專利名稱：可變控制設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及負(fù)責(zé)利用來自于交流單相電力網(wǎng)絡(luò)(交流電源)的可變電壓控制電力 負(fù)載的可變控制設(shè)備。本發(fā)明特別在能夠特別為燈(諸如白熾燈)提供可變電力的功率控 制器或電子變化器(也稱為“變光器”)方面有著應(yīng)用。
背景技術(shù)：
變光器與電力負(fù)載串聯(lián)連接以控制通常輸送230V的交流電壓的交流單相電力網(wǎng) 絡(luò)的一相。變光器通常包括MOSFET類型晶體管的電子功率開關(guān)，與負(fù)載串聯(lián)連接以便根據(jù) 晶體管柵極上的輸入控制信號(hào)來改變(commute)負(fù)載(連接或斷開)。這類晶體管的優(yōu)點(diǎn) 在于通常是斷開的，即在沒有控制信號(hào)的情況下(特別在電源開啟期間)維持在阻塞狀態(tài) 并且不導(dǎo)電。對(duì)于變速逆變器中的可控硅整流器(thyristor)來說，這些晶體管的控制通 過相角來容易地完成，附加的可能性是在任何時(shí)間阻塞(斷開狀態(tài)或不導(dǎo)電狀態(tài))這些晶 體管。然而，這些變光器的主要缺點(diǎn)是由MOSFET晶體管在導(dǎo)電狀態(tài)(閉合狀態(tài))期間產(chǎn) 生的熱耗散。實(shí)際上，這些晶體管包括導(dǎo)電狀態(tài)下的實(shí)質(zhì)電阻(substantial resistance), 大約為一百毫歐姆。該熱耗散是電消耗和這樣的變光器的小型化的限制的缺點(diǎn)。存在具有低的熱耗散的電子功率開關(guān)，特別是JFET型(聯(lián)合場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的 場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在導(dǎo)電狀態(tài)期間的它們的電阻實(shí)際上明顯小于對(duì)等尺寸的MOSFET晶體管 的電阻。但是，當(dāng)這些JFET晶體管的柵極-源極電壓Ves等于零時(shí)(或者存在零控制信號(hào) 時(shí))，它們通常導(dǎo)電(通常稱為“正常ON”或正常閉合)，S卩，它們處于導(dǎo)電狀態(tài)。必須施加 足夠的負(fù)的柵極-源極電壓Ves以使得它們變換在阻塞狀態(tài)(或斷開狀態(tài))。此特征明顯 可能產(chǎn)生工作和安全問題。當(dāng)前，正常ON型的JFET晶體管通常由碳化硅(SiC)制成，但是也可以使用寬帶隙 材料(也稱為具有大帶隙的材料)，即在導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)呈現(xiàn)出低電阻Rds。n并且能夠支持相當(dāng) 的電壓(高達(dá)1000V)，例如氮化鎵(GaN)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是設(shè)計(jì)使用正常ON JFET晶體管的可變控制設(shè)備，特別是便于 最小化電消耗和增加它們的能效，但是在不存在電源或沒有控制信號(hào)時(shí)卻不會(huì)產(chǎn)生工作或 安全問題。本發(fā)明的另一個(gè)目的是通過使用碳化硅(SiC)功率晶體管來增加功率控制器或 變光器的可靠性和使用壽命，因?yàn)樘蓟杓夹g(shù)(SiC)比硅技術(shù)(Si)更魯棒，特別是對(duì)溫度 和過電壓行為而言。本發(fā)明的另一個(gè)目的是設(shè)計(jì)一種自動(dòng)控制設(shè)備，其僅需要該設(shè)備連接到的交流電 網(wǎng)絡(luò)的一相作為單個(gè)電源。為此，本發(fā)明描述了一種在交流電網(wǎng)絡(luò)的一相上與要被控制的電力負(fù)載串聯(lián)連接的可變控制設(shè)備。