便攜式硅片p型和n型快速區(qū)分儀的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型設(shè)及半導(dǎo)體測試設(shè)備領(lǐng)域，特別是設(shè)及一種便攜式娃片P型和N型快速 區(qū)分儀。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)中，形成半導(dǎo)體器件時，需要在晶圓表面經(jīng)過多個工藝步驟。若是其中任 何一個工藝步驟的調(diào)整控制不當(dāng)，則會使得形成的半導(dǎo)體器件出現(xiàn)質(zhì)量問題，導(dǎo)致晶圓的 報(bào)廢。因此，在實(shí)際的生產(chǎn)線中，每當(dāng)一個工藝步驟的各參數(shù)調(diào)整完成，會采用此工藝步驟 對擋控娃片(Con化ol/Dummy wafer)進(jìn)行測試，經(jīng)檢測分析證實(shí)此工藝步驟能正確地形成 半導(dǎo)體器件。
[0003] 隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)不斷向深微米尺寸發(fā)展，整個制程生產(chǎn)線不斷向更高精密度 發(fā)展。為保證在不斷縮小的特征尺寸的集成電路制造同樣具有較好的成品率，因此需要采 用擋控娃片對不同階段的制程過程進(jìn)行監(jiān)控和測試W驗(yàn)證機(jī)臺工作的性能。通常擋控娃片 需要循環(huán)使用，W降低擋控娃片使用成本。例如，在進(jìn)行沉積工藝前，為使得沉積的薄膜厚 度和均等度符合半導(dǎo)體器件的要求，或者沉積工藝中所產(chǎn)生的顆粒是否在允許范圍內(nèi)，會 先在晶圓控片上沉積所述薄膜，待確認(rèn)正確后才將薄膜形成在實(shí)際要用來制造半導(dǎo)體器件 的晶圓上。
[0004] 由于擋控娃片使用量非常大，且在使用過程中，部分區(qū)域?qū)⑴镫x子或憐離子注入 娃片內(nèi)，形成P型或N型娃片，但經(jīng)過注入后的娃片表面沒有任何區(qū)別，因此肉眼無法區(qū)分P 型和N型。
[0005] 目前，主要利用價(jià)格昂貴的ADE機(jī)臺進(jìn)行擋控娃片回收再利用（reclaim)前的測 試，W區(qū)分P型和N型，但是運(yùn)種測試速度慢且使用成本高。
[0006] 因此，提供一種新的娃片P型和N型快速區(qū)分儀實(shí)屬必要。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007] 鑒于W上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種便攜式娃片P型 和N型快速區(qū)分儀，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中區(qū)分P型和N型娃片的測試方法速度慢且成本高的 問題。
[000引為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種便攜式娃片P型和N型快速 區(qū)分儀，所述區(qū)分儀至少包括：
[0009] 絕緣手柄；
[0010] 第一金屬探針、第二金屬探針，分別設(shè)置在所述絕緣手柄上，所述第一金屬探針和 第二金屬探針頭部接觸待測娃片；
[0011] 發(fā)熱元件，安裝在所述第一金屬探針上；
[0012] 萬用表，接在所述第一金屬探針和第二金屬探針之間。
[0013] 作為本實(shí)用新型便攜式娃片P型和N型快速區(qū)分儀的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述娃片為 擋控娃片。
[0014] 作為本實(shí)用新型便攜式娃片P型和N型快速區(qū)分儀的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第一金 屬探針及發(fā)熱元件表面包覆有隔熱件。
[0015] 作為本實(shí)用新型便攜式娃片P型和N型快速區(qū)分儀的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第一金 屬探針和第二金屬探針的頭部之間連接有固定件。
[0016] 作為本實(shí)用新型便攜式娃片P型和N型快速區(qū)分儀的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第一金 屬探針和第二金屬探針為同種金屬，材質(zhì)為不誘鋼或者鐵。
[0017] 作為本實(shí)用新型便攜式娃片P型和N型快速區(qū)分儀的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述發(fā)熱電 阻的發(fā)熱溫度范圍為400~500°C。
[0018] 作為本實(shí)用新型便攜式娃片P型和N型快速區(qū)分儀的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述萬用表 連接在所述第一金屬探針和第二金屬探針之間且靠近手柄。
[0019] 如上所述，本實(shí)用新型的便攜式娃片P型和N型快速區(qū)分儀，包括:絕緣手柄;第一 金屬探針、第二金屬探針，分別設(shè)置在所述絕緣手柄上，所述第一金屬探針和第二金屬探針 頭部接觸待測娃片;發(fā)熱元件，安裝在所述第一金屬探針上;萬用表，接在所述第一金屬探 針和第二金屬探針之間。本實(shí)用新型的區(qū)分儀依循的是湯姆遜溫差電效應(yīng)的原理，使用時， 將發(fā)熱元件接通發(fā)熱，當(dāng)待測娃片為N型時，溫差電動勢從第二金屬探針端指向第一金屬探 針端；當(dāng)待測娃片為P型時，溫差電動勢從第一金屬探針端指向第二金屬探針端，在萬用表 上呈現(xiàn)正負(fù)相反的電壓值，從而可W快速區(qū)分娃片是N型還是P型。
【附圖說明】
[0020] 圖1顯示為本實(shí)用新型的便攜式娃片P型和N型快速區(qū)分儀的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021] 圖2顯示為本實(shí)用新型的便攜式娃片P型和N型快速區(qū)分儀的另一結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022] 元件標(biāo)號說明
[0023] 1 絕緣手柄
[0024] 2 第一金屬探針
[00巧]3 第二金屬探針
[0026] 4 發(fā)熱元件
[0027] 5 萬用表
[002引 6 待測娃片
[0029] 7 隔熱件
[0030] 8 固定件
【具體實(shí)施方式】
[0031] W下由特定的具體實(shí)施例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人±可由本 說明書所掲露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0032] 請參閱圖1至圖2。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用W 配合說明書所掲示的內(nèi)容，W供熟悉此技術(shù)的人±了解與閱讀，并非用W限定本實(shí)用新型 可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的 調(diào)整，在不影響本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型 所掲示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如"上"、"下"、"左"、 "右"、"中間"及"一"等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用W限定本實(shí)用新型可實(shí)施的 范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實(shí)用新型可實(shí)施的 范疇。
[0033] 如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種便攜式娃片P型和N型快速區(qū)分儀，所述區(qū)分儀至 少包括:絕緣手柄1、第一金屬探針2、第二金屬探針3、發(fā)熱元件4W及萬用表5。
[0034] 所述絕緣手柄1可W方便使用者握持，將人體與金屬隔絕，其形狀不限。
[0035] 所述第一金屬探針2和第二金屬探針3分別設(shè)置在所述絕緣手柄1上，具體設(shè)置在 絕緣手柄1的前端。所述第一金屬探針2和第二金屬探針3的頭部(遠(yuǎn)離所述絕緣手柄1的一 端)直接與待測娃片6接觸。所述第一金屬探針2和第二金屬探針3為同種金屬材料，一般為 與待測娃片6接觸后不會污染娃片的金屬材料，例如不誘鋼或者鐵，當(dāng)然，也可W是其他合 適的金屬材料，在此不