芯片導(dǎo)通件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種芯片導(dǎo)通件，特別是一種電性連接于芯片與一外部電性接點(diǎn)的芯片導(dǎo)通件。
【背景技術(shù)】
[0002]芯片的封裝結(jié)構(gòu)對于其效能來說至關(guān)重要。一般來說，晶粒自大晶片切割下來之后需要對其進(jìn)行封裝工藝，以保護(hù)芯片免于各種物理損壞或化學(xué)腐蝕。同時還設(shè)置對應(yīng)的引腳，以讓使用者可以便利地通過封裝結(jié)構(gòu)來使用芯片或?qū)ζ溥M(jìn)行測試。
[0003]目前較常見的作法是將晶粒設(shè)置于一基座上后，再以打線的方式布線于晶粒于基座上，讓導(dǎo)線連接于晶粒的電極與基座的電性接點(diǎn)之間。但是由于導(dǎo)線的線寬有其限制，使得以導(dǎo)線形成的傳輸結(jié)構(gòu)的阻抗偏大，而無法降低傳輸損耗。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種芯片導(dǎo)通件以取代以往用導(dǎo)線連接于芯片電極與外部接點(diǎn)之間的作法。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種芯片導(dǎo)通件，連接于一芯片的一第一電極與至少一外部電性接點(diǎn)之間，其中，該芯片導(dǎo)通件包含:
[0006]—本體部，具有一第一電極接觸面與至少一貫孔，該第一電極接觸面覆蓋至少部分的該第一電極；
[0007]—信號傳輸部，連接該本體部；以及
[0008]至少一連接部，連接該信號傳輸部，以連接該至少一外部電性接點(diǎn)；
[0009]其中該本體部、該信號傳輸部與該至少一連接部共同形成一上表面，該上表面相對于該第一電極接觸面。
[0010]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該第一電極接觸面具有一第一溝槽，該至少一貫孔暴露于該第一溝槽。
[0011]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該第一溝槽暴露于該本體部具有的其中兩側(cè)邊。
[0012]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該第一溝槽暴露于該本體部的相對兩側(cè)。
[0013]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該芯片導(dǎo)通件設(shè)置于該芯片上時，該芯片導(dǎo)通件覆蓋該第一電極且暴露出該芯片的一第二電極。
[0014]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該本體部具有一第一側(cè)邊，部分的該第一側(cè)邊向內(nèi)凹陷。
[0015]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該本體部還具有一第二側(cè)邊，該信號傳輸部具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊，該第二側(cè)邊相對于該第一側(cè)邊，該第三側(cè)邊自該第一側(cè)邊凹陷的一端延伸而出，該第四側(cè)邊凸出于該第二側(cè)邊。
[0016]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該第一側(cè)邊、該第二側(cè)邊、該第三側(cè)邊與該第四側(cè)邊的延伸方向彼此不重疊。
[0017]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該第一側(cè)邊向內(nèi)凹陷形成一弧角。
[0018]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該信號傳輸部具有一傾斜段，該傾斜段的延伸軸向與該本體部的延伸平面夾有一夾角，該傾斜段的一側(cè)邊連接該至少一連接部。
[0019]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該連接部與該本體部異面。
[0020]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該信號傳輸部還具有一第二溝槽。
[0021]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該第二溝槽還露出于該信號傳輸部的相對兩側(cè)邊。
[0022]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，還包含有多個連接部，該多個連接部分別耦接該至少一外部電性接點(diǎn)。
[0023]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，還包含多個定位部，該多個定位部連接一容置架中的一容置框。
[0024]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，一該定位部位于其中二該連接部之間。
[0025]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，另二該定位部位于該本體部所具有的其中兩側(cè)邊。
[0026]上述的芯片導(dǎo)通件，其中，該本體部、該信號傳輸部與該至少一連接部為一體成形。
[0027]本實(shí)用新型的有益功效在于:
[0028]綜上所述，本實(shí)用新型的芯片導(dǎo)通件以本體部電性連接芯片的電極，且以至少一連接部電性連接外部的電性接點(diǎn)。因此，相較于以往用布線連接芯片電極與外部電性接點(diǎn)的方式，本實(shí)用新型所提供的芯片導(dǎo)通件大幅降低了芯片電極與外部電性接點(diǎn)之間的傳輸阻抗。此外，芯片導(dǎo)通件能連接于容置框架，而得以更有效率地組裝芯片導(dǎo)通件于芯片電極及外部電性接點(diǎn)，進(jìn)而改善了封裝工藝。