該控制設(shè)備包括正常ON類型的兩個(gè)JFET功率開關(guān)，它們的柵極連接在 一起；兩個(gè)極化電阻器，每個(gè)極化電阻器分別連接在功率開關(guān)之一的柵極和源極之間；由 公共控制信號(hào)控制的兩個(gè)控制開關(guān)，每個(gè)控制開關(guān)分別與極化電阻器中的一個(gè)并聯(lián)連接。根據(jù)一個(gè)特征，該功率開關(guān)是氮化鎵或碳化硅JFET晶體管。根據(jù)一個(gè)特征，該可變控制設(shè)備還包括備用能量電容器和該電容器的充電電路， 該電容器具有連接到該功率開關(guān)的柵極的第一端子。該電容器用來為輸送該控制信號(hào)的電 子電路供電，以使得可變控制設(shè)備能夠是完全自動(dòng)的。根據(jù)另一個(gè)特征，該控制開關(guān)是MOSFET晶體管，其源極連接在一起且連接到該功 率開關(guān)的柵極，其漏極分別連接到相應(yīng)功率開關(guān)的源極?？商鎿Q地，該控制開關(guān)是MEMS微 致動(dòng)器(微機(jī)電開關(guān))，其線圈由該控制信號(hào)供電。由于功率晶體管的較低的熱耗散，本發(fā)明將優(yōu)選地不但使得可以降低包括這樣的 控制設(shè)備的功率控制器或變光器的體積(較大程度的小型化)而且也將使得可以利用相等 尺寸的設(shè)備控制較大的負(fù)載。


其它特征和優(yōu)點(diǎn)將出現(xiàn)在后面的具體實(shí)施方式
中，同時(shí)參考作為示例給出并且由 附圖表示的實(shí)施例，其中圖1表示根據(jù)本發(fā)明的可變控制設(shè)備的第一簡(jiǎn)單實(shí)施例；圖2表示根據(jù)本發(fā)明的可變控制設(shè)備的第二實(shí)施例；圖3、4和5示出了在不同的工作步驟期間圖2的設(shè)備中的電流的流動(dòng)。
具體實(shí)施例方式參考圖1，可變控制設(shè)備10負(fù)責(zé)利用可變電壓控制電子負(fù)載12，從控制信號(hào)S開 始。控制設(shè)備10與負(fù)載12串聯(lián)連接到輸送電壓Um的交流電源的僅僅一相，并且不需要連 接到該交流電源的中點(diǎn)(neutral point)，這使得它在例如家庭自動(dòng)電器中的使用非常容 易和簡(jiǎn)單。這樣的設(shè)備特別適合于用在功率控制器中，例如用于控制諸如燈的電力負(fù)載的 變光器(例如被230V的交流電源供電并且具有小于等于1000W的功率)?？刂圃O(shè)備10包括作為正常ON型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的兩個(gè)JFET功率開關(guān)Jl和J2。優(yōu) 選地，這兩個(gè)功率開關(guān)Jl和J2由碳化硅(SiC)制成，但是也可以使用其它寬帶隙材料，諸 如氮化鎵。在示出的示例中，功率開關(guān)Jl和J2是具有N溝道的JFET?？刂圃O(shè)備10還包括兩個(gè)極化電阻器(也稱為偏置電阻器)Rl和R2和兩個(gè)控制開 關(guān)Ml禾口 M2。功率開關(guān)Jl和J2的柵極G彼此連接。開關(guān)Jl和J2與負(fù)載12串聯(lián)頭鏟 (head-spade)安裝，以使得開關(guān)Jl的漏極D連接到交流電源，開關(guān)J2的漏極D連接到負(fù)載 12的一端，并且開關(guān)Jl和J2的源極S通過極化電阻器Rl和R2連接在一起。因而，每個(gè)電 阻器Rl和R2分別連接在功率開關(guān)Jl和J2的柵極和源極之間。優(yōu)選地，開關(guān)Jl和J2相 同，電阻器Rl和R2相同。每個(gè)控制開關(guān)Ml和M2分別與極化電阻器Rl和R2中的一個(gè)并聯(lián)連接?？刂崎_關(guān) Ml和M2可以是諸如小型繼電器或微機(jī)電開關(guān)(MEMS)之類的機(jī)電部件，或者優(yōu)選地是諸如低電壓MOSFET晶體管之類的半導(dǎo)體電子部件。