一種安全性能高的mos管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實(shí)用新型涉及MOS管技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種安全性能高的MOS管。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機(jī)中開(kāi)關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外，在元器件上的開(kāi)關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過(guò)去的大功率晶體三極管，使整機(jī)的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。NOS管是金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬一絕緣體一半導(dǎo)體。MOS管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路，目前的MOS管安全性能低，使用不方便。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種安全性能高的MOS管，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種安全性能高的MOS管，包括管體，所述管體的底部固定連接有引腳，所述管體包括襯底，所述襯底設(shè)置為中空結(jié)構(gòu)，所述襯底的內(nèi)部設(shè)置有耗盡層，所述耗盡層的數(shù)量設(shè)置為兩個(gè)，所述耗盡層與管體內(nèi)壁之間形成耗盡區(qū)，兩個(gè)耗盡區(qū)之間通過(guò)通電溝道連通，所述通電溝道的底部設(shè)置有隔板，且隔板將襯底分成兩個(gè)獨(dú)立的部分，所述襯底的頂部與第一絕緣體固定連接，所述第一絕緣體的一端與源極的一端固定連接，所述源極遠(yuǎn)離第一絕緣體的一端與絕緣層固定連接，所述絕緣層遠(yuǎn)離源極的一端與漏極固定連接，所述漏極遠(yuǎn)離絕緣層的一端與第二絕緣體固定連接，所述絕緣層的頂部設(shè)置有柵極。
[0005]優(yōu)選的，所述引腳包括輸入引腳、接地引腳和輸出引腳，所述輸入引腳與源極固定連接，所述接地引腳與柵極固定連接，所述輸出引腳與漏極固定連接。
[0006]優(yōu)選的，所述引腳設(shè)置為R型彎角結(jié)構(gòu)。
[0007]優(yōu)選的，所述襯底的底部與減震絕緣層固定連接，且減震絕緣層的內(nèi)部設(shè)置有減震彈簧，且在減震彈簧的兩端均固定連接有絕緣板。
[0008]優(yōu)選的，所述通電溝道的內(nèi)壁設(shè)置有保護(hù)層，且保護(hù)層設(shè)置為隔電薄膜。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0010](1)、本實(shí)用新型安全性能高的MOS管，通過(guò)在管體的內(nèi)部設(shè)置隔板，將襯底分為兩個(gè)獨(dú)立的部分，且兩個(gè)部分只能通電溝道連通，有效的防止耗盡區(qū)泄露后不同電荷接觸造成的電路損壞，有效的保護(hù)了管體，保護(hù)了 MOS管，提高了安全性能，方便人們使用。
[0011](2)、本實(shí)用新型安全性能高的MOS管，通過(guò)且在襯底的底部設(shè)置減震絕緣層，降低了掉落時(shí)所受的沖擊力，加強(qiáng)了管體的抗振能力和沖擊抗應(yīng)力，防止電流泄露擊傷使用者的現(xiàn)象發(fā)生，有效的保護(hù)了使用者，確保了 MOS管的電氣性能。
[0012](3)、本實(shí)用新型安全性能高的MOS管，將引腳設(shè)置為R型彎角結(jié)構(gòu)，能夠起到緩沖振動(dòng)和沖擊的作用，避免MOS管引腳在劇烈的振動(dòng)條件下發(fā)生折斷，導(dǎo)致電源功能異?，F(xiàn)象的發(fā)生。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)不意圖；
[0014]圖2為本實(shí)用新型管體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖3為本實(shí)用新型管體的剖面圖。
[0016]圖中:I管體、2引腳、3襯底、4耗盡層、5耗盡區(qū)、6通電溝道、7隔板、8第一絕緣體、9源極、10絕緣層、11漏極、12第二絕緣體、13柵極、14輸入引腳、15接地引腳、16輸出引腳、17
減震絕緣層。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0018]請(qǐng)參閱圖1-3，本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種安全性能高的MOS管，包括管體I，管體I的底部固定連接有引腳2，其特征在于:管體I包括襯底3，襯底3設(shè)置為中空結(jié)構(gòu)，襯底3的內(nèi)部設(shè)置有耗盡層4，耗盡層4的數(shù)量設(shè)置為兩個(gè)，耗盡層4與管體I內(nèi)壁之間形成耗盡區(qū)5，兩個(gè)耗盡區(qū)5之間通過(guò)通電溝道6連通，通電溝道6的內(nèi)壁設(shè)置有保護(hù)層，且保護(hù)層設(shè)置為隔電薄膜，通電溝道6的底部設(shè)置有隔板7，