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一種用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:10463830閱讀:463來源:國知局
一種用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于太赫茲器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]由于太赫茲器件應(yīng)用的發(fā)展,迫切需要高質(zhì)量、高可靠性的絕緣子。一般常規(guī)真空器件中應(yīng)用的絕緣子大多是陶瓷金屬化后與金屬封接結(jié)構(gòu),而太赫茲器件由于頻率極高,本身管型較小,所以更適合使用更小的絕緣陶瓷,這就需要將陶瓷與金屬桿進行高強度的牢固封接。由于太赫茲器件中用的絕緣子為多孔結(jié)構(gòu)且尺寸較小,按正常的金屬化方法進行金屬化難度較大而且不能保證所有的孔洞的封接質(zhì)量,特別是在金屬化涂膏過程中難以實現(xiàn)對微孔的正常涂覆。但是如果采用直接封接,不需要對內(nèi)部進行金屬化處理,那么難度將大大的縮小,這就需要找到一種焊接材料能直接將金屬與陶瓷焊接在一起。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此,本實用新型提供一種用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),目的是不需要金屬化處理即可將金屬與絕緣子固定連接在一起。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型采取的技術(shù)方案為:
[0005]—種用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)包括絕緣子和多個金屬桿,所述絕緣子設(shè)有用于穿過金屬桿的通道,每一個金屬桿穿過相應(yīng)的通道并通過電介質(zhì)焊料使金屬桿與絕緣子固定連接。
[0006]所述絕緣子設(shè)有將電介質(zhì)焊料導(dǎo)入絕緣子通道的焊料槽,且焊料槽的直徑大于多孔絕緣子通道的直徑。
[0007]所述通道為通孔。
[0008]所述絕緣子為陶瓷。
[0009]所述電介質(zhì)焊料為玻璃膠泥。
[0010]所述金屬桿包括第一金屬桿和第二金屬桿,第一金屬桿的直徑小于第二金屬桿的直徑且第一金屬桿和第二金屬桿相間隔設(shè)置穿過絕緣子的通道。
[0011 ]所述金屬桿為鉬桿、鉬-錸桿或鎢-錸桿。
[0012]所述電介質(zhì)焊料為墊片樣式的結(jié)構(gòu)。
[0013]本實用新型的有益效果:本實用新型是將陶瓷與難熔金屬通過電介質(zhì)焊料直接進行封接,從而省去金屬化的其他復(fù)雜的程序,通過封接結(jié)構(gòu)的改變,回避了陶瓷金屬化過程中會出現(xiàn)的一系列在金屬化過程中出現(xiàn)的問題,實現(xiàn)了多孔陶瓷與難熔金屬直接可靠性封接。降低多孔陶瓷與難熔金屬封接難度,提高太赫茲器件中絕緣子的強度與制作的合格率。采用這種焊接結(jié)構(gòu)將使得難熔金屬制作的銷與陶瓷基座釬焊時得到強度較高的絕緣組件。
【附圖說明】
[0014]本說明書包括以下附圖,所示內(nèi)容分別是:
[0015]圖1是本實用新型用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu)的裝配結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖中標(biāo)記為:
[0017]1、第一金屬桿,2、第二金屬桿,3、電介質(zhì)焊料,4、絕緣子。
【具體實施方式】
[0018]下面對照附圖,通過對實施例的描述,對本實用新型的【具體實施方式】作進一步詳細的說明,目的是幫助本領(lǐng)域的技術(shù)人員對本實用新型的構(gòu)思、技術(shù)方案有更完整、準(zhǔn)確和深入的理解,并有助于其實施。
[0019]如圖1所示,本實用新型具體涉及一種用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)包括絕緣子4和多個金屬桿,絕緣子4設(shè)有用于穿過金屬桿的通道,每一個金屬桿穿過相應(yīng)的通道并通過電介質(zhì)焊料3使金屬桿與絕緣子4固定連接。優(yōu)選的是,通道為通孔。絕緣子4優(yōu)選為陶瓷,陶瓷采用95瓷,即采用95%A1203。金屬桿采用難熔金屬(Mo,Mo-Re,W-Re)桿,即可以為鉬桿、鉬-錸桿或鎢-錸桿。電介質(zhì)焊料優(yōu)選為玻璃膠泥,優(yōu)選的是采用玻璃膠泥C K-27,實現(xiàn)金屬桿與陶瓷牢固的封接在一起。以金屬桿采用Mo-Re桿為例,為了將Mo-Re和陶瓷封接在一起,采用玻璃膠泥焊料,其熔點為1000°C。溢流溫度為1200°C釬焊的溫度范圍為1250-1320 °C保溫一小時后,即可將陶瓷與Mo-Re桿牢固的封接在一起。