在機(jī)電部件的情況下，控制信號(hào)S連接到Ml 和M2的控制線圈。在半導(dǎo)體電子部件的情況下，控制信號(hào)S經(jīng)由柵極電阻器連接到部件Ml 和M2的柵極。控制設(shè)備10還可以包括兩個(gè)相同的保護(hù)齊納二極管Zl和Z2，它們與極化電阻器 Rl和R2并聯(lián)連接。Zl和Z2的陰極分別連接到開關(guān)Jl和J2的源極，Zl和Z2的陽極分別 連接到開關(guān)Jl和J2的柵極。這些齊納二極管保護(hù)JFET開關(guān)，因?yàn)樗鼈兛偸悄軌蛳拗埔粋€(gè) 方向上它們的齊納電壓V2(或擊穿電壓)(例如大約-15V)和另一個(gè)方向上它們的直流壓 降(例如+0. 7V)之間的柵極-源極電壓Vgs。圖1的實(shí)施例的工作模式如下A.開始時(shí)，假定電源電壓Um等于零，因此開關(guān)JFET Jl和J2各自的柵極和源極之 間的電壓Vesi和Ves2等于零，因而開關(guān)JFET Jl和J2均閉合(導(dǎo)電狀態(tài))，因?yàn)樗鼈兪钦?ON類型的。還假定不存在控制信號(hào)S，因而控制開關(guān)Ml和M2處于斷開狀態(tài)(阻塞狀態(tài))。B.當(dāng)電源電壓Um出現(xiàn)時(shí)，例如在所謂的正拱形(arch)期間，電流I開始在由圖1 中的箭頭I指示的方向上流入J1、R1、R2、J2中。該電流I在電阻器Rl的端子之間非常迅速 地產(chǎn)生正電壓Vki。由于基于構(gòu)建的Vki = -Vesi，則正電壓Vki在JFET開關(guān)Jl的柵極和源極 之間產(chǎn)生負(fù)電壓Vesi。選擇Rl的值以使得Vesi電壓快速達(dá)到鎖定電壓(或夾斷(pinching) 電壓)VP，以使得開關(guān)Jl變換到斷開狀態(tài)(不導(dǎo)電狀態(tài))。然后流過電阻器Rl的電流下降， 直到Vesi再一次達(dá)到鎖定電壓Vp之上，這使得JFET開關(guān)Jl再次稍微導(dǎo)電。因而電流I將 再次增加，直到Vri再次到達(dá)鎖定電壓VP，以便再次阻塞Jl，等等。在此正拱形期間，JFET開 關(guān)Jl安裝在電源中，因而電流依賴于電阻器Rl和鎖定電壓VP。因而，Jl和Rl的配置致使，在正拱形期間，電流I低于或等于非常低的值的剩余 電流Imin，很不足以正確地為負(fù)載12供電，特別是不足以接通燈。例如，如果Rl = IOKΩ且 如果 Vp = -10V，則 Imin = ImA0此外，在此正拱形期間，齊納二極管Zl被阻塞并且齊納二極管Ζ2導(dǎo)通。因而Ζ2 的端子之間的電壓Vz2等于齊納二極管的直流壓降(通常大約為0. 7V)，這使得可以限制R2 的端子之間的電壓Vk2，從而限制電壓Ves2的正值，以避免開關(guān)J2的柵極問題。C.在接下來的負(fù)拱形期間，電流I改變方向，電阻器R2和JFET開關(guān)J2的操作類 似于上面已經(jīng)描述的。負(fù)方向上流動(dòng)的電流I在電阻器R2的端子之間非常迅速地產(chǎn)生正 電壓VK2。由于基于構(gòu)建的Vk2 = -Vgs2，則正電壓Vk2在JFET開關(guān)J2的柵極和源極之間產(chǎn)生 負(fù)電壓Ves2。選擇R2的值以使得Ves2電壓快速達(dá)到鎖定電壓VP，以使得開關(guān)J2變換到斷開 狀態(tài)(不導(dǎo)電狀態(tài))。在此負(fù)拱形期間，JFET開關(guān)J2安裝在電源中，因而電流依賴于電阻 器R2和鎖定電壓Vp。因而，在不存在控制信號(hào)S的情況下，流入負(fù)載12的電流I永遠(yuǎn)保持低于或等于 Imin，這使得可以安全地確保，盡管使用正常ON功率開關(guān)，在不存在任何控制信號(hào)S的情況 下也不會(huì)為電力負(fù)載供電。D.當(dāng)控制信號(hào)S出現(xiàn)時(shí)，控制開關(guān)Ml和M2變?yōu)殚]合，這使得旁路(shunt)電阻器 Rl和R2。因而，電壓Vki和Vk2變?yōu)榛镜扔诹?