且隔板7將襯底3分成兩個(gè)獨(dú)立的部分，襯底3的底部與減震絕緣層17固定連接，且減震絕緣層17的內(nèi)部設(shè)置有減震彈簧，且在減震彈簧的兩端均固定連接有絕緣板，通過(guò)且在襯底3的底部設(shè)置減震絕緣層17，降低了掉落時(shí)所受的沖擊力，加強(qiáng)了管體I的抗振能力和沖擊抗應(yīng)力，防止電流泄露擊傷使用者的現(xiàn)象發(fā)生，有效的保護(hù)了使用者，確保了MOS管的電氣性能，襯底3的頂部與第一絕緣體8固定連接，第一絕緣體8的一端與源極9的一端固定連接，源極9遠(yuǎn)離第一絕緣體8的一端與絕緣層10固定連接，絕緣層10遠(yuǎn)離源極9的一端與漏極11固定連接，漏極11遠(yuǎn)離絕緣層10的一端與第二絕緣體12固定連接，絕緣層10的頂部設(shè)置有柵極13，通過(guò)在管體I的內(nèi)部設(shè)置隔板7，將襯底3分為兩個(gè)獨(dú)立的部分，且兩個(gè)部分只能通電溝道6連通，有效的防止耗盡區(qū)5泄露后不同電荷接觸造成的電路損壞，有效的保護(hù)了管體I，保護(hù)了MOS管，提高了安全性能，方便人們使用。
[0019]弓丨腳2包括輸入引腳14、接地引腳15和輸出引腳16，輸入引腳14與源極9固定連接，接地引腳15與柵極13固定連接，輸出引腳16與漏極11固定連接，引腳2設(shè)置為R型彎角結(jié)構(gòu)，將引腳2設(shè)置為R型彎角結(jié)構(gòu)，能夠起到緩沖振動(dòng)和沖擊的作用，避免MOS管引腳2在劇烈的振動(dòng)條件下發(fā)生折斷，導(dǎo)致電源功能異?，F(xiàn)象的發(fā)生。
[0020]盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種安全性能高的MOS管，包括管體(I)，所述管體(I)的底部固定連接有引腳(2)，其特征在于:所述管體(I)包括襯底(3)，所述襯底(3)設(shè)置為中空結(jié)構(gòu)，所述襯底(3)的內(nèi)部設(shè)置有耗盡層(4)，所述耗盡層(4)的數(shù)量設(shè)置為兩個(gè)，所述耗盡層(4)與管體(I)內(nèi)壁之間形成耗盡區(qū)(5)，兩個(gè)耗盡區(qū)(5)之間通過(guò)通電溝道(6)連通，所述通電溝道(6)的底部設(shè)置有隔板(7)，且隔板(7)將襯底(3)分成兩個(gè)獨(dú)立的部分，所述襯底(3)的頂部與第一絕緣體(8)固定連接，所述第一絕緣體(8)的一端與源極(9)的一端固定連接，所述源極(9)遠(yuǎn)離第一絕緣體(8)的一端與絕緣層(10)固定連接，所述絕緣層(10)遠(yuǎn)離源極(9)的一端與漏極(11)固定連接，所述漏極(11)遠(yuǎn)離絕緣層(10)的一端與第二絕緣體(12)固定連接，所述絕緣層(10)的頂部設(shè)置有柵極(13)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種安全性能高的MOS管，其特征在于:所述引腳⑵包括輸入引腳(14)、接地引腳(15)和輸出引腳(16)，所述輸入引腳(14)與源極(9)固定連接，所述接地引腳(15)與柵極(13)固定連接，所述輸出引腳(16)與漏極(11)固定連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種安全性能高的MOS管，其特征在于:所述引腳(2)設(shè)置為R型彎角結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種安全性能高的MOS管，其特征在于:所述襯底(3)的底部與減震絕緣層(17)固定連接，且減震絕緣層(17)的內(nèi)部設(shè)置有減震彈簧，且在減震彈簧的兩端均固定連接有絕緣板。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種安全性能高的MOS管，其特征在于:所述通電溝道(6)的內(nèi)壁設(shè)置有保護(hù)層，且保護(hù)層設(shè)置為隔電薄膜。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種安全性能高的MOS管，包括管體，所述管體的底部固定連接有引腳，所述管體包括襯底，所述襯底設(shè)置為中空結(jié)構(gòu)，所述襯底的內(nèi)部設(shè)置有耗盡層，所述耗盡層的數(shù)量設(shè)置為兩個(gè)，所述耗盡層與管體內(nèi)壁之間形成耗盡區(qū)，兩個(gè)耗盡區(qū)之間通過(guò)通電溝道連通，所述通電溝道的底部設(shè)置有隔板，且隔板將襯底分成兩個(gè)獨(dú)立的部分，所述襯底的頂部與第一絕緣體固定連接，所述第一絕緣體的一端與源極的一端固定連接，所述源極遠(yuǎn)離第一絕緣體的一端與絕緣層固定連接。本實(shí)用新型安全性能高的MOS管，有效的防止耗盡區(qū)泄露后不同電荷接觸造成的電路損壞，有效的保護(hù)了管體，保護(hù)了MOS管，提高了安全性能，方便人們使用。
【IPC分類】H01L29/78, H01L23/49, H01L29/06
【公開(kāi)號(hào)】CN205194705
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520942988
【發(fā)明人】王朝剛
【申請(qǐng)人】深圳市國(guó)王科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月27日
【申請(qǐng)日】2015年11月24日