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便于機(jī)頂盒實(shí)現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)的開關(guān)電源電路裝置的制作方法

文檔序號:7431638閱讀:566來源:國知局
專利名稱:便于機(jī)頂盒實(shí)現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)的開關(guān)電源電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種開關(guān)電源,更具體地說,本實(shí)用新型涉及一種便于使機(jī)頂盒實(shí)現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)的開關(guān)電源電路裝置。
目前,為實(shí)現(xiàn)待機(jī)功能,機(jī)頂盒大都采用一輔助電源為主控芯片(MCU)供電,在待機(jī)狀態(tài)時(shí)用繼電器切斷主電源的方式。但其成本較高,可靠性差,體積大。索尼,百勝等公司的產(chǎn)品上也用過無輔助電源的可實(shí)現(xiàn)待機(jī)功能的開關(guān)電源,但電路復(fù)雜,元器件多,成本高,體積大,待機(jī)時(shí)電源的消耗功率都大于5瓦。
本實(shí)用新型的目的在于提供一種成本低,體積小,可靠性高,待機(jī)狀態(tài)電源消耗功率約3瓦且電路簡潔的便于機(jī)頂盒實(shí)現(xiàn)待機(jī)功能的開關(guān)電源。
本實(shí)用新型的目的是采用如下措施實(shí)現(xiàn)的。
開關(guān)電源電路次級是由待機(jī)電源電路和待機(jī)狀態(tài)控制電路兩部分組成,其中待機(jī)狀態(tài)控制電路由以電阻R14,R15,場效應(yīng)管BG1組成的待機(jī)狀態(tài)控制電路1和以電阻R9,R10,R11,R13,三極管BG2,BG3,BG4組成的待機(jī)狀態(tài)控制電路2連接組成,待機(jī)電源電路由二極管D6,濾波電容C2,C4,濾波電感L3連接組成。待機(jī)狀態(tài)控制電路的觸發(fā)端PC與機(jī)頂盒主電路的微處理器MCU輸出的控制信號PC相連;待機(jī)狀態(tài)控制電路1的輸入端與待機(jī)電源電路的輸出端相連接,待機(jī)狀態(tài)控制電路2的觸發(fā)端與待機(jī)狀態(tài)控制電路1的輸出端+5VM相連。開關(guān)電源初級為自激并聯(lián)式PWM高頻開關(guān)電源。
附圖的圖面說明如下

圖1為本實(shí)用新型的電原理圖。
本實(shí)用新型是在開關(guān)電源的+5V輸出端加入由電阻R14,R15,場效應(yīng)管BG1組成的待機(jī)狀態(tài)控制電路1,在+32V與+12V輸出端加入由電阻R9,R10,R11,R13,三極管BG2,BG3,BG4組成的待機(jī)狀態(tài)控制電路2,和由二極管D6,濾波電容C2,C4,濾波電感L3組成的待機(jī)電源電路。其工作原理是當(dāng)機(jī)頂盒工作于待機(jī)狀態(tài)時(shí),機(jī)頂盒主電路的微處理器MCU輸出低電平的控制信號PC,場效應(yīng)管BG1截止,+5VM輸出為零,BG2也因基極電壓為零而截止,從而使BG3,BG4也截止,+32V和+12V輸出都為零。機(jī)頂盒除微處理器MCU有工作電源外,都失去了工作電源,電源消耗變得很小了;當(dāng)機(jī)頂盒處于正常工作狀態(tài)時(shí),MCU輸出的控制信號PC為高電平,場效應(yīng)管BG1導(dǎo)通,+5VM輸出電壓為+5V,BG2,BG3,BG4都導(dǎo)通,+32V,+12V輸出都恢復(fù)正常,機(jī)頂盒各功能電路都獲得正常工作所需的額定電壓。本實(shí)用新型作為一種自激并聯(lián)式PWM開關(guān)電源,可用于具有待機(jī)功能的機(jī)頂盒,其特征是無須另加輔助電源。電源在機(jī)頂盒正常工作狀態(tài)下,提供+5VD,+5VM,+12V,+32V四組電源。在待機(jī)狀態(tài)下,+5VM,+12V,+32V都被切斷,開關(guān)電源只提供+5VD一組電源供MCU正常工作。這種機(jī)頂盒用開關(guān)電源無須另加輔助電源,具有體積小,成本低,可靠性高,電路簡潔,待機(jī)狀態(tài)電源消耗功率小,且便于機(jī)頂盒實(shí)現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)的優(yōu)點(diǎn)。適用于DVB-C,DVB-S,DVB-T等具有待機(jī)功能的機(jī)頂盒。