[0029]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本實(shí)用新型的限定。
【附圖說明】
[0030]圖1A為本實(shí)用新型一實(shí)施例中芯片導(dǎo)通件相對于外部電性接點(diǎn)的爆炸示意圖；
[0031]圖1B為圖1A中芯片導(dǎo)通件的立體示意圖；
[0032]圖1C為圖1A中芯片導(dǎo)通件的俯視示意圖；
[0033]圖1D為圖1A中芯片導(dǎo)通件的仰視示意圖；
[0034]圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施例中芯片導(dǎo)通件連接于容置架上的示意圖。
[0035]其中，附圖標(biāo)記
[0036]l、4a、4b、4c 芯片導(dǎo)通件
[0037]12本體部
[0038]124a、124b 貫孔
[0039]126 第一溝槽
[0040]14信號傳輸部
[0041]142 第二溝槽
[0042]144傾斜段
[0043]16aU6b 連接部
[0044]18a、18b、18c 定位部
[0045]2 芯片
[0046]22第一電極
[0047]24第二電極
[0048]3外部電性接點(diǎn)
[0049]5容置架
[0050]52a、52b、52c 容置框
[0051]Pl 上表面
[0052]P2第一電極接觸面
[0053]SI第一側(cè)邊
[0054]Sll第一側(cè)邊的第一段
[0055]S12第一側(cè)邊的第二段
[0056]S2第二側(cè)邊
[0057]S3第三側(cè)邊
[0058]S4第四側(cè)邊
[0059]S41第四側(cè)邊的第一段
[0060]S42第四側(cè)邊的第二段
[0061]S5第五側(cè)邊
【具體實(shí)施方式】
[0062]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述:
[0063]以下在實(shí)施方式中敘述本實(shí)用新型的詳細(xì)特征，其內(nèi)容足以使任何本領(lǐng)域技術(shù)人員了解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，且依據(jù)本說明書所公開的內(nèi)容、權(quán)利要求范圍及附圖，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員可輕易地理解本實(shí)用新型相關(guān)的目的及優(yōu)點(diǎn)。以下實(shí)施例為進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的各方面，但非以任何面向限制本實(shí)用新型的范疇。
[0064]請一并參照圖1A至圖1D，圖1A為本實(shí)用新型一實(shí)施例中芯片導(dǎo)通件相對于外部電性接點(diǎn)的爆炸示意圖，圖1B為圖1A中芯片導(dǎo)通件的立體示意圖，圖1C為圖1A中芯片導(dǎo)通件的俯視示意圖，圖1D為圖1A中芯片導(dǎo)通件的仰視示意圖。
[0065]在圖1A中繪示有芯片導(dǎo)通件1、芯片2與一外部電性接點(diǎn)3。如圖1A所示，芯片導(dǎo)通件I用以電性連接于芯片2與外部電性接點(diǎn)3之間。其中芯片2具有第一電極22與第二電極24。外部電性接點(diǎn)3例如為芯片封裝工藝所使用的導(dǎo)線架上的電性接點(diǎn)，但并不以此為限。
[0066]如圖1A至圖1D所示，芯片導(dǎo)通件I具有本體部12、信號傳輸部14、連接部16a、16b與定位部18a、18b、18c。為方便后續(xù)行文說明，本體部12為定義有第一側(cè)邊S1、第二側(cè)邊S2與第五側(cè)邊S5，而信號傳輸部14定義有第三側(cè)邊S3、第四側(cè)邊S4與第六側(cè)邊S6。其中第一側(cè)邊SI還定義有第一段Sll與第二段S12，而第四側(cè)邊S4定義有第一段S41與第二段S42。其中，第一側(cè)邊SI的長度的第一段Sll為第五側(cè)邊S5的長度的百分之六十四。第二側(cè)邊S2的長度約為第五側(cè)邊S5的長度的百分之八十三。第三側(cè)邊S3的長度約為第五側(cè)邊的長度的百分之二十二。第四側(cè)邊S4的第一段S41的長度約等于第二段S42的長度。上述僅為一示范例，實(shí)際上各側(cè)邊的長度比例并不以此為限。
[0067]信號傳輸部14連接于本體部12與連接部16a、16b之間。連接部16a、16b為自信號傳輸部14的第六側(cè)邊S6延伸而出。定位部18a為位于連接部16a、16b之間，定位部18b、18c為分別位于本體部12的第一側(cè)邊SI與第二側(cè)邊S2。然在其他實(shí)施例中，定位部18b、18c也可以位于第五側(cè)邊S5上，定位部18a也不必然位于連接部16a、16b之間。本體部12、信號傳輸部14與連接部16a、16b共同形成上表面Pl。上述僅為舉例示范，實(shí)際上芯片導(dǎo)通件I的各部件的相對位置并不以此為限。
[0068]如圖1A所示，本體部12用以覆蓋并電性連接至少部分的第一電極22。更詳細(xì)地來說，本體部12具有第一電極接觸面P2。第一電極接觸面P2為相對于上表面Pl。本體部12以第一電極接觸面P2電性連接芯片2的第一電極22，且以第一電極接觸面P2覆蓋至少部分的第一電極22，以增大耦接面積并降低傳輸阻抗。第一電極接觸面P2例如為芯片導(dǎo)通件I的完整底面或者是部分的底面。
[0069]本體部12還具有貫孔124a、124b，而第一電極接觸面P2上設(shè)置有一第一溝槽126。貫孔124a、124b暴露于第一溝槽126與上表面Pl。由于在實(shí)務(wù)上，芯片導(dǎo)通件I為例如以導(dǎo)電膠加熱固定于芯片2上。而在加熱過程當(dāng)中，導(dǎo)電膠會受熱而產(chǎn)生揮發(fā)氣體。貫孔124a、124b與第一溝槽126即是用來提供氣體流道以散發(fā)這些揮發(fā)氣體。另一方面，貫孔124