chǎn)生斷電控制信號(hào)；或者所述斷電脈沖輸入模塊 位于所述工作電路模塊上，用于在所述工作電路模塊工作完畢后，將所述工作電路模塊產(chǎn) 生的斷電控制信號(hào)輸入給所述零電流自鎖開關(guān)。
11.一種使用權(quán)利要求7所述電源裝置降低功耗的方法，其特征在于，包括， 輸入上電控制信號(hào)打開零電流自鎖開關(guān)；電源模塊對(duì)工作電路模塊供電；在工作電路模塊完成工作后，輸入斷電控制信號(hào)將零電流自鎖開關(guān)關(guān)閉； 電源模塊停止對(duì)工作電路模塊供電。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述上電控制信號(hào)為脈沖信號(hào)，所述斷電 控制信號(hào)為脈沖信號(hào)，通過有線或無線的方式輸入所述上電控制信號(hào)至所述零電流自鎖開關(guān)。
全文摘要
本發(fā)明提出一種電源裝置，包含電源模塊、上電脈沖輸入模塊、斷電脈沖輸入模塊和零電流自鎖開關(guān)，上電脈沖輸入模塊、斷電脈沖輸入模塊、電源模塊與零電流自鎖開關(guān)的相連，上電脈沖輸入模塊輸入上電控制信號(hào)給零電流自鎖開關(guān)，開關(guān)狀態(tài)變?yōu)榇蜷_，電源模塊通過零電流自鎖開關(guān)對(duì)工作電路模塊供電；斷電脈沖輸入模塊輸入斷電控制信號(hào)給零電流自鎖開關(guān)，開關(guān)狀態(tài)變?yōu)殛P(guān)閉，電源模塊停止對(duì)工作電路模塊供電。本發(fā)明還提出一種零電流自鎖開關(guān)和降低電源功耗的方法。本發(fā)明通過控制信號(hào)控制控制電源的通斷，在工作電路工作完畢的時(shí)候直接關(guān)閉電源，不需要進(jìn)入休眠狀態(tài)，從而降低了功耗。
文檔編號(hào)H02M1/00GK101826862SQ200910126460
公開日2010年9月8日 申請(qǐng)日期2009年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月6日
發(fā)明者任健, 常磊, 曹誠(chéng), 曾祥希, 李保海 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司