[0020]絕緣子4設(shè)有將電介質(zhì)焊料3導(dǎo)入絕緣子通道的焊料槽,且焊料槽的直徑大于多孔絕緣子通道的直徑。
[0021 ]金屬桿包括第一金屬桿I和第二金屬桿2,第一金屬桿I的直徑小于第二金屬桿2的直徑且第一金屬桿I和第二金屬桿2相間隔設(shè)置穿過絕緣子4的通道。第一金屬桿的直徑可以為0.5mm,第二金屬桿的直徑可以為0.6mm,相應(yīng)的通孔的孔直徑對應(yīng)為略大于0.5mm和略大于0.6mm,焊接槽的直徑可以為0.7mm。
[0022]為了方便膏劑的涂覆我們采用細絲(Φ0.5mm)制作的涂覆桿將電介質(zhì)焊接料制備的膏劑慢慢塞入焊料槽中且一定要將焊料槽填嚴(yán)實否則制作過程中會產(chǎn)生氣泡。當(dāng)然最方便的方法是將電質(zhì)焊料做成墊片的樣式,即電介質(zhì)焊料3為墊片樣式的結(jié)構(gòu)。將電介質(zhì)焊接粉末在汽油和石蠟中混合,壓制成墊片樣式在空氣中煅燒,溫度為800°C-85(TC。
[0023]上述的絕緣子結(jié)構(gòu)的具體制備方法為:在電介質(zhì)焊料粉中摻入純水溶液,將其調(diào)成膏狀溶劑;將第一金屬桿和第二金屬桿分別對應(yīng)插入陶瓷的通孔中;將電介質(zhì)焊料膏劑用細絲制作的涂覆桿慢慢涂覆到焊料槽內(nèi);將涂覆好的絕緣子放入氫爐中在干氫氣氛中釬焊,按20°C/min的速度升到1000°C保溫20min,繼續(xù)升到1300°C保溫Ih后,以10-15°C/min的速度將溫度降至500°C,之后停止加熱,即可將陶瓷與金屬桿牢固的封接到一起。在絕緣子冷卻后用斜口鉗夾住金屬桿大力拉拽金屬桿不掉落即可。
[0024]以上結(jié)合附圖對本實用新型進行了示例性描述。顯然,本實用新型具體實現(xiàn)并不受上述方式的限制。只要是采用了本實用新型的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進行的各種非實質(zhì)性的改進;或未經(jīng)改進,將本實用新型的上述構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場合的,均在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),其特征在于:該結(jié)構(gòu)包括絕緣子和多個金屬桿,所述絕緣子設(shè)有用于穿過金屬桿的通道,每一個金屬桿穿過相應(yīng)的通道并通過電介質(zhì)焊料使金屬桿與絕緣子固定連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),其特征在于:所述絕緣子設(shè)有將電介質(zhì)焊料導(dǎo)入絕緣子通道的焊料槽,且焊料槽的直徑大于多孔絕緣子通道的直徑。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),其特征在于:所述通道為通孔。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),其特征在于:所述絕緣子為陶bL.05.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),其特征在于:所述電介質(zhì)焊料為玻璃膠泥。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬桿包括第一金屬桿和第二金屬桿,第一金屬桿的直徑小于第二金屬桿的直徑且第一金屬桿和第二金屬桿相間隔設(shè)置穿過絕緣子的通道。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬桿為鉬桿、鉬-錸桿或鎢-錸桿。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),其特征在于:所述電介質(zhì)焊料為墊片樣式的結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種用于太赫茲器件中的絕緣子結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)包括絕緣子和多個金屬桿,所述絕緣子設(shè)有用于穿過金屬桿的通道,每一個金屬桿穿過相應(yīng)的通道并通過電介質(zhì)焊料使金屬桿與絕緣子固定連接。本實用新型是將陶瓷與難熔金屬通過電介質(zhì)焊料直接進行封接,從而省去金屬化的其他復(fù)雜的程序,通過封接結(jié)構(gòu)的改變,回避了陶瓷金屬化過程中會出現(xiàn)的一系列在金屬化過程中出現(xiàn)的問題,實現(xiàn)了多孔陶瓷與難熔金屬直接可靠性封接。
【IPC分類】H01B17/00, H01B17/38
【公開號】CN205376218
【申請?zhí)枴緾N201521137250
【發(fā)明人】余亮亮, 席洪柱, 吳磊
【申請人】安徽華東光電技術(shù)研究所
【公開日】2016年7月6日
【申請日】2015年12月30日
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