僅為大約幾十毫伏)，因?yàn)閂ki = RonM1*I, 其中Rmimi對(duì)應(yīng)于低電壓MOSFET晶體管Ml的導(dǎo)電狀態(tài)下的非常低的電阻，I對(duì)應(yīng)于流入負(fù) 載12的電流。這也導(dǎo)致開關(guān)Jl和J2的柵極-源極電SVesi和Ves2強(qiáng)制為零。因此，在電流I的每個(gè)方向，開關(guān)Jl和J2均變換到導(dǎo)電狀態(tài)并且為電力負(fù)載12供電。根據(jù)圖2中描述的優(yōu)選實(shí)施例，控制設(shè)備10還包括電容器C，用于與電容器充電 電路相關(guān)的能量備用。電容器C具有連接到功率開關(guān)Jl和J2的柵極的第一端。電容器C 的充電電路包括兩個(gè)充電二極管Dl和D2，每個(gè)二極管Dl和D2各自的陰極連接在電容器C 的第二端，而二極管Dl和D2各自的陽極分別連接到功率開關(guān)Jl和J2的漏極。此外，電容 器C的充電電流可以被位于與二極管Dl和D2串聯(lián)連接的充電電路中的可能的附加電阻器 Ra(圖中未示出)限制。圖2中的實(shí)施例的工作模式如下A.假定開始時(shí)電源電壓Um等于零，因此開關(guān)JFET Jl和J2各自的柵極和源極之 間的電壓Vesi和Ves2等于零，因而開關(guān)Jl和J2均閉合(導(dǎo)電狀態(tài))，因?yàn)樗鼈兪钦N類 型的。還假定不存在控制信號(hào)S，因而控制開關(guān)Ml和M2處于斷開狀態(tài)(阻塞狀態(tài))。B.當(dāng)電源電壓Um出現(xiàn)時(shí)，例如在所謂的正拱形期間，電流I開始在由圖3中的箭 頭I指示的方向上流入J1、R1、R2、J2中。該電流I在電阻器Rl的端子之間非常迅速地產(chǎn) 生正電壓VK1。由于基于構(gòu)建的Vki = -Vesi,則正電壓Vki在JFET開關(guān)Jl的柵極和源極之間 產(chǎn)生負(fù)電壓Vesi。選擇Rl的值以使得Vesi電壓快速達(dá)到鎖定電壓(或夾斷電壓)VP，以使得 開關(guān)Jl變換到斷開狀態(tài)(不導(dǎo)電狀態(tài))。因而，對(duì)于圖1的操作，流入Jl的電流低于或等 于非常低的值的剩余電流Imin。另一方面，在電流的正拱形期間，二極管Dl導(dǎo)電并且二極管 D2阻塞。因而，電流I源自二極管D1，并且可以對(duì)電容器C充電。然后電流I流過R2，這 在JFET開關(guān)J2的柵極和源極之間施加正的Ves2電壓。因而，只要電容器C不被完全充電， 則J2就變?yōu)閷?dǎo)電。自動(dòng)地，電容器C的充電電流由電阻器R2以及由位于充電電路中的可 能的附加電阻器&(圖中未示出)限制，以使得電力負(fù)載12僅僅由低電流供電，并且在它 的端子之間不會(huì)出現(xiàn)顯著的電壓。C.在接下來的負(fù)拱形期間，電流I改變方向，并且電阻器R2和JFET開關(guān)J2的操 作類似于上面已經(jīng)描述的(參見圖4)。負(fù)方向上流動(dòng)的電流I在電阻器R2的端子之間非 常迅速地產(chǎn)生正電壓VK2。由于基于構(gòu)建的Vk2 = -Ves2，則正電壓Vk2產(chǎn)生負(fù)電壓νκ2，νκ2阻 塞JFET開關(guān)J2。二極管D2導(dǎo)電并且二極管Dl阻塞。因而，電流I源自二極管D2，并且可 以為電容器C充電。然后電流I流過R1，這在JFET開關(guān)Jl的柵極和源極之間施加正的Vesi 電壓。因而，只要電容器C沒有被完全充電，Jl就變?yōu)閷?dǎo)電。因而，上述工作模式的步驟B和C使得為電容器C充電，因?yàn)殡娏鱅總是以相同的 方向流過C。當(dāng)對(duì)電容器C的充電完成時(shí)，電容器C的端子之間的電壓不再變化，并且穩(wěn)定 在接近于電源Um的峰值電壓的值。D.當(dāng)控制信號(hào)S出現(xiàn)時(shí)，控制開關(guān)Ml和Μ2變?yōu)殚]合(參見圖5)，這使得旁路電 阻器Rl和R2。