現(xiàn)舉一應(yīng)用于DVB-C機(jī)頂盒的實(shí)例,MCU采用ZILOG公司的Z86E3116PSC,電阻R14規(guī)格為RT14-1/4W-1Kohm,R15為RT14-1/4W-47Kohm,R9,R10,R11,R13都為RT14-1/4W-10Kohm,BG1為N溝道CMOS場效應(yīng)管IRFZ34N,BG2為三極管KSP2222A,BG3,BG4都為三極管KSP2907A,D6為肖特基二極管D10SC4M,濾波電容C2,C4為CD11-10V-2200uF,濾波電容C3為CD11-10V-1000uF,濾波電感L3,L4為10mH。本實(shí)例中,電源最大輸出功率為10W,工作頻率為100KHz;在待機(jī)狀態(tài)下,+5VM,+32V,+12V電壓為零,電源消耗功率為2.8W。
本實(shí)用新型的最大優(yōu)點(diǎn)是無須外加輔助電源,采用切斷負(fù)載的方式,使電源電路更簡單,成本低,體積小,可靠性高,待機(jī)狀態(tài)電源消耗功率低。
權(quán)利要求1.便于機(jī)頂盒實(shí)現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)的開關(guān)電源電路裝置,其特征在于它的次級是由待機(jī)電源電路和待機(jī)狀態(tài)控制電路兩部分組成,其中待機(jī)狀態(tài)控制電路由以電阻R14,R15,場效應(yīng)管BG1組成的待機(jī)狀態(tài)控制電路1和以電阻R9,R10,R11,R13,三極管BG2,BG3,BG4組成的待機(jī)狀態(tài)控制電路2連接組成;待機(jī)電源電路由二極管D6,濾波電容C2,C4,濾波電感L3連接而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便于機(jī)頂盒實(shí)現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)的開關(guān)電源電路裝置,其特征在于電阻R14為RT14-1/4W-1Kohm,電阻R15為RT14-1/4W-47Kohm,R9,R10,R11,R13都為RT14-1/4W-10Kohm,N溝道CMOS場效應(yīng)管BG1為IRFZ34N,三極管BG2為KSP2222A,三極管BG3,B64都為KSP2907A,肖特基二極管D6為D10SC4M,濾波電容C2,C4為CD11-10V-2200uF,濾波電容C3為CD11-10V-1000uF,濾波電感L3,L4為10mH。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種便于機(jī)頂盒實(shí)現(xiàn)待機(jī)狀態(tài)的開關(guān)電源電路裝置,其初級為自激并聯(lián)式PWM高頻開關(guān)電路;它的次級是由待機(jī)電源電路和待機(jī)狀態(tài)控制電路兩部分組成,其中待機(jī)狀態(tài)控制電路由以電阻R14,R15,場效應(yīng)管BG1組成的待機(jī)狀態(tài)控制電路1和以電阻R9,R10,R11,R13,三極管BG2,BG3,BG4組成的待機(jī)狀態(tài)控制電路2連接組成;待機(jī)電源電路由二極管D6,濾波電容C2,C4,濾波電感L3連接而成。本實(shí)用新型成本低,體積小,可靠性高,電源消耗功率小,電路簡潔。
文檔編號H02M1/00GK2574296SQ02277338
公開日2003年9月17日 申請日期2002年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月25日
發(fā)明者姜玲一 申請人:長沙蘇普曼電子有限公司
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