一種二極管及瞬態(tài)電壓抑制器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種二極管及瞬態(tài)電壓抑制器，二極管包括芯片、上下釘頭無(wú)氧銅導(dǎo)線、焊接層、非空腔塑封體組成，所述芯片臺(tái)面周圍設(shè)置有一次性涂覆電子純聚酰亞胺膠層，所述涂覆電子純聚酰亞胺膠層的芯片二次再涂覆有電子純硅橡膠層；所述芯片位于上下釘頭無(wú)氧銅導(dǎo)線之間，所述上下釘頭無(wú)氧銅導(dǎo)線的上下釘頭與芯片通過(guò)焊接層連接；所述上下釘頭、焊接層、芯片模塑封裝在塑封體內(nèi)，所述芯片包括硅基片，其中，該硅基片包含有N型襯底和P型擴(kuò)散層，N型襯底和P型擴(kuò)散層之間形成PN結(jié)，所述硅基片的上表面上進(jìn)一步設(shè)有溝道，溝道將硅基片上表面劃分為位于芯片中間的凸臺(tái)。所述瞬態(tài)電壓抑制器包括上述的二極管。本實(shí)用新型可以提高切割速度。
【專利說(shuō)明】
一種二極管及瞬態(tài)電壓抑制器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及一種二極管及瞬態(tài)電壓抑制器。
【背景技術(shù)】
[0002]瞬態(tài)電壓抑制器與被保護(hù)的集成電路并聯(lián)，在集成電路正常工作的時(shí)候，瞬態(tài)電壓抑制器并不工作。只有在集成電路受到靜電、浪涌等瞬態(tài)高壓沖擊時(shí)，瞬態(tài)電壓抑制器才會(huì)瞬間啟動(dòng)，把瞬態(tài)高壓降到較低的電壓，從而保護(hù)了集成電路。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種二極管及瞬態(tài)電壓抑制器，其可以解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺點(diǎn)。
[0004]本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0005]—種二極管，包括芯片、上下釘頭無(wú)氧銅導(dǎo)線、焊接層、非空腔塑封體組成，所述芯片臺(tái)面周圍設(shè)置有一次性涂覆電子純聚酰亞胺膠層，所述涂覆電子純聚酰亞胺膠層的芯片二次再涂覆有電子純硅橡膠層;所述芯片位于上下釘頭無(wú)氧銅導(dǎo)線之間，所述上下釘頭無(wú)氧銅導(dǎo)線的上下釘頭與芯片通過(guò)焊接層連接;所述上下釘頭、焊接層、芯片模塑封裝在塑封體內(nèi)，所述芯片包括硅基片，其中，該硅基片包含有N型襯底和P型擴(kuò)散層，N型襯底和P型擴(kuò)散層之間形成PN結(jié)，所述硅基片的上表面上進(jìn)一步設(shè)有溝道，溝道將硅基片上表面劃分為位于芯片中間的凸臺(tái)，PN結(jié)暴露在溝道的側(cè)壁上，溝道的底部和側(cè)壁上均覆蓋有鈍化層。
[0006]所述電子純聚酰亞胺膠層厚度l-2um;所述電子純娃橡膠層厚度為0.5-0.7mm。
[0007]所述鈍化層為CVD膜。
[0008]凸臺(tái)的上表面和硅基片的下表面上均設(shè)有金屬導(dǎo)電層。
[0009]—種瞬態(tài)電壓抑制器，包括上述的二極管。
[0010]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:可以提高切割速度，又可以防止芯片短路，并有利于裝配，提高了芯片的耐壓性、可靠性及電性能。
【附圖說(shuō)明】
[0011]下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，其中:
[0012]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2是本實(shí)用新型的電源模塊電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】:
[0015]如圖1所示，包括硅基片I，其中，該硅基片包含有N型襯底2和P型擴(kuò)散層3，N型擴(kuò)散層2和P型擴(kuò)散層3之間形成PN結(jié)4，所述硅基片I的上表面上進(jìn)一步設(shè)有溝道5，溝道5將硅基片上表面劃分為位于芯片中間的凸臺(tái)6，PN結(jié)4暴露在溝道5的側(cè)壁上，溝道5的底部和側(cè)壁上均覆蓋有鈍化層8。所述鈍化層8為CVD膜。凸臺(tái)6的上表面和硅基片I的下表面上均設(shè)有金屬導(dǎo)電層9。
[0016]上述雙臺(tái)階二極管芯片的制造工藝如下:先選取N型硅基片I，在硅基片I上通過(guò)擴(kuò)散形成P型擴(kuò)散層3和平面PN結(jié)4;再通過(guò)光刻、腐蝕在硅基片I上表面形成溝道5和凸臺(tái)6;在已形成凸臺(tái)6的硅基片I上沉積鈍化層8，對(duì)暴露于溝道5側(cè)壁(即凸臺(tái)6側(cè)壁)上的平面PN結(jié)4進(jìn)行包覆;通過(guò)腐蝕去除凸臺(tái)6上表面的鈍化層8;在凸臺(tái)6的上表面以及硅基片I的下表面沉積金屬導(dǎo)電層9。
[0017]本實(shí)用新型的芯片臺(tái)面周圍設(shè)置有一次性涂覆電子純聚酰亞胺膠層，所述涂覆電子純聚酰亞胺膠層的芯片二次再涂覆有電子純硅橡膠層;所述芯片位于上下釘頭無(wú)氧銅導(dǎo)線之間，所述上下釘頭無(wú)氧銅導(dǎo)線的上下釘頭與芯片通過(guò)焊接層連接;所述上下釘頭、焊接層、芯片模塑封裝在塑封體內(nèi)。所述電子純聚酰亞胺膠層厚度l-2um。所述電子純硅橡膠層厚度為0.5-0.7mm。
[0018]本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種瞬態(tài)電壓抑制器，包括上述的二極管，還包括一電源模塊電路，其如圖2所示，瞬態(tài)電壓抑制器TVS連接驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路與抑制電路相連，驅(qū)動(dòng)電路連接負(fù)載，實(shí)現(xiàn)高壓抑制，保護(hù)用電電路。
[0019]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種二極管，其特征在于，包括芯片、上下釘頭無(wú)氧銅導(dǎo)線、焊接層、非空腔塑封體組成，所述芯片臺(tái)面周圍設(shè)置有一次性涂覆電子純聚酰亞胺膠層，所述涂覆電子純聚酰亞胺膠層的芯片二次再涂覆有電子純硅橡膠層;所述芯片位于上下釘頭無(wú)氧銅導(dǎo)線之間，所述上下釘頭無(wú)氧銅導(dǎo)線的上下釘頭與芯片通過(guò)焊接層連接;所述上下釘頭、焊接層、芯片模塑封裝在塑封體內(nèi)，所述芯片包括硅基片，其中，該硅基片包含有N型襯底和P型擴(kuò)散層，N型襯底和P型擴(kuò)散層之間形成PN結(jié)，所述硅基片的上表面上進(jìn)一步設(shè)有溝道，溝道將硅基片上表面劃分為位于芯片中間的凸臺(tái)，PN結(jié)暴露在溝道的側(cè)壁上，溝道的底部和側(cè)壁上均覆蓋有鈍化層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其特征在于，所述電子純聚酰亞胺膠層厚度l_2um;所述電子純娃橡膠層厚度為0.5-0.7_。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二極管，其特征在于，所述鈍化層為CVD膜。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二極管，其特征在于，凸臺(tái)的上表面和硅基片的下表面上均設(shè)有金屬導(dǎo)電層。5.—種瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的二極管。
【文檔編號(hào)】H01L29/861GK205488143SQ201521112581
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年12月28日
【發(fā)明人】徐芳芳
【申請(qǐng)人】上海智晶半導(dǎo)體科技有限公司