因而，電壓Vki和Vk2變?yōu)榛镜扔诹?，結(jié)果也強(qiáng)制開關(guān)Jl和J2的柵極-源 極電壓Vesi和Ves2為零。因此，在電流I的每個(gè)方向，開關(guān)Jl和J2均變換到導(dǎo)電狀態(tài)并且 為電力負(fù)載12供電。該可變控制設(shè)備還包括控制電子電路(圖中未示出)，預(yù)期輸送來自于控制命令 的公共控制信號(hào)S，該控制命令例如在變光器的情況下來自于幾個(gè)位置按鈕，或者來自于任 何其它外部元件。按照傳統(tǒng)方式，為了向電力負(fù)載12提供可變電壓，控制信號(hào)S可能僅僅 出現(xiàn)在電源Um的每個(gè)弧形的一部分上。
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由于本發(fā)明，控制電子電路優(yōu)選地由向控制電子電路的供電模塊(回掃或SMPS型 的)提供能量源的電容器C供電。因而，可變控制設(shè)備完全是自動(dòng)的，并且不需要任何能量 源(電池)來運(yùn)行，除了電力負(fù)載12的交流電源Um的一相之外。同樣地，該設(shè)備不需要交 流單相電力網(wǎng)絡(luò)的相點(diǎn)和中點(diǎn)之間的連接。與上面的工作模式所述的相似，交流電源的電 源電壓Um —出現(xiàn)，電容器C就被再充電。在實(shí)踐中，僅僅幾個(gè)半波就足夠?yàn)殡娙萜鰿充電， 因?yàn)榭刂齐娮与娐凡幌拇罅磕芰?僅大約1W)。但是，如果控制信號(hào)S永遠(yuǎn)存在(上面圖5的工作模式的步驟D)，則電容器C不 再被供電，因而可以在長(zhǎng)時(shí)間后放電。這就是為什么本發(fā)明提供了，周期性地(例如，電流 I的每個(gè)半波)，控制信號(hào)S短時(shí)間內(nèi)不存在，以便在該短時(shí)間內(nèi)斷開控制開關(guān)Ml和M2，以 便維持電容器C的電荷(上面的步驟B和C)。將該短時(shí)間確定為不損害電力負(fù)載12的運(yùn) 行，特別是不產(chǎn)生被命令的燈的強(qiáng)度的任何可察覺的下降。本發(fā)明使得可以使用利用低電壓MOSFET晶體管(即當(dāng)前具有低于60V的電壓)實(shí) 現(xiàn)的控制開關(guān)Ml和M2，這給了在導(dǎo)電狀態(tài)下具有非常低的電阻(僅為約幾毫歐)的優(yōu)點(diǎn)。 實(shí)際上，當(dāng)控制信號(hào)S被切斷以斷開Ml和M2時(shí)，出現(xiàn)在開關(guān)Ml和M2的源極和漏極之間的 電壓Vds總是等于電阻器Rl和R2的端子之間的電壓，而電阻器Rl和R2的端子之間的電壓 本身是由JFET開關(guān)Jl和J2的夾斷電壓Vp引起的。在開始期間的電流峰值的情況下，電壓 Vds由齊納二極管Zl和Z2限制，最大值為大約例如15到20V，而不是交流網(wǎng)絡(luò)Um的峰值電 壓 230V。能夠使用這樣低電壓的MOSFET晶體管使得大大降低了熱耗散并且提供了變光器 小型化的更大的可能性。當(dāng)控制開關(guān)Ml和M2是機(jī)電MEMS微致動(dòng)器時(shí)該優(yōu)點(diǎn)也存在，因?yàn)?它們?cè)趯?dǎo)電狀態(tài)下的電阻器也非常低。
權(quán)利要求
一種在交流電網(wǎng)絡(luò)的一相上與要被控制的電力負(fù)載(12)串聯(lián)連接的可變控制設(shè)備，其特征在于該控制設(shè)備(10)包括正常ON類型的兩個(gè)JFET功率開關(guān)(J1，J2)，它們的柵極連接在一起；兩個(gè)極化電阻器(R1，R2)，每個(gè)極化電阻器分別連接在功率開關(guān)(J1，J2)之一的柵極和源極之間；由公共控制信號(hào)(S)控制的兩個(gè)控制開關(guān)(M1，M2)，每個(gè)控制開關(guān)分別與極化電阻器(R1，R2)中的一個(gè)并聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變控制設(shè)備，其特征在于，該功率開關(guān)(Jl，J2)是碳化硅 JFET晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變控制設(shè)備，其特征在于，該功率開關(guān)(Jl，J2)是氮化鎵 JFET晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變控制設(shè)備，其特征在于，該可變控制設(shè)備(10)還包括備 用能量電容器(C)和該電容器的充電電路，該電容器(C)具有連接到該功率開關(guān)(Jl，J2) 的柵極的第一端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可變控制設(shè)備，其特征在于，該充電電路包括兩個(gè)二極管 (Dl, D2)，每個(gè)二極管的陰極連接到電容器(C)的第二端子，并且每個(gè)二極管的陽極分別連 接到功率開關(guān)(Jl，J2)的一個(gè)的漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可變控制設(shè)備，其特征在于，該控制設(shè)備(10)還包括電子控 制電路，其輸送該公共控制信號(hào)(S)并且由該電容器(C)供電。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變控制設(shè)備，其特征在于，該控制開關(guān)(Ml，M2)是MOSFET 晶體管，其源極連接在一起且連接到功率開關(guān)(Jl，J2)的柵極，其漏極分別連接到相應(yīng)功 率開關(guān)(Jl，J2)的源極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可變控制設(shè)備，其特征在于，每個(gè)MOSFET晶體管(M1，M2)的 柵極經(jīng)由柵極電阻器連接到控制信號(hào)(S)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變控制設(shè)備，其特征在于，該控制開關(guān)(M1，M2)是MEMS微 致動(dòng)器，其線圈由控制信號(hào)(S)供電。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變控制設(shè)備，其特征在于，該控制設(shè)備(10)包括與極化電 阻器(R1，R2)并聯(lián)連接的兩個(gè)限制齊納二極管(Z1，Z2)。
11.一種用于控制電力負(fù)載(12)的功率控制器，其特征在于，其包括根據(jù)前述權(quán)利要 求中的任意一個(gè)所述的可變控制設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種在交流電路的一相上與要被控制的電力負(fù)載(12)串聯(lián)連接的可變控制設(shè)備(10)。該控制設(shè)備(10)包括正常導(dǎo)電JFET類型的兩個(gè)功率開關(guān)(J1，J2)，它們的柵極(G)連接在一起；兩個(gè)偏置電阻器(R1，R2)，每個(gè)偏置電阻器(R1，R2)分別連接在功率開關(guān)(J1，J2)的一個(gè)的柵極(G)和源極(S)之間；以及由公共控制信號(hào)控制的兩個(gè)控制開關(guān)(M1，M2)，每個(gè)控制開關(guān)(M1，M2)分別與偏置電阻器(R1，R2)中的一個(gè)并聯(lián)連接。應(yīng)用于變光器。
文檔編號(hào)H02M5/293GK101897111SQ200880120798
公開日2010年11月24日 申請(qǐng)日期2008年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月16日
發(fā)明者塞巴斯蒂安·卡庫特, 雅克·埃克拉比 申請(qǐng)人:施耐德電器工業(